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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > on top (film)に関連した英語例文

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on top (film)の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1151



例文

Further, the crystal vibrator 10 has piezoelectric thin films 71 and 72 connected to a crystal vibration chip 20 in series and formed on top surfaces 31 and 41 of the arms 35 and 45, and piezoelectric thin film elements 100 and 101 including the electrodes 55 and 60 formed on top surfaces of the piezoelectric thin films 71 and 72.例文帳に追加

また、水晶振動子10は、水晶振動片20と直列接続されるとともにアーム部35,45それぞれの表面31,41に設けられる圧電体薄膜71,72と、圧電体薄膜71,72の表面に形成される電極55,60とを含む圧電体薄膜素子100,101とを備えている。 - 特許庁

A thin-film transistor 10 has a gate insulating layer 4 prepared on a top surface of a substrate 2 such that it covers a gate electrode 3, and a source electrode 5 and a drain electrode 6 respectively prepared on a top surface of the gate insulating layer 4 with a predetermined channel length spacing width.例文帳に追加

薄膜トランジスタ10は、基板2の上面には、ゲート電極3を覆うようにしてゲート絶縁層4が設けられ、ゲート絶縁層4の上面には、ソース電極5及びドレイン電極6が所定のチャネル長の離間幅をもって各々設けられている。 - 特許庁

A surface finishing material 5 is juxtaposed on the top surface side of a synthetic resin plate 4 which is provided with a slender space S having top and under surfaces 1 and 2 partitioned at predetermined spacings with a plurality of rows of ribs 3; and a metallic thin film layer 6 is juxtaposed on the undersurface side of the synthetic resin plate 4.例文帳に追加

上面1と下面2とが複数列のリブ3によって所定間隔に仕切られた細長空間Sを有する合成樹脂板4の上面側に、表面仕上材5を重層し、前記合成樹脂板4の下面側に、金属薄膜層6を重層したものとしている。 - 特許庁

The semiconductor layer 11 consisting of a group III nitride semiconductor isolated by the grooves reaching a sapphire substrate 10 is formed on the sapphire substrate 10, and a protective film 14 for preventing short-circuit is formed on the side end face and the top face of the semiconductor layer 11 and the top face of the sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板10に達する溝によって分離されたIII 族窒化物半導体からなる半導体層11をサファイア基板10上に形成し、半導体層11の側端面および上面、サファイア基板10上面に、短絡を防止するための保護膜14を形成する。 - 特許庁

例文

The coating method includes a process for forming a base layer 2 on a base material 1a, a process for forming a coating film 3 with a coloring pigment on the base layer 2, a process for forming a clear coating film 4 containing glass flakes on the coating film 3 with the coloring pigment and a process for forming a top clear coating film 5 on the clear coating film 4 containing the flake 4.例文帳に追加

塗装方法として、基材1aに下地層2を形成する工程と、下地層2上に着色顔料による塗膜3を形成する工程と、この着色顔料による塗膜3上にガラスフレーク4aを含むクリア塗膜4を形成する工程と、このガラスフレーク4aを含むクリア塗膜上4にトップクリア塗膜5を形成する工程とを備える。 - 特許庁


例文

The manufacturing method of the nonvolatile semiconductor device comprises a process wherein heat treatment is effected on the surface of a silicon substrate 1 under an atmosphere having nitrogen and oxygen, a process wherein a bottom insulating film 6 is formed on the silicon substrate, a process wherein a nitride film 7 is formed on the bottom insulating film, and a process wherein a top oxide film 8 is formed on the nitride film.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性半導体装置の製造方法は、シリコン基板1の表面に窒素と酸素を有する雰囲気で熱処理を行う工程と、前記シリコン基板上にボトム絶縁膜6を形成する工程と、前記ボトム絶縁膜上に窒化膜7を形成する工程と、前記窒化膜上にトップ酸化膜8を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

Then, Shinobu Foods Products invented a parachute type to twist (or cut) a film on the pointed top to open and pull out an inner film sheet, and sold under the catchphrase 'just-pulling onigiri Q.' 例文帳に追加

