「on top (film)」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

On the upper face of the sheet metal 5, a film substrate 7 having a plurality of sets of fixed contacts, a pair of which is one set, on the top face, is provided.例文帳に追加

板金５の上面には、上面に一対で１組の固定接点を複数組有するフィルム基板７が設けられている。 - 特許庁

Then the semiconductor construct 2 is mounted on a plurality of semiconductor construct mounting regions on a top surface of the lower insulating film 1 with an adhesion layer 3 interposed therebetween.例文帳に追加

次に、下層絶縁膜１の上面の複数の半導体構成体搭載領域に半導体構成体２を接着層３を介して搭載する。 - 特許庁

This invention can achieve a forming method for forming a coating film 50 on the top surface of a projection 23 of a substrate 30 which has concavo-convex structure on the surface.例文帳に追加

本発明は、凹凸構造を表面に有する基板３０の凸部２３の頂面に被覆膜５０を形成する方法に具現化することができる。 - 特許庁

A common electrode 103 is layered on an acoustic multilayer film 102, a piezoelectric thin film 104 made of ZnO is layered on the common electrode 103, and four input-output electrodes 105 arranged two-dimensionally are provided on the top surface of the piezoelectric thin film 104.例文帳に追加

音響多層膜１０２の上に、共通電極１０３、ＺｎＯからなる圧電薄膜１０４が積層され、圧電薄膜１０４の上面には、２次元的に配置された４つの入出力電極１０５を備える。 - 特許庁

The emitter extraction electrodes 21 are located on both sides of the polycrystalline silicon film 7 which is continuously formed from above the element isolation film 3 on a side over the active region 2a to the top of the element isolation film 3 on the opposite side.例文帳に追加

ここで、エミッタ引き出し電極２１は、一方の素子分離膜３の上から活性領域２ａの上を通って反対側の素子分離膜３の上にまで連続して設けられた多結晶シリコン膜７の両側に配置されている。 - 特許庁

A CMOS image sensor manufacturing method comprises a step for forming a first insulating film on the upside of a substrate and a step for removing a part of the first insulating film at the top of a photoactive area on the substrate and forming a concave on the first insulating film.例文帳に追加

基板上部に第１絶縁膜を形成する段階と、前記基板の光活性領域の上部の前記第１絶縁膜の一部分を除去して前記第１絶縁膜に凹部を形成する段階と、を有する。 - 特許庁

The capacitor includes a bottom electrode 18 formed on a support substrate and a top electrode 28 consisting of a dielectric film 20 formed on the bottom electrode, a polycrystalline conductive film 22 formed on the dielectric film, and an amorphous conductive film 24 formed on the polycrystalline conductive film.例文帳に追加

支持基板上に形成された下部電極１８と、下部電極上に形成された誘電体膜２０と、誘電体膜上に形成され、多結晶質の導電膜２２と、多結晶質の導電膜上に形成された非晶質の導電膜２４とを含む上部電極２８とを有している。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a transistor formed on a semiconductor substrate; the capacitor which is formed above the transistor and comprises a bottom electrode, a dielectric film, and a top electrode; semi-insulation layer which is formed on the side face of the top electrode and is a reformed top electrode; insulation film so formed as to coat the capacitor; and interconnection connected to the top electrode.例文帳に追加

本発明の１態様による半導体記憶装置は、半導体基板上に形成されたトランジスタと、前記トランジスタの上方に形成され、下部電極、誘電体膜、及び上部電極を含むキャパシタと、前記上部電極の側面に形成され、この上部電極を改質した半絶縁層と、前記キャパシタを覆って形成された絶縁膜と、前記上部電極に接続する配線とを具備する。 - 特許庁

Then, a silicon oxide film is formed that is at least thicker than the film thickness of the gate electrode and thinner than the film thickness totalling the film thickness of the gate electrode and the thickness of the etched isolation insulating film, and an etching stopper film is formed on top of the silicon oxide film.例文帳に追加

その後、少なくともゲート電極の膜厚よりも厚く、かつ、ゲート電極の膜厚と分離絶縁膜のエッチング膜厚とを合計した膜厚よりも薄いシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜上に、エッチングストッパ膜を形成する。 - 特許庁

