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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > random-accessの意味・解説 > random-accessに関連した英語例文

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random-accessの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1624



例文

In this MRAM(magnetoresistive random access memory) structure, a word line or a gate line (WL) is low-ohm-coupled to a programming line (PRL), a potential of a source (S) of a selective transistor (T) can be made same as that of the programming line (PRL).例文帳に追加

本発明のMRAM構造では、ワード線またはゲート線(WL)がプログラミング線(PRL)と低オーム結合されており、選択トランジスタ(T)のソース(S)を、ゲート(G)またはプログラミング線(PRL)と同様の電位とすることが可能となっている。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) which can reduce a memory cell area effectively while ensuring a margin for mask misregistration or the like in the formation of a gate wiring and a contact hole or the like.例文帳に追加

ゲート配線やコンタクトホール等の形成の際のマスクずれ等に対するマージンを確保しながら、メモリセル面積を効率的に縮小することが可能なSRAM(Static Random Access Memory)を提供する。 - 特許庁

To provide a method and communication apparatus for handling a contention-based random access procedure in UE (user equipment) of a wireless communication system, so as to appropriately terminate retransmission of a scheduled transmission message for preventing uplink transmission of other UE from being interfered.例文帳に追加

スケジューリング伝送メッセージの再送を適時に終了させ、他UEのアップリンク伝送への干渉を防ぐために、無線通信システムのUE(ユーザー端末)においてコンテンションベースのランダムアクセスプロセスを処理する方法及び通信装置を提供する。 - 特許庁

To provide write-in architecture used in a magnetic random access memory(MRAM) device in which adjacent cells in an array are not disturbed with a harmful form, preservation of data stored in the array is improved, and individual memory cell in the array can be selected.例文帳に追加

アレイ内の隣接セルを害のある形で擾乱せず、そこに保管されたデータの保全性を高める、アレイ内の個々のメモリ・セルの選択を可能にする、磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)デバイス内で使用される書込アーキテクチャを提供する。 - 特許庁

例文

The semiconductor random access memory having a complex shape is provided with a ROM device storing an all latent row data pattern to be input to a memory cell array during test procedure, a variable step address generator, a comparing device, and a control device.例文帳に追加

複雑な形状を持つ半導体ランダムアクセス・メモリが、試験手順の間に記憶セル・アレイに入力すべき悉くの潜在的な行データ・パターンを記憶するROM装置、可変ステップ・アドレス発生器、比較装置及び制御装置を備えている。 - 特許庁


例文

To provide a moving picture encoder capable of preventing the number of processed pictures from being increased until an image is displayed at reproduction by random access, enhancing a degree of freedom of consecutive edit and applying similar encoding even to a picture with a compression form other than the MPEG.例文帳に追加

ランダムアクセスの再生時に画面を表示するまでのピクチャ処理枚数の増加を防ぐとともに、つなぎ編集時の自由度を高め、さらに、MPEG以外の圧縮形態に対しても同様の符号化を行うことを可能とする。 - 特許庁

To provide metadata which can efficiently use a buffer, is easy to perform a random access, and is scarcely influenced by data loss, when carrying out the process, combining the moving image at televiewer's hand and metadata which are at the televiewer's hand or over a network.例文帳に追加

視聴者の手元にある動画像と、視聴者の手元もしくはネットワーク上にあるメタデータとを組み合わせた処理を行う場合に、バッファを効率よく利用可能で、ランダムアクセスを容易であり、データロスの影響が小さいメタデータを提供する。 - 特許庁

To provide a realistic information recording method for a 3D optical medium by which smooth data transfer and enhancement of random access properties can be performed by establishing an addressing method of the 3D optical information medium and to provide an information medium and a recording and reproducing device.例文帳に追加

3D光情報媒体のアドレシング方法を確立し、スムーズなデータ転送およびランダムアクセス性の向上を可能にする3D光媒体に関る現実的な情報記録方法、情報媒体および記録再生装置を提供する。 - 特許庁