その後、上部の尖った部分のフィルムをひねって(あるいは切って)開け、中のフィルムシートを引っぱって出すパラシュート型と呼ばれるタイプが、シノブフーズにより発案、「ひっぱるだけのおにぎりQ」というキャッチフレーズで発売された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Next, a first ferroelectric film 3a is formed on top of the lower electrode 2 that includes bismuth having a first concentration, and then, a second ferroelectric film 3b is formed that includes bismuth having a second concentration.例文帳に追加

次に、下部電極2の上に、第1の濃度を有するビスマスを含む第1の強誘電体膜3aを形成した後、第2の濃度を有するビスマスを含む第2の強誘電体膜3bを形成する。 - 特許庁

In this method, the thin film capacitor formed on a foil is made by forming an integrally complete top electrode having a minimum thickness of at least 1 micron onto a thin film dielectric in a single deposition operation.例文帳に追加

少なくとも1ミクロンの最小限の厚さを有する、一体的に完成された上部電極を、1回の堆積操作で薄膜誘電体上に形成することによって、箔上に形成された薄膜コンデンサを作製する方法。 - 特許庁

例文

The photo diode 12 is formed by dry-etching a photo diode formed on the top face of the support film 14 with the support film 14 as an etching stopper.例文帳に追加

フォトダイオード12は、支持膜14上面に設けられたフォトダイオードが、支持膜14をエッチングストッパーとしてドライエッチングされることにより成形されたものである。 - 特許庁

例文

A gap restriction film 22 made of an organic material such as epoxy resin, polyimide resin, etc., is provided on the top surface of an overcoat film 20 so that its surface is uneven.例文帳に追加

オーバーコート膜20の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなるギャップ規制膜22がその表面が凸凹となるように設けられている。 - 特許庁

A top-gate thin film transistor is manufactured by sequentially laminating, on a substrate 11, a semiconductor layer 13, a gate insulating film 14, and a gate electrode 15.例文帳に追加

基板11上に半導体層13、ゲート絶縁膜14およびゲート電極15をこの順に積層してトップゲート型の薄膜トランジスタを製造する。 - 特許庁

The top coating composition for a photoresist is provided on a resist film and protects the resist film, the composition containing a fluorine-containing polymer that includes a repeating unit represented by general formula (1).例文帳に追加

レジスト膜上に設けられて、前記レジスト膜を保護するトップコート組成物であって、下記一般式(1)で表される繰返し単位を有する含フッ素重合体を含むことを特徴とするフォトレジスト用トップコート組成物。 - 特許庁

After prebaking, a mask with a predetermined pattern having at least one slit is placed on top of the photoresist film and the photoresist film is exposed to a light.例文帳に追加

前熱処理後、少なくとも一つのスリットを有する予め決定されたパターンを有するマスクをフォトレジスト膜上に配置し、このフォトレジスト膜が光に対して露出される。 - 特許庁

Antioxidant films 20 consisting of Si_3N_4 are formed on the under surface and top surface of the thin tantalum nitride film heater 14 of the quartz base glass optical waveguide element having the thin tantalum nitride film heater 14.例文帳に追加

窒化タンタル薄膜ヒータ14を有する石英系ガラス光導波路素子において、上記窒化タンタル薄膜ヒータ14の下面および上面にSi_3 N_4 からなる酸化防止膜20を形成する。 - 特許庁

Suitably, a top coating film is formed from the one liquid type active energy ray-curable coating material composition on an undercoating film formed from the coating material composition containing urethane (meth)acrylate having an alicyclic structure.例文帳に追加

好適には、脂環構造を有するウレタン(メタ)アクリレートを含む塗料組成物から形成された下塗り塗膜上に、この一液型活性エネルギー線硬化性塗料組成物から上塗り塗膜を形成する。 - 特許庁

On the top surface of the printer main body 2, a film ejection port 15 is provided and locking holes 19 are provided nearby both the sides of the film ejection port 15.例文帳に追加

プリンタ本体2の上面には、フイルム排出口15が設けられており、そのフイルム排出口15の両側付近には、係止穴19が設けられている。 - 特許庁

On the top surface of a protective film 5 including a wire 8, an overcoat film 9 made of polyimide based resin and having an opening 10 at a portion corresponding to a connection pad portion of the wire 8 is formed.例文帳に追加