An ohmic contact layer forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of the semiconductor film forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, covering the outer surfaces of a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal which are both located above the semiconductor film forming film 21.例文帳に追加

窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁

The pattern forming method has a step for forming an underlayer film on a film to be worked by coating the top of the film to be worked with the solution material, a step for forming a resist film on the underlayer film and a step for forming a resist pattern by patternwise exposing the resist film.例文帳に追加

この下層膜溶液材料を被加工膜上に塗布して下層膜を形成する工程と、前記下層膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光を行って、レジストパターンを形成する工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

An antireflection film 102 is formed on the third interlayer insulating film 103 and the first etching stopper film 107, and the top of the antireflection film 102 is coated with a chemically amplified resist 101 (c).例文帳に追加

第三層間絶縁膜１０３および第一エッチングストッパ膜１０７上に反射防止膜１０２を形成し、反射防止膜１０２上に化学増幅型レジスト１０１を塗布する（図１（ｃ））。 - 特許庁

Further, a window film is positioned on the top of the fuse region and a fuse pattern film and a buffer pattern film are positioned below the window film.例文帳に追加

そして、前記ヒューズ領域の最上部にはウィンドウ膜が位置し、前記ウィンドウ膜の下部にヒューズパターン膜及びバッファーパターン膜が位置する。 - 特許庁

The top film layer 22 comprises a pitch film layer 26 formed by pitch coating, and a paint film layer 28 provided on the pitch film layer 26 by coating.例文帳に追加

該上部膜層２２は、ピッチ被覆処理によるピッチ膜層２６、および該ピッチ膜層２６の上方に設けられた塗装による塗膜層２８を含んでなる構成とする。 - 特許庁

The first conductive film is used as an electrolytic plating base film, that is, a plating electrode when forming a second conductive film on top of the first conductive film.例文帳に追加

この第１導電膜は、この第１導電膜に積層して第２導電膜を形成するときに、電解めっき下地膜、つまりめっき電極とされる。 - 特許庁

After a conductive film 5 has been formed on the top surface of the resin film 10, including the wall surfaces of the via holes 12 and 13, a metal film 14 is formed by electroplating across the conductive film 5.例文帳に追加

ビアホール１２，１３の壁面を含む樹脂フィルム１０の表面に導電膜５を形成した後、この導電膜５を介して電気めっきにより金属膜１４を形成する。 - 特許庁

A resist 2 to be silylated is applied on a substrate 1 which is to be worked, a surface film 3 is formed as a thin film to the top of the resist 2, and the resist 2 is silylated by allowing a silylating agent to permeate the thin film (surface film 3).例文帳に追加

被加工基板１上にシリル化レジスト２を塗布した後、表面膜３を該シリル化レジスト２上に薄膜で付与するようにし、シリル化剤を該薄膜（表面膜３）を透過させてシリル化レジスト２をシリル化する。 - 特許庁

A Pt film which is self-oriented such that a direction perpendicular to the top face of the base insulation film may be a (111) direction is formed on the base insulation film 12 and is flattened to form a first conductive film 14a.例文帳に追加

この下地絶縁膜１２の上に、下地絶縁膜の上面に垂直な方向が（１１１）方向となるように自己配向したＰｔ膜を形成しこれを平坦化して第１導電膜１４ａを形成する。 - 特許庁

The plating resist film is then peeled off to form the sealing film 11, and the top face side of the sealing film 11 is grounded so as to slightly leave the sealing film 11 (for example, a few μm-10 μm in thickness) on the electrode 10 for external connection.例文帳に追加

次に、メッキレジスト膜を剥離し、封止膜１１を形成し、封止膜１１の上面側を研削し、外部接続用電極１０上に封止膜１１が僅か例えば厚さ数μｍ〜１０μｍ残るようにする。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure in which the first gate insulating film, the second gate insulating film or an upper insulating film of a thickness different from that of the insulating films are arranged on the top of the inclination parts of the element isolation film.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、素子分離膜の傾斜部の上部に、第１のゲート絶縁膜、第２のゲート絶縁膜、あるいはそれらの絶縁膜とは膜厚が異なる上部絶縁膜を設ける構造とする。 - 特許庁