The recording means records contents encrypted by unit of stream by a title key, copy control information showing various restrictions regarding a copy of the contents, random number information recorded in an area where access from the outside is impossible and for encrypting the title key with the copy control information, and the encrypted title key encrypted by the random number information and the copy control information in a recording medium.例文帳に追加

記録手段は、タイトルキーによりストリーム単位で暗号化されたコンテンツと、コンテンツのコピーに関する各種の制限を示すコピー制御情報と、外部からのアクセス不可領域に記録されコピー制御情報とともにタイトルキーを暗号化する乱数情報と、乱数情報とコピー制御情報とにより暗号化された暗号化タイトルキーとを記録媒体に記録する。 - 特許庁

例文

The storage device jumping to a random track on the recording medium in response to track jump request recognizes to which zone on the recording medium a current position belongs and jumps to the zone belonging to the random track or its adjoining zone based on the recognized zone at a time of access to a recording medium of ZCAV system having radially-divided several zones.例文帳に追加

半径方向に分割された複数のゾーンを有するZCAV方式の記録媒体に対するアクセス時に、トラックジャンプ要求に応答して記録媒体上の任意のトラックへジャンプする記憶装置において、記録媒体上の現在位置が属するゾーンを認識し、認識されたゾーンに基いて前記任意のトラックの属するゾーン又はその隣接ゾーンへジャンプするように構成する。 - 特許庁

例文

Options for allocating dedicated signatures comprises: allocating the dedicated signature, when there is unused space of a random signature root index, from the unused space; allocating more dedicated signatures from the same root index using the same time/frequency resources if additional signatures are needed; and reserving some preambles from contention-based random access preambles from both two sets of preambles.例文帳に追加

個別シグネチャーを割り当てるオプションは、未使用空間がある場合に、ランダムシグネチャールートインデックスの未使用空間から個別シグネチャーを割り当てることと、追加的なシグネチャーが必要な場合に同一の時間/周波数リソースを用いる同一のルートインデックスから個別シグネチャーをさらに割り当てること、そしてプリアンブルの2セット両方からのコンテンションベースランダムアクセスプリアンブルからプリアンブルを予約することを含む。 - 特許庁

To provide a technology for writing data into a magnetic recording layer using the movement of a magnetic wall and easily initializing a magnetization fixed region of the magnetic recording layer and the position of the magnetic wall for a magnetic random access memory having the magnetic recording layer having vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加

磁壁移動によって磁気記録層へのデータ書き込みを行い、且つ磁気記録層の磁気異方性が垂直方向である磁気ランダムアクセスメモリに対して、磁気記録層の磁化固定領域及び磁壁位置の初期化を容易に行うための技術を提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that after a video signal is reproduced from the leading of a video source by a HDD for the prescribed time, since a video signal succeeding this reproduction is switched so as to be reproduced by a VTR, random access and trick play are hard to perform after switching to a VTR.例文帳に追加

HDDにより映像信号を映像ソースの先頭から所定時間再生した後、これに続く映像信号をVTRから再生するように切り替えているため、VTRへ切り替えた後は、ランダムアクセスやトリックプレイが困難である。 - 特許庁

In the case that no burst signal is transmitted due to the detection of an interference wave and a token is acquired by a succeeding frame, part or all of an area assigned to a random access burst (Rch) in the frame is used for a communication area depending on the stored information amount.例文帳に追加

また、干渉波検出によってバースト信号を送信できず、後続するフレームで通信権を獲得したときに、蓄積情報量に応じて、そのフレーム内のランダムアクセスバースト(Rch)に割り当てる領域の一部または全部を通信領域として使用する。 - 特許庁

To provide a transmitter (transmission terminal unit) that can transmit variable length information frames for asynchronous random access in a non- storage way, without causing collisions or aborting of information frames for the purpose of uniformized systems and their tandem connection in a transmitter system connected to a plurality of networks.例文帳に追加