配線8を含む保護膜5の上面に、配線8の接続パッド部に対応する部分に開口部10を有するポリイミド系樹脂等からなるオーバーコート膜9を形成する。 - 特許庁

On the first hydrogen barrier film 108, a first insulating film 112 is formed so as to cover the side of the capacity lower electrode 111 and expose the top of the capacity lower electrode 111.例文帳に追加

第1の水素バリア膜108の上には、容量下部電極111の側面を覆い且つ容量下部電極111の上面を露出させるように第1の絶縁膜112が形成されている。 - 特許庁

To provide a top coating composition which is provided on a resist film and protects the resist film, allowed to control developer solubility, and includes high water repellency.例文帳に追加

レジスト膜上に設けられて、前記レジスト膜を保護するトップコート組成物であって、現像液溶解性の制御が可能であって、且つ、高い撥水性を有するトップコート組成物の提供。 - 特許庁

To obtain a primer composition not lowering a finish appearance even if a top coating material is subjected to electrostatic coating on the surface of uncured coating film without heating and curing the applied coating film.例文帳に追加

塗装塗膜を加熱硬化せずに、その未硬化塗面上に上塗り塗料を静電塗装しても仕上り外観が低下しないプライマー組成物を提供すること。 - 特許庁

An electrically conductive film 12 is provided between any adjacent electrodes from among a first surface electrode 11a, second surface electrodes 11c, 11d, 11e, and a third surface electrode 11b on the top face of the insulating film 8.例文帳に追加

絶縁膜8の上面で、第1表面電極11a、第2表面電極11c、11d、11e、第3表面電極11bの各電極のうち、隣接する電極間に、導電膜12を設けた構造とする。 - 特許庁

To provide a filter circuit including a thin film layer supported on a substrate serving as a medium layer for a capacitor formed between a top electrode layer and a bottom layer formed above and below the thin film layer.例文帳に追加

薄膜層の上下の上部電極層と下部電極層との間に配列されたコンデンサーの媒体層として有用な、基板上にサポートされた薄膜層を含むフィルター回路を提供する。 - 特許庁

A light shielding film 25 for shielding incident light to a photodiode region of the light black level reference pixel part 23 is embedded in the film 243 on the wiring 241a positioning at the top level.例文帳に追加

そして、光黒レベル基準画素部23のフォトダイオード領域への光の入射を遮断する遮光膜25は、最上位に位置するメタル配線241a上の層間絶縁膜243内に埋め込まれている。 - 特許庁

When an opening 6 is formed in the protective film 5 made of polyimide, etc., residue comprising polyimide, etc. may be left on the top surface of a connection pad 2 exposed through the opening 6 of the protective film 5.例文帳に追加

ポリイミドなどからなる保護膜5に開口部6を形成したとき、保護膜5の開口部6を介して露出された接続パッド2の上面にポリイミドなどからなる残渣が残存する場合がある。 - 特許庁

At the same time, since the film 14b is deposited on the top surface of the bank layer 13d, the film 14b can be utilized as an auxiliary electrode of a negative electrode to enhance electric characteristics.例文帳に追加

また同時に、バンク層13dの上面にも膜14bが堆積されるため、これを陰極の補助電極として利用することで、電気特性の向上を図ることができる。 - 特許庁

Thereafter, the orientation film 126 at the top of the spacer 125 and the orientation film 118 on the side of the TFT substrate 110 are joined by superimposing the TFT substrate 110 and the facing substrate 120 and heat-treating them at a high temperature with pressurization.例文帳に追加

その後、TFT基板110と対向基板120とを重ね合わせ、加圧しながら高温で熱処理して、スペーサ125の頂部の配向膜126とTFT基板110側の配向膜118とを接合する。 - 特許庁

While a corner part C where the antireflective film AR is not formed is provided on the top surface of the Faraday rotator 224b, the antireflective film AR is formed over the entire rear surface.例文帳に追加

ファラデー回転子224bの表面には反射防止膜ARを形成しないコーナ部Cを設ける一方、裏面にはその全面に反射防止膜ARを形成する。 - 特許庁

To enable a solder resist coating film on top of wiring conductors and a solder resist coating film filling gaps in between the conductors to be continuous in a heavy current printed circuit board with thickened conductors.例文帳に追加

