random-accessの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1624件
To provide a moving image encoding device and moving image encoding method which shortens a transmission delay time more than an MPEG2 low delay encoding method at the time of compressively encoding and transmitting moving image data recorded on random access media and improves the encoded quality of moving image decoded data with large difficulty.例文帳に追加
本発明の目的は、ランダムアクセスメディアに記録された動画像データを圧縮符号化して伝送する際に、MPEG2の低遅延符号化方式よりも伝送遅延時間を短縮し、かつ困難度が大きい動画像復号化データに対する符号化後の画質を改善する動画像符号化装置および動画像符号化方法を提供することである。 - 特許庁
This unit is provided with a video/audio/managing information multiplexing means for generating data, which are required for generating the managing information data for the random access or special reproducing of the recording medium, and multiplexing the data required for generating the managing information data, encoded video data outputted from a video encoding means and encoded audio data outputted from an audio encoding means.例文帳に追加
記録媒体をランダムアクセスしたり特殊再生するための管理情報データを生成するために必要なデータを生成し、管理情報データを生成するのに必要なデータとビデオ符号化手段から出力されるビデオ符号化データとオーディオ符号化手段から出力されるオーディオ符号化データとを多重化するビデオ/オーディオ/管理情報多重化手段を備える。 - 特許庁
To provide a spin injection magnetization reversal element which has high perpendicular magnetic anisotropy and moreover does not deteriorate the perpendicular magnetic anisotropy by heat treatment, a magnetic random access memory and an optical modulator constituted by using this spin injection magnetization reversal element, a display device, a holography apparatus, and a hologram recording apparatus constituted by using this optical modulator, and a method of manufacturing the optical modulator.例文帳に追加
高い垂直磁気異方性を有し、また、熱処理によっても垂直磁気異方性が劣化することのないスピン注入磁化反転素子、このスピン注入磁化反転素子を用いて構成される磁気ランダムアクセスメモリおよび光変調器、この光変調器を用いて構成される表示装置、ホログラフィ装置およびホログラム記録装置、この光変調器の製造方法を提供する。 - 特許庁
The voltage regulator for the dynamic random access memory is further provided with a circuit for generating a reference voltage from a voltage supplied from the outside, an amplifier for amplifying the reference voltage by a gain larger than one unit to generate an internal supply voltage to be used by first and second buses, and a control logic for generating a control signal to control the amplifier.例文帳に追加
また、本発明のダイナミックランダムアクセスメモリ用の電圧レギュレータは、外部から供給された電圧から基準電圧を生成する回路と、第1バス及び第2バスで利用可能な内部供給電圧を生成するために、1単位よりも大きなゲインで基準電圧を増幅するための増幅器と、 増幅器を制御するための制御信号を生成する制御ロジックと、を有している。 - 特許庁
The spin injection magnetic random access memory relating to the example executes write to a magnetoresistance effect element MTJ by using a spin polarized electron generated by a spin injection current Is, and is provided with means AL, D1 and S1 for impressing a magnetic field in the magnetization hard axis direction of the magnetoresistance effect element MTJ to the magnetoresistance effect element MTJ when executing the write.例文帳に追加
本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Isにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子MTJに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子MTJに対して、磁気抵抗効果素子MTJの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段AL,D1,S1を備える。 - 特許庁
This method, device and system are disclosed for redistributing memory allocation to insufficiently used portions of a dynamic random access memory (DRAM) device and a dual in-line memory module (DIMM) device in order to balance memory usage more evenly amongst active devices so as to limit the amount of power and the thermal load consumed by an individual memory component.例文帳に追加
個々のメモリ構成要素によって消費される電力および熱負荷の量を制限するためにアクティブ・デバイスの間でより均等にメモリ使用のバランスをとるために、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)デバイスおよびデュアル・インライン・メモリ・モジュール(DIMM)デバイスのうちで十分に利用されていない部分にメモリ割振りを再配分する方法、装置、およびシステムを開示する。 - 特許庁
