「on top (film)」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

In a near field light probe 1 that is made of a high refraction material and has a projection 3 having a hole smaller than the light wavelength of the light source on the light transmissive substrate 2 provided at the top, an anti-reflection film 7 is provided on the first boundary surface 6 where the light 8 from the light source enters the transmissive substrate 2 through the air layer 5.例文帳に追加

高屈折率材料で形成され、先端に光源の波長より小さな開口部を有する突起部３を透光性基板２上に形成してなる近接場光プローブ１において、光源からの入射光８が空気層５から透光性基板２に入射する第１境界面６に反射防止膜７を形成させた。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a source electrode 105, a drain electrode, and a gate electrode 107 formed on a barrier layer 104 in contact with the barrier layer 104; and a passivation film 108 formed on the barrier layer 104 so as to cover at least a part of the top surface of the respective electrodes to protect the barrier layer 104 and formed of a plurality of films.例文帳に追加

半導体装置は、障壁層１０４の上に該障壁層１０４と接して形成されたソース電極１０５、ドレイン電極及びゲート電極１０７と、障壁層１０４の上に各電極の上面の少なくとも一部を覆うように形成され、障壁層１０４を保護する、複数の膜からなるパッシべーション膜１０８とを有している。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device (MMIC) has HFET 19 including a groups III-V nitride semiconductor layer 15 formed on a partial area on a substrate 11 including sapphire, and a dielectric film 20 formed such that it covers a top, sides, and corners of upper ends of the groups III-V nitride semiconductor layer 15.例文帳に追加

半導体集積回路装置（ＭＭＩＣ）は、サファイアからなる基板１１上の一部の領域に形成されたIII-Ｖ族窒化物半導体層１５からなるＨＦＥＴ１９と、基板１１の上に、III-Ｖ族窒化物半導体層１５の上面、側面及び上端の角部を覆うように形成された誘電体膜２０とを有している。 - 特許庁

After a bump electrode 230, a dummy bump 240 and a heat resistant resin film 300 with top faces having uniform heights are formed on each of a first silicon substrate 100 and a second silicon substrate 101, the first silicon substrate 100 and the second silicon substrate 101 are bonded so that the bump electrodes formed on the respective substrates are electrically connected.例文帳に追加

第１シリコン基板１００上および第２シリコン基板１０１上のそれぞれに、上面の高さが揃ったバンプ電極２３０、ダミーバンプ２４０および耐熱性樹脂膜３００を形成した後、第１シリコン基板１００と第２シリコン基板１０１とをそれぞれの基板に形成されたバンプ電極同士が電気的に接続されるように接着させる。 - 特許庁

The member with a thermal-sprayed coating film having a self-sealing action has the undercoat comprising a metallic layer 2 and/or a carbide cermet layer 4 formed on the surface of a substrate and the top coat comprising a porous thermal-sprayed layer 3 of a CaO oxide-based ceramic containing 5-45 mass% CaO and formed on the undercoat.例文帳に追加

基材の表面に、金属層２および／または炭化物サーメット層４からなるアンダーコートが形成され、そのアンダーコートの上にＣａＯを５〜４５ｍａｓｓ％含むＣａＯ系酸化物セラミックスの多孔質溶射層３からなるトップコートが形成されていることを特徴とする自己封孔作用を有する溶射皮膜被覆部材。 - 特許庁

In the case the ink tank 10 is mounted on an ink tank mounting part 7, the sealing film 46 is pierced through by the top end of an atmosphere opening projection 7c disposed on the ink tank mounting part side so as to allow communication of the atmosphere opening part elongating therefrom to the ink storage part 17 and have the ink storage part 17 in a state opened to the atmosphere.例文帳に追加

インクタンク１０をインクタンク装着部７に装着すると、インクタンク装着部側に配置されている大気開放用突起７ｃの先端によって封止用フィルム４６が突き破られ、ここからインク貯留部１７に到る大気開放部が連通して、インク貯留部１７が大気開放状態になる。 - 特許庁

The substrate coating method for lithography includes the steps of coating the top of a substrate with a film in a lithography process and disposing a topcoat layer on the film, wherein the film is formed using an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that contains a resin (P), having a repeating unit (A) which decomposes due to irradiation with actinic rays or radiation, and which generates an acid.例文帳に追加