複数ネットワーク接続する伝送装置システムにおいて、システムの均等化及びタンデム接続可能に、非同期ランダムアクセスの可変長情報フレームを、情報フレームの衝突及び廃棄を行うことなく、非蓄積伝送することができる伝送装置の提供。 - 特許庁

In the first block B1 of the ferrorlectric random access memory, a first switch transistor TC1 and a plurality of first memory cells MC1 to MC4 having ferroelectric capacitors and cell transistors connected in parallel are serially connected between first and second ends.例文帳に追加

強誘電体ランダムアクセスメモリの第1ブロックB1において、第1スイッチトランジスタTC1と、並列接続された強誘電体キャパシタおよびセルトランジスタを有する複数の第1メモリセルMC1−MC4と、が第1、第2端の間に直列接続される。 - 特許庁

To provide a processor system allowing prevention of reduction of system performance without drastically expanding circuit size when a defect is present in a part of a word line of an SRAM (Static Random Access Memory) used for a cache memory or even when a part of the word line fails.例文帳に追加

キャッシュメモリに使用されるSRAMのワードラインの一部に欠陥がある場合やワードラインの一部が故障してしまった場合であっても、回路サイズを大幅に拡大することなく、システム性能の低下を防止することができるプロセッサシステムを提供すること。 - 特許庁

When accordance decision is performed by the collation part 20, the CPU 10 specifies a replacement instruction storage address corresponding to the replaced instruction storage address in reference to a correspondence address table 63 stored in a RAM (Random Access Memory) 60 in place of an instruction of the execution address.例文帳に追加

そして、照合部20により合致判定されると、CPU10は、当該実行アドレスの命令に代えて、RAM60に格納された対応アドレステーブル63を参照し、当該被置換命令格納アドレスに対応する置換命令格納アドレスを特定する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory that prevents a write current from decreasing owing to back bias effect of a selection transistor when a relative magnetization direction between a free layer and a pinned layer is inverted from parallel to anti-parallel, and also prevents the area of a memory cell from increasing.例文帳に追加

自由層と固定層の相対的な磁化方向を平行から反平行に反転する際、選択トランジスタのバックバイアス効果による書き込み電流の減少を防止でき、かつメモリセルの面積増大を防ぐことができる磁気ランダムアクセスメモリを提供できる。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory enabling remarkable reduction of a writing current value and writing of high reproducibility at a short pulse by contriving the crystal state of a magnetic layer of writing wiring with a yoke covering at least a part with a magnetic body.例文帳に追加

少なくとも一部が磁性体で被覆されたヨーク付きの書き込み配線の磁性層の結晶状態を工夫することにより、書き込み電流値の大幅な低減と、短パルスで再現性の高い書き込みを可能とした磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a SRAM (Static Random Access Memory) cell capable of performing reading and writing operations simultaneously without collision while reducing a size of cell, by providing a dual port SRAM cell constituted of six transistors.例文帳に追加

6個のトランジスタから構成されたデュアルポートSRAMセルを提供することによって、セルのサイズを縮小しながらも読み出しと書き込みが衝突なし同時に可能にしたSRAM(Static Random Access Memory)セルを提供すること。 - 特許庁

In this device 30, a nonvolatile random access memory(NVRAM) structure comprises an implantation element 32 in a single-crystal silicon substrate 34, an insulating layer 36 on the substrate 34, an silicon-on-insulator(SOI) layer 38 on the insulating layer 36, and a sense element 40 in an SOI layer 38 overlapping the implanting element.例文帳に追加

不揮発性ランダム・アクセス・メモリ(NVRAM)構造が、単結晶シリコン基板内の注入要素と、基板の上の絶縁層と、絶縁層の上のシリコン・オン・インシュレータ(SOI)層と、注入要素の上に重なるSOI層内のセンス要素とを含む。 - 特許庁

