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ph3を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 34



例文

Below pH 3 例文帳に追加

pH3未満 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

pH 3 to pH 6 (exclusive of pH 6) 例文帳に追加

pH3以上6未満 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In this case, a gas with composition of SiH4+N2O+PH3+N2, SiH4+CO+PH3+N2 or SiH4+CO2+PH3+N2 may be used.例文帳に追加

上記平行平板プラズマCVD法には、SiH_4+N_2O+PH_3+N_2 又はSiH_4+CO+PH_3+N_2又はSiH_4+CO_2+PH_3+N_2 を成分とするガスを使用することも開示している。 - 特許庁

In this case, a gas with a composition of SiH4+PH3+O2 or SiH4+PH3+N2O is used in the plasma CVD or the high- density plasma CVD method.例文帳に追加

上記プラズマCVD法または高密度プラズマCVD法には、SiH_4+PH_3+O_2又はSiH_4+PH_3+N_2Oを成分とするガスを使用することも開示している。 - 特許庁

例文

In the inspection path PH3, the part P is carried in a direction orthogonal to an axis Lo thereof.例文帳に追加

検査経路PH3では、パーツPをその軸線Loと直交する方向に搬送する。 - 特許庁


例文

The cosmetic comprises (A) the capillarisin and (B) guanidines or a salt thereof at pH3-5.5.例文帳に追加

(A)カピラリシン、及び(B)グアニジン類又はその塩を含有し、pH3〜5.5である化粧料。 - 特許庁

At the time of forming a lower electrode 25A composed of two layers of amorphous silicon films which are different in phosphorus concentration by CDV method using mixed gas of SiH4 gas and PH3 gas as source gas, SiH4 gas concentration is kept constant and PH3 gas concentration is reduced from the middle of deposition.例文帳に追加

リン濃度の異る2層のアモルファスシリコン膜で形成される下部電極25AをSiH_4ガスおよびPH_3ガスの混合ガスをソースガスに用いたCDV法により形成する際、SiH_4ガスの濃度は一定とし、PH_3ガスの濃度は成膜途中から低くする。 - 特許庁

In the inspection path PH3, a means (guide portions 31a, 32a, and guide groove 31b, 32b) for simultaneously guiding both end porions of the part P is provided.例文帳に追加

検査経路PH3に、パーツPの両端部を同時にガイドする手段(ガイド部31a、32a、ガイド溝31b、32b)を設ける。 - 特許庁

For suppressing the depletion of the electrode 17A, annealing process is carried out in a PH3 atmosphere, to cause the phosphorous in the grains 18 to be diffused.例文帳に追加

この下部電極17Aの空乏化抑制のために、PH_3 雰囲気中でアニール処理を行い、微結晶18にリンを拡散させる。 - 特許庁

例文

The liquid fertilizer composition contains eucalyptus extracted essence, an organic acid, chitosan, a surfactant and fertilizer components and has pH3-7.例文帳に追加

ユーカリ抽出エキス、有機酸、キトサン、界面活性剤、及び肥料成分を含有し、pH3〜7の範囲である液体肥料組成物。 - 特許庁

例文

The method for pretreating meat or marine products includes soaking the meat or the marine products in a pH3-5 solution followed by soaking it in a pH8.5-11.5 solution.例文帳に追加

畜肉または水産物の前処理方法として、畜肉または水産物をpH3〜5の溶液に浸漬後、pH8.5〜11.5の溶液に浸漬する。 - 特許庁

Data frames PR1 to PR3 to be transmitted in response to data D1 to D3 have reservation information added to header portions Ph1 to Ph3.例文帳に追加

データD1〜D3に対応して送信されるデータフレームPR1〜PR3は、ヘッダ部分Ph1〜Ph3に予約情報が付加されている。 - 特許庁

The surface layer 103a is removed by dipping ( surface treating) the surface layer 103a in the acidic solution (≤pH3) such as hydrochloric acid aqueous solution for 1 min.例文帳に追加