In the wireless LAN system having an access point AP100 communicable with multiple clients at the same time through multiple wireless channels, a switch timing determination section 7, a switch packet generation section 8 and a route determination section 1 coordinate on switching the wireless channels to the multiple clients at regular intervals or at random, thereby splitting a series of packet data acquired by a malicious eavesdropper.例文帳に追加
複数の無線チャンネルを介して同時に複数のクライアントと通信可能なアクセスポイントAP100を有する無線LANシステムに於いて、切替タイミング決定部7と、切替パケット生成部8と、方路決定部1とが、連携して定期的又はアトランダムに複数のクライアントとの間で無線チャンネルを切替ることにより、悪意の盗聴者が取得できる一連のパケットデータを分断する。 - 特許庁
This magnetic random access memory (MRAM) comprises data storage unit including a fixed layer, a non-magnetic layer, and a free layer, a data input means connected electrically to both ends of the free layer to input data to the data storage unit, and a data output means connected electrically to the free layer and the fixed layer to output data stored in the data storage unit.例文帳に追加
固定層、非磁性体層及び自由層を含むデータ貯蔵ユニットと、前記データ貯蔵ユニットにデータを入力するために前記自由層の両端に電気的に接続されたデータ入力手段と、前記データ貯蔵ユニットに貯蔵されたデータを出力するために前記自由層及び固定層に電気的に接続されたデータ出力手段とを含む磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)とした。 - 特許庁
This recording and reproducing device such as a video camera which uses random access media represented by a hard disk recording both moving picture video and still picture video, has a means for recording moving picture data as a file, a means for recording still picture data as a file, and a means for generating and recording still picture data associated with a specific part of the moving picture data and associated information.例文帳に追加
動画録画と静止画録画が可能なハードディスクに代表されるランダムアクセスメディアを用いたビデオカメラなどの記録再生装置において、動画データをファイルとして記録する手段と静止画データをファイルとして記録する手段を持ち、動画データの特定部分に対して関連付けした静止画データと、関連付けした情報を作成し、記録する手段を持たせる。 - 特許庁
The nonvolatile memory of the present invention that is a nonvolatile RAM performing reading and writing of data at random comprises an initialization means which outputs, when an initialization signal is inputted, an interruption control signal, and initializes any one or all of memories; and an access interruption means which interrupts, when the interruption control signal is input, external accesses while the initialization is performed.例文帳に追加
本発明の不揮発性メモリは、ランダムにデータの読み書きを行う不揮発性RAMであり、イニシャライズ信号が入力されると、遮断制御信号を出力するとともに、メモリのいずれか、あるいは全てをイニシャライズするイニシャライズ手段と、遮断制御信号が入力されると、イニシャライズが行われている期間、外部からのアクセスを遮断するアクセス遮断手段とを有する。 - 特許庁
A magnetic random access memory comprises: a memory cell that includes a first magnetoresistive element capable of writing data in a magnetization direction of a free ferromagnetic layer which is changed by spin transfer; and a reference cell that includes multiple second magnetoresistive elements for storing data for reference in a magnetization direction of free ferromagnetic layers which are changed by spin transfer, and that is used when the memory cell conducts reading operation.例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能な第1磁気抵抗素子を含むメモリセルと、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでリファレンス用データを記憶する複数の第2磁気抵抗素子を含み、メモリセルの読み出し動作時に用いられるリファレンスセルとを具備する。 - 特許庁
To prevent propagation of a soft error between adjoining column groups in a static random access memory comprising a semiconductor substrate on which a first conductivity type common well is formed, and a memory cell array consisting of memory cells arranged in matrix in the common well on the semiconductor substrate, so that a group of memory cells connected with a common bit line while being arranged in the column direction forms a memory cell column.例文帳に追加
第1の導電型の共通ウェルが形成された半導体基板と、前記半導体基板上の前記共通ウェルに行列状に配列されたメモリセルよりなり、列方向に整列して共通のビット線に接続される一群のメモリセルがメモリセルカラムを形成するメモリセルアレイからなるスタティックランダムアクセスメモリにおいて、隣接カラム群間のソフトエラーの伝搬を抑制する。 - 特許庁
A radio terminal includes: a storage part for storing information concerning multiple radio terminals forming a group where the radio terminal is operated as a representative radio terminal; a communication control part for controlling a random access to a base station before another radio terminal in the group; and a transmission part for transmitting to the base station, the information concerning the multiple radio terminals stored in the storage part.例文帳に追加
