「plasma source」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The inductively coupled high frequency plasma reactor 10 includes a plasma source 16 having a plurality of channels 38, 44 in which processing gases are independently supplied to each channel.例文帳に追加

誘導結合高周波プラズマ・リアクタ１０は、処理ガスが各チャネルに独立して供給される複数のチャネル３８，４４を有するプラズマ源１６を備える。 - 特許庁

Plasma is generated by entering microwaves into the discharge vessel 19, and ions in the plasma are changed into an ion beam 23 and emitted from the ion source 65.例文帳に追加

放電容器１９内にマイクロ波を入射することによってプラズマが発生され、プラズマ中のイオンはイオンビーム２３となってイオン源６５より出射される。 - 特許庁

Plasma containing ions is generated from an ion source 3, and the positive ions in the plasma are accelerated to pass through the electrode body 10 and injected into the disk 9.例文帳に追加

イオン源３によりイオンを含むプラズマが発生し、プラズマ中の正イオンが加速され、電極体１０を通過してディスク９に注入される。 - 特許庁

The plasma processing is performed in the plasma processing chamber by supplying high frequency output of a high frequency power source through an impedance matching device.例文帳に追加

高周波電源の高周波出力をインピーダンス整合器を介してプラズマ処理室に供給し、このプラズマ処理室でプラズマ加工を行う構成とする。 - 特許庁

Furthermore, a plasma source 104 for generating an introduced and connected plasma, and a first electrode 105 with a substrate 108 mounted thereon are equipped inside the vacuum vessel 101.例文帳に追加

また、真空容器１０１内に、誘導結合されたプラズマを発生させるプラズマ源１０４と、基板１０８を搭載する第１の電極１０５を備える。 - 特許庁

Gas (processing fluid) from a processing fluid source 1 is introduced to a plasma making means 20 with pressure lower than the almost atmospheric pressure to be made plasma under low pressure.例文帳に追加

処理流体源１からのガス（処理流体）を略大気圧より低い圧力のプラズマ化手段２０に導入して低圧下でプラズマ化する。 - 特許庁

To provide an extreme ultraviolet light source apparatus of a laser exciting plasma type for quickly discharging charged particles such as ions released from plasma to the outside of a chamber.例文帳に追加

レーザ励起プラズマ方式の極端紫外光源装置において、プラズマから放出されるイオン等の荷電粒子を速やかにチャンバ外に排出する。 - 特許庁

To provide a target for a laser plasma ion source capable of accelerating heavy ions to discharge the heavy ions at a further accelerated speed, and to provide a laser plasma ion generating apparatus.例文帳に追加

重イオンを加速して更に高速に放出することができるレーザプラズマイオン源用ターゲットおよびレーザプラズマイオン発生装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a plasma display unit, capable of suppressing the amount of heat generation from a PDP(plasma display panel) according to the peripheral ambient temperature and heat generation from a power source circuit part.例文帳に追加

周辺環境温度や電源回路部からの発熱に応じて、ＰＤＰからの発熱量を適切に抑制し得るプラズマディスプレイ装置を得る。 - 特許庁

The radiation source also includes: a laser system configured to direct a laser beam to the radiation source material in the plasma starting site for generating plasma releasing extreme ultraviolet; and a catch configured to catch the radiation source material to be transmitted from the radiation source material target delivery system.例文帳に追加

放射源は、極端紫外線を放出するプラズマを生成するためにレーザビームをプラズマ開始サイトにおける放射源材料に向けるように構成されたレーザシステム、および放射源材料ターゲットデリバリシステムにより送られる放射源材料を捕捉するように構成されたキャッチも含む。 - 特許庁

The induction coupling type plasma source has a high frequency power supply 8 which supplies high frequency power to the both ends parts 25 of the antenna 20 and generates induction coupling type plasma P inside the plasma generating chamber 2.例文帳に追加

誘導結合型プラズマ源は、アンテナ２０の両端部２５に高周波電力を供給してプラズマ生成室２の内部に誘導結合型プラズマＰを生成する高周波電源８を備えている。 - 特許庁

To provide a plasma generation source and a plasma generator, capable of stably generating uniform plasma with high density and a large area, a film deposition device utilizing the plasma generator, an etching device and an ashing device, and a surface treatment device.例文帳に追加

均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。 - 特許庁

In a method of cutting a workpiece W by generating a plasma arc 21 from the tip of a plasma torch 7 by turning on a plasma power source, it is designed that the output of the power source is turned off for a specific time after the completion of cutting of the workpiece W, and that the plasma torch 7 is then shifted to the next operation.例文帳に追加