リソグラフィプロセスにおいて基板上に膜を被覆する工程と、該膜上にトップコート層を設ける工程を含むリソグラフィ用基板被覆方法であって、前記膜が、活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位（Ａ）を有する樹脂（Ｐ）を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いて形成されることを特徴とする、リソグラフィ用基板被覆方法。 - 特許庁

In a metal sheet wherein at least a resin coating film layer using an aminoplast resin as a curing agent is provided on one side or both sides of a metal sheet subjected to chemical conversion treatment, the element concentration distribution in the depth direction of the coating film is measured with respect to a top coating film layer by high frequency discharge type glow discharge emission spectrochemical analysis.例文帳に追加

化成処理を施した金属板の片面もしくは両面に、1層以上のアミノプラスト樹脂を硬化剤として用いた樹脂塗膜層をトップ塗膜層として有する金属板において、トップ塗膜層について高周波放電式グロー放電発行分光分析で塗膜の深さ方向の元素濃度分布を測定し、トップ塗膜層の空気に接している表面をゼロ点とし、ここから深さ方向の距離をTとし、更に、Nc=[窒素のスペクトル強度]/{[窒素のスペクトル強度]+[酸素のスペクトル強度]+[炭素のスペクトル強度]}と定義したときに、Ncの値が次の(A)0μm≦T≦0.5μmのいずれかの深さにおけるNcの値が0.45以上である。 - 特許庁

Besides, in his later years, 'the 100th anniversary of the third Utaemon NAKAMURA' held at the Kabuki-za Theater in November of 1936 and top actors of the East and of the West all gathered and performed "Himaneki no Kiyomori" with the total of ninety actors, Utaemon played the leading role TAIRA no Kiyomori, sitting like a king at the middle of the ninety performers; his brilliant performance on the stage has been still told among people (the film recording the stage was found resently). 例文帳に追加

また、晩年の1936年（昭和11年）11月歌舞伎座で行われた「三代目中村歌右衛門百年祭」には東西の幹部俳優が集まり、『日招きの清盛』では総勢九十名の出演者の真ん中に王者のように座して平清盛を演じたが、その立派さは後世の語り草となっている（近年、その舞台のフィルムが発見された）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In this combined oil control ring comprising a pair of side rails and a spacer expander supporting the side rails, a hydrophilic film is provided at least on the top surface of the spacer expander or of the side faces of the side rails opposing to the spacer expander.例文帳に追加

一対のサイドレールと、前記サイドレールを支持するスペーサエキスパンダとからなる組合せオイルコントロールリングにおいて、少なくとも前記スペーサエキスパンダ又は前記サイドレールの前記スペーサエキスパンダと対向する側面の最表面に、親水性皮膜を設けたことを特徴とする組合せオイルコントロールリング。 - 特許庁

The substrate treatment apparatus 1 for applying etching treatment to a substrate 9 having a silver thin film formed on a glass substrate includes a treatment chamber 11 for reserving the etching liquid, a substrate supporting section 12 for supporting the substrate 9 arranged in parallel in the treatment chamber 11, and an absorbent cartridge 13 opposing a top surface 91 of the substrate 9 in the treatment chamber 11.例文帳に追加

基板処理装置１は、ガラス基板上に銀の薄膜が形成された基板９にエッチング処理を施す装置であり、エッチング液が貯溜される処理槽１１、処理槽１１内にて水平に配置された基板９を支持する基板支持部１２、および、処理槽１１内にて基板９の上面９１に対向する吸着材カートリッジ１３を備える。 - 特許庁

A side wall is formed on the lateral sides of a gate electrode 4 in an n-channel transistor formation schedule region 51n by etching back the insulating film 6, and an n-type impurity introduced region is formed within the n-channel transistor formation scheduled region 51n by introducing an n-type impurity in the top surface of the semiconductor substrate 1 using the side wall as a mask.例文帳に追加

絶縁膜６のエッチバックを行うことにより、ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎ内のゲート電極４の側方にサイドウォールを形成し、ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎ内において、このサイドウォールをマスクとして半導体基板１の表面にｎ型不純物を導入してｎ型不純物導入領域を形成する。 - 特許庁

To provide a building decorative board having, on the base material, an ink receiving layer, a printing layer formed by a printing system, and a top clear layer formed by using water-based clear coating, wherein ink bleeding and delamination in printing layer is prevented as much as possible and the durability (water resistance, light resistance and weatherability) of the whole of the decorative coating film is remarkably improved.例文帳に追加

