「reverse breakdown voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The recovery voltage Vr in the aging processing process S3 is set between the maximum reverse voltage R in actually driving the organic EL element 7 and a breakdown voltage V of the organic EL element 7 depending on a capacitance component of the organic layers 5.例文帳に追加

エージング処理工程Ｓ３の修復電圧Ｖｒは、有機ＥＬ素子７の実駆動時の最大逆電圧Ｒと、有機層５の静電容量成分に依存する有機ＥＬ素子７の破壊電圧Ｖとの間に設定される。 - 特許庁

To solve the problem that a reverse voltage is applied to a drive circuit and the circuit is damaged in a short-circuit protection circuit having an IGBT having reverse breakdown voltage in which a diode is connected between a gate drive circuit and a collector of the IGBT and the gate is blocked when a collector voltage rises at overcurrent.例文帳に追加

逆耐圧を有するＩＧＢＴの短絡保護回路として、ゲート駆動回路とＩＧＢＴのコレクタとの間にダイオードを接続して、過電流時コレクタ電圧が上昇した時、ゲート遮断する方式では、駆動回路に逆電圧がかかり破壊される。 - 特許庁

In a reverse blocking semiconductor element, an only first termination for achieving a breakdown voltage of a forward direction is formed on a main surface, a second termination for achieving a breakdown voltage of a backward direction is formed in a first recess around an active region of the other main surface, and the high breakdown voltage of both forward and backward directions and high mass productivity are achieved.例文帳に追加

逆阻止半導体素子において、順方向耐圧達成用の第１のターミネーションのみを一方の主表面に形成し、逆方向耐圧達成用の第２のターミネーションは他方の主表面の活性領域の周囲に設けた第１の凹部の中に形成し、高い順逆両方向耐圧と高い量産性を実現する。 - 特許庁

Therefore, the application of reverse voltage is suppressed as exceeding the breakdown voltage Vz to the protective diode 20, and a change can be prevented in characteristic or breakage of the protective diode 20.例文帳に追加

従って、保護ダイオード２０に対して降伏電圧Ｖｚを超える逆方向電圧の印加を抑制して、保護ダイオード２０の特性の変化や破損を防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high breakdown voltage in which a leak current can be reduced when a reverse voltage is applied while sustaining the on resistance without requiring ion implantation and high temperature heat treatment incident thereto.例文帳に追加

イオン注入並びにそれに伴う高温での熱処理を要することなく、オン抵抗を維持しつつ逆方向電圧印加時の漏れ電流を低減することが可能な高耐圧半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film semiconductor epitaxial substrate for inhibiting increase in forward rising voltage and at the same time improving reverse breakdown voltage characteristics.例文帳に追加

順方向立ち上がり電圧の増大を抑えて逆方向耐圧電圧特性を改善できる薄膜半導体エピタキシャル基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thus, when a breakdown voltage is applied as a reverse-bias voltage, a depletion layer is stopped in the N cathode buffer layer 4 and is prevented from reaching the N^+ cathode layer 3, thereby suppressing leakage current.例文帳に追加

それによって、逆バイアス電圧として耐圧が印加されたときに、空乏層をＮカソードバッファ層４の途中で止め、空乏層がＮ^+カソード層３に到達するのを防ぎ、漏れ電流を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is capable of decreasing effectively in forward ON-voltage without deteriorating the reverse characteristic of the breakdown voltage, a leakage current and the like, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

耐圧、漏れ電流等の逆方向特性を損なうことなく、順方向のオン電圧を効果的に引き下げることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a field-effect semiconductor device and a method for manufacturing thereof, capable of responding to a high breakdown voltage of an IGFET which can be turned off when a reverse voltage is applied.例文帳に追加

逆方向電圧が印加された時にオフ状態にすることができるIGFETの高耐圧化に応えることができる電界効果半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a junction type FET with a structure that has superior off characteristics, a wide range of a gate forward voltage, and a higher reverse breakdown voltage.例文帳に追加