The multi-chip module comprises a first semiconductor chip on which a digital signal processing circuit is mounted; a second semiconductor chip constituting a dynamic random access memory; a third semiconductor chip constituting a nonvolatile memory; and a mounting substrate, all assembled into a stacked structure.例文帳に追加

デジタル信号処理回路が搭載された第1半導体チップと、ダイナミック型ランダム・アクセス・メモリを構成する第2半導体チップと、不揮発性メモリを構成する第3半導体チップと、搭載基板とを積層構造に組み立ててマルチチップモジュールを構成する。 - 特許庁

To obtain excellent utilization efficiency of a radio resource by, in synchronous communication between a base station and a mobile station, not securing a region to be arranged with a preamble transmission request using a random access channel, which rarely occurs, in a downlink control channel frequently transmitted.例文帳に追加

基地局と移動局との同期通信において、頻繁に伝送される下りリンク制御チャネルに、稀にしか発生しないランダムアクセスチャネルを用いたプリアンブル送信の要求を配置する領域を確保しないことにより、優れた無線リソースの利用効率を得る。 - 特許庁

To allocate a plurality of uplink and downlink carrier elements from a base station apparatus, to monitor the common search space of a specified downlink carrier element among the allocated downlink carrier elements and to start random access processing by any one uplink carrier element.例文帳に追加

基地局装置から複数の上りリンクと下りリンクのキャリア要素を割り当てられ、割り当てられた下りリンクのキャリア要素の内、特定の下りリンクのキャリア要素の共通探索領域を監視し、いずれか1つの上りリンクのキャリア要素でランダムアクセス処理を開始する。 - 特許庁

The resistance random access memory element 20 includes: a variable resistance film having a titanium oxide film 2 and a zirconium oxide film 3; a first electrode 1 formed under the titanium oxide film 2; and a second electrode 4 formed on the zirconium oxide film 3.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子20は、酸化チタン膜2と酸化ジルコニウム膜3とを有する抵抗変化膜と、前記酸化チタン膜2下に形成された第1の電極1と、前記酸化ジルコニウム膜3上に形成された第2の電極4とを備えている。 - 特許庁

This base station device communicates with a mobile station device, and notifies the mobile station device about a signature used for generation of a preamble to be transmitted by the mobile station device via a random access channel in order to calculate synchronization timing deviation when failing in reception of uplink data.例文帳に追加

移動局装置と通信する基地局装置であって、上りリンクデータの受信に失敗した場合、同期タイミングずれを算出するために移動局装置がランダムアクセスチャネルで送信するプリアンブルの生成に用いるシグネチャを移動局装置に通知する。 - 特許庁

The magnetoresistive random access memory architecture 10 includes a plurality of data columns each including a first plurality of non-volatile magnetoresistive elements 13, and a reference column 12 arranged adjacent to the plurality of data columns and including a second plurality of nonvolatile magnetoresistive elements 12.例文帳に追加

磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ・アーキテクチャ10は、各々第1の複数の不揮発性磁気抵抗エレメント13を含む複数のデータ列と、複数のデータ列に隣接して配置され、第2の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントを含む基準列12とを含む。 - 特許庁

The delay amount may be one or more currents or voltages indicating an amount of PVT compensation to be applied to input or output signals of an application circuit, such as a memory-bus driver, a dynamic random access memory, a synchronous DRAM, a processor or other clocked circuit.例文帳に追加

遅延量は、1つ以上の電流または電圧となる場合があり、メモリバスドライバ、動的ランダムアクセスメモリ、同期DRAM、プロセッサ、あるいは他のクロック回路のようなアプリケーション回路の入力信号または出力信号に適用されるPVT補正量を示す。 - 特許庁

