「on top (film)」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

On the top surface of a g-SiN_x film 72 of average quality deposited at a high rate of deposition, a high-quality g-SiN_x film 74 is deposited at a low rate of deposition, and after that the amorphous silicon layer is deposited.例文帳に追加

高い堆積速度で堆積された平均的な品質のｇ−ＳｉＮ_X膜７２の頂面の上に低い堆積速度で高品質のｇ−ＳｉＮ_X膜７４を堆積し、次いで、アモルファスシリコン層を堆積する。 - 特許庁

To rub a sheet with an alignment film, which is in such a structure that the alignment film is laminated on the top surface of a continuous base material, either at a large tilt angle to its length or vertically.例文帳に追加

連続基材表面に配向膜を積層した構造の配向膜付シートに対して、その長手方向に対して大きく傾斜した方向或いは垂直方向にラビング処理を行うことを可能とする。 - 特許庁

A protective film 14 is formed on the top layer of the IC chip 10, the protective film 14 is opened above the element inhibition region 13, and an external terminal 15 is arranged.例文帳に追加

ＩＣチップ１０最上層は保護膜１４が形成され、素子禁止領域１３上方には保護膜１４が開口され外部端子１５が配置されている。 - 特許庁

Visible rays made incident on the exhaust tip part 1d or a top part are reflected by the visible ray reflection film and are returned to a main part of the translucent air-tight container, thereafter, the probability that they are passed through the infrared ray reflective interference film and used for lighting becomes high.例文帳に追加

排気チップ部１ｄやトップ部に入射した可視光は可視光反射膜で反射して透光性気密容器の主要部に戻り、赤外線反射性干渉膜を透過して照明に利用される確率が高くなる。 - 特許庁

A second passivation film 9 covering the first passivation film 8 is formed on the lower portion of each side wall of the ridge portion 5A and the top face of the second p-type cladding layer 5 in the vicinity of each side wall of the ridge portion 5A.例文帳に追加

また、リッジ部５Ａの側壁下部、およびリッジ部５Ａの側壁近傍のｐ型第２クラッド層５の上面には、第１パッシベーション膜８を覆うように第２パッシベーション膜９が形成されている。 - 特許庁

Incident light impinging on a very-fast optical response film 14 at an angle θ_1 of incidence is reflected mainly by the top surface of the optical response film 14 and projected from a projection surface 18B of a right- angled prism 10.例文帳に追加

超高速光応答膜１４に対してθ_1の入射角で入射した入射光は、主に超高速光応答膜１４の表面で反射されて直角プリズム１０の出射面１８Ｂから出射する。 - 特許庁

For that purpose, a top electrode for electron emission is reconstructed with a thin film made of Ir, Pt, and Au laminated on it and put through heat treatment so that a thick island-shaped protrusion and a flat thin film part coexist.例文帳に追加

そのための電子放出用の上部電極をＩｒ，Ｐｔ，Ａｕの薄膜を積層した後加熱処理を施して厚い島状の突起部と平坦な薄い薄膜部が併存した構造に再構成して形成する。 - 特許庁

Next, the bottom surface of a lower electrode 11 of a previously formed thin-film capacitive element 10 of a planar rectangle shape having the lower electrode 11, a ferroelectric film 12 and an upper electrode 13 are bonded on the top surface of the conductive adhesive layer 9.例文帳に追加

次に、下部電極１１、強誘電体膜１２および上部電極１３を有する、予め形成された平面方形状の薄膜容量素子１０の下部電極１１の下面を導電性接着層９の上面に接着する。 - 特許庁

A transparent weatherproof film 13 is stuck on the top surface side of the solar cell 11 and an insulating sheet 14 is arranged between the reverse surface of the solar cell 11 and an insulating film 14.例文帳に追加

また、太陽電池１１の表面側には、透明耐候性フィルム１３が貼着され、太陽電池１１の裏面側には、絶縁シート１４が前記金属薄板との間に配置されている。 - 特許庁

The R-plane sapphire substrate 2 is scribed to cause it to cleave, a lower electrode 8 is formed on the exposed part of the ZnO film 3, and the top face of the p-type GaN clad layer 6 is covered with an upper electrode 9 via the SiO2 film 7.例文帳に追加