基材の表面上にインクの受理層、印刷方式により形成された印刷層、及び水系クリヤー塗料を用いて形成されたトップクリヤー層を有する建築用化粧板であり、印刷層におけるインク滲みや層間剥離が可及的に改善され、化粧用塗膜全体の耐久性（耐水性、耐光性、及び耐候性）が顕著に改善された建築用化粧板を提供する。 - 特許庁

The spray plate 1 is one of main components of a spray nozzle 10 and includes a spray plate substrate 2 having a conically recessed portion 4A formed so as to be recessed upward from the bottom surface 3 and a through spray port 5 formed in the top of the conically recessed portion 4A and a diamond-like carbon film 6 formed on the surface of the spray plate substrate 2 by a plasma ion injection method.例文帳に追加

噴板１は噴霧ノズル１０の主要部品のひとつであって、底面部３から上向きに陥入して形成された錐陥部４Ａと、錐陥部４Ａの頂部に貫通形成された噴霧口５とを有して成る噴板基体２の表面に、プラズマイオン注入法によりダイヤモンドライクカーボン膜６を形成したものである。 - 特許庁

A first conductor pattern 20 and a second conductor pattern 22 provided on the top surface of a base material 10A by using conductors formed by using conductive paste 30 are electrically connected, and at least the conductors are covered with an overcoat resist film 40 formed by using photosetting ink obtained by mixing a given amount of white pigment with epoxy resin.例文帳に追加

導電性ペースト３０を使用して形成される導体により基材１０Ａの表面に設けられた第１の導体パターン２０と第２の導体パターン２２とを電気的に接続し、エポキシ樹脂に白色顔料を所定量配合させた光硬化型インキを使用して形成されるオーバコートレジスト膜４０で少なくとも上記導体を覆う。 - 特許庁

The gate insulation film forming method includes a process for preparing a substrate, a process for forming a silicon dioxide layer on the top surface of the substrate, a process for exposing the silicon dioxide layer to a plasma-nitride forming process in order to change the silicon dioxide layer into a silicon nitride oxide layer, and a process for subjecting the silicon nitride oxide layer to spike-like rapid annealing.例文帳に追加

基板を準備し、基板の上表面に二酸化シリコン層を形成し、二酸化シリコン層を窒化酸化シリコン層に変換するためにプラズマ窒化物形成工程に二酸化シリコン層を露出し、および窒化酸化シリコン層にスパイク状急熱アニ−ルを実施することを含むゲート絶縁膜の形成方法により信頼性の高いゲート絶縁膜を提供する。 - 特許庁

By this setup, the etching solution is prevented from flowing into a device forming a region located at the center of the wafer W, and a metal thin film formed on the under peripheral edge, end face, and upper peripheral edge of the wafer W is removed by the etching solution flowing from the undersurface to the top surface of the wafer W at the same time.例文帳に追加

これにより、ウエハＷの上面中央部のデバイス形成領域にエッチング液が流れ込むのを防止しつつ、ウエハＷの下面から上面に回り込むエッチング液により、ウエハＷの下面周縁部、端面および上面周縁部に形成された金属薄膜を除去することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing a ceramic electronic component comprises: a first process for forming a corrugated section including convex and/or concave section on the surface; a second process for forming a first electrode film to be the terminal electrode, by mutually contacting a tapered section consisting of top of the convex section, or convex and/or concave section; to the end face of the ceramic raw material.例文帳に追加

本発明のセラミック電子部品の製造方法は、導電性ペーストを用いて、表面に凸部または／および凹部を備える波状形成部を形成する第１工程と、凸部の頂点部あるいは凸部または／および凹部により構成される傾斜部と、セラミック素体の端面と、を互いに接触させ、セラミック素体の端面に端子電極となるべき第１電極膜を形成する第２工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The painting method includes removing a degraded film on an old painted surface; repairing cracks and the like; applying a vegetable antibacterial agent; leaving it for a while; washing the vegetable antibacterial agent and dirt off with high-pressure water; and applying using a roller an aqueous reaction hardening type resin surface preparation agent and a low- contamination resin paint respectively for second coating and top coating in that order.例文帳に追加

旧塗装面の劣化塗膜の除却、クラック等の補修の後、植物性抗菌剤を塗布し、しばらく放置した後、高圧水による洗浄により、植物性抗菌剤及び汚れを除去し、水性反応硬化形樹脂系下地調整剤、低汚染形樹脂塗料による中塗り、上塗りの順にローラにて塗布する。 - 特許庁