In a step 120, picture data corresponding to a display picture being displayed at present among entire picture data of map pictures stored in the first storage area M1 of a VRAM(video random access memory) 11 are copied and stored in another forth storage area of the VRAM 11.例文帳に追加

ステップ120では、VRAM11の第1記憶領域M1に記憶されている地図画像全体の画像データのうち、現在表示されている表示画像に該当する画像データを、VRAM11の他の第4記憶領域M4にコピーして記憶する。 - 特許庁

The system body 13 is constituted of a known computer system provided with a central processing unit (CPU) 13a, a read-only memory (ROM) 13b, a random access memory (RAM) 13c, an input/output device (I/O) 13d, and so on.例文帳に追加

システム本体13は、中央演算処理装置(CPU)13a、読み取り専用の記憶装置(ROM)13b、読み書き可能な記憶装置(RAM)13c、入出力装置(I/O)13dなどを備えた周知のコンピュータシステムによって構成されている。 - 特許庁

This AV information recording device is provided with a writable disk 1 such as a hard disk or a DVD-RAM(digital versatile disk-random access memory), a hard disk driving section driving the disk 1, a first head 2 reading/writing data from/to the disk 1, and a second head 3 reading data from the disk 1.例文帳に追加

本発明のAV情報記録装置は、ハードディスク、DVD-RAMのような書き込み可能なディスク1と、このディスク1を駆動するハードディスク駆動部と、ディスク1にデータの読み取り/書き込みを行う第一ヘッド2と、ディスク1からデータの読み取りを行う第二ヘッド3を有する。 - 特許庁

In an MRAMb (magnetic random access memory), when a write data signal DI is at an "H" level, a power supply voltage Vdd is applied to one end of a source line SL corresponding to a selected memory cell MC and also a grounding voltage GND is applied to both ends of a corresponding bit line BL.例文帳に追加

このMRAMでは、書込データ信号DIが「H」レベルの場合は、選択されたメモリセルMCに対応するソース線SLの一方端に電源電圧Vddを印加するとともに、対応のビット線BLの両端に接地電圧GNDを印加する。 - 特許庁

At least one of a CF card 4 installed to the drive recorder body 5 via a CF card IF 17 and a hard disk 25 of a navigation device 2 is made to record peripheral information, stored in a recorder side RAM (Random Access Memory) 16 in each prescribed condition.例文帳に追加

所定の条件毎に、レコーダ側RAM16に記憶された周囲情報を、CFカードIF17を介してドライブレコーダ本体5に装着されるCFカード4およびナビゲーション装置2のハードディスク25の少なくともいずれか一方に記録させる。 - 特許庁

The electronic equipment is provided with a central processing unit(CPU) 1 for controlling the whole equipment, a rewritable nonvolatile memory 2 for storing a program and set information and a random access memory(RAM) 3 to be used as a work area and the memory 2 has at least three program areas 21 to 23.例文帳に追加

全体を制御する中央処理装置1と、プログラムや設定情報を格納する書き換え可能な不揮発性メモリ2と、ワークエリアとして使用するランダムアクセスメモリ3とを有し、不揮発性メモリは少なくとも3つのプログラム領域21〜23を有する。 - 特許庁

An SRAM (Static Random Access Memory) includes a P-channel MOS transistor 1 having a comparatively high conduction resistance value which is connected between a one end of a memory cell power source wiring MVL and a line of power source potential VDD', the power source wiring MVL being provided for each row and connected to a power source node of corresponding row.例文帳に追加

このSRAMは、各行に対応して設けられて対応の行のメモリセル電源配線MVLの一方端と電源電位VDD′のラインとの間に接続され、比較的高い導通抵抗値を有するPチャネルMOSトランジスタ1を備える。 - 特許庁

The baseband processing unit 24 or the like receives the random access signal from the terminal device in the burst, designated to the at least two control signals, respectively, in an uplink sub-frame in one-to-one correspondence to the burst to which the control signals are assigned.例文帳に追加