To provide a tool 1 for evaluating a pellicle film, a method for evaluating a pellicle film and a tool for evaluating a thin film by which foreign matter analysis on the top side and the back side and in local of a pellicle film 13 can be stably carried out.例文帳に追加

ペリクル膜１３の表側、裏側、並びに局所的な異物分析を安定的に行えるペリクル膜評価用治具１及びペリクル膜の評価方法並びに薄膜評価用治具を提供する。 - 特許庁

Further, a second interlayer insulating film 10 covering the first wiring layer 9 is formed on the top face of the first interlayer insulating film 7 and on the top face of the first wiring layer 9, and a second wiring layer dummy pattern (first dummy wiring pattern) 11 is formed on the top face of the second interlayer insulating film 10.例文帳に追加

また、前記第一層間絶縁膜７の上面上及び前記第一配線層９の上面上には、前記第一配線層９を被覆する第二層間絶縁膜１０が形成され、前記第二層間絶縁膜１０の上面上には第二配線層ダミーパターン（第一ダミー配線パターン）１１が形成されている。 - 特許庁

A key-top cover 20, put on a key top 5a made of resin, comprises a cover body 22 made of aluminum and an aluminum oxide film 24 formed on the surface of the cover body 22.例文帳に追加

樹脂製のキートップ５ａに被せられるキートップカバー２０において、アルミニウムからなるカバー本体２２と、カバー本体２２の表面に形成された酸化アルミニウム膜２４と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

This top plate 1 for a cooker is disposed on a top part of the cooker and includes a light shielding substrate 4, and a silicon nitride film 5 formed on one surface 4a of the light shielding substrate 4.例文帳に追加

調理器用トッププレート１は、調理器の上部に配置される調理器用トッププレートであって、遮光基板４と、遮光基板４の一方の表面４ａ上に形成されている窒化珪素膜５とを備えることを特徴としている。 - 特許庁

To stably obtain an electrode terminal whose top surface is in a concave shape suitable for joining using an ACF (Anisotropic Conductive Film) without performing additional processing on the top part of the electrode terminal formed on a substrate after baking.例文帳に追加

焼成後において基板上に形成された電極端子の頂部に対して追加の加工を行うことなく、頂面がＡＣＦを用いた接合に適した凹形状となる電極端子を安定的に得ること。 - 特許庁

To provide a polishing method to detect the film thickness of the surface to be polished on the real-time basis without dislocating a top ring to outside a turntable while a semiconductor wafer remains mounted on the top ring.例文帳に追加

半導体ウエハをトップリングに装着したまま、該トップリングをターンテーブル外にずらすことなく、被研磨面の膜厚をリアルタイムで検出できるポリッシング方法を提供する。 - 特許庁

An operation input section 15 includes: a palm rest 21 and a hand detection sensor 23 on the top surface of a case 19; and for example, an analog resistive film touch panel 17 on the forward top surface of the case 19.例文帳に追加

操作入力部１５は、筐体１９の上面にパームレスト２１と手検知センサ２３とを備えるとともに、筐体１９の前方の上部に例えばアナログ抵抗膜方式の前記タッチパネル１７を備えている。 - 特許庁

The optical semiconductor integrated circuit device 1 manufactured by this method is constituted so that the insulating layer formed on the top surface of the antireflection film of the photodiode 2 may be removed by dry etching after the multiple wiring layers are formed on the top surface of the substrate 4.例文帳に追加

本発明の光半導体集積回路装置１では、基板４上面に多層の配線層を形成した後に、フォトダイオード２の反射防止膜上面の絶縁層をドライエッチングにより、除去している。 - 特許庁

The liquid crystal display device as an embodiment of the present invention has liquid crystal charged between a glass substrate 1 which has thin film transistors formed on its top surface and a color filter substrate 16 which has a counter electrode formed on its top surface.例文帳に追加

本発明の一例に係る液晶表示装置は、上面に薄膜トランジスタが形成されているガラス基板１と、上面に対向電極が形成されているカラーフィルタ基板１６との間に、液晶が封止されている。 - 特許庁