オフ特性が優れ、ゲート順方向電圧の範囲が広く、かつ、逆方向ブレークダウン電圧を高くすることができる構造の接合型ＦＥＴを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the switching element 21 is closed, a high frequency drive signal equal to or greater than a reverse breakdown voltage and less than a forward voltage at turn-on time is applied between the anode and the cathode of the LED 17 to heat the LED 17.例文帳に追加

スイッチ素子２１が閉じた状態では、ＬＥＤ１７のアノード−カソード間に逆方向耐電圧以上であって、かつ、点灯時の順方向電圧未満の高周波駆動信号が印加されて発熱する。 - 特許庁

To eliminate an almost unnecessary reverse breakdown voltage charac teristic as the characteristic of a thyristor used in such a voltage-type power conversion device, to reduce the man-hour of a manufacture process, the number of parts and assembly man-hour, and to reduce cost.例文帳に追加

この種の電圧型電力変換装置に使用されるサイリスタの特性としては殆ど不要な逆耐電圧特性をなくし、製造工程の工数、部品点数、組立工数を削減して安価にする。 - 特許庁

It is possible to obtain the forward breakdown voltage with thousands of voltages and the reverse voltage of 100 V or higher with stability by preventing the surface of the n-type emitter and the p-type collector from generating the flaws.例文帳に追加

ｎ型エミッタ側とｐ型コレクタ側の表面にキズが付くのを防止することで、数千Ｖの順方向耐圧と１００Ｖ以上の逆方向耐圧を安定して確保することができる。 - 特許庁

In applying a reverse voltage, an electric field of a horizontal direction is pinched off at the first depth by the first embedding region before an actual joining portion reaches a critical electric field, and thus, the breakdown voltage can be improved.例文帳に追加

逆方向電圧印加時には実際の接合部が臨界電界に達する以前に、第１埋め込み領域によって第１の深さにおいて水平方向の電界がピンチオフし、耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage for the reverse blocking IGBT can be secured while an optimal value in a trade-off of an ON-state voltage and a switching loss can be selected by performing an ion implantation for forming the diffusion layer 21 within the trench and an ion implantation for forming a collector layer 22, separately.例文帳に追加

また、溝内拡散層２１を形成するイオン注入とコレクタ層２２を形成するイオン注入を分けて行うことで、逆阻止ＩＧＢＴの逆耐圧を確保しながらオン電圧とスイッチング損失のトレードオフ上の最適値を選択することができる。 - 特許庁

To enhance the breakdown voltage of a semiconductor device having a crystal dielectric film of perovskite structure between the electrodes by reducing leak current in a reverse bias region while sustaining a unit capacity.例文帳に追加

電極間にペロブスカイト構造を有する結晶性誘電体膜を備えた半導体装置において、単位容量を維持しつつ、逆バイアス領域でのリーク電流を低減して耐圧を向上させることを可能とする。 - 特許庁

To provide a PIN diode in which breakage by the application of reverse direction bias equal to or higher than an avalanche breakdown voltage is prevented and loss is reduced by improving avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量を向上させることにより、アバランシェ降伏電圧以上の逆方向バイアスの印加による破損を抑制し、低損失化を実現させたＰＩＮダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode capable of obtaining effect of a rise in reverse breakdown voltage through relaxation of electric field concentration by a field plate structure.例文帳に追加

フィールドプレート構造による電界集中緩和が起こり、逆方向耐電圧上昇の効果が得られる、ショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a diode element structure that, while the reverse recovery characteristics of a diode element are maintained, the avalanche breakdown voltage and contact resistance of the diode element are modified.例文帳に追加

逆回復特性を維持しつつ、アバランシェ耐圧および接触抵抗を改善したダイオード素子構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To decrease resistance between mutual electrodes without degrading reverse breakdown voltage of each LED(light-emitting diode), in an LED array in which a plurality of regions of a second conductivity type is arranged on the main surface of a semiconductor wafer of a first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型の半導体ウエハの主面に複数の第２導電型の領域を配列したＬＥＤ（発光ダイオード）アレイにおいて、各ＬＥＤの逆耐圧を低下させることなく、電極相互間の抵抗を小さくする。 - 特許庁