An article to be molded having a connection electrode standing on the electrode forming face while being connected electrically with an electrode an electrode is clamped, together with a resin material, by the upper and lower dies 5a, 5b of a molding die through a sealing film 14 and then the article is resin sealed while exposing the top end face of the connection electrode.例文帳に追加

電極形成面に電極と電気的に接続された接続電極が立設された被成形品を、封止用フィルム１４を介してモールド金型の上型５ａと下型５ｂとで樹脂材とともにクランプすることにより、前記接続電極の頂部端面を露出させて被成形品を樹脂封止する樹脂封止装置である。 - 特許庁

An electrode 5 is formed on a top face of the semiconductor chip, and the power module comprises an insulation film 6 of an inorganic material covering the electrode 5, an outer peripheral end face of the semiconductor chip, the bonding material continuous from the outer peripheral end face of the semiconductor chip, the conductor pattern 2 and a surface of the insulation substrate 1.例文帳に追加

半導体チップ上面には電極５が形成されており、パワーモジュールは電極５と、前記半導体チップ外周端面と、前記半導体チップ外周端面と連続する前記接合部材と、導体パターン２と、絶縁基板１の表面とを被覆し、無機材料からなる絶縁膜６とを備える。 - 特許庁

A third internal metal layer 47, a second metal layer 48 and a fourth internal metal layer 49 are successively vapor-deposited on the entire top portion of the IMD oxide film, having the contact plug formed thereon, thereby forming the upper metal layer including the third internal metal layer, the second metal layer and the fourth internal metal layer.例文帳に追加

前記コンタクトプラグの形成された前記ＩＭＤ酸化膜の上部全体に、第３内部金属層４７、第２金属層４８、および第４内部金属層４９を順次蒸着し、前記第３内部金属層、前記第２金属層、および前記第４内部金属層を含む上部金属層を形成する。 - 特許庁

In the device, the transfer roll is provided with a multiple number of electrodes corresponding to the paper of different widths, the electrodes are insulated in between by insulating film layers, a foamed polyurethane rubber layer is formed outside an electrode constitution and a polyurethane series coating layer where volume resistivity and releasing property is improved by mixing in fluorinated resin is formed on top of the above.例文帳に追加

転写ロールは、幅の異なる用紙に対応した複数の電極を有し、電極間は絶縁フィルム層により絶縁され、電極構成の外側に発泡ポリウレタンゴム層を形成し、その上に体積抵抗率がフッ素樹脂を混入して離型性を向上させたポリウレタン系被膜層を形成する。 - 特許庁

To provide a cover material and seal film for a solar cell and a lightweight solar cell which has high shock resistance and endurance using a cover material for the solar cell as a transparent protective material on the top/back of the solar cell.例文帳に追加

太陽電池用セルの透明保護部材として用いられるカバー材であって、防湿性と耐光性を兼備する透明フィルムよりなり、太陽電池の軽量化、耐衝撃性及び耐久性の向上に有効な太陽電池用カバー材及び太陽電池用カバー材兼用封止膜並びにこの太陽電池用カバー材を表面側及び／又は裏面側透明保護部材として用いた、軽量、高耐衝撃性、高耐久性の太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a French manicure composition that minimally blurs undercoat color and top coat lines, dries quickly, does not develop condensation on the coated film, even when the humidity of the application environment is high, has minimal leveling and color irregularity, and has excellent drying properties, adhesiveness, flexibility, masking properties, finishing properties, dispensability and re-stirring performances.例文帳に追加

下地カラーやトップコートによるラインの乱れが少なく、乾燥が早く、塗布環境で湿度が高い場合であっても塗膜に結露が発生することがなく、レベリングや色ムラも少ない、乾燥性、密着性、屈曲性、隠蔽性、仕上がり性、吐出性能及び再攪拌性に優れたフレンチネイルタイプの美爪料組成物を提供する。 - 特許庁

In the sheet product X1 comprising a plurality of non-woven fabric sheets folded in a pop-up form and accommodated in a bag 1, the non-woven fabric sheet has a base material composed of cotton or cotton and rayon fiber, and the bag is composed of a transparent resin-made film and has a rectangular taking-out opening 10 on the top surface.例文帳に追加