この後、Ｒ面サファイア基板２をスクライブしてへき開させ、ＺｎＯ膜３の露出部分の上に下部電極８を形成し、ＳｉＯ_2膜７を介してｐ型ＧａＮクラッド層６の上面を上部電極９で覆う。 - 特許庁

To provide an intermediate-coat composition and its film-forming method ensuring the superiority of a film appearance and chipping resistance in a wet-on-wet coating method for the intermediate coat and a top coat.例文帳に追加

中塗り塗料と上塗り塗料とのウェット・オン・ウェット塗布方法において、塗膜外観および耐チッピング性に優れた中塗り塗料組成物および塗膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To rub a sheet with an alignment film, which is in such structure that the alignment film is laminated on the top surface of a continuous base material, in a direction crossing the length at a large angle.例文帳に追加

連続基材表面に配向膜を積層した構造の配向膜付シートに対して、その長手方向に対して大きい角度で交差する方向にラビング処理を行うことを可能とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device comprises a step of forming a gate dielectric film having a plurality of dielectric films BTM, CS, and TOP including a charge storage film CS on a surface of a semiconductor CH formed with a channel.例文帳に追加

チャネルが形成される半導体ＣＨ表面に、電荷蓄積膜ＣＳを含む複数の誘電体膜ＢＴＭ，ＣＳ，ＴＯＰからなるゲート誘電体膜を形成する。 - 特許庁

A metal silicide film 12 comprised of at least one of a cobalt silicide film, a nickel silicide film, and a titanium silicide film having similar specific resistances to a metal film is selectively formed on the entire top surface of a charge transfer electrode 6 comprised of a silicon film which is formed avoiding a region on a photodiode 2 of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１のフォトダイオード２上の領域を避けて形成された、シリコン系膜からなる電荷転送電極６の上面全面に、金属膜に近い比抵抗を有するコバルトシリサイド膜、ニッケルシリサイド膜、チタンシリサイド膜のうちの少なくとも一つからなる金属シリサイド膜１２を選択的に形成する。 - 特許庁

Here, as the Pt/Ti film 103 has the dimension between it and the adjacent Pt/Ti film 103 set less than doubling the target thickness dimension of the platinum black absorption film 104, when the platinum black absorption film 104 grows on the top surface of the Pt/Ti film 103 to the target thickness dimension, the platinum black absorption film 104 can be formed entirely on the membrane 16a.例文帳に追加

このとき、Ｐｔ／Ｔｉ膜１０３は隣接するＰｔ／Ｔｉ膜１０３との間の寸法が白金黒吸収膜１０４の目標厚さ寸法の２倍以内に設定されているので、Ｐｔ／Ｔｉ膜１０３の上面に白金黒吸収膜１０４が目標厚さ寸法まで成長したときは、メンブレン１６ａ全体に白金黒吸収膜１０４を形成することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device for forming a metal film on a wafer by plating has a process of forming a seed film for the plating, a process of forming a compound film of the metal on the top surface of the seed film, a process of removing the compound film, and a process of forming the metal film by plating.例文帳に追加

メッキ処理を行ってウェハに金属膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記メッキ処理のためのシード膜を形成する工程と、前記シード膜の表面に前記金属の化合物膜を形成する工程と、前記化合物膜を除去する工程と、メッキ処理によって前記金属膜を成膜する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a membrane electrode assembly which can offer the high-performance membrane electrode assembly by ensuring good contact state on a laminated surface between an electrolyte film and catalyst film without the need for a softening process with heating on the top surface of the electrolyte film.例文帳に追加

電解質膜の表面に対して加熱による軟化処理を行うことなく、電解質膜と触媒層との積層面における良好な接触状態を確保し、高性能の膜電極接合体を得ることを可能とする膜電極接合体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An Ni-Cu alloy plating film 4 is formed on an inner surface 3a of a cylinder of the aluminum alloy cylinder block 2, and a CrN film 8d is formed on at least a top ring 8a of the piston ring 8 reciprocating along the plating film 4.例文帳に追加