この表面層103aを、塩酸溶液などの酸の溶液(pH3以下)による浸漬処理(表面処理)を1分間行うことで除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device which prevents the occurrence of failures and damages of the capacitor by a cleaning operation after PH3 doping, and simplifies the process.例文帳に追加

PH_3ドーピングを行った後の洗浄作業による不良の発生、ならびにキャパシタの破損を防止し、工程が単純化される半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the calcium-containing protein conjugate comprises sterilizing bean pulp in an autoclave, adding lactobacilli to the resultant bean pulp to effect fermentation to pH3 followed by addition of calcium carbonate and carrying out a fermentation continuously for further 3-5 days.例文帳に追加

豆パルプをオートクレーブで滅菌し、乳酸桿菌を添加してpH3になるまで発酵させ、炭酸カルシウムを添加して更に3〜5日間継続して発酵させる。 - 特許庁

The phospholipase D is isolated and purified from a culture solution of a bacterium of the genus Streptomyces at pH3-8 by adding a bivalent metal (calcium or magnesium) salt and subjected to a freezing treatment in the presence of L-serine.例文帳に追加

ホスホリパーゼDを、ストレプトマイセス属細菌の培養液から、pH3〜8で、二価金属(カルシウム、マグネシウム)塩を添加して単離・精製し、L−セリン存在下凍結処理する。 - 特許庁

A third reflector 32 and a fourth reflector 34 respectively form a third separate light-distribution pattern PH3 and a fourth separate light-distribution pattern PH4 by reflecting light from the second semiconductor light-emitting element 24.例文帳に追加

第3リフレクタ32および第4リフレクタ34は、第2半導体発光素子24からの光を反射して第3個別配光パターンPH3および第4個別配光パターンPH4を形成する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device improved in yield, where a silicon epitaxial growth layer can be regulated in impurity concentration without using doping gas, such as PH3 or the like in a process where a silicon epitaxially grown layer is formed.例文帳に追加

シリコンエピタキシャル成長層の形成においてPH_3等のドーピングガスを用いることなく、シリコンエピタキシャル成長層の濃度を調整できる、歩留まりの良い半導体素子の製造方法を得る。 - 特許庁

In the substrate-processing method for the above purpose, the final process in the surface on which the crystal of the Mg_xZn_1-xO substrate is to be grown is performed by the acidic wet-etching at pH3 or below.例文帳に追加

このための基板処理方法として、Mg_XZn_1−XO基板の結晶成長を行う側の表面における最終処理は、pH3以下の酸性ウェットエッチングで行われる。 - 特許庁

A semiconductor substrate 11 is placed on a susceptor 10 within a reactor furnace 1, and a PH3 gas is fed into the reactor furnace 1 through a quartz gas nozzle 12, thereby doping the substrate 11 with P.例文帳に追加

反応炉1内のサセプター10上に半導体基板11を載置し、石英ガスノズル12を通じてPH_3 ガスを反応炉1内に供給することにより、半導体基板11にPをドーピングする。 - 特許庁

After insertion, phosphine (PH3) gas or a mixed gas containing phosphine is made to flow on a wafer 15 before the amorphous silicon film 12 is crystallized and changed into a polysilicon film, and the phosphorus is diffused into the silicon film 12.例文帳に追加

挿入後、前記アモルファスシリコン膜12が結晶化してポリシリコン膜に変化する前から、ウェーハ15上にホスフィン(PH_3)又はホスフィンを含む混合ガスを流し始めて、シリコン膜12中にリンを拡散させる。 - 特許庁

This method for producing the plant primary rod feed comprises (S16) soaking the plant stalk in a soaking solution of pH3-5 containing lactic acid bacteria so as to protect the plant stalk from putrefactive bacteria and promote fermentation with lactic acid bacteria through maintaining an anaerobic condition.例文帳に追加

本発明はpHを3〜5とした乳酸菌を含む浸漬液に植物主桿を浸漬することで、植物主桿を腐敗菌から保護すると共に、嫌気状態を維持することで乳酸菌による発酵を促進するようにした。 - 特許庁