ポップアップ形式に折り畳まれた複数枚の不織布シートが、袋１に収められているシート製品Ｘ１であって、不織布シートは、コットン又はコットン及びレーヨン繊維を基材とし、袋は、透明の樹脂製フィルムからなり、その天面に長方形状の取出し口１０を有するシート製品。 - 特許庁

To provide a package for light emitting element storage which can be improved in productivity and whose appearance can be kept excellent for a long period while preventing a high-reflectivity metal film formed on a surface of a reflector joined to a top surface of a base body of the package for light emitting element storage from discoloring through chemical reaction with hydrogen sulfide in air.例文帳に追加

発光素子収納用パッケージの基体の上面に接合される反射体の表面に形成される高反射性金属膜が空気中の硫化水素分と化学反応を起こして変色するのを防止することができると同時に、発光素子収納用パッケージの生産性を高め、長期間にわたり外観の見映えを良好に保つことができる発光素子収納用パッケージを提供する。 - 特許庁

In this flexible film-like load detecting sensor having a plurality of pressure sensor cells incorporated in a seat for a vehicle, and for detecting passengers seated on the seat, a slit whose one end is opened is formed between an area corresponding to the top-plate part of the seat and an area corresponding to the bank part of the seat.例文帳に追加

可撓性を有し、複数の圧力センサ・セルを備え、車両用シートに組み込まれ、シートに着座した乗員を検知するためのフィルム状の荷重検知センサにおいて、シートの天板部に対応する領域と、シートの土手部に対応する領域との間に、一端が開放されたスリットを備える。 - 特許庁

A plug electrode across from a substrate 1 to a top surface of a third interlayer insulating layer 9 is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13, which are connected to each other; and the first interlayer insulating film 3 is used as an etching stopper layer, and the alignment mark 15 is formed on the first interlayer insulating layer 3.例文帳に追加

基板１から第３層間絶縁層９の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とを繋ぐと共に、第１層間絶縁層３をエッチングストッパ層として使用し、第１層間絶縁層３上に合わせマーク１５を形成する。 - 特許庁

To provide a mask which has a reinforcing section that is arranged on the top face of a main body of the mask and reinforces a wiring pattern having a plurality of linear open holes adjacently arranged to each other, facilitates a metallic film to be formed so as to sneak into the backside of the reinforcing section, and consequently enables a fine wiring pattern to be precisely formed.例文帳に追加

複数の直線状の貫通孔が並設された配線パターンを補強するために、マスク本体の上面に補強部を設けたマスクにおいて、補強部を回り込んで行われる金属膜の成膜を行いやすくでき、微細な配線パターンを精度よく形成することができるマスクを提供することにある。 - 特許庁

A semiconductor chip is placed onto a chip mount of a chip carrier having an opening at its bottom, a protrusion of a bumps forming device, at least whose top surface is smoothed out by a coating film, is made to penetrate through the opening from bottom up, and the semiconductor chip is fixed to the upper surface, thus forming bumps on the surface of the semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップを、チップキャリアの、底部に開口部を有するチップ搭載部に載置し、前記半導体チップをバンプ形成装置の、少なくとも上面が被覆膜で平滑状態とした突起部を、開口部内に下方から上方に貫通させ、半導体チップを前記上面上に固定し、半導体チップの表面にバンプを形成するようにする。 - 特許庁

In the process of rubbing the surface of an alignment film formed on a substrate by using piles produced by gigging a rubbing cloth which is wound around a rotating roller, the rubbing cloth used is controlled in such a manner that the top end of the pile is in the backward position from the root of the pile with respect to the rotating direction of the roller as the reference.例文帳に追加

回転ローラーにラビング布を巻き付け、前記ラビング布より起毛したパイルによって基板に形成された配向膜表面をラビングする工程において、前記パイルの先端部が、ローラーの回転方向を基準として、前記パイルの毛根部よりも後方側に位置するラビング布を使用することを特徴とした。 - 特許庁

A function can be made complex by providing a substrate part (56) having a shielding function for the infrared range of transmitted light and an attenuating function for the visible light range by incorporating transition metal and a reflection suppressing film (AR coat layers 58 and 60) which is formed on one or both of the top and reverse surfaces of the substrate part to suppress reflection of light.例文帳に追加

遷移金属を含有させたことにより、透過する光の赤外領域に対する遮断機能と可視光領域に対する減衰機能とを有する基板部（５６）と、この基板部の表面又は裏面の一方又は双方に成膜されて光の反射を抑制する反射抑制膜（ＡＲコート層５８、６０）とを備え、機能の複合化を実現させた構成である。 - 特許庁

