「plasma source」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In a state that an evaporation source 12 and a plasma generation space, and a substrate 14 held by a substrate holding unit are separated by a shutter 20, the evaporation source is heated to generate plasma 105.例文帳に追加

蒸発源１２およびプラズマ生成空間と、基板保持部に保持された基板１４とをシャッター２０で隔てた状態で、蒸発源を加熱し、プラズマ１０５を生成する。 - 特許庁

To provide a discharge forming plasma radiation source, and a method of forming radiation using the discharge forming plasma radiation source to reduce the number of formed high-speed (high-energy) ions.例文帳に追加

放電生成プラズマ放射源、および、生成される高速（高エネルギ）イオンの数を減少させる放電生成プラズマ放射源を使用した放射を生成する方法を提供する。 - 特許庁

A plasma chamber 25 outside which a plasma generator 26 is installed is formed at the other end of the gas supply line 23, and an H_2 gas supply source 27 and an N_2 gas supply source 28 are connected.例文帳に追加

ガス導入管２３の他端には外部にプラズマ発生装置２６が設置されたプラズマ室２５を形成し、Ｈ_2 ガス供給源２７とＮ_2 ガス供給源２８を接続する。 - 特許庁

MICROWAVE ION SOURCE, LINEAR ACCELERATOR SYSTEM, ACCELERATOR SYSTEM, ACCELERATOR SYSTEM FOR MEDICAL USE, HIGH ENERGY BEAM APPLICATION SYSTEM, NEUTRON GENERATING DEVICE, ION BEAM PROCESSING DEVICE, MICROWAVE PLASMA SOURCE, AND PLASMA PROCESSING DEVICE例文帳に追加

マイクロ波イオン源、線形加速器システム、加速器システム、医療用加速器システム、高エネルギービーム応用装置、中性子発生装置、イオンビームプロセス装置、マイクロ波プラズマ源及びプラズマプロセス装置 - 特許庁

The focused ion beam device is provided with a plasma type gas ion source to generate ion beams and an ion optical system to concentrate ion beams generated from the plasma gas ion source on a test piece.例文帳に追加

イオンビームを発生させるプラズマ型ガスイオン源と、プラズマ型ガスイオン源から発生したイオンビームを試料上に集結させるイオン光学系を備えた集束イオンビーム装置である。 - 特許庁

When a silicon oxide film is subjected to nitriding, amount of nitriding gas supply to a remote plasma source is set lower than a predetermined level at which energy used for sputtering the gas passage of the remote plasma source begins to increase.例文帳に追加

シリコン酸化膜を窒化処理する際に、リモートプラズマ源への窒化ガスの供給量を、リモートプラズマ源のガス通路のスパッタに使われるエネルギ増加し始める所定値以下に設定する。 - 特許庁

A processing system, based on previously loaded plasma, is provided with a preliminary reaction plasma processing chamber, a power source connected to the preliminary reaction plasma processing chamber so as to drive the chamber and a wafer plasma processing chamber connected to the preliminary reaction plasma processing chamber through fluid.例文帳に追加

事前ロードしたプラズマに基づく処理システムは、予備反応プラズマ処理チャンバと、この予備反応プラズマ処理チャンバと動作可能に連通して配置された電力源と、予備反応プラズマ処理チャンバと流体連通して配置されたウエハプラズマ処理チャンバとを具備する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus brings a workpiece into substantial contact with a plasma source that is of a surface discharge type dielectric barrier discharge system formed with an antenna and a ground in a dielectric substance to generate plasma on a surface opposite to a surface having the plasma source on the workpiece.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、誘電体内にアンテナとアースが形成された面放電型の誘電体バリア放電方式のプラズマ源において、被処理体を前記プラズマ源に略接触させ、被処理体に対してプラズマ源を設置した面とは反対の面にプラズマを生成するようにした。 - 特許庁

The system may include: a He plasma source contained in a chamber; and a control unit configured so as to correct plasma parameters such as an electronic energy distribution of plasma when used, in order to increase formation of a He metastable atom without correcting operation parameters of the plasma source.例文帳に追加