プラズマ電源のオンによりプラズマトーチ７先端よりプラズマアーク２１を発生させてワークＷを切断するプラズマアーク２１によるワーク切断方法において、上記ワークＷの切断加工終了後、上記プラズマ電源の出力を一定時間オフとした後に上記プラズマトーチ７を次の動作に移すようにする。 - 特許庁

In this manufacturing apparatus of a semiconductor device, a plasma generating apparatus 13 is installed inside a source gas path between a source container 8, wherein xylylene dimers 18 are stored and a film formation chamber 1.例文帳に追加

キシリレンダイマー１８が収納されたソース容器８と成膜室１の間のソースガス経路内にプラズマ発生装置１３を設置する。 - 特許庁

Plasma generated by dielectric barrier discharge wherein the dielectric material acts as a barrier is used for a charged particle beam source or an electron source.例文帳に追加

そして、誘電体がバリアとして作用する誘電体バリア放電で発生させたプラズマを荷電粒子源または電子源として用いる。 - 特許庁

The latter refining and casting chamber (26) includes, in its downstream part, a port to which a non-transferred arc plasma source (30) is connected.例文帳に追加

鋳造・精錬筐体(26)は、下流部に非移行式プラズマアーク源(30)につながる開口部を備える。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for monitoring of plasma etching and deposition processes having a non-extended light source.例文帳に追加

非分散光源を備えるプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。 - 特許庁

PLASMA REACTOR OVERHEAD SOURCE POWER ELECTRODE WITH LOW ARCING TENDENCY, CYLINDRICAL GAS OUTLETS AND SHAPED SURFACE例文帳に追加

低アーク放電性、円筒形ガスアウトレット及び成形表面を有するプラズマリアクタ・オーバヘッド・ソースパワー電極 - 特許庁

The chamber body has at least one plasma source opening provided on its sidewall.例文帳に追加

前記チャンバ本体は、それ自体の側壁上に設けられた少なくとも１つのプラズマ源開口を有する。 - 特許庁

By using a high-frequency power source device for plasma generation, argon gas is dissociated into argon plus ion (Ar^+) and electron.例文帳に追加

プラズマ発生用高周波電源装置を用い、アルゴンガスをアルゴンプラスイオン（Ａｒ^＋）と電子に解離させる。 - 特許庁

The first high frequency for generating plasma is applied to the susceptor 12 from the first high frequency power source 32.例文帳に追加

サセプタ１２には、第１高周波電源３２よりプラズマ生成用の第１高周波が印加される。 - 特許庁

Thereby, the secondary gas curtain 45 including poor oxygen makes heat source distribution of the plasma arc 43 sharp so as to prevent burning.例文帳に追加

酸素プアな二次ガスカーテン４５が、プラズマアーク４３の熱源分布をシャープにしてバーニングを防止する。 - 特許庁

LOW ARC DISCHARGE, CYLINDRICAL GAS OUTLET AND OVERHEAD SOURCE POWER ELECTRODE OF PLASMA REACTOR HAVING MOLDED SURFACE例文帳に追加

低アーク放電性、円筒形ガスアウトレット及び成形表面を有するプラズマリアクタ・オーバーヘッド・ソースパワー電極 - 特許庁

By a plasma CVD method, a thin film of amorphous tantalum nitride is formed on a substrate through the plasma decomposition of inorganic tantalum halide and nitrogen source gas, or a thin film of amorphous tantalum nitride is formed on the substrate by the plasma decomposition of inorganic tantalum halide, nitrogen source gas, and a silicon source gas.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法に従って、無機タンタルハロゲン化物および窒素源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル窒化物の薄膜を形成すること、または無機タンタルハロゲン化物、窒素源ガスおよびシリコン源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物の薄膜を形成すること。 - 特許庁

In the plasma treatment device comprising the chamber 2 with a substrate 10 accommodated therein and a plasma source 3 which emits the columnar free-standing plasma P in the chamber 2 and performs the plasma treatment on the substrate 10 by the plasma P emitted in the chamber 2, the substrate 10 can be disposed around the columnar plasma P in the chamber 2.例文帳に追加

基板１０が収納されるチャンバ２と、当該チャンバ２内に柱状のフリースタンディングプラズマＰを放出するプラズマ源３とを備え、当該チャンバ２内に放出されたプラズマＰによって前記基板１０に対する処理を行うプラズマ処理装置において、前記チャンバ２は、前記柱状プラズマＰの周囲に前記基板１０を配置可能に構成されている。 - 特許庁