アルミ合金製シリンダブロック２のシリンダ内面３ａにＮｉ−Ｃｕ合金のメッキ被膜４を形成し、このメッキ被膜４に沿って往復移動するピストンリング８のうちの少なくともトップリング８ａにＣｒＮ被膜８ｄを形成した。 - 特許庁

A device isolation groove 3 is formed on a semiconductor substrate 2, an O_3-TEOS film 4a whose top is partially open is formed along an internal surface of the device isolation groove 3, and a polysilazane film 4b is formed on the O_3-TEOS film 4a.例文帳に追加

半導体基板２に素子分離溝３を形成し、当該素子分離溝３の内面に沿って上部が部分的に開口するＯ_３−ＴＥＯＳ膜４ａを形成し、当該Ｏ_３−ＴＥＯＳ膜４ａ上にポリシラザン膜４ｂを形成する。 - 特許庁

An electrode film 14 is formed on both top and reverse surfaces of one of two sheets 13 made of an electrostrictive material, and a plurality of actuator elements each formed by sticking a sheet 13 having an electrode film 14 formed and a sheet 13 having no electrode film formed on each other are bundled.例文帳に追加

電歪材料で形成された二枚のシート１３のうち一方のシートの表裏両面に電極膜１４を形成してあり、電極膜１４を形成したシート１３と、形成していないシート１３とを張り合わせてあるアクチュエータ素子を複数束ねてある。 - 特許庁

To provide a protected diffusion film arranged on the exit face side of a lens film and capable of finely adjusting diffused spectral characteristics without damaging especially the lens film (especially its top part) arranged on the lower side, its manufacturing method, a surface light source device, and a liquid crystal display device.例文帳に追加

レンズフィルムの出光面側に設けられる保護拡散フィルムにおいて、特に、下側に設置されるレンズフィルム（特にその頂部）を傷付けることが無く、且つ拡散分光特性の微調整が容易な保護拡散フィルム及びその製造方法、面光源装置及び液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

An SiGe film is formed on the top surface of a substrate which is composed of a silicon single-crystal layer with a surface azimuth (111) or (110), a buried crystal defect is introduced into the substrate by ion injection and annealing, and a semiconductor film is formed on the SiGe film.例文帳に追加

表面が（１１１）又は（１１０）の面方位のシリコン単結晶層からなる基板上面にＳｉＧｅ膜を形成し、イオン注入及びアニール処理を行って前記基板内に埋め込み結晶欠陥を導入し、前記ＳｉＧｅ膜上に半導体膜を形成することからなる半導体基板の製造方法。 - 特許庁

A Cr reflection film 8 is formed on the top surface of a substrate 3, and further a TiO2 film 10 consisting of a photocatalytic substrate (a photocatalytic layer containing a photocatalytic substrate) is formed thereon, and still further a porous SiO2 film 12 (a hydrophilic layer containing a hydrophilic substance) is formed on the surface.例文帳に追加

基板３の表面側にＣｒ反射膜８、さらにその表面に光触媒性物質からなるＴｉＯ_２膜１０（光触媒性物質を含む光触媒層）、さらにその表面に多孔質ＳｉＯ_２膜１２（親水性物質を含む親水性層）が設けられている。 - 特許庁

To improve the stability and the strength of connections on a wiring circuit board 1 having interlayer connecting means for connecting, by the thermocompression bonding, copper bumps 5 at their top faces 5a to a copper wiring film 3 on a board 2 surface, thereby connecting the wiring film 3 to a separate copper wiring film 6.例文帳に追加

基板２表面の銅配線膜３に銅バンプ５をその頂面５ａにて熱圧着により接続して銅バンプ３を銅配線膜３と別の銅配線膜６との間を接続する層間接続手段とした配線回路基板１において、その接続の安定性を高め、且つ接続強度を強める。 - 特許庁

To prevent wrinkles and cracks on a protective film close to the step of an opening, in a photoelectric conversion device in which a color filter constituted of a color resist film is formed on the opening, the protective film is formed thereon, and then a top support substrate made of glass, and the like, is bonded thereon.例文帳に追加