A first IGBT, a diode having a cathode connected to an emitter of the first IGBT, and a second IGBT having an emitter connected to the emitter of the first IGBT and having a reverse breakdown voltage are housed in one package.例文帳に追加

第１のＩＧＢＴと、カソードが第１のＩＧＢＴのエミッタに接続されたダイオードと、エミッタが第1のＩＧＢＴのエミッタに接続された逆耐圧を有する第２のＩＧＢＴとを、一つのパッケージ内に収納する。 - 特許庁

To provide a thyristor securing reverse breakdown-strength characteristics by lowering an on-state voltage V_T while the size of the thyristor remains equal to that of conventional devices.例文帳に追加

サイリスタのサイズを従来と同じにしたままオン電圧Ｖ_Ｔを低くし、逆耐圧特性を確保したサイリスタを提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide an AlGaInP-based semiconductor light-emitting device suppressing a variation in reverse breakdown voltage Vr in a wafer surface while maintaining optical output and ensuring high yield.例文帳に追加

光出力を維持しつつ逆耐圧Vrのウエハ面内ばらつきを抑え、高い歩留りを確保することができるAlGaInP系半導体発光装置を提供する - 特許庁

Consequently, since the N-channel MOS transistors Q of low breakdown voltage are used, the reverse recovery currents of the built-in diodes D can be decreased, and the switching loss can be reduced.例文帳に追加

したがって、低耐圧のＮチャネルＭＯＳトランジスタＱを使用するので、内蔵ダイオードＤの逆回復電流を低減でき、スイッチング損失を低減できる。 - 特許庁

Further, boron density of the P^- diamond semiconductor layer 12 is suppressed low to increase the moving speed of a carrier when a reverse voltage is applied, and then the breakdown can be avoided more securely.例文帳に追加

また、Ｐ^−ダイヤモンド半導体層１２のホウ素密度を抑えることで、逆電圧を印加したときのキャリアの移動速度が高められ、絶縁破壊のより確実な回避が実現される。 - 特許庁

To provide a diode with reverse recovery characteristics is excellent, and breakdown voltage never deteriorates since no defect is generated on the upper main surface of a Si substrate even when wires are bonded onto an anode electrode and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

逆回復特性が良好で、また、アノード電極上にワイヤがボンディングされる際にもＳｉ基板の上主面内に欠陥が生じないため耐圧が低下しない、ダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A problem of the motor power supply voltage increase by the reverse regenerative current and that causes the dielectric breakdown of the motor drive circuit can be avoided surely.例文帳に追加

よって、逆流回生電流によってモータ電源電圧が上昇して、モータ駆動回路の耐圧破壊を引き起こすという弊害を確実に防止できる。 - 特許庁

Therefore, when a reverse bias is applied to the PN junction region, backward breakdown voltage does not change because current becomes hard to flow in an outer periphery of the pn junction region.例文帳に追加

従って、逆方向バイアスがＰＮ接合領域に印加されたとき、ＰＮ接合領域の外周部には電流が流れ難くなり、逆方向耐圧が変動することがない。 - 特許庁

To provide an illumination device for a vehicle, which is superior in static electricity breakdown voltage, and in which an appropriate arrangement of reverse connection prevention circuit becomes possible, and the function of EMC countermeasures for discharge lamp lighting device can be made superior.例文帳に追加

静電気耐量に優れ、逆接防止回路の好適な配置が可能となり、放電灯点灯装置用のＥＭＣ対策の機能を良好にし得る車両用照明装置を提供する。 - 特許庁

If the signal inverted in the polarity by such method is created, the need for supplying the signal of the reverse polarity from the driving circuit is eliminated, and the formation of a peripheral circuit by the elements of the low breakdown voltage is made possible.例文帳に追加

このような方法で極性が反転した信号を作り出すと、駆動回路からは逆極性の信号を供給する必要が無くなり、周辺回路を低耐圧の素子で形成することが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining high breakdown resistance by shortening the time in which the reverse recovery currents of a body diffusion area are allowed to flow at the time of applying a surge voltage, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