ベースバンド処理部24等は、少なくともふたつの制御信号のそれぞれにて指定したバーストであって、かつ各制御信号を割り当てたバーストに1対1で対応づけた上りサブフレームでのバーストにおいて、端末装置からのランダムアクセス信号を受信する。 - 特許庁

The magnetic random access memory is equipped with: multiple MRAM arrays 32 wherein magnetoresistive elements are integrated; and multiple magnetic shields 33, each of which is provided for each MRAM array 32 to prevent interlinkage of a disturbing magnetic field with the MRAM array 32.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗素子が集積化された複数のMRAMアレイ32と、MRAMアレイ32のそれぞれに対して設けられ、外乱磁界がMRAMアレイ32に鎖交することを防ぐための複数の磁気シールド33とを具備している。 - 特許庁

The device includes a plurality of static random access memory cells 300 each of which includes a pair of driver transistors 302a and 302b each including a pFET, a pair of load transistors 304a and 304b each including an nFET, and a pair of transfer gates 306a and 306b each including a pFET.例文帳に追加

pFETからなる一対のドライバトランジスタ302a、302bと、nFETからなる一対の負荷トランジスタ304a、304bと、pFETからなる一対のトランスファゲート306a、306bとからなる複数のスタティックランダムアクセスメモリセル300を具備する。 - 特許庁

Upon receiving the transmission continuation request signal from the mobile station 20, the base station 10 determines whether or not to permit transmission continuation of the random access data depending on the current communication situation and transmits a transmission continuation permission signal in the case of permission.例文帳に追加

基地局10は、移動局20から送信継続要求信号を受信すると、現在の通信状況に応じて、ランダムアクセスデータの送信継続を許可するか否かを判定し、許可する場合は送信継続許可信号を移動局20に対して送信する。 - 特許庁

To provide an on-chip test interface being integrated and always enabled which is used for verifying a function of high speed incorporated memory such as a synchronous dynamic random access memory(SDRAM) enabling performing a test with an existing tester having comparatively low operation speed (therefore, low cost), or the like.例文帳に追加

既存の比較的低速度の、(よって低コストの)テスタでテストを行なうことを可能にする、シンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリ(「SDRAM」)などの高速組込みメモリの機能を検証するために用いる、統合され常に可能化されたオンチップテストインターフェイスを提供する。 - 特許庁

A resistive cross point memory (RXPtM) cell array device 10 (one example of which is a magnetic random access memory(MRAM) device) includes a chip 40 on which an array 12 of RXPtM cells is formed, an array 44 of sense amplifiers used in sensing resistance values of the RXPtM cells 14, and an input/output(I/O) controller 48 are formed.例文帳に追加

抵抗性交点メモリ(RXPtM)セルアレイデバイス10(この1つの例は、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスである)は、RXPtMセルのアレイ12、RXPtMセル14の抵抗値を読み取る際に使用されるセンス増幅器のアレイ44、及び、入力/出力(I/O)コントローラ48が形成されたチップ40を備える。 - 特許庁

To provide a small-scale read/reset system reading information stored in a prescribed address and resetting a storage region of the address, when using a random access memory as a status register for storing an alarm of a monitored device and status information.例文帳に追加

監視対象の装置のアラームやステータス情報を格納するステータス・レジスタとしてランダム・アクセス・メモリを使用する場合に、特定のアドレスに格納されている情報を読み出した後に当該アドレスの記憶領域をリセットするリード・リセット方式を小規模で提供する。 - 特許庁

The RAM 10a is provided with a flash interface circuit 19 which generates control signals required for data access to the flash memory 60 in synchronism with the command from the CPU 70, and a pseudo SRAM 29, a memory device capable of random access, to read and write data or the flash memory 60 or the pseudo SRAM according to the command from the CPU 70.例文帳に追加