プリント配線導体を厚くした大電流対応プリント配線板に対して、配線導体上面の半田レジスト被膜と導体間を埋める半田レジスト被膜とを連続した一連の被膜とできるようにする。 - 特許庁

The antireflection film is obtained by stacking a hard coat layer 3, a high refractive index layer 2 and a top layer 1 of an organic resin excellent in scuffing and wear resistances and chemical resistance on the surface of an organic film 4.例文帳に追加

反射防止フィルムは、有機フィルム4の表面に、ハードコート層3、高屈折率層2及び耐擦傷性や耐薬品性に優れた有機樹脂の最表層1を積層したものである。 - 特許庁

A film-shaped circuit part 2, on which an IC chip 4 and a loop antenna 5 are mounted, has urethane resin 3 affixed to the top and bottom sides thereof for protection, and is coated with a silicone film 31 over its entire surface.例文帳に追加

ICチップ4とループアンテナ5とを搭載したフィルム状の回路部2の上下両面にウレタン樹脂3を貼り合わせて保護し、その表面全体をシリコーン膜31でコーティングした。 - 特許庁

A first insulating film 129 is arranged between the first gate electrode 236 and the first planer silicon layer 234, and a second insulating film 162 is arranged on a top surface of the first gate electrode 236.例文帳に追加

そして、第1の絶縁膜129が、第1のゲート電極236と第1の平面状シリコン層234との間に、第2の絶縁膜162が第1のゲート電極236の上面に配置されている。 - 特許庁

The method comprises a stage of forming an interlayer insulating film 402 on a semiconductor substrate top 401, and a stage of processing heat treatment for removing outgassing sources contained in the interlayer insulating film 402.例文帳に追加

半導体基板上401に層間絶縁膜402を形成する段階と、層間絶縁膜402に含まれたアウトガッシングソースを除去するために熱処理を施す段階とを含む。 - 特許庁

To prevent a bad influence due to change in quality from being caused even when a top surface layer of a protective film changes in quality during manufacturing of a semiconductor device in which the protective film made of polyimide, etc. is formed on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。 - 特許庁

To prevent the occurrence of dot defects in a forsterite insulating film on the furnace-top side of a coil which is liable to occur in the case that rapid heating is performed in a box annealing furnace and a forsterite film is abruptly formed.例文帳に追加

箱型焼鈍炉内において急速に加熱され、フォルステライト質絶縁被膜が急激に形成される場合に懸念された、コイルの炉頂側におけるフォルステライト質絶縁被膜の点状欠陥の発生を防止する。 - 特許庁

The striped mask is removed and an insulating film 206 and conductive film 207 are formed on the upper-layer top surface 201 having the wavy surface layer to constitute the wavy gate area 205.例文帳に追加

ストライブマスクを除去し、波形表面層を有する上層表面201に、絶縁膜206、導電膜207を形成し、波形ゲート領域205を構成する。 - 特許庁

The optical film has a resin layer disposed on a film substrate by coating the top of the substrate with a coating composition containing at least a resin and a solvent and having ≤5 mass % water content.例文帳に追加

少なくとも樹脂と溶媒を有する含水率5質量%以下の塗布組成物をフィルム基材上に塗布し樹脂層を設けたことを特徴とする光学フィルム。 - 特許庁

The resin layer is disposed on the film substrate by coating the top of the substrate with the coating composition having ≤5 mass % water content to produce the optical film.例文帳に追加

含水率が少なくとも5質量%以下の塗布組成物をフィルム基材上に塗設し樹脂層を設けることを特徴とする光学フィルムの製造方法。 - 特許庁

To provide a coating conductive film which allows, even diamagnetic or paramagnetic conductive particulates to be deflected with high density on the top surface region of a medium, and to provide a method for forming such a film.例文帳に追加

反磁性体又は常磁性体の導電性微粒子であっても、媒体の表面領域に高密度で偏位されるようにした塗布導電膜及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the adhesive material comprises dividedly supplying the raw material ingredients of the adhesive material on a release film, covering the top of the laminated material with a release film and melting the laminated ingredients by pressurizing and heating from the outside.例文帳に追加

