「plasma source」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Plasma source gas is supplied from a tank 150 at grounding potential to the plasma chamber 102 through a regulator 152, a control valve 156 and a flow restrictor 158.例文帳に追加

プラズマ源ガスは接地電位にあるタンク１５０からレギュレータ１５２、調整弁１５６、および流量制限器１５８を介してプラズマ室１０２に供給される。 - 特許庁

Plasma is generated by an external plasma source, and the pulse-shaped RF bias and the negative pulse-shaped DC bias voltage are simultaneously applied to a base material to be treated.例文帳に追加

外部プラズマ源によりプラズマを生成するとともに、処理基材に対し、パルス状のＲＦバイアスと負のパルス状のＤＣバイアス電圧とを同時に印加する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of restraining the peak value of reflected waves appearing at the output of a high-frequency power source without being affected by a load change in discharging plasma.例文帳に追加

放電中のプラズマの負荷の変化に影響されず、高周波電源の出力部に現れる反射波のピーク値を抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device in which a uniformity of a beam current density distribution in a Y direction of the ion beam can be improved even if a plasma density distribution is not uniform in a plasma generator of an ion source.例文帳に追加

イオン源のプラズマ生成部内におけるプラズマ密度分布が均一でない場合でも、イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くする。 - 特許庁

To provide a plasma source generating a plasma by the supply of a microwave, not stained by metallic impurity, capable of downsizing the device.例文帳に追加

マイクロ波給電によりプラズマを発生させるプラズマ源であって、金属不純物による汚染が発生せず、しかも、装置の小型化を図ることができるプラズマ源を提供する。 - 特許庁

The plasma welding equipment is characterized in that an oxygen absorbent is provided at a pilot gas flow passage between a space 14 around an electrode of a plasma torch 10 and a pilot gas supplying source 29.例文帳に追加

プラズマトーチ10の電極周りの空間14とパイロットガス供給源29との間のパイロットガス流路に、酸素吸収剤を配設したことを特徴とするプラズマ溶接装置。 - 特許庁

To provide a semiconductor plasma processing device that can enhance etching uniformity, by compensating a radical-side concentration phenomenon which is a weakness of an inductively coupled plasma source.例文帳に追加

本発明の誘導結合プラズマ源の短所であるラジカル側面集中現象を補ってエッチング均一度を高めることができる半導体プラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

A metallic plasma chamber 100 used along with a toroidal low-electric-field plasma source includes a first dielectric region 108 and a second dielectric region 110.例文帳に追加

トロイダル低電場プラズマソースとともに用いられ得る金属製プラズマチャンバ１００は、第１の誘電体領域１０８および第２の誘電体領域１１０を含む。 - 特許庁

This ion source 2a is provided with a magnetic field generator 30 in the vicinity of the upper part of a plasma electrode 14 being the electrode nearest the plasma side composing an extractable electrode system 12.例文帳に追加

このイオン源２ａは、引出し電極系１２を構成する最プラズマ側の電極であるプラズマ電極１４の上部近傍に磁界発生器３０を備えている。 - 特許庁

Moisture is contained in CF_4 (halogen based gas) from a source of supply 13 by a humidifier 15 and introduced between a pair of electrodes 11 of an atmospheric plasma generating portion 10 to generate plasma.例文帳に追加

供給源１３からのＣＦ_４（ハロゲン系ガス）に加湿器１５で水分を含ませ、大気圧プラズマ生成部１０の一対の電極１１間に導入してプラズマ化する。 - 特許庁

Electron discharged from such an electron source is made collided with gas guided into the chamber 1 to have plasma generated, and ion in the plasma is radiated on the workpiece W.例文帳に追加

かかる電子源から放出させた電子をチャンバ１内へ導入したガスに衝突させてプラズマを生成し、該プラズマ中のイオンを物品Ｗに照射する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of controlling impedance on a plasma source side and capable of eliminating impedance errors among devices or cleaning cycles.例文帳に追加