PH3 atmosphere can be achieved until temperature increases to a room temperature after the growth is completed by the cover layer 108, mixture of hydrogen radicals into the embedding layer 106 and the contact layer 107 can be prevented, thus preventing acceptor concentration from decreasing.例文帳に追加

カバー層108によって、成長終了後に室温まで降温する間、PH_3雰囲気とすることができるため、埋め込み層106、コンタクト層107中へ水素ラジカルの混入を防止する事が可能となり、アクセプタ濃度の低下を防ぐことができる。 - 特許庁

The aqueous suspension liquid formulation in which particles containing tranilast or its pharmaceutically permissible salt as the active ingredient are suspended in a range of pH3-7 and 0.5-4 mass% menthol is contained serves as the pharmaceutical composition.例文帳に追加

トラニラストまたはその薬理学的に許容される塩を有効成分とする粒子がpH3〜7の範囲で懸濁しており、かつ0.5質量%〜4質量%のメントールが含有されている水性懸濁液剤によって解決される。 - 特許庁

Accordingly, pH of the eluting solvent sent by a sending pump 1 is made slightly acidic (pH3-5), and mass spectrometry is carried out in the negative ionization mode by using the sonic spray ion source 6, thereby enabling the neutral sugar chain and the acid sugar chain to be analyzed with high sensitivity and concurrently.例文帳に追加

このため、送液ポンプ1で送液する溶離液のpHを弱酸性(pH3〜5)とし、ソニックスプレーイオン源6を用いて負イオンモードで質量分析を行なえば中性糖鎖と酸性糖鎖を高感度に一斉分析することができる。 - 特許庁

In this processing, the PH3 gas jetted out of a gas diffusion hole 12a of the nozzle 12 is allowed to reflect at the inner wall of the reaction furnace 1, and the gas stream is directed at an angle of 45° to 90°, preferably at an angle vertical or approximately vertical to the surface of the substrate 11.例文帳に追加

このとき、石英ガスノズル12のガス拡散穴12aから吹き出されるPH_3 ガスを反応炉1の内壁で反射させ、そのガス流の方向を半導体基板11の表面に対して、45°〜90°の角度、好適には、垂直か垂直に近い角度になるようにする。 - 特許庁

The milk dessert base is mixed with milk to produce gel-like or viscous fluid milk dessert, contains HM pectin, phytic acid and microfibrous cellulose, has pH3 or higher, and also has 2-400 pts.mass of the content of the HM pectin based on 1 pt.mass of the phytic acid.例文帳に追加

牛乳と混合することによりゲル状ないし粘性液状のミルクデザートを与えることが可能なミルクデザートベースは、HMペクチンとフィチン酸と微小繊維状セルロースとを含有し、pH3以上を示し、しかもフィチン酸1質量部に対するHMペクチンの含有量は2〜400質量部である。 - 特許庁

Also, the method for purifying the botulinus toxin complex by using the affinity chromatography is provided by serving the botulinus toxin-containing solution to the column obtained by bonding the above antibody to the carrier at pH 6 to make the column adsorb the botulinus toxin complex and then by performing the elution of the botulinus toxin complex at pH 3.例文帳に追加

本発明はまた、当該抗体を担体に結合させたカラムにpH6でボツリヌス毒素含有溶液を供し、カラムにボツリヌス毒素複合体を吸着させた後に、pH3でボツリヌス毒素複合体の溶出を行うアフィニティークロマトグラフィーによるボツリヌス毒素複合体の精製方法。 - 特許庁

This aqueous suspension preparation is provided by containing the pirenoxine or its pharmacologically acceptable salt as an active ingredient, and showing 5-10 nm center of its particle diameter distribution, ≤220 nm 90% median diameter of the particle diameter distribution and also pH3-6.例文帳に追加

ピレノキシンドまたはその薬理学的に許容される塩を有効成分として含有し、その粒子径分布の中心が5nm〜100nmであり、粒子径分布の90%メジアン径が220nm以下であり、かつpHが3〜6である水性懸濁液剤によって解決される。 - 特許庁