開口部にカラーレジスト膜からなるカラーフィルタを形成し、さらにその上に保護膜を形成した後、ガラス等の上部支持基体を接着する光電変換装置において、開口部の段差近傍にて保護膜のしわやクラックが発生しやすい。 - 特許庁

The Y-Ba-Cu-O based high-temperature superconductor film formed on a dielectric substrate 10 is characterized in that the composition ratio of Cu to Ba nearby on the top surface of the film is larger than the composition ratio of Cu to Ba in the film.例文帳に追加

誘電体基板１０上に形成されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の高温超伝導体膜であって、膜の上面近傍におけるＢａに対するＣｕの組成比が、膜の内部におけるＢａに対するＣｕの組成比より大きくなっている。 - 特許庁

In this method for forming pearl gloss coating film, a color base coating film layer having an L value of 65-100 is formed on a substrate, then an interference clear coat layer containing a interference pigment is formed on the color base coating film layer, and further a feat top clear coat layer containing a flatting agent is formed.例文帳に追加

基材に、Ｌ値が６５〜１００のカラーベース塗膜層を形成した後、上記カラーベース塗膜層上に干渉性顔料を含有した干渉クリヤーコート層を形成し、さらにその上に艶消し剤を含む艶消しトップクリヤーコート層を形成する真珠光沢塗膜形成方法。 - 特許庁

The inner end of the thin film coil element 19 is connected to one of connection pads 6 for thin film coil element provided on a semiconductor substrate 4 through a columnar electrode 21, third connecting wiring 29 provided on the top surface of an upper insulating film 25, another columnar electrode 22, and second connecting wiring 16.例文帳に追加

そして、薄膜コイル素子１９の内端部は、柱状電極２１、上層絶縁膜２５の上面に設けられた第３の接続配線２９、柱状電極２２および第２の接続配線１６を介して半導体基板４上の一方の薄膜コイル素子用接続パッド６に接続されている。 - 特許庁

A semiconductor constitution body 2, referred to CSP, is provided at the center part of the top surface of a base plate 1 and a rectangular frame type insulating layer 14 is provided around it; and an upper-layer insulating film 15 is provided on their top surfaces and upper-layer rewiring 17 is provided on its top surface while connected to a columnar electrode 12 of the semiconductor constitution body 2.例文帳に追加

ベース板１の上面中央部にはＣＳＰと呼ばれる半導体構成体２が設けられ、その周囲には矩形枠状の絶縁層１４が設けられ、それらの上面には上層絶縁膜１５が設けられ、その上面には上層再配線１７が半導体構成体２の柱状電極１２に接続されて設けられている。 - 特許庁

In the method for producing the plate glass by a floating process where tension is applied to a molten glass ribbon on the molten tin bath using the top roll in the approximately orthogonal direction to its flow, it is characterized by that the top roll is composed of a base material consisting of a metallic material and the thin film of diamond-like carbon exists on the surface of the base material of the top roll.例文帳に追加

トップロールを使用して溶融錫浴上の溶融ガラスのリボンにその流れ方向にほぼ直交する方向に張力を印加する、フロート法による板ガラスの製造方法において、前記トップロールが、金属材料からなる母材で構成され、該トップロールの母材表面にダイアモンドライクカーボンの薄膜を有することを特徴とする。 - 特許庁

The epitaxial film is formed on the top surface of the semiconductor wafer, the protection film for dopant vaporization prevention is formed on the reverse surface of the semiconductor wafer, and the polysilicon film having the same conductivity as the epitaxial film is formed on the protection film for dopant vaporization prevention, thereby obtaining the semiconductor epitaxial wafer.例文帳に追加

および、半導体ウエーハの表面にエピタキシャル膜が形成され、前記半導体ウエーハの裏面にドーパント揮散防止用保護膜が形成され、前記ドーパント揮散防止用保護膜上に前記エピタキシャル膜と同じ導電型を有するポリシリコン膜が形成されている半導体エピタキシャルウエーハ。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate, first wiring formed on the semiconductor substrate via a first insulation film, the MIM capacitor formed on top of the first insulation film, second insulation film so formed as to cover the MIM capacitor, second wiring formed on the surface of the second insulation film, and guard ring which is so embedded in the second insulation film as to surround the MIM capacitor.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に第１の絶縁膜を介して形成された第１の配線と、前記第１の絶縁膜上に形成されたＭＩＭキャパシタと、前記ＭＩＭキャパシタを覆って形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜表面に形成された第２の配線と、前記ＭＩＭキャパシタを取り囲むように前記第２の絶縁膜に埋設されたガードリングと、を有する。 - 特許庁