Products 13, 13', 13'' of any thickness or size are fed by sheet placers 14, 14', 14'' to a conveyor system 11 equipped with a plurality of pushers 12 which are positioned at a certain interval one behind the other with a predetermined distance, and are stacked one on top of the other and transferred to the packaging area in a sheet of wrapping film or paper.例文帳に追加

任意の厚さ、大きさの製品１３，１３’，１３”が複数のプッシャー１２を備えているコンベヤ１１にシートプレーサ１４，１４’，１４”により供給し、複数のプッシャーは間隔を置いて一方が他方のうしろに所定の距離を置いて位置し、製品がお互いの頂部に積み重ねられてプラスチックフィルム又は紙でラッピングする包装区域へ運ばれる。 - 特許庁

The piezoelectric resonator is equipped with a base body 1 which has a vibration space, the base film 2 made of diamond formed on a top surface of the base body 1 so that the vibration space A is covered, a contact layer 3 which is formed in order thereupon, and the piezoelectric body 6 which is sandwiched between a pair of electrodes 5 and 7, and the contact layer 3 is made of an insulator.例文帳に追加

振動空間を有する基体１と、その振動空間Ａを被覆するように前記基体１表面に形成されたダイヤモンドからなる支持膜２と、その上に順次形成された密着層３と、一対の電極５、７で挟持された圧電体６とを具備した圧電共振子であって、密着層３が絶縁体からなる。 - 特許庁

Either one of the both side walls 53, 54 or the top and bottom walls 55, 56 of the diffuser part 51 has a bell-shaped structure to materialize the flow of a cooling film from the cooling circuit 40, in which spread is reinforced, adhesion is reinforced, and turbulent flow is not easily formed, on the downstream surface of the aerofoil 22 in the vicinity of each cooling hole 50.例文帳に追加

ディフューザ部分（５１）の両側壁（５３、５４）および頂壁と底壁（５５、５６）のいずれか一方が、広がりが強化され、付着性が強化され、より乱流になりにくい冷却回路（４０）からの冷却膜の流れを、それぞれの冷却孔（５０）近傍のエーロフォイル（２２）の下流表面に実現するための、ベル形の構造を有する。 - 特許庁

In the semiconductor wafer, a device region 10a for creating therein the semiconductor device is formed and partitioned; and on the top surface of the semiconductor layer 200 positioned in a scribing region 10b which serves as a cutting margin region when dicing the semiconductor wafer, an alignment mark 30 (first oxide film) is so formed as to expose it to the outside.例文帳に追加

半導体デバイスが作製される領域であるデバイス領域１０ａを区画形成するとともに、当該半導体ウエハのダイシング時に切り代となる領域であるスクライブ領域１０ｂに位置する半導体層２００の上表面に、アライメントマーク３０（第１酸化膜）が露出するように形成されている。 - 特許庁

Using a thin film 50 of crystalline sapphire formed on a substrate 1 as a seed, a single crystal silicon layer 7 is formed from a low melting point metal layer of molten polysilicon through heteroepitaxial growth and the single crystal silicon layer 7 is employed in a top gate type MOSFET of an electrooptic device, e.g. a display section-peripheral drive circuit integrated LCD.例文帳に追加

基板１に形成した結晶性サファイア薄膜５０をシードにして多結晶シリコン等を溶解した低融点金属層からヘテロエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、この単結晶シリコン層７を表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。 - 特許庁

Conductive film 14 of material of lower resistance than resistance of a carbon compound is coated on the top surface of a rib 11 contacting at least anode 2 and cathode 3 surfaces of a separator formed of the bond carbon compound set in a composition ratio of graphite powder 60-90%, thermosetting resin 10-40%.例文帳に追加

黒鉛粉末６０〜９０％、熱硬化性樹脂１０〜４０％の組成割合に設定されているボンドカーボンコンパウンドにより成形されているセパレータの少なくともアノード２及びカソード３の表面に接触するリブ部１１の頂端面に、ボンドカーボンコンパウンドの固有抵抗値よりも小さい固有抵抗値の材料からなる導電性皮膜１４をコーティングしている。 - 特許庁