システムは、チャンバ内に含まれたＨｅプラズマ源と、プラズマ源の動作パラメータを修正することなくＨｅ準安定原子の形成を増加させるべくプラズマの電子エネルギー分布といったプラズマパラメータを使用時に修正するように構成された制御ユニットとを含んでよい。 - 特許庁

In addition, in plasma processing apparatus having a dual power control, at a given application of power to the plasma generation source, the stability of the plasma is extended by increasing the pressure in the etch process chamber.例文帳に追加

さらに、2重電力制御を有するプラズマ処理装置において、プラズマ発生源にある電力を適用するとき、エッチング処理チャンバの圧力を増すと、プラズマの安定性が拡大する。 - 特許庁

To provide a plasma light source capable of stably generating plasma beam for EUV radiation for a long time (μsec order), in which an effective radiation solid angle of the generated plasma beam is large.例文帳に追加

ＥＵＶ放射のためのプラズマ光を長時間（μｓｅｃオーダーで）安定して発生でき、発生したプラズマ光の有効な放射立体角が大きい、プラズマ光源の提供。 - 特許庁

To provide a plasma source in which highly reliable ignition is carried out without intentionally increasing the pressure in the plasma body, and in which the ignition all over the plasma body is homogeneously carried out.例文帳に追加

プラズマ本体内の圧力を有意に増大しなくても、信頼性の高い点火が行われ、全プラズマ本体にわたって点火が均等に行われるプラズマ源を提供すること。 - 特許庁

A process gas supplied from a supply source 2 is ionized into plasma in a plasma discharging space 1a and blown upon the semiconductor substrate 90 coated with the tungsten film to be etched.例文帳に追加

供給源２のプロセスガスをプラズマ放電空間１ａにてプラズマ化し、エッチングすべきタングステンが被膜された基材９０に吹付ける。 - 特許庁

To provide a plasma treatment chamber having a switchable bias frequency superposed on a plasma source frequency and also applied to a cathode.例文帳に追加

プラズマソース周波数に重畳されると共にカソードに印加される切替可能なバイアス周波数を有するプラズマ処理チェンバーを提供する。 - 特許庁

To provide a high-density plasma source applicable to a wide working atmospheric pressure from a low atmospheric pressure to a high atmospheric pressure, and a forming method of high-density plasma.例文帳に追加

低気圧から高気圧まで広い動作気圧に対応できる高密度プラズマ源、及び高密度プラズマ生成方法を提供する。 - 特許庁

An induction coupled plasma generation source and an antenna shape are important elements for determining plasma in a processing chamber and the uniformity of processing.例文帳に追加

誘導結合プラズマ発生源及びアンテナ形状は、処理室内部のプラズマ及び処理均一性を決定する際の重要な要素である。 - 特許庁

The plasma sterilization apparatus includes a plasma generation container 20 in which a pair of electrodes 22 and 24 for generating plasma are provided, a high-frequency power supply source 40 connected to one electrode 24 in the plasma generation container and an evaporator 30 for evaporating a sterilizing agent for generating plasma to inject the same in the plasma generation container.例文帳に追加

プラズマ滅菌装置は、プラズマを発生させるための一対の電極２２，２４が内部に設けられたプラズマ発生容器２０と、プラズマ発生容器の一方の電極２４に連結されている高周波電力供給源４０と、プラズマ発生容器にプラズマ発生用の滅菌剤を気化させ注入する気化器３０とを含む。 - 特許庁

This ion source includes a plasma forming part 2 for forming plasma 4 and an electrode system 10 for drawing an ion beam 6 from the plasma 4 inside the plasma forming part 2 to draw the ion beam 6 including indium ions of divalent ion.例文帳に追加

このイオン源は、プラズマ４を生成するプラズマ生成部２と、このプラズマ生成部２内のプラズマ４からイオンビーム６を引き出す引出し電極系１０とを備えていて、２価のインジウムイオンを含むイオンビーム６を引き出すものである。 - 特許庁

Gas supply ports 41 and 42 and a gas exhaust vent 43 are provided for each plasma source unit 11.例文帳に追加

プラズマ源ユニット１１ごとにガス供給口４１、４２及びガス排気口４３を設ける。 - 特許庁

An electric power is supplied to the inside electrode 1 from a power supply source 13 in order to form the plasma.例文帳に追加