This diffusion allows the P concentration on top of the film 7 to be reduced, thereby suppressing the growth of an edge on top of a gate electrode during patterning.例文帳に追加

この拡散によって、ポリシリコン膜７上端部におけるリン濃度が低減され、パターニング時にゲート電極の上端部のエッジが大きくなるのを抑制できる。 - 特許庁

The metal oxide film 4 may be deposited on the top face and/or the back face of the base layer 2 or may be deposited on the top face and/or the back face of the optical sheet 1.例文帳に追加

金属酸化物膜４は基材層２の表面及び／又は裏面に積層してもよく、光学シート１の表面及び／又は裏面に積層してもよい。 - 特許庁

Further, the distance of the top and base of the drying oven is set to 10-100 mm and the relation between the height L1 of the gap on the side of the top between the top and coating film and the height L2 of the gap on the side of the base between the base and a base material is L1≤L2.例文帳に追加

また、天板と底板との距離を１０ｍｍ以上〜１００ｍｍ以下の範囲とし、天板と塗布膜との天板側間隙の高さＬ１と、底板と基材との底板側間隙の高さＬ２と、の関係が高さＬ１≦高さＬ２である。 - 特許庁

Further, the distance of the top and base of the drying oven is set to 10-100 mm and the relation between the height L1 of the gap on the side of the top between the top and the coating film and the height L2 of the gap on the side of the base between the base and a base material is L1≤L2.例文帳に追加

また、天板と底板との距離を１０ｍｍ以上〜１００ｍｍ以下の範囲とし、天板と塗布膜との天板側間隙の高さＬ１と、底板と基材との底板側間隙の高さＬ２と、の関係が高さＬ１≦高さＬ２である。 - 特許庁

A color base coating film layer containing glass flakes is formed on a substrate, a bright clear coating film layer is formed on the color base coating film layer and a top clear coating film layer is further formed on the bright clear coating film layer.例文帳に追加

基材上に、ガラスフレークを含有するカラーベース塗膜層を形成した後、上記カラーベース塗膜層上に光輝性クリヤー塗膜層を形成し、さらに上記光輝性クリヤー塗膜層上にトップクリヤー塗膜層を形成する。 - 特許庁

The substrate 10 with the rust-preventive film has the rust-preventive film 2 on the surface, wherein the rust-preventive film 2 comprises a thermal-sprayed coating layer 21 provided on the surface of the blasted substrate 1 by thermal spraying of metals including at least Zn (zinc), and a top waterproofing film layer 22 provided on the thermal-sprayed film layer 21.例文帳に追加

表面に防錆膜２を備えた防錆膜付き基材１０であって、該防錆膜２は、ブラスト処理された基材１の表面に、少なくともＺｎ（亜鉛）を含む金属の金属溶射により設けられた溶射被膜層２１と、該溶射被膜層２１上に設けられた防水性の上部膜層２２とからなる。 - 特許庁

The element comprises a 1st polarizing film 3a which is arranged on the top side of a liquid crystal cell 4, a 2nd polarizing film 3b which is arranged on the reverse side, and a back light source 5 which is arranged below the 2nd polarizing film 3b and is provided with a translucent film 6 on the 1st polarizing film 3a.例文帳に追加

液晶セル４の表面側に配置された第１の偏光フィルム３ａと、裏面側に配置された第２の偏光フィルム３ｂと、第２の偏光フィルム３ｂの下に配置されたバックライト光源５とから成り、第１の偏光フィルム３ａ上に半透過膜６を設ける。 - 特許庁

The glass for the copying machine top plate has the zirconia film on the top surface of its base material and this thin film is formed of a zirconia film forming precursor composition containing a zirconia compound, amino polycarboxylic acid, amine, and a solvent.例文帳に追加

本発明の複写機天版用ガラスは、複写機天版ガラス基材表面に、ジルコニア膜を有する複写機天版用ガラスであり、該薄膜は、ジルコニウム化合物、アミノポリカルボン酸、アミンおよび溶媒を含有するジルコニア膜形成プレカーサー組成物より製造される。 - 特許庁