サージ電圧印加時にボディー拡散領域の逆回復電流が流れる時間を短縮して、高い破壊耐量が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce adverse effect caused by the deterioration of an LED and protect the LED from breakdown due to reverse voltage application while keeping the effects of the reduction of a mounting area, the miniaturization of a casing size, and the reduction of costs as they are.例文帳に追加

実装面積の低減、筐体サイズの小型化、コストの削減の効果を維持しつつ、ＬＥＤの劣化による弊害を少なくし、逆方向電圧印加による破壊からＬＥＤを保護する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which the leak current level is low and the breakdown voltage is high during reverse blocking, on resistance is low and the output current is large during forward conduction, reverse recovery time is short at the time of interruption, and the peak surge current level is high.例文帳に追加

逆方向阻止時の漏れ電流が少なくかつ絶縁破壊電圧が高く、順方向導通時のオン抵抗が小さくかつ出力電流が大きく、遮断時の逆回復時間が短く、さらにはせん頭サージ電流値が高い半導体素子を、提供する。 - 特許庁

Thus, even if any condition occurs where voltage exceeding the breakdown voltage Vz of the protective diode 20 is applied to the protective diode 20 in reverse direction, the voltage is momentarily absorbed by charging to the capacitor 30.例文帳に追加

このため、静電気の放電などによって、保護ダイオード２０の降伏電圧Ｖｚを超える電圧が保護ダイオード２０に対して逆方向に印加される状況が生じても、その電圧は、瞬間的にコンデンサ３０への充電によって吸収される。 - 特許庁

A voltage VGK between the gate and cathode of the SI thyristor 10 is monitored for preventing the reverse current IR flowing in the SI thyristor 10 and the voltage VGK between the gate, so that the cathode is prevented from exceeding a breakdown point VBR, where the voltage is saturated and becomes flat according to the relationship of nearly first-order monotonous increase.例文帳に追加

ＳＩサイリスタ１０のゲート−カソード間電圧ＶGKをモニタして、ＳＩサイリスタ１０内を流れる逆電流ＩRとゲート−カソード間電圧ＶGKが、略一次の単調増加の関係から飽和して平坦になるブレークダウンポイントＶBRを越えないようにする。 - 特許庁

In an input/output protective circuit of the semiconductor device with SOI structure, for an external terminal, a unit channel width resistance in a drain resistance of each of a plurality of NMOS transistors which are connected in reverse-bias in parallel is set so that an HBM surge breakdown voltage comparable as the HBM surge breakdown voltage in forward-biased connection is obtained.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の半導体装置の入出力保護回路において、外部端子に対し、各々が並列に逆方向バイアス接続される複数のＮＭＯＳトランジスタそれぞれのドレイン抵抗の単位チャネル幅抵抗値を、順方向バイアス接続時のＨＢＭサージ耐圧と同程度のＨＢＭサージ耐圧が得られるように設定する。 - 特許庁

To provide a power supply control circuit capable of suppressing heating of switching elements caused by a surge voltage when the surge voltage is being generated, while enabling the prevention of a breakdown of an internal circuit against a reverse connection of a power supply, and preventing a breakdown of the switching elements, and to provide an electronic control device and feeder circuit equipped with a power supply control circuit.例文帳に追加

電源の逆接続に対する内部回路の破壊の防止を可能としつつも、サージ電圧発生時に、前記サージ電圧によるスイッチング素子の発熱を抑制して、前記スイッチング素子の破壊を防止することができる電源制御回路、電源制御回路を備えた電子制御装置及び給電回路を提供する。 - 特許庁

In an input/output protective circuit of the semiconductor device with SOI structure, for an external terminal, a unit channel width resistance in a drain resistance of each of a plurality of NMOS transistors which are connected in reverse-bias in parallel is set so that an HBM surge breakdown voltage comparable as an HBM surge breakdown voltage in forward-biased connection is obtained.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の半導体装置の入出力保護回路において、外部端子に対し、各々が並列に逆方向バイアス接続される複数のＮＭＯＳトランジスタそれぞれのドレイン抵抗の単位チャネル幅抵抗値を、順方向バイアス接続時のＨＢＭサージ耐圧と同程度のＨＢＭサージ耐圧が得られるように設定する。 - 特許庁