This manufacture comprises the steps of forming a bottom silicon oxide film HTO1 on a polycrystalline or amorphous silicon layer by high-temperature chemical vapor deposition(HT-CVD), forming an intermediate silicon nitride film SiN on the bottom silicon oxide film HTO1 by chemical vapor deposition(CVD) and forming a top silicon oxide film HTO2 on the intermediate silicon nitride film SiN by HT-CVD.例文帳に追加

多結晶または非晶質のシリコン層上に、ボトム酸化シリコン膜ＨＴＯ１を高温化学的気相堆積（ＨＴ−ＣＶＤ）により成膜する工程と、ボトム酸化シリコン膜ＨＴＯ１上に、中間窒化シリコン膜ＳｉＮを化学的気相堆積（ＣＶＤ）により成膜する工程と、中間窒化シリコン膜ＳｉＮ上に、トップ酸化シリコンＨＴＯ２をＨＴ−ＣＶＤにより成膜する工程とを有する。 - 特許庁

There are provided a wiring layer formed on a substrate surface formed in a wanted element region, an inter-layer insulating film covering the wiring layer surface, a silicon nitride film formed so as to cover the entire surface of the inter-layer insulating film, and a gold layer which is formed on the silicon nitride film as a top layer metal, and a flattened insulating film formed on the metal-wiring layer.例文帳に追加

本発明では、所望の素子領域の形成された基板表面に形成された配線層と、前記配線層表面を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜表面全体を覆うように形成された窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜の上層に形成された最上層メタルとしての金層からなるメタル配線層と、前記メタル配線層上に形成された平坦化絶縁膜とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The brilliant coating film forming method is performed by forming the color clear based coating film layer using the solvent type coating material on the base material, forming the hologram pigment-containing brilliant clear coating film layer on the color clear base coating film layer and forming a top clear coating film layer on the brilliant clear coating layer.例文帳に追加

基材の上に、溶剤型塗料を用いてカラークリヤーベース塗膜層を形成後、前記カラークリヤーベース塗膜層の上に、ホログラム顔料含有光輝性クリヤー塗膜層を形成し、さらに前記光輝性クリヤー塗膜層の上にトップクリヤー塗膜層を形成する光輝性塗膜形成方法。 - 特許庁

The GaN semiconductor layer is removed from the sapphire substrate except from a region on the SiO2 film, then a P electrode 13 is formed on the top surface of the GaN semiconductor layer 18 on the SiO2 film, and the P electrode 13 is joined to an ohmic electrode 15a on the GaAs substrate 14.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜上の領域を除いてＧａＮ系半導体層をエッチングにより除去した後、ＳｉＯ_2膜上のＧａＮ系半導体層１８の上面にｐ電極１３を形成し、ＧａＮ系半導体層１８上のｐ電極１３をＧａＡｓ基板１４上のオーミック電極１５ａに接合する。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus capable of simultaneously forming uniform and stable boron nitride films on substrates of cemented carbide and high speed steel or on surfaces of many tool members consisting thereof and having a special shape on their top end parts.例文帳に追加

超硬合金や高速度鋼の基板あるいはこれらよりなる先端部が特殊な形状を呈する多数の工具部材の表面に同時に均一で安定した窒化ホウ素膜を形成することのできる成膜装置を提供する。 - 特許庁

On the coating layer, a bright clear coating layer containing a holographic pigment-containing brilliant coating material is formed by a wet- on-wet method or a wet-on-dry method, and further a top clear coating film is formed thereon.例文帳に追加

（１）粉体塗料から形成されるカラークリヤープライマー塗膜層、（２）ホログラム顔料含有光輝性塗料から形成される光輝性クリヤー塗膜層、（３）トップクリヤー塗膜層 - 特許庁