内側電極１にはプラズマを形成するために電源１３から電力が供給される。 - 特許庁

SIGHTING DEVICE, AND EMISSION SPECTROMETER WITH INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE COMPRISING SUCH A DEVICE例文帳に追加

照準装置及びそのような装置を含み誘導結合プラズマ源を有する発光分光計 - 特許庁

PLASMA EMISSION LIGHT SOURCE, ALIGNER AND ITS CONTROLLING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

プラズマ発光光源装置、露光装置およびその制御方法、これを用いたデバイスの製造方法 - 特許庁

To extend the life of a plasma source in a solution by preventing the fracture of a sealing member due to heat.例文帳に追加

封止部材の熱による破壊を防止して、液中プラズマ源の長寿命化を可能とする。 - 特許庁

To effectively improve the quality of a cathode electrode for a plasma source.例文帳に追加

本発明の課題は、プラズマ発生源用のカソード電極の有効な品質改善を行うことである。 - 特許庁

To improve yield by collecting foreign matters to be generated from a plasma source.例文帳に追加

プラズマ源から発生する異物を回収して、歩留まりを向上することができるようにする。 - 特許庁

To simplify a plasma type air treating instrument by using a power source for a high-voltage instrument.例文帳に追加

高圧機器用の電源を利用して、プラズマ式の空気処理機器の構成を簡略化する。 - 特許庁

To provide a source-collector module for generating laser-produced plasma radiating EUV.例文帳に追加

ＥＵＶを放射するレーザ生成プラズマを生成するための光源集光モジュールを提供する。 - 特許庁

NOZZLE FOR LASER PLASMA EXTREME ULTRAVIOLET RADIATION SOURCE AND METHOD OF GENERATING EXTREME ULTRAVIOLET RADIATION例文帳に追加

レーザープラズマ極紫外放射線源のためのノズル及び極紫外放射線の発生方法 - 特許庁

The xylylene dimer 18 heated by a source container 8 gasifies and is fed to the plasma generating apparatus 13.例文帳に追加

ソース容器８で加熱されたキシリレンダイマー１８は気化し、プラズマ発生装置１３へ送られる。 - 特許庁

FILM DEPOSITION METHOD BY PLASMA CVD, ELECTRON EMISSION SOURCE, ELECTRIC FIELD EMISSION TYPE DISPLAY, AND LIGHTING RAMP例文帳に追加

プラズマＣＶＤによる成膜方法、電子放出源、電界放射型ディスプレイおよび照明ランプ - 特許庁

DEVICE FOR RESTRAINING UNDESIRABLE SPECTRUM COMPONENTS IN EUV RADIATION SOURCE BASED ON PLASMA例文帳に追加

プラズマに基づくＥＵＶ放射線源における望ましくないスペクトル成分を抑制する装置 - 特許庁

The plasma source includes a slot bath having a dielectric property, an inductive element, and a couple of deposition shields.例文帳に追加

プラズマ源は、誘電性のある溝槽と、誘導素子と、対の有孔のデポジション・シールドとを含む。 - 特許庁

To stably detect the generation distribution of ions contained in the plasma of an HIPIMS sputter source.例文帳に追加

ＨＩＰＩＭＳのスパッタ源のプラズマに含まれるイオンの生成分布を安定して検出する。 - 特許庁

To provide an ion source of compact device constitution in which the operating time for forming plasma can be prolonged in the ion source for forming the plasma of high density, and provide a preparation method of a filament having a long service life which is used for this ion source.例文帳に追加

高密度のプラズマを生成するイオン源において、プラズマ生成のための運用時間を長くすることのできる、コンパクトな装置構成のイオン源及びこのイオン源に用いる寿命の長いフィラメントの作製方法を提供する。 - 特許庁

The gas tube is adapted to carry a process gas and cleaning plasma from the gas source/remote plasma gas source to the substrate processing chamber and the RF power source is adapted to couple RF power to the substrate processing chamber.例文帳に追加

ガス管は、プロセスガスおよび洗浄プラズマを該ガス源／遠隔プラズマガス源から該基板処理チャンバに搬送するように適合されており、該ＲＦ電源は、ＲＦ電力を該基板処理チャンバに結合させるように適合されている。 - 特許庁