プラズマソース側のインピーダンスを調整することができ、装置間あるいはクリーニングサイクル間のインピーダンス誤差を解消することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The plasma source 30 and the treated substrate 2 are relatively moved in the inner chamber 20 by the transporting mechanism 36.例文帳に追加

搬送機構３６により、内チャンバ２０内においてプラズマソース３０と被処理基材２とを相対移動させる。 - 特許庁

To heighten a degree of vacuum in a plasma generating chamber by a simple structure, in a LPP type EUV light source device.例文帳に追加

ＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置において、簡単な構成によりプラズマ発生室内の真空度を高める。 - 特許庁

A power supply system 61 of a plasma source includes a measuring device 22, a control device 23, and an AC power supply 24.例文帳に追加

プラズマ源の電源系６１は測定装置２２と制御装置２３と交流電源２４を有している。 - 特許庁

To enable an induction plasma to be generated by only one high frequency power source even in case of generating that of big diameter.例文帳に追加

直径の大きい誘導プラズマを発生させる場合であっても１つの高周波電源で済むようにする。 - 特許庁

PLASMA FOCUS LIGHT SOURCE, LIGHTING DEVICE, X-RAY EXPOSURE EQUIPMENT USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

プラズマフォーカス光源、照明装置及びこれらを用いたＸ線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

A voltage is applied from a DC power source 11 to a target 12 in a film forming device 1 to generate plasma 10.例文帳に追加

成膜装置１内ターゲット１２に直流電源１１から電圧を印加しプラズマ１０を発生させる。 - 特許庁

A grid 14 is provided under the plasma source unit 11, and an electronic temperature can be controlled at a grid interval.例文帳に追加

プラズマ源ユニット１１の下部にグリッド１４を設け、グリッド間隔で電子温度を制御できるようにする。 - 特許庁

To measure space density of active particles supplied from a remote plasma source with a simple structure.例文帳に追加

リモートプラズマ源から供給される活性粒子の空間密度を簡単な構成で計測できるようにすること。 - 特許庁

To provide a laser plasma X ray source that improves the X ray generation efficiency with a gaseous target.例文帳に追加

ターゲットがガスなどの気体の場合、Ｘ線発生効率を向上できるレーザプラズマＸ線源を提供すること。 - 特許庁

To exclude the effect of a noise source such as a plasma display apparatus with operations simpler than those of prior arts.例文帳に追加

従来よりも極めて簡単な作業によってプラズマディスプレイ装置等の雑音源による影響を排除する。 - 特許庁

To prevent damage to a component of a lithography apparatus, in particular, a mirror located nearby a plasma source due to contaminant particles.例文帳に追加

汚染粒子によるリソグラフィ装置の部品とりわけプラズマ源の近傍に位置するミラーへの損傷を防ぐ。 - 特許庁

To provide a plasma generator unit, a reactor and a light source apparatus which allow for temperature control and size reduction.例文帳に追加

温度制御が可能で且つ小型化が可能なプラズマ発生体、反応装置及び光源装置を提供する。 - 特許庁

To switch a plurality of ion species while maintaining a vacuum condition of a chamber 1 in a plasma sputter type negative ion source.例文帳に追加

プラズマスパッタ型負イオン源において、チャンバ１の真空状態を維持したまま、複数のイオン種を切り替える。 - 特許庁

To generate a plurality of driving signals to be supplied to an electrode of a plasma display panel from one voltage source.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの電極に供給される複数の駆動信号を同一の電圧源から発生させる。 - 特許庁

In this method, the plasma contains a plurality of radicals and dissociated inert source gas atoms, defining a cleaning mixture.例文帳に追加

この方法で、プラズマは、複数の遊離基と解離不活性ソースガス原子を含み、クリーニング混合体を画定する。 - 特許庁

The pulsed power system comprises an inductive energy storage circuit (42) including a current source (43) and a plasma opening switch (44).例文帳に追加