無線端末であって、前記無線端末が代表無線端末として動作するグループを形成する複数の無線端末に関する情報を記憶する記憶部と、前記グループ内の他の無線端末より前に基地局へのランダムアクセスを制御する通信制御部と、前記記憶部に記憶されている前記複数の無線端末に関する情報を前記基地局に送信する送信部と、を備える無線端末。 - 特許庁
The method includes: continuing, by a serving base station, allocating uplink and downlink transmission resources for a mobile terminal, so that the mobile terminal is capable of keeping a data transmission with the serving base station after receiving a handover command, and meanwhile executes a random access process to a target base station to obtain uplink synchronization information of the target base station.例文帳に追加
該方法において、サービング基地局は、移動端末へハンドオーバー命令を送信する時、前記移動端末のために上り・下り伝送リソースを引き続き割り当てることにより、前記移動端末が、ハンドオーバー命令を受信した後に、サービング基地局とのデータ伝送を引き続き保持するとともに、ターゲット基地局へのランダムアクセス過程を実行して、ターゲット基地局の上り同期情報を得ることを可能にすることを含む。 - 特許庁
When a client 110 or 120 tries to access the E document management device 130, an authentication module 113 creates authentication result information consisting of user information, group information and random numbers and a message authenticator and transmits these created data to the device 130 and an authentication processing part 134 in the device 130 judges the result of connection processing on the basis of the authentication result information and the message authenticator.例文帳に追加
クライアント110または120が電子文書管理装置130にアクセスする際に、認証モジュール113がユーザ情報、グループ情報および乱数からなる認証結果情報とメッセージ認証子を作成して電子文書管理装置130に送信し、この電子文書管理装置130の認証処理部134がこの認証結果情報とメッセージ認証子に基づいて接続処理の結果を判定する。 - 特許庁
The method includes the steps of: sending a scheduled transmission message, which applies an HARQ (hybrid automatic repeat request) process for transmission; starting a contention resolution timer and monitoring a PDCCH (physical downlink control channel); and eliminating the content of a buffer of the HARQ process when a contention result of the contention-based random access procedure is determined, to terminate the retransmission of the scheduled transmission message.例文帳に追加
方法は、HARQ(ハイブリッド自動リピート要求)プロセスで伝送されるスケジューリング伝送メッセージを送信する段階と、コンテンション解決タイマーを起動し、PDCCH(物理ダウンリンク制御チャネル)のモニタリングを開始する段階と、コンテンションベースのランダムアクセスプロセスのコンテンション結果を判定する際、HARQプロセスのバッファの内容を消去し、スケジューリング伝送メッセージの再送を終了させる段階とを含む。 - 特許庁
In this random access method for XML documents of table format and its program, processing is performed in: an analysis section 13 for analyzing a DOM 12 to generate a table 14; an editing part 15 editing to make a display based on the DOM 12 and the table 14 developed on a memory 2; and an operating section 17 for operating the DOM 12 and table 14.例文帳に追加
DOM12を解析してテーブル14を生成するための解析部13と、メモリ2上に展開されたDOM12及びテーブル14に基づいて表示を行なうために編集を行なう編集部15と、表示部16の表示に応じた所定の指示に基づいてDOM12及びテーブル14を操作するための操作部17とにおいて処理を行なわせるテーブル形式のXML文書のランダムアクセス方法及びそのプログラムを提供する。 - 特許庁
This editing method is provided for editing unedited video by utilizing a system provided with a storage means for recording the unedited video onto a random access memory and a computer for controlling the storage means and includes a step of displaying a user interface for a plurality of editing operations on a display device of the computer and a step of using the user interface displayed on the display device to apply editing operations to the unedited video.例文帳に追加
未編集ビデオをランダムアクセス可能な記録媒体に記録する記憶手段と、上記記憶手段を制御するコンピュータとを備えたシステムを利用して、上記未編集ビデオを編集するための編集方法であって、複数の編集オペレーションのためのユーザインターフェースを、上記コンピュータのディスプレイに表示するステップと、上記ディスプレイに表示されているユーザインターフェースを使用して、上記未編集ビデオに対して編集オペレーションを施すステップを含む。 - 特許庁
This memory cell is composed of two MIS elements forming specific circuit in the memory cell circuit and a capacitor in which the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the former, further the either the source or drain of the first MIS element (QW11) is made function as the gate to the second MIS element (QR11) carrying a capacitor (CS11) thereby achieving a semiconductor random access memory device which is simplified. 例文帳に追加