The transparent impurity capturing film with a low refractive index is provided on a counter transparent substrate for taking out light from an organic electroluminescence layer of an organic electroluminescence display device of a top emission type, and includes silica microparticles having an outer shell layer and an interior being porous or void, a transparent impurity capturing agent and a binder component.例文帳に追加

トップエミッションタイプの有機エレクトロルミネッセンス表示装置の有機エレクトロルミネッセンス層からの発光を外部に取り出す対向透明基板に設ける膜であって、外殻層を有し、内部が多孔質または空洞であるシリカ微粒子と、透明な不純物捕捉剤及びバインダー成分を含んでなることを特徴とする低屈折率の透明不純物捕捉膜。 - 特許庁

A semiconductor chip 6 is soldered on the top surface of a lead terminal 3, a step 2aa formed by bending an auxiliary lead terminal 2 at a narrow part 2a is soldered to the upper electrode of the semiconductor chip 6 avoiding coming into contact with the oxide film of the semiconductor chip 6, and the auxiliary lead terminal 2 is soldered to a lead terminal 4.例文帳に追加

リード端子３の上面に半導体チップ６を半田付けし、補助リード端子２を狭幅部２ａにおいて屈曲させて形成した段差部２ａａを、半導体チップ６の酸化膜との接触を避けつつ、半導体チップ６の上面電極に半田付けし、補助リード端子２をリード端子４と半田付けする - 特許庁

In the semiconductor device, there is prepared a semiconductor substrate 1 in which a gate electrode 3a is formed on a top face of an element formation region 150 through a gate insulating film 2a, a first source-drain region 5 is formed, and an impurity region 5p is formed having the same impurity concentration as the first source-drain region 5 in a front surface of a scribing region 160.例文帳に追加

本発明に係わる半導体装置では、素子形成領域１５０の上面にゲート絶縁膜２ａを介してゲート電極３ａが形成され、また第一のソース・ドレイン領域５が形成され、またスクライブ領域１６０表面内に第一のソース・ドレイン領域５と同等の不純物濃度を有する不純物領域５ｐが形成された、半導体基板１を用意する。 - 特許庁

The blade member is composed of a coating film 11 which is formed on the support member having a contact support surface 12a for supporting an abutting surface with the developer carrier and is made of resin or elastomer as a main material, and is configured so that the coating film covers the support member 12 from the contact support surface 12a to a top end surface 12c.例文帳に追加

現像剤容器１４から現像剤担持体１５によって搬出される現像剤の量を規制する支持部材１２及びブレード部材１０を有する現像剤量規制ブレード１３において、ブレード部材が、現像剤担持体との当接面を支持する当接支持面１２ａを有する支持部材上に形成された樹脂またはエラストマーを主材とする被膜１１からなり、該被膜が支持部材１２を当接支持面１２ａから先端面１２ｃに亘って被覆してなるものである。 - 特許庁

A semiconductor device comprising a thin film substrate, a pad connecting an electronic component formed on the thin film substrate, a projection portion provided to the pad and formed to suppress flowing of solder, and the electronic component disposed while soldered to the pad has a cut provided at a position corresponding to the top of the electronic component connected to the pad and at a periphery of the pad.例文帳に追加

薄膜基板と、この薄膜基板に形成された電子部品を接続するパッドと、このパッドに設けられ半田の流れを抑制するように形成された凸部と、前記パッドに半田付けされて配置された前記電子部品とにより形成される半導体装置において、前記パッドに接続される前記電子部品の頂点に対応する位置に設けられると共に、前記パッドの周辺部に設けられる切りかけとを具備することを特徴とする。 - 特許庁

The moisture permeable casting tacky adhesive member comprises applying a polyurethane resin composition obtained from polyol containing polyether polyol having hydroxyl groups at both terminals obtained by copolymerizing ethylene oxide with polyether polyol as an essential component and organic diisocyanate on a releasable base material and drying the coating to form a moisture permeable film consisting of this resin component, then providing a tacky adhesive layer of 15 to 30 μm in thickness on the top thereof.例文帳に追加

ポリエーテルポリオールにエチレンオキサイドを共重合して得た両末端に水酸基を有するポリエーテルポリオールを必須成分として含むポリオールと、有機ジイソシアネートとより得られるポリウレタン系樹脂組成物を離型性基材上に塗布し乾燥して該樹脂組成物からなる透湿性皮膜を形成し、次いでその上に１５〜３０μｍ厚さの粘着剤層を設けた透湿性キャスティング粘着部材。 - 特許庁