パルス電力システムは、電流源(43)とプラズマ開放スイッチ(44)とを含む誘導性エネルギー蓄積回路(42)を有する。 - 特許庁

CATHODE ELECTRODE FOR PLASMA SOURCE OF VACUUM DEPOSITION SYSTEM FOR DEPOSITING COATING FILM ON OPTICAL SUBSTRATE IN PARTICULAR例文帳に追加

特に光学的基板上にコーティング膜をつけるための真空蒸着装置のプラズマ発生源用のカソード電極 - 特許庁

DEVICE AND METHOD OF DECREASING WHITE POWDER IN DEPOSITION OF SILICON NITRIDE USING REMOTE PLASMA SOURCE CLEANING TECHNOLOGY例文帳に追加

リモートプラズマ源清浄技術を用いた窒化ケイ素堆積中の白色粉末低減用の装置および方法 - 特許庁

To provide a light source device, wherein a laser oscillator is prevented from being irradiated with laser light transmitted through a plasma.例文帳に追加

プラズマを透過したレーザー光がレーザー発振器に照射されることを防止した光源装置を提供する。 - 特許庁

The bias electric power source 32 applies positive bias voltage VB against the plasma generating vessel 2 on the positive electrode 26.例文帳に追加

バイアス電源３２は、正電極２６にプラズマ生成容器２に対して正のバイアス電圧Ｖ_B を印加する。 - 特許庁

To provide a nozzle for a laser plasma extreme ultraviolet radiation source using a target material delivery tube.例文帳に追加

標的材料送給チューブを使用する、レーザープラズマ極紫外放射線源のためのノズルを提供する。 - 特許庁

To attain stability of advancing status of a target material of sheet shape in an LPP (laser produced plasma) type EUV light source device.例文帳に追加

ＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置において、シート状のターゲット材料の進行状態の安定化を図る。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FLUORESCENT SCREEN OF PLASMA DISPLAY PANEL, PHOTO-MASK FOR USE IN THE METHOD, AND LIGHT SOURCE DEVICE FOR EXPOSURE例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの蛍光面形成方法及びそれに使用するフォトマスク並びに露光用光源装置 - 特許庁

Plasma generation gas used for generating an atmospheric pressure plasma is mixed gas comprising: argon (Ar) as base gas (carrier gas) having processing capability when converted into a plasma and transporting the plasma generation gas as a whole to a plasma source; and oxygen gas or carbon dioxide gas as processing effectiveness enhancing gas enhancing the processing effectiveness of the atmospheric pressure plasma.例文帳に追加

大気圧プラズマを生成するために用いられるプラズマ生成用ガスであって、プラズマとなることにより処理能力を有するとともに、プラズマ生成用ガス全体をプラズマ源に搬送するためのベースガス（キャリアーガス）としてのアルゴン（Ａｒ）と、前記大気圧プラズマの処理効果を向上する処理効果向上ガスとしての酸素ガスもしくは炭酸ガスとの混合ガスとした。 - 特許庁

Source liquid mist is generated by a mist generating means 6; the mist is carried by an air flow and dried by heating the air flow by a drying device 2 to generate a source powder; and the source powder is pyrolyzed and fused in a plasma space at an ultrahigh temperature produced by the plasma generating means 8 of a plasma heating device 3.例文帳に追加

ミスト発生手段６によって原料液のミストを生成し、ミストを気流によって搬送し、乾燥装置２によって気流を加熱することでミストを乾燥して原料粉体を生成し、プラズマ加熱装置３のプラズマ発生手段８が形成する超高温のプラズマ空間で原料粉体を熱分解して融合する。 - 特許庁

The microwave plasma generation device comprises a microwave source for generating excitation microwave, a plasma gas source, the vacuum vessel 1 to which gas is supplied from the plasma gas source, a coaxial waveguide tube 3 for guiding excitation microwave into the container, and a parallel flat plate launcher 2 arranged in the container 1.例文帳に追加

