「sbd」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The format control circuit 21 calculates the end position of the sector based on the synchronous information detective signal SBD to make the read gate signal RG inactive.例文帳に追加

フォーマット制御回路２１は、同期情報検出信号ＳＢＤを基準にしてセクタの終了位置を算出しリードゲート信号ＲＧをインアクティブにする。 - 特許庁

Thus, a circulating current is first conducted from the SBD composed of GaN of a lower ON voltage and conducted so as to branch more circulating currents to the SBD composed of SiC of a higher ON voltage together with increase of the forward voltage, thereby distributing a conduction loss caused by the circulating current to the SBDs.例文帳に追加

これにより、オン電圧が低い方のＧａＮからなるＳＢＤから環流電流を先に導通させ、順方向の電圧の上昇と共に、オン電圧が高い方のＳｉＣからなるＳＢＤへより多くの環流電流を分流させるように導通させて、環流電流による導通損失を各ＳＢＤに分散させる。 - 特許庁

Electrodes of the SBD chip 3 or the MOSFET chip 14 are electrically connected to leads 7, 9 and 10 via metallic fine wires 18, 19 and 21.例文帳に追加

そして、ＳＢＤチップ３またはＭＯＳＦＥＴチップ１４の各電極とリード７、９、１０とは、金属細線１８、１９、２１介して電気的に接続している。 - 特許庁

A barrier metal layer 7 and a surface electrode layer 8 are formed on the p-type silicon region 5 and the n-type silicon region 3 exposed to the surface thus forming an SBD structure.例文帳に追加

表面に露出するｐ型シリコン領域５及びｎ型シリコン領域３Ａ上にバリアメタル層７、表面電極層８が形成してＳＢＤ構造を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which enhances forward direction characteristics without degrading reverse direction characteristics in an SBD for a large power.例文帳に追加

本発明は、大電力用ＳＢＤにおいて逆方向特性を悪化させることなく、順方向特性を向上させる製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device which lowers resistance of a drift layer and which enables a reduction of on-voltage, without deterioration of reverse direction characteristic of a SBD and an increase of chip area.例文帳に追加

ＳＢＤの逆方向特性の劣化やチップ面積の増大を伴わずに、ドリフト層の抵抗を下げ、オン電圧を低減できる電力用半導体装置を提供する。 - 特許庁

A data flow control circuit 22 processes the data on the data bus NRZ and the ECC after a reproduction delay time elapses based on the synchronous information detective signal SBD.例文帳に追加

データフロー制御回路２２は、同期情報検出信号ＳＢＤを基準にして再生遅延時間経過後にデータバスＮＲＺ上のデータ及びＥＣＣを処理する。 - 特許庁

A phase comparison circuit 23B compares the phase of the output signal SBd with that that of the output signal SCd to output a comparison voltage value VC2 corresponding to the phase difference.例文帳に追加

位相比較回路２３Ｂは、その出力信号ＳＢｄと出力信号ＳＣｄとの位相差を比較し、その位相差に応じた比較電圧値ＶＣ２を出力する。 - 特許庁

The columnar layer 36 consists of a semiconductor for composing the Schottky diode SBD along with the first to fourth source line conductive layers 33a-33d.例文帳に追加

柱状層３６は、第１〜第４ソース線導電層３３ａ〜３３ｄと共にショットキーダイオードＳＢＤを構成する不純物濃度をもつ半導体にて構成されている。 - 特許庁

The compound semiconductor device having the FRD and SBD formed on the one semiconductor substrate has a local lifetime control region formed by particle-beam irradiation.例文帳に追加

１つの半導体基板上に、ＦＲＤとＳＢＤとを形成した複合半導体装置において、粒子線照射により局所ライフタイム制御領域を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is provided with a substrate 5, a JFET, a back electrode 28 and a rectifier element structure (SBD formed in a bonding part of a back contact electrode 27 and an n-type layer 12).例文帳に追加

半導体装置１は、基板５と、ＪＦＥＴと、裏面電極２８と、整流素子構造(裏面コンタクト電極２７とｎ型層１２との接合部に形成されるＳＢＤ）とを備える。 - 特許庁

To provide an SBD which uses an inexpensive n-type heavily doped semiconductor substrate without epitaxial layer to lower a forward voltage and can keep breakdown voltage while keeping the forward voltage lower.例文帳に追加

順方向電圧を低くするためにエピタキシャル層のない安価なＮ型高濃度半導体基板を用い、順方向電圧を低くしたまま耐圧を維持可能なＳＢＤを提供する。 - 特許庁

An effective video area of the video data processed by a video data processing system is smaller than a display screen AS, the surrounding of which is constituted of spaces SBd, SBb without image information.例文帳に追加

この映像データ処理システムで処理される映像データの実効的な映像エリアは表示画面ＡＳより小さく、その周囲が画像情報の無いスペースＳＢｄ，ＳＢｂで構成される。 - 特許庁

An SBD 10 has: an n-type GaN layer 13 grown epitaxially on a GaN substrate 11; a Schottky electrode 15 formed on the GaN layer 13; and a back electrode 16.例文帳に追加