The radiation source also has a second activation source to direct a second energy pulse onto a second spot in the radiation source near the discharge space to create an additional plasma channel.例文帳に追加

放射源は更に、放電空間の付近の放射源における第２のスポット上に第２のエネルギーパルスを誘導して追加プラズマチャネルを作成する第２の活性化源を含む。 - 特許庁

The radiation source includes a first activation source to direct a first energy pulse onto a first spot in the radiation source near discharge space to create a main plasma channel which triggers discharge.例文帳に追加

放射源は、放電空間の付近の放射源における第１のスポット上に第１のエネルギーパルスを誘導して放電をトリガする主プラズマチャネルを作成する第１の活性化源を含む。 - 特許庁

In the main circuit 11 of the plasma power source device 6, a plurality of small capacity power units (DC power source) 14-1 to 14-n are connected in parallel on the DC output side and connected to a plasma torch 20.例文帳に追加

プラズマ電源装置６の主回路１１では、複数の小容量のパワーユニット（直流電流電源）１４−１〜１４−ｎが直流出力側で並列接続されて、プラズマトーチ２０に接続される。 - 特許庁

A high frequency source 14 and a high frequency plasma processor are connected via the matching network which controls tuning of a load including reactive impedance elements 12 and plasma to the high frequency source 14.例文帳に追加

リアクタンス性インピーダンス要素１２およびプラズマを含む負荷の高周波源１４に対する同調とを制御する第１および第２の可変リアクタンス１８，２０を含んでいる整合ネットワークを介して接続される。 - 特許庁

This method for plasma treatment is constituted by respectively applying pulse-modulated electric power to a plasma-generating power source and to a substrate-bias power source, wherein a pulse modulation is based on the diffusion time of gas from the central part of discharge to the substrate.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理方法は、放電中心部から基板までのガスの拡散時間を基準としたパルス変調電力をプラズマ発生電源と基板バイアス電源に相互に印加するように構成される。 - 特許庁

In the plasma process device 100 using a gas as the process gas in which at least He and N_2 are contained, high frequency from a plasma excitation power source is impressed across electrodes under atmospheric pressure or pressure approximately of the atmosphere in order to generate the plasma, and the treating subject is plasma-treated.例文帳に追加

プラズマプロセス装置１００は、プロセスガスとして、少なくともＨｅとＮ_２とを含むガスを用い、大気圧または大気圧近傍の圧力下で電極間にプラズマ励起用の電源に高周波を印加してプラズマを生成し、被処理物をプラズマ処理する。 - 特許庁

To provide a plasma light source that (1) stabilizes plasma light of EUV emission for a long time, (2) has a large emission solid angle,(3) continuously supplies a plasma medium,(4) increases output and reduces discharge jitters, and (5) prevents impurities from being in plasma to enhance conversion efficiency.例文帳に追加

（１）ＥＵＶ放射のプラズマ光を長時間安定させ（２）放射立体角が大きく（３）プラズマ媒体を連続供給し（４）出力を高めかつ放電ジッターを低減する（５）プラズマ中の不純物を防止して変換効率を高めるプラズマ光源を提供する。 - 特許庁

The induction coupling type plasma source comprises a plasma generation chamber 2 having a wall formed of a material transmitting an electromagnetic wave, a gas inlet part for introducing a process gas into the plasma generating chamber 2, and an antenna 20 arranged along the wall of the plasma generating chamber 2.例文帳に追加

誘導結合型プラズマ源は、電磁波を透過する材質で形成された壁を有するプラズマ生成室２と、プラズマ生成室２の内部にプロセスガスを導入するガス導入ポート３と、プラズマ生成室２の壁に沿って配置されたアンテナ２０とを備えている。 - 特許庁

An increase in high-frequency power applied by a high-frequency power source 9 expands the volume of a plasma P for the plasma P to infiltrate the trench-like cavity 31, and this suppresses the generation of plasma leakage.例文帳に追加

高周波電源９から印加する高周波電力を増大させると、プラズマＰが溝状空隙３１内に侵入するように容積が拡大し、これによって、プラズマリークが発生することを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a plasma stream source capable of controlling ion energy in a gas phase, a plasma stream generating method, and a method and a device for manufacturing inductive fullerene with the induction of the above fullerene sublimated to the plasma stream.例文帳に追加

