「plane method」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plane heating element, and its heating method, which realizes quick heating without using a power source with complicated control circuit.例文帳に追加

複雑な制御回路を用いた電源を用いること無く、優れた速熱性が得られる面発熱体と、その発熱方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon thin-film transfer wafer in which in-plane film thickness variation of a single crystal silicon thin-film can be suppressed.例文帳に追加

単結晶シリコン薄膜の面内膜厚バラツキを抑えることができるシリコン薄膜転写ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferritic stainless steel sheet having excellent plane anisotropy upon forming, ridging resistance and roughening resistance, and also to provide a method for producing the same.例文帳に追加

成形時の面内異方性、耐リジング性及び耐肌荒れ性に優れたフェライト系ステンレス鋼板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid for a metal and a chemical mechanical polishing method capable of providing both the satisfactory in-plane uniformity and few scratch.例文帳に追加

良好な面内均一性と低スクラッチとが両立する金属用研磨液および化学的機械的研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer holding device which receives a distorted wafer and holds it in a plane, a semiconductor manufacturing device and a wafer sucking method.例文帳に追加

歪みのあるウエハを受け取り、且つ平面に保持するウエハ保持装置、半導体製造装置およびウエハ吸着方法を提供する。 - 特許庁

To enhance game performance by developing a special pattern on a two-dimensional plane, and diversifying a method of a pattern variation by a movement of a visible window.例文帳に追加

特別図柄を２次元平面に展開し、視認可能窓の移動により、図柄変動の方法を多様化して遊技性を高める。 - 特許庁

To provide a micro mirror element which enables limitation on plane size of a wafer used in production to be reduced, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

製造に用いるウエハの平面サイズについての制限を低減可能なマイクロミラー素子、および、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plate rolling method by which the plane shape of a steel plate after rolling can be properly controlled, and plate rolling equipment.例文帳に追加

圧延後の鋼板の平面形状を適切に制御することが可能な厚板圧延方法及び厚板圧延装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus which can form a film having adequate electric characteristics in the plane on a substrate, and to provide a film-forming method therefor.例文帳に追加

面内の良好な電気的特性を備える膜を形成することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ZnO thin film with the c-axis uniaxially oriented in the plane of the thin film irrespective of the kind of a substrate.例文帳に追加

基板の種類を選ばず、ｃ軸が薄膜の面内の一方向に配向したＺｎＯ薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the variation of the plane accuracy of an optical element in a method for producing the glass optical element, and a mold set for molding the glass optical element.例文帳に追加

ガラス光学素子の製造方法及びガラス光学素子成形用型セットにおいて、光学素子の面精度のばらつきを抑える。 - 特許庁

To provide a calculation method which can calculate a light intensity (partly coherent imaging formation calculation) formed on a wafer plane for a short time.例文帳に追加

ウエハ面に形成される光強度分布（部分コヒーレント結像計算）を短時間で行うことができる算出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of suppressing variations in temperature history with respect to in-plane of a workpiece.例文帳に追加

処理対象物の面内に関して、温度履歴のばらつきを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ultrasound system and a method for providing a plurality of slice plane images by setting the plurality of slice planes on volume data.例文帳に追加

ボリュームデータに複数のスライス面を設定して複数のスライス面映像を提供する超音波システムおよび方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion beam scan processing method with which beam radiation efficiency is improved and in-plane uniformity of dosage can be maintained.例文帳に追加

ビーム照射効率を向上させるとともにドーズ量の面内均一性を維持できるイオンビームスキャン処理方法を提供する。 - 特許庁

To produce a cellulose acylate film the Re (in-plane retardation) of which is made larger while increasing the refractive index in the width direction in spite of a cooling flow casting method.例文帳に追加

冷却流延方式でありながらも、幅方向の屈折率を高め、Ｒｅがより大きいセルロースアシレートフィルムを製造する。 - 特許庁

To provide a copper plating method by which a plating film having a priority orientation surface to become (200) plane and having excellent film physical properties is obtained.例文帳に追加

優先配向面が（２００）面となる皮膜物性に優れためっき皮膜を得ることのできる銅めっき方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wurtzite thin film having c-axis uniaxially oriented in the plane of the thin film with a higher precision than those of conventional ones.例文帳に追加

従来よりも高い精度でc軸が薄膜の面内の一方向に配向したウルツ鉱薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The sapphire substrate 11 is thinned by a plane polishing method, and a Si substrate 16 is bonded to a rear face of the thinned sapphire substrate 11.例文帳に追加

サファイア基板１１を平面研磨法により薄膜化し、該薄膜化されたサファイア基板１１の裏面にＳｉ基板１６を接合する。 - 特許庁

To provide an image forming device and an image formation control method for processing color image data in parallel in respective color plane units.例文帳に追加

カラー画像データを各色プレーン単位で並行して処理を行う画像形成装置及び画像形成制御方法を提供する。 - 特許庁

FERRITIC STAINLESS STEEL THIN SHEET REDUCED IN PLANE ANISOTROPY UPON FORMING AND EXCELLENT IN RIDGING RESISTANCE AND ROUGHENING RESISTANCE, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

成形時の面内異方性が小さく耐リジング性及び耐肌荒れ性に優れたフェライト系ステンレス鋼薄板及びその製造方法 - 特許庁

DIAMOND-METAL COMPOSITE WITH MIRROR PLANE, AND ARTIFICIAL JOINT, DICE, ROLL OR MOLD THEREWITH, AND METHOD FOR MANUFACTURING DIAMOND-METAL COMPOSITE例文帳に追加

鏡面を備えたダイヤモンド−金属複合体、同人工関節、ダイス、ロール又は金型、及び同ダイヤモンド−金属複合体の製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method by which the size in a thickness direction and a plane direction and cost can be reduced.例文帳に追加