To provide a technology which can form a top coat film excellent in adhesion on a base material of a polyolefin resin, peel the coating film easily from a waste molding coated with the top coat film, and recycle the polyolefin resin molding free from impurities.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂からなる基材において密着性に優れた上塗り塗膜を形成することができ、かつ、上塗り塗膜を形成した成形体の廃棄後は容易に塗膜を剥離させてポリオレフィン系樹脂成形体を高純度でリサイクルさせる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of coating a car body by which the smoothness of the top coating film layer is improved when an intermediate coating film and a top coating film are applied by wet-on-wet process and then cured simultaneously and a coating material composition used for the same.例文帳に追加

中塗り塗膜と上塗り塗膜とをウェットオンウェットで塗装したのちこれらを同時に硬化させる場合に上塗り塗膜層の平滑性を高めることができる自動車ボディの塗装方法及びこれに用いられる塗料組成物を提供する。 - 特許庁

After the semiconductor chip 4 is bonded to a wiring board 11 through an anisotropic conductive film (ACF) 3, a reinforcing material 7 is arranged in the proximity of the top surface of the anisotropic conductive film (ACF) 3 and the corners of a chip 4 housing 41 arranged on the top surface of this film 3.例文帳に追加

配線基板１１上に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）３を介して半導体チップ４を圧着した後に、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）３上面と、この上面に配設された半導体チップ４のハウジング４１のコーナー部との間にわたって補強部材７を配設した。 - 特許庁

To provide a method for coating a metallic product by which a coating film having excellent adhesion property is formed on a precoated metallic plate after coating a top coating film containing an organic lubricant thereon and then forming it even if a process for roughening the surface of the top coating film is eliminated.例文帳に追加

有機潤滑剤を含有する上塗塗膜を施したプレコート金属板を成形加工した後、前記上塗塗膜表面を粗面化処理する工程を省略しても、密着性のよい塗膜の形成が可能な金属製品の塗装方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a top coating film, by which the top coating film is formed to have uniform thickness to an object to be coated which is made of a metallic material on which a primary coating film is formed by tri-valent chromate treatment after being subjected to galvanizing treatment.例文帳に追加

亜鉛系メッキ処理を施した後に三価クロメート処理によって下地皮膜を形成した金属材料からなる塗装対象物に対して、トップコート皮膜の膜厚を均一に形成できるトップコート皮膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The sensor comprises a CMOS image sensor 30, a transparent electrode layer 32 installed on the top of the CMOS image sensor, a luminescent layer 34 installed on the top of the transparent electrode layer and having phosphor particles 42 and a binder 44, a dielectric layer 36 installed on the top of the luminescent layer, and a contamination resistant film 38 installed on the top of the dielectric layer.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサー３０と、ＣＭＯＳイメージセンサーの上部に設置される透明電極層３２と、透明電極層の上部に設置され、蛍光体粒子４２とバインダー４４を備える発光層３４と、発光層の上部に設置される誘電層３６と、誘電層の上部に設置される耐汚染性膜３８と、から構成される。 - 特許庁

According to the semiconductor device and a method of manufacturing the same, one of source/drain regions and a part of a channel region are provided on the top of an embedded oxide film formed on the top of a semiconductor substrate, and the other of the source/drain regions and the other part of the channel region are provided on the top of an Si epitaxial layer formed on the top of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子及びその製造方法は、ソース／ドレーン領域のうちいずれか一つとチャンネル領域の一部は半導体基板の上部に形成された埋込酸化膜の上部に備えられ、ソース／ドレーン領域のうち他の一つとチャンネル領域の残りは半導体基板の上部に形成されたＳｉエピタキシャル層の上部に備えられる。 - 特許庁

The wire pad comprises: a piezoelectric film 131 formed on the wafer chip; and a conductive film 132 formed on the piezoelectric film to form the top layer of the wire pad.例文帳に追加

ワイヤパッドは、ウェハチップ上に形成された圧電膜１３１と、圧電膜上に形成され、ワイヤパッドの表層を形成する導電膜１３２とを備える。 - 特許庁