A semiconductor device is formed by setting the impurity concentration of a second semiconductor region 101 in such a manner that a breakdown voltage at least in a hetero-junction region except the outer peripheral end portion of the hetero-junction diode becomes the breakdown voltage of the semiconductor device at the time when a predetermined reverse bias is applied to the hetero-junction diode comprising a first semiconductor region 100 and the second semiconductor region 101.例文帳に追加

第一の半導体領域１００と第二の半導体領域１０１とで構成されるヘテロ接合ダイオードに所定の逆バイアスが印加されたときに、少なくともヘテロ接合ダイオードの外周端部以外のヘテロ接合領域での耐圧が半導体装置の耐圧となるように、第二の半導体領域１０１の不純物濃度を設定して構成される。 - 特許庁

Since the metallic film 30 covers the P-N junction of the zap diode, the zap diode is short-circuited to the metallic film 39 provided on the P-N junction and becomes a resistor when a puncture or destruction occurs due to an impressed reverse bias voltage higher than a breakdown voltage.例文帳に追加

この金属膜３９でザップダイオードのＰＮ接合部を覆うことにより、降伏電圧以上の逆バイアス電圧の印加によって破裂破壊が起こっても、ザップダイオードがＰＮ接合部上の金属膜３９により短絡して抵抗となる構成とする。 - 特許庁

By providing the n-type diffusion layer 17, a depletion layer is well generated in the semiconductor device 10 when a reverse voltage is applied, and a leakage current can also be decreased, so that the semiconductor device 10 will have a high breakdown voltage.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７を設けることによって逆方向電圧が印加された際、半導体素子１０内に空乏層が良好に発生し、また漏れ電流を減少させることができるため半導体素子１０は良好な耐圧性を備える。 - 特許庁

To provide a switching element using a high-breakdown-voltage and low-loss silicon carbide layer which is equipped with both a switching function and a diode function (reverse-direction voltage stopping capability) without forming a p-n junction inside the silicon carbide layer and to miniaturize a module so as to be lightweight.例文帳に追加

炭化シリコン層内にｐｎ接合を形成することなく、スイッチング機能とダイオード機能（逆方向の電圧阻止能力）とを兼ね備えた、高耐圧・低損失の、炭化シリコン層を利用したスイッチング素子を実現し、以てモジュールの小型化・軽量化を図る。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage Vr of a diode constituted between the anode contact region 8 and the drain/ cathode region 2 is made lower than an drain/source blocking voltage BVdss of a power MOS which is constituted of the drain/cathode region (NBL) 2, gate structure 18, and source region 5.例文帳に追加

アノードコンタクト領域８とドレイン・カソード兼用領域２との間に構成されるダイオードの逆方向降伏電圧Ｖrが、ドレイン・カソード兼用領域（ＮＢＬ）２、ゲート構造１８及びソース領域５からなるパワーＭＯＳのドレイン−ソース間耐圧ＢＶdssよりも低い。 - 特許庁

The driving device 2 impresses the organic EL element with a prescribed first voltage higher than the threshold voltage of light emitting when light emitting is required, and impresses with a second voltage of reverse direction from the first voltage of ligher than zero in its absolute value and lower than the breakdown voltage of the EL element when the light receiving is required.例文帳に追加

駆動装置２は、有機ＥＬ素子１に対して、発光状態とするときには、発光しきい値電圧以上の所定の第１の電圧を印加し、受光状態とするときには、第１の電圧とは逆方向で、絶対値がゼロより大きく且つ有機ＥＬ素子１の絶縁耐圧以下となる第２の電圧を印加をする。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device excellent in crystallinity and having a low ON resistance and sufficient heat resistance while ensuring breakdown voltage performance in reverse bias and lowering Schottky barrier in forward bias, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

逆方向バイアスにおける耐圧性能を確保し、かつ順方向バイアスにおけるショットキー障壁を低くした上で、結晶性に優れてオン抵抗が低く、かつ耐熱性を十分に確保した炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