特定のメモリセル回路を構成する2個のMIS素子と1個の情報蓄積用キャパシタとよりなるメモリセルを、第1のMIS素子(Qw11)と、この上に積み重ね形成され、かつ、第1のMIS素子(Qw11)のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとした第2のMIS素子(QR11)と、第2のMIS素子(QR11)のゲート部分に寄生する容量(Cs11)とで構成しているので、複雑な素子構造をなくした半導体ランダムアクセスメモリ装置を達成できる。 - 特許庁
This invention provides the editing method for editing unedited video by utilizing a system provided with a storage means for recording the unedited video onto a random access memory and a computer for controlling the storage means and includes a step of displaying a user interface for a plurality of editing operations on a display device of the computer and a step of using the user interface displayed on the display device to apply editing operations to the unedited video.例文帳に追加
未編集ビデオをランダムアクセス可能な記録媒体に記録する記憶手段と、上記記憶手段を制御するコンピュータとを備えたシステムを利用して、上記未編集ビデオを編集するための編集方法であって、複数の編集オペレーションのためのユーザインターフェースを、上記コンピュータのディスプレイに表示するステップと、上記ディスプレイに表示されているユーザインターフェースを使用して、上記未編集ビデオに対して編集オペレーションを施すステップを含む。 - 特許庁
The method comprises steps of: receiving a first uplink grant for transmission in a subframe; receiving a second uplink grant included in a random access response message for transmission on the primary component carrier in the subframe; and performing transmission in the subframe according to one of the primary component carrier and the at least one secondary component carrier which receives the first uplink grant.例文帳に追加
サブフレーム内における送信のための第一のアップリンク割当てを受信する工程、当該サブフレーム内における主周波数帯域での送信のための、ランダムアクセス応答メッセージに含まれた第二のアップリンク割当てを受信する工程、ならびに、当該主周波数帯域および当該少なくとも一つの副周波数帯域のうち、当該第一のアップリンク割当てを受信した周波数帯域によって、当該サブフレーム内における送信を実行する工程を包含している。 - 特許庁
The method of manufacturing a dynamic random access memory, having a memory array region arranged on a semiconductor substrate, a peripheral circuit region, and a silicon nitride film provided in between the memory array and peripheral circuit regions includes at least a process 1 for removing the silicon nitride film provided in the peripheral circuit region and a process 2 for treating a substrate to be treated obtained by the process 1 under a hydrogen gas atmosphere.例文帳に追加
半導体基板に配置されたメモリアレイ領域と、周辺回路領域とを備え、 前記メモリアレイ領域と前記周辺回路領域とに設けられた窒化シリコン膜を有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法であって、(1)前記周辺回路領域に設けられた窒化シリコン膜を除去する工程と、(2)水素ガス雰囲気下に前記工程(1)により得られた被処理基板を処理する工程と、 を少なくとも有することを特徴とする、ダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法。 - 特許庁
The EU and the United States initiated countervailing duty investigations on July 25, 2002, and November 27, 2002, respectively, against imports of DRAMs (Dynamic Random Access Memory) manufactured by Hynix and Samsung Corporations of Korea. According to the petitions, Korean DRAM producers benefited from corporate bonds issued by the Korean Development Bank and other institutions, as well as from new investment and debt restructuring measures introduced by the Korean Government in 2001 to help rebuild Korea's industry after the Asian financial crisis.例文帳に追加
アジア通貨危機を背景とした、韓国開発銀行等による社債引受、並びに2001年に行われた韓国政府及び関係金融機関による新規融資、債務繰り延べ等の再建支援策から利益を受けた韓国のハイニックス社及びサムソン社製造のDRAM(記憶保持動作を必要とする随時書き込み及び読み出しが可能な半導体記憶素子)輸入により、国内産業への損害が発生したとして、EUは2002年7月25日に、米国は同年11月27日に、それぞれ相殺関税調査を開始した\\ - 経済産業省
A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), … connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array. 例文帳に追加
第1のMIS素子(Qw11)と、第1のMIS素子(Qw11)のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第1のMIS素子(Qw11)の上に積み重ね形成された第2のMIS素子(QR11)と、この第2のMIS素子(QR11)のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ(Cs11)とを有したメモリセル(C11)をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第1のMIS素子(Qw11)のドレインを第2のMIS素子(QR11)のドレインと電気的に結合して、……、データ線(D1)をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線(S1)及びワード線(W1)に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁
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