本発明によるマイクロ波プラズマ発生装置は、励起マイクロ波を発生するマイクロ波源と、プラズマガス源と、前記プラズマガス源からガスが供給されるプラズマ発生用の真空容器１と、前記容器内に励起用のマイクロ波を導入する同軸導波管３と、および前記容器１内に配置された平行平板ランチャ２とから構成されている。 - 特許庁

The apparatus for producing an silicon ingot using the plasma heating system and the electromagnetic induction heating system in combination includes: a bottomless cooling mold 1; an induction coil 2 for heating; and a plasma torch 3 as a heating source, wherein tungsten (W) is used as a plasma electrode 12 arranged in the plasma torch 3.例文帳に追加

無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ３を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極１２としてタングステン（Ｗ）を用いる製造装置。 - 特許庁

The device for producing the silicon ingot includes a bottomless cooling mold 1 and a heating induction coil 2, and furthermore a plasma torch 3 as a heat source, and uses electromagnetic induction heating and plasma heating in combination, wherein copper (Cu) is used as a plasma electrode 12 which is installed in the plasma torch.例文帳に追加

無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ３を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極１２として銅（Ｃｕ）を用いる製造装置。 - 特許庁

This plasma melting furnace comprises a furnace body, an ash supplying unit for supplying at least either one of incineration ash or incineration fly ash into the furnace body, a plasma torch 20 for generating plasma at the inside of the furnace body, and a power source for supplying power to the plasma torch 20.例文帳に追加

プラズマ式溶融炉は、炉本体と、焼却灰と焼却飛灰のうち少なくとも一方を炉本体の内部に供給する灰供給装置と、炉本体の内部でプラズマを発生させるためのプラズマトーチ２０と、プラズマトーチ２０に電力を供給する電源とを備えている。 - 特許庁

A supply source of the gaseous cleaning agent comprises a spray source of the evaporated cleaning agent that flows into the housing and a weak ionization plasma source that is arranged near the article-supporting place within the housing for generating weakly ionized plasma in a surrounding atmosphere adjacent to the material-supporting place.例文帳に追加

ガス状洗剤の供給源は、ハウジングの内部に流入する蒸発した洗剤の噴霧源と、ハウジングの内部において物品支持場所に近接配置され、弱イオン化プラズマを物体支持場所に隣接する周囲雰囲気中に発生させる弱イオン化プラズマ源とより成る。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of film forming the low dielectric constant interlayer insulating film having the source of the hole on a semiconductor substrate, and plasma processing to remove the source of the hole from the low dielectric constant interlayer insulating film by the plasma processing.例文帳に追加

半導体基板上に空孔源を有する低誘電率層間絶縁膜を成膜する成膜工程と、プラズマ処理により低誘電率層間絶縁膜中から空孔源を除去するプラズマ処理工程とを有する。 - 特許庁

When high frequency power is applied from the electrode 12 to the gas 20 for electric discharge, and plasma for the gas 20 for electric discharge is generated, the solid source 18 is struck by the plasma, components of the solid source 18 are integrated into gas, and reactive etching gas is generated.例文帳に追加

電極１２から放電用ガス２０に高周波電力が印可されて放電用ガス２０のプラズマが発生すると、このプラズマにより固体ソース１８がたたかれ、固体ソース１８の成分がガス化し、反応性エッチングガスとなる。 - 特許庁

According to the present invention, by abundantly generating radicals and ions required for etching reaction by using the inductively coupled plasma source and the remote plasma source, etching reaction can be made active and etching efficiency can be improved.例文帳に追加

本発明によると、誘導結合プラズマ源とリモートプラズマ源とを使用してエッチング反応に必要なラジカルとイオンとを豊富に生成させることによって、エッチング反応が活発になってエッチング効率を向上させることができる。 - 特許庁