剥離フィルム上に接着材料の原料成分を分割供給し、該積層物の上を剥離フィルムで被覆し、その外側から加熱加圧し積層成分を溶融する工程を有する製造方法である。 - 特許庁

A second coating film is formed by using a top coat containing a pigment, sodium silicate, and an acrylic emulsion or an aqueous polyurethane composition on the first coating film.例文帳に追加

そして、第1塗膜上に、顔料、珪酸ナトリウム、及びアクリルエマルジョン又はポリウレタン水性組成物を含有する上塗り塗料を用いて第2塗膜が形成されている。 - 特許庁

The heat-resistant resin contained in the primer coated film and the top coated film is a dehydrated condensate of polyether sulfone resin, a polyphenyl sulfide resin or a polyamide-imide resin which has hydroxide groups on both terminals of a molecular chain thereof.例文帳に追加

プライマー塗膜およびトップ塗膜に含まれる耐熱性樹脂は、その分子鎖の両末端に水酸基を有する、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニルスルフィド樹脂またはポリアミドイミド樹脂の脱水縮合物である。 - 特許庁

Upon forming the word line WL on top thereof, a polycrystalline silicon film serving as a second conductive film configuring the word line WL is embedded in the recesses 2b.例文帳に追加

この上部にワード線WLを形成すると、凹部2b内にワード線WLを構成する第2導電膜である多結晶シリコン膜が埋め込まれる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a coated steel plate formable of a top coating film excellent in processability and scratch resistance without excessive hardening of an undercoating film based on an epoxy resin.例文帳に追加

エポキシ樹脂を主樹脂とする下塗り塗膜を過度に硬化させることなく、加工性および耐傷付き性に優れる上塗り塗膜を形成することができる、塗装鋼板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The thin-film transistor uses an inversely staggered structure with a gate electrode 11, a gate insulating film 12, a channel region, and source/drain electrodes 15a, 15b formed on top of a glass substrate 10.例文帳に追加

ガラス基板10上にゲート電極11、ゲート絶縁膜12、チャネル領域、ソース・ドレイン電極15a,15bを形成した逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。 - 特許庁

When an opening 6 is formed through the protective-film 5 made of a polyimide or the like, residues consisting of the polyimide or the like sometimes remain on a top surface exposed through the opening 6 of the protective-film 5, of a connection pad 2.例文帳に追加

ポリイミドなどからなる保護膜5に開口部6を形成したとき、保護膜5の開口部6を介して露出された接続パッド2の上面にポリイミドなどからなる残渣が残存する場合がある。 - 特許庁

A substrate type thin-film solar battery 10 is composed in such a way that a reflective electrode layer 14, a first transparent conductive layer 11, a photoelectric conversion layer 16 and a second transparent conductive layer 12 are stacked in this order on the top surface of a film substrate 13.例文帳に追加

サブストレート型薄膜太陽電池10は、フィルム基板13の上面に、反射電極層14、第1透明導電層11、光電変換層16及び第2透明導電層12をこの順に積層して構成される。 - 特許庁

In this case, the recess on the top surface of the circuit element accommodates any excess film material, and the film material covers the side surface of the circuit element 54, thereby avoiding generation of any bubble between the circuit element 54 and the forming material.例文帳に追加

この際、回路素子頂面の凹部が、過剰なフィルム材料を収容し、フィルム材料が、回路素子54の側面を覆って、回路素子54と成形材料の間に気泡が生じることは避けられる。 - 特許庁

To solve a problem that, when an integrated circuit having an interlayer insulation film built up on top of a wiring layer is subjected to heat treatment, it is possible that the interlayer insulation film will rupture in a portion wherein a narrow gap section between wirings and a wide opening section contiguous therewith are connected.例文帳に追加

配線層の上に層間絶縁膜を堆積した集積回路において熱処理を施すと、配線間の狭い間隙部と、これにつながる広い開口部との接続部分にて、層間絶縁膜の破裂が起こり得る。 - 特許庁

例文

To provide a method for thin film measurement which can measure the thickness of an upper film formed on the top surface of a wafer and a device which is applied with the method.例文帳に追加

ウェーハの表面に形成された上部膜の厚さをリアルタイムで測定できる薄膜厚さ測定方法及びこれを適用した装置を提供する。 - 特許庁

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