RAM10aは、CPU70からの指令に同期して、フラッシュメモリ60に対するデータのアクセスに必要な制御信号を生成するフラッシュインタフェース回路19と、ランダムアクセス可能なメモリ素子である擬似SRAM29とを備え、CPU70からの指令に応じて、フラッシュメモリ60または擬似SRAM29に対して、データの読み出し、書き込みを行なう。 - 特許庁

When the number of signatures for specifying a terminal is increased and the signature is separated into a group and a personal in random access and there is no response of AICH (Access Indicator Channel) from a base station to preamble transmission, such a control as increasing the number of repeating transmission of preamble is performed in place of the power ramp control for raising transmission power of preamble.例文帳に追加

ランダムアクセスにおいて、端末の特定のためのシグネチャ数を増やし、シグネチャをグループとパーソナルに分離し、プリアンブル送信に対して基地局からのAICH(Access Indicator Channel)の応答がない場合のプリアンブル再送時、プリアンブルの送信パワーを上げるパワーランプ制御の代わりに、プリアンブルの送信の繰り返し数を増やす制御を行う。 - 特許庁

When plural radio terminals PS1 and PS2 involved in the collision receive the transmission enable signal with access limitation, they respectively set transmission delay time TR1 and TR2 decided by a random number, and when they receive the transmission enable signal with access limitation after the corresponding transmission delay time passes, they start a transmission operation being the same as when a normal transmission enable signal is received.例文帳に追加

衝突に関与している複数の無線端末PS1,PS2はアクセス制限付き送信許可信号を受信すると、乱数により決定される送信遅延時間T_R1、T_R2をそれぞれ設定し、当該送信遅延時間経過後にアクセス制限付き送信許可信号を受信すると通常の送信許可信号を受信した時と同様の送信動作を開始する。 - 特許庁

After reproduced picture data reproduced by the VCR 4 and being in a record position on a magnetic tape corresponding to a finish position of record position for program searching is supplied to the HDD 3 and recorded, then, it is reproduced and displayed on a television monitor 7, then, trick play utilizing random access can be performed.例文帳に追加

VCR4により再生された、頭出し用記録領域の終了位置に対応する磁気テープ上の記録位置からの再生画像データは、HDD3に供給して記録された後、再生されてテレビモニタ7に表示されるため、HDD3のランダムアクセスを利用したトリックプレイができる。 - 特許庁

Then, based on the information of the theme selection of the user and the user' intent of purchase of contents, contents belonging to the theme selected by the user are selected at random from among contents recorded in a contents management table 6, and the access right from the user is set in the selected contents.例文帳に追加

続いて、利用者のテーマ選択およびコンテンツを購入する旨の情報に基づいて、コンテンツ管理テーブル6に記録されたコンテンツのうち、利用者が選択されたテーマに属するコンテンツからランダムに選択して、選択したコンテンツに利用者からのアクセス権を設定する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is equipped with: a SRAM (Static Random Access Memory) cell 10 provided with first and second driving transistors N3, N4 which constitute a pair of inverters; and a circuit 11 for applying a voltage lower or higher than a grounding voltage to one end of current routes of the first and second driving transistors.例文帳に追加

半導体記憶装置は、一対のインバータを構成する第1、第2駆動トランジスタN3、N4を備えたSRAMセル10と、前記第1、第2駆動トランジスタの電流経路の一端に接地電圧よりも低いかまたは高い値の電圧を印加する回路11とを具備する。 - 特許庁

例文

In the case of newly additionally recording information of a reproduction sequence or a reproduction range to a recording medium by copying information of an existing reproduction sequence and a designated range of information of a reproduction range, mark information for random access is added and the mark information is added to management information data.例文帳に追加

既存の再生順番の情報や再生範囲の情報の指定範囲を複写して、再生順番の情報や再生範囲の情報を新規に追加記録する際に、ランダムアクセスをするための目印情報を付加して、この目印情報を管理情報データに追加する。 - 特許庁




  
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