気相中でのイオンエネルギーの制御が可能なプラズマ流源、プラズマ流発生方法、並びに前記プラズマ流に昇華したフラーレンを導入して誘導フラーレンを製造する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

On a generation of the plasma by using a microwave as an excitation source, a spiral antenna 12 is arranged at the external periphery of a plasma chamber 11 made of insulation material, and the plasma is generated by directly supplying the microwave to the antenna.例文帳に追加

マイクロ波を励起源としたプラズマを生成するにあたり、絶縁物で形成されたプラズマ室１１の外周部にスパイラル状のアンテナ１２を配置し、該アンテナにマイクロ波を直接給電してプラズマを生成する。 - 特許庁

The method of forming a tantalum nitride film comprises a step of sequentially bringing alternating pulses of a tantalum source substance, a plasma-excited species of hydrogen and a nitrogen source substance into contact with a substrate in a reaction space.例文帳に追加

タンタルソース物質、水素のプラズマ励起種、及び窒素ソース物質の交互的パルスを順に、反応空間内で基板と接触させるステップを含む。 - 特許庁

A noncontact energy source such as a plasma source which urges the test place on the printed-circuit board and which is attached to the end part of the test head is included in the test head.例文帳に追加

テストヘッドには、プリント回路板のテスト場所を付勢するためテストヘッドの端部に取付けされたプラズマ源といった無接触エネルギ源が含まれている。 - 特許庁

Therefore, the vertical incident collector used together with a radiation source generated by the plasma is protected from fragments generated from EUV source.例文帳に追加

このようにして、プラズマによって生成される放射源と共に使用する垂直入射コレクタを、ＥＵＶ源から生じる破片から保護することができる。 - 特許庁

The lithography apparatus is provided with a first space including a plasma source and source gas to largely absorb radiation in the wavelength of the projected beam of the apparatus.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、プラズマソースを含み、かつ、装置の投影ビームの波長での放射線を高吸収するソースガスもまた含んだ第一スペースを備えている。 - 特許庁

To provide a soft X-ray source comprising a discharge plasma source from which a larger amount of soft X-ray can be taken out than before.例文帳に追加

放電プラズマ光源からなる軟Ｘ線光源であって、従来のものに比べて多量の軟Ｘ線を取り出すことのできるものを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma light source that can emit plasma light for EUV radiation stably for a long time (μsec order), has small damage caused by a heat load of constituent equipment, and can increase the effective radiation solid angle of the emitted plasma light and also continuously supply a plasma medium, and a plasma light generating method.例文帳に追加

ＥＵＶ放射のためのプラズマ光を長時間（μｓｅｃオーダーで）安定して発生させることができ、構成機器の熱負荷によるダメージが小さく、発生したプラズマ光の有効な放射立体角が大きくでき、プラズマ媒体を連続して供給することができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma light source in which planar discharges (current sheets) progressing from two plasma sources are made to collide in the center between the plasma sources, and the plasma can be confined by changing the connection of a current path, and connection of the current path can be changed stably, and to provide a plasma light generating method.例文帳に追加

２つプラズマ源から進展する面状放電（電流シート）を、プラズマ源間の中央部で衝突させ、かつ電流路の繋ぎ変えにより、プラズマの封じ込めを行うことができ、かつ電流路の繋ぎ変えを安定して行うことができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。 - 特許庁

A plasma doping device comprises a plasma doping chamber, a platen disposed in the plasma doping chamber in order to support a workpiece, an ionizable gas source coupled with the chamber, an anode spaced apart from the platen, and a pulse source which applies a voltage pulse between the platen and the anode.例文帳に追加

プラズマドーピング装置はプラズマドーピングチェンバーとワークピースを支持するためのプラズマドーピングチェンバー内に配置されるプラテンとチェンバーに結合されるイオン化可能なガス源とプラテンから間隔があけられたアノードとプラテンとアノードとの間に電圧パルスを適用するパルス源とを含む。 - 特許庁

The apparatus for the plasma treatment is furnished with a modulation means for applying the pulse-modulated electric power to the plasma-generating part and one to the substrate electrode, respectively in the plasma-generating power source and in the substrate bias power source, wherein the pulse modulation is based on the diffusion time of the gas from the central part of discharge to the substrate.例文帳に追加

また、本発明のプラズマ処理装置は、放電中心部から基板までのガスの拡散時間を基準としたパルス変調電力をプラズマ生成部及び基板電極に相互に印加する変調手段をプラズマ発生電源及び基板バイアス電源に設けられる。 - 特許庁