Using a contact metal, an insulation film or a foundation interconnection layer which is formed on a substrate as a mask, a light is irradiated on a resist layer applied on the top of the mask from the opposite side of the substrate to carry out exposure.例文帳に追加

基板上に形成されているコンタクトメタルや絶縁膜や下地配線層をマスクとして用いて、マスク上に塗布されたレジスト層に基板の反対側から光を照射して露光を行う。 - 特許庁

Electrode plates 30, 30 are overlapped on both the top and bottom faces of a spacer 10 having a ring-shape frame 11, and an insulation film 40 is overlapped on those surfaces, and a holding member 50 is formed integrally on the outer circumference of these through injection molding.例文帳に追加

環状枠部１１を備えたスペーサ１０の上下両面に電極板３０，３０を重ね、さらにその表面に絶縁フィルム４０を重ね、これらの外周に射出成型で保持部材５０を一体に形成する。 - 特許庁

In addition, Fujiko YAMAMOTO, a top actress who was known as the most beautiful woman in Japan, requested permission to appear in films produced by other companies and to reduce the number of films required under contract, angering Daiei president Nagata and resulting in her dismissal and a ban on appearing in any film or theatrical production under the five-party agreement among the top film companies regarding management of film cast and crew. 例文帳に追加

そして、日本一の美女と言われ、美人の代名詞であった看板女優・山本富士子が他社出演の許可と出演本数を少なくするという約束を守ってほしいと頼んだところ永田社長の怒りを買い、一方的に解雇され、五社協定にかけられ他社の映画や舞台にも出演できなくなる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the composite LAT imaging film comprising the substrate and a removable top coat of discontinuous film by laser irradiation and extended on the almost same area as the substrate, it is characterized that the removable top coat of discontinuous film includes toner particles in a quantity required for obtaining a contrast image.例文帳に追加

支持基板と、この支持基板とほぼ同じ広がりを有するレーザ照射で除去可能な非連続フィルムのトップコートとを有する複合ＬＡＴ画像化フィルムにおいて、非連続フィルムの除去可能なトップコートがコントラスト画像を得るのに必要な量のトナー粒子で構成されることを特徴とする複合ＬＡＴ画像化フィルム - 特許庁

In this case, upper layer connection wiring 49, 52, 55 and 58 for connecting the bottom gate electrode 9, source/drain electrodes 10 and top gate electrode 8 of the thin-film transistor 3 to the source/drain electrodes of the thin-film transistors 21 and 22 which are connected to conductive layers 35 and 36 are provided on the interlayer insulating film 40 covering the top gate electrode 8.例文帳に追加

この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４９、５２、５５、５８は、トップゲート電極８を覆う層間絶縁膜４０上に設けられている。 - 特許庁

To provide a thin-film key sheet having a plurality of key tops functioning as operation keys and a film base sheet on which the key tops are placed, with the thin-film key sheet covering press button switches, wherein the key tops can be pushed down by a small force and a key top can be pushed down without interfering or flapping an adjacent key top and a frame sheet.例文帳に追加

操作釦となる複数のキートップと、このキートップを上面に載置するフィルム状のベースシートとを備え、押釦スイッチを覆う薄膜状のキーシートについて、押圧荷重が小さくキートップを押圧する際に隣接するキートップやフレームシートに対し干渉せずに波打ちさせない。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a substrate; a transistor activating region 104 constituted of a convex semiconductor prepared on the substrate; a gate insulating film 105a prepared on a portion of the side and top surfaces of the transistor activating region 104; and a gate electrode 350, prepared on the side surface and top surface of the transistor activating region 104, with the gate insulating film 105a pinched in between.例文帳に追加

半導体装置は、基板と、基板上に設けられた凸状の半導体からなるトランジスタ活性領域１０４と、トランジスタ活性領域１０４の一部の側面上及び上面上に設けられたゲート絶縁膜１０５ａと、ゲート絶縁膜１０５ａを間に挟んでトランジスタ活性領域１０４の側面及び上面の一部上に設けられたゲート電極３５０とを備えている。 - 特許庁