An EUV radiation source in the form of a plasma is focused at a virtual source point so as to pass through an exit aperture of a source collector module in an EUV lithographic apparatus.例文帳に追加

プラズマの形態であるＥＵＶ放射源は、ＥＵＶリソグラフィ装置内の放射源コレクタモジュールの出口アパーチャを通過するように仮想放射源点に合焦される。 - 特許庁

At least one plasma generating source can include a first plasma generating source for ionizing the fluorocarbon gas by applying high frequency plasma energy, and a second plasma generating source for keeping an auto-bias of the substrate in the vicinity of zero by high frequency during the deposition of the passivity layer while making the bias larger during the polymer layer deposition.例文帳に追加

また少なくとも１個のプラズマ発生源としては、高周波プラズマエネルギーを適用してフッ化炭素ガスをイオン化する第１のプラズマ発生源と、不動態層の蒸着の間は高周波数で基板の自己バイアスをゼロ近傍に保つと共にポリマー層蒸着の間はより大きなバイアスとする第二のプラズマ発生源とを含むことができる。 - 特許庁

In this driving method of the plasma display, the driving method of one frame is changed in a period before the power source is stabilized (the standby period of the stabilization of the power source) and in a display period.例文帳に追加

電源が安定するまでの期間（電源安定待機期間）と表示期間とで１フレームの駆動方法を変更する。 - 特許庁

An ion source device 90 has an ion formation chamber 91 for making ion source gas g3 plasma by means of a high frequency discharge, and an ion drawing electrode group 92.例文帳に追加

さらに、かかるイオン源装置を備えることで、生産性の高い、その割りには低コストの真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma light source and a plasma light generating method that generate plasma light four EUV emission stably for a long time (of μsec order), and suppress damage to an optical system and absorption loss of X rays by discharging residual plasma nearby a plasma light generation part.例文帳に追加

ＥＵＶ放射のためのプラズマ光を長時間（μｓｅｃオーダーで）安定して発生させることができ、かつプラズマ光発生部近傍の残留プラズマを排気して光学系の損傷及びＸ線の吸収損失を抑制することができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。 - 特許庁

A device for forming electromagnetic radiation includes a plasma radiation source (20), and a foil trap (24) provided with a plurality of thin foils (25) substantially extending in parallel with a radiation direction from a plasma radiation source (20).例文帳に追加

電磁放射を形成するための装置は、プラズマ放射源（２４）と、プラズマ源（２０）からの放射の方向に実質的に平行に延在する複数の薄フォイル（２５）が設けられたフォイルトラップ（２４）を含む。 - 特許庁

A micro plasma source 6 is connected with a gas supply unit 7 and a power source 8, and it can locally generate a plasma and the enamel coating of the part 4 as a terminal can be removed.例文帳に追加

マイクロプラズマ源６には、ガス供給装置７と電源８が接続されており、局所的にプラズマを発生させることができ、端子部となる部分４のエナメル被覆を除去することができる。 - 特許庁

That is, a first power source 41 and a first plasma capacitor 42 are arranged as the first voltage impressing means, and a second power source 43 and a second plasma capacitor 44 are arranged as the second voltage impressing means.例文帳に追加

すなわち、第１電圧印加手段として、第１電源４１と第１プラズマコンデンサ４２とが設けられ、第２電圧印加手段として、第２電源４３と第２プラズマコンデンサ４４とが設けられている。 - 特許庁

To provide an apparatus whose plasma processing performance is not decremented when first and second electrodes within a plasma chamber are connected respectively to a low-frequency RF power source and a high-frequency RF power source.例文帳に追加

プラズマチャンバ内の第１の電極および第２の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ電源に接続されても、プラズマ処理能力が低下しない装置を提供する。 - 特許庁

A micro-plasma source 6 is connected with a gas supplying device 7 and a power source 8, and can remove the enamel coating film from the portion 4 as the terminal by locally generating plasma.例文帳に追加

マイクロプラズマ源６には、ガス供給装置７と電源８が接続されており、局所的にプラズマを発生させることができ、端子部となる部分４のエナメル被覆を除去することができる。 - 特許庁