In the rustproof-processing method of a heat exchanger, the heat exchanger which is flux-brazed by the Nocolock (R) brazing method is subjected to surface treatment with lithium treatment liquid of ≥pH7 containing lithium, subjected to cerium chemical conversion treatment with solution of cerium chemical conversion treatment of pH1.5-3 containing cerium, and thereafter, subjected to zirconium chemical conversion with solution of zirconium chemical conversion treatment of pH3-5 containing zirconium.例文帳に追加

ノコロックろう付け法によりフラックスろう付けした熱交換器を、リチウムを含有するpH7以上のリチウム処理液で表面処理した後、セリウムを含有するpH1.5〜3のセリウム化成処理液でセリウム化成処理し、その後、ジルコニウムを含有するpH3〜5のジルコニウム化成処理液でジルコニウム化成処理する熱交換器の防錆処理方法である。 - 特許庁

This is a semiconductor surface treatment method for applying surface treatment to each semiconductor crystal thin film surface, so formed that a III-V group compound semiconductor or a III-V group mixed crystal semiconductor can be epitaxial or hetero-epitaxial grown on the base layer with the plasma of mixed gas formed of H2 and PH3, and a semiconductor device to which the treatment is applied.例文帳に追加

III−V族化合物半導体或いはIII−V族混晶半導体を基層にエピタキシャル或いはヘテロエピタキシャル成長させた半導体結晶薄膜表面の各々にH_2 およびPH_3 より成る混合気体のプラズマによる表面処理を施すことを特徴とする半導体表面処理方法、およびこの処理を施された半導体装置。 - 特許庁

Concerning the heat treatment method, an object W to be treated selectively formed with a silicon film having the finely rugged surface is loaded into the treatment vessel of a heat treatment device, and phosphorus atoms are led into the silicon film as impurities, a PH3 gas is used as a doping gas for the said phosphorus atoms, and a heat treatment temperature is set within the range of from 550 to 750°C.例文帳に追加

表面が微細な凹凸形状になされたシリコン膜が選択的に形成されている被処理体Wを熱処理装置の処理容器内へロードして、前記シリコン膜中に不純物としてリン原子を導入する熱処理方法において、前記リン原子のドーピングガスとしてPH_3 ガスを用い、熱処理温度を550〜750℃の範囲内に設定する。 - 特許庁

In the amidation method of a carboxyl group of a sialic acid residue executed by mixing the sialo-sugar chain with a nucleophilic agent and by adding a condensation agent thereto, which is characterized by generating a condensation reaction at pH3 or lower, a compound having a hydrazide group and carbodiimide are used as a preferable nucleophilic agent and a preferable condensation agent, respectively.例文帳に追加

シアロ糖鎖と求核剤とを混合し、これに縮合剤を添加して行われるシアル酸残基のカルボキシル基のアミド化方法において、前記縮合反応を、pH3以下で行うことを特徴とするものであり、好ましい求核剤及び縮合剤として、それぞれ、ヒドラジド基を有する化合物及びカルボジイミドが用いられる。 - 特許庁

例文

Voltage boosting circuits 13, 14 for boosting clock voltages PH3, Ph4 so that a voltage fed to auxiliary pump capacitors Cs1-Csn connected to each gate of main transfer Nch transistors T11-T1n is made to be higher than clock voltages PH1, PH2 fed to a main pump capacitor arranged according to the Nch transistors T11-T1n is provided.例文帳に追加

主転送用のNchトランジスタT11〜NchトランジスタT1nのゲートに接続されている補助ポンプ用のキャパシタCs1〜Csnに供給する電圧が、NchトランジスタT11〜NchトランジスタT1nに対応して設けられた主ポンプ用のキャパシタに供給するクロック電圧PH1,PH2より高くなるように、クロック電圧PH3,PH4を昇圧する昇圧回路13,14を設ける。 - 特許庁




  
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