厚み方向及び平面方向サイズの縮小と、コスト低減とを可能にする半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has an improved reliability for an insulation film formed on a principal plane of a substrate, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

基板の主面上に形成された絶縁膜の信頼性が向上された、半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a body and a method for implementing an encodement technology in non-plane image fields on various media or surface.例文帳に追加

様々な媒体又は表面上の平面的でないイメージフィールドでエンコードメント技術を実施する物体、及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern formation method which prevents a peeling residue at the time of peeling an antistatic film and is excellent in an in-plane uniformity after developing.例文帳に追加

帯電防止膜剥離時の剥離残りが防止され、現像後の面内均一性に優れたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which in-plane or wafer-to-wafer variations after formation of STI are suppressed.例文帳に追加

ＳＴＩの形成後の面内あるいはウェハ間のばらつきを抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a control method and an improved equatorial plane normal body stabilizing satellite operated in an inclined orbit.例文帳に追加

本発明は、制御方法と、傾斜軌道において稼働する改良された赤道面法線方向体安定型衛星とを提供する。 - 特許庁

To provide a ferritic stainless steel sheet excellent in plane anisotropy upon forming, ridging resistance and roughening resistance, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

成形時の面内異方性、耐リジング性及び耐肌荒れ性に優れたフェライト系ステンレス鋼板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat treatment apparatus and method, applying a heat treatment to a substrate with high in-plane uniformity.例文帳に追加

基板に対して面内均一性の高い加熱処理を行うことができる加熱処理装置及び加熱処理方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent occurrence of crushed particles, and to perform chamfering process of a medium opposite plane with a simple process, in a manufacturing method of a slider.例文帳に追加

スライダの製造工程において、破砕粒子の発生を防止しし、かつ簡易なプロセスで媒体対向面の面取り加工をおこなう。 - 特許庁

To provide a micro-mirror element which lighten restrictions on the plane size of a wafer for use in manufacturing and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

製造に用いるウエハの平面サイズについての制限を低減可能なマイクロミラー素子、および、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for photocuring adhesion, capable of instantly obtaining an excellent adhesive force in subjecting a translucent material to plane bonding.例文帳に追加

透光性素材を面接着するにあたり、瞬間的に良好な接着力を得る光硬化接着方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride laser diode with a cleavage plane as a light resonator surface, while using a sapphire substrate, and its manufacturing method.例文帳に追加

サファイア基板を用いながらも、劈開面を光共振器面とするIII 族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a non-polar a-plane gallium nitride single crystal that ensures growth at a faster rate under a high pressure.例文帳に追加

高圧力下において高速成長を可能にした非極性ａ面窒化ガリウム単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an optically active imidazolium salt having plane asymmetry and a method for producing the optically active imidazolium salt in a high stereoselectivity.例文帳に追加

面不斉を有する光学活性イミダゾリウム塩及び該光学活性イミダゾリウム塩を高立体選択的に製造する方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of growing an m-plane nitride semiconductor using a sapphire substrate having a relatively large size and excellent crystal quality.例文帳に追加

結晶品質に優れている比較的大口径のサファイア基板を用いたｍ面窒化物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

The method (210) includes a step for acquiring an ultrasound image data acquired from a multi-plane imaging scan of an object for image-formation (212).例文帳に追加

この方法（２１０）は、画像化対象物の多面画像化走査から取得された超音波画像データを獲得する（２１２）ステップを含む。 - 特許庁

An Nd_0.5Sr_0.5MnO_3 film is formed on an SrTiO_3 single crystal substrate in which the plane orientation is (110) by a laser ablasion method.例文帳に追加

面方位が（１１０）のＳｒＴｉＯ_３単結晶基板上に、Ｎｄ_０．５Ｓｒ_０．５ＭｎＯ_３膜を、レーザーアブレーション法によって形成する。 - 特許庁

To provide a loop antenna and a directivity control method therefor in which the directivity of the loop antenna in the E plane can be controlled to an arbitrary direction.例文帳に追加

ループアンテナのＥ面内の指向性を任意の方向に制御できるループアンテナ及びその指向性制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hot rolled steel sheet having reduced in-plane anisotropy of r-value suitable for drawing, and to provide a method for stably producing the same.例文帳に追加

絞り加工に好適なｒ値の面内異方性の小さい熱間圧延鋼板とその安定した製造方法を提供する。 - 特許庁

In the present method, a plurality of item objects are sequentially displayed along a linear path on a menu plane to generate a space menu.例文帳に追加

この方法では、複数の項目オブジェクトがメニュー面上の直線パスに沿って連続的に表示され、空間メニューを生成する。 - 特許庁

To provide a method and a device capable of forming a higher bit density on a magnetic disk plane without affecting adversely the reproduction.例文帳に追加

再生時に悪影響を与えずに磁気ディスク面上でより高いビット密度が生成可能な方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for polishing a semiconductor substrate wafer in which productivity is prevented from lowering by eliminating variation of polishing in the wafer plane.例文帳に追加

半導体基板ウエハ面内の研磨ばらつきを解消し、生産性の低下を防ぐ研磨方法及び研磨装置を提供する。 - 特許庁

In the method of growing the GaN semiconductor crystal by using a rare earth 13 (3B) group perovskite crystal containing one or more kinds of rare earth elements as the substrate, a plane in an off-angle state by 1° to 4° from the (011) plane of the rare earth 13 (3B) perovskite crystal substrate is used as the growing plane.例文帳に追加

１または２種類以上の希土類元素を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶を基板としてＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶基板の（０１１）面から１°から４°だけオフアングルさせた面を成長面とするようにした。 - 特許庁