ＳＢＤ１０は、ＧａＮ基板１１の上に形成されたｎ型のＧａＮ層１３と、ＧａＮ層１３上に形成されたショットキー電極１５と、裏面電極１６とを備えている。 - 特許庁

In an SBD element including an active region of an SBD formed on a principal surface of a semiconductor substrate and a PSG film coating region formed from an end thereof to an outer peripheral part thereof, a boundary part between an organic final passivation film complementarily formed on an aluminum-based metal film constituting an anode electrode and a UBM layer is formed in the PSG film coating region.例文帳に追加

本願発明は、半導体基板の主面に設けられたＳＢＤの活性領域および、その端部から外側の周辺部に設けられたＰＳＧ膜被覆領域を有するＳＢＤ素子において、アノード電極を構成するアルミニウム系メタル膜上に相補的に設けられた有機系ファイナル・パッシベーション膜とＵＢＭ層の境界部分をＰＳＧ膜被覆領域に設けたものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is constructed by connecting an SBD (Schottky barrier diode) and a ZD (constant voltage diode) for protection in parallel, and which has a large avalanche resistance and has a short Trr and a low Vf.例文帳に追加

ＳＢＤ（ショットキー・バリア・ダイオード）と保護用ＺＤ（定電圧ダイオード）を並列に接続したアバランシェ耐量の大きい半導体装置において、短いＴrr、低いＶfを有した半導体装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes: a semiconductor substrate 11 of a first conductivity type; a semiconductor layer 12 of the first conductivity type; a field effect transistor (MOS) 200; and a Schottky barrier diode (SBD) 100.例文帳に追加

半導体装置１は、第１導電型の半導体基板１１、第１導電型の半導体層１２、電界効果トランジスタ（ＭＯＳ）２００、及びショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）１００を備えている。 - 特許庁

The composite semiconductor device 1 includes a serial circuit between an Si-SBD 2 having a low forward voltage and a high-withstand voltage HEMT 3 comprising a nitride semiconductor having a bandgap wider than that of silicon.例文帳に追加

複合半導体装置１は、低い順方向電圧のＳｉ−ＳＢＤ２とシリコンよりもバンドギャップが広い窒化物半導体から成る高耐圧のＨＥＭＴ３との直列回路から成る。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device 100 includes a plurality of memory strings MS including a plurality of memory elements MC, where a resistance change element R and a Schottky diode SBD are connected in series.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１００は、抵抗変化素子Ｒ及びショットキーダイオードＳＢＤが直列に接続されたメモリ素子ＭＣを複数有する複数のメモリストリングＭＳを備える。 - 特許庁

Waveform shaping circuits 22A to 22D shape the waveforms of output signals SA, SD, SB, and SC from light detection parts A, D, B, and C of a detector 21 and output output signals SAd, SDd, SBd, SCd.例文帳に追加

波形整形回路２２Ａ〜２２Ｄは、検出器２１の光検出部Ａ、Ｄ、Ｂ、Ｃからの出力信号ＳＡ、ＳＤ、ＳＢ、ＳＣを波形整形し、出力信号ＳＡｄ、ＳＤｄ、ＳＢｄ、ＳＣｄを出力する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n+ type semiconductor substrate 1 where an MOSFET region 10 and an SBD region 20 are arranged, and an n type epitaxial layer 2 provided on the n+ type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、ＭＯＳＦＥＴ領域１０とＳＢＤ領域２０とが配置されているｎ＋型半導体基板１と、ｎ＋型半導体基板１上に設けられたｎ型エピタキシャル層２とを備える。 - 特許庁

A data correction circuit 15 and a decode circuit 16 reproduce the data of the sector read out for a period when the read gate signal RG is active and ECC based on the synchronous information detective signal SBD to output to a data bus NRZ.例文帳に追加

データ訂正回路１５及び復号回路１６は、リードゲート信号ＲＧがアクティブの期間に読み出されたセクタのデータ及びＥＣＣを同期情報検出信号ＳＢＤを基準として再生しデータバスＮＲＺに出力する。 - 特許庁

This device is provided with a reference voltage generating circuit 7 having a Zener diode 13, thermistor 11 having dependency on power supply voltage and temperature, resistors R1-R5 having power supply voltage dependency and Schottky barrier diode(SBD) 12 of a diode having temperature dependency.例文帳に追加

ツェナーダイオード１３と、電源電圧及び温度依存性のあるサーミスタ１１と、電源電圧依存性のある抵抗Ｒ１〜Ｒ５と、温度依存性のあるダイオードＳＢＤ１２を有する基準電圧発生回路７を備える。 - 特許庁

As a result, an SBD(Schottky barrier diode) which is excellent in breakdown strength is formed by forming an extraction plug of a source/drain region of an MISFET and by forming a p-type semiconductor region 24 between the n-type well 4 and the tungsten film 25.例文帳に追加

これにより、ＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域の引き出し用プラグを形成するとともに、ｎ型ウェル４とタングステン膜２５との間にｐ型半導体領域２４を形成し、耐圧に優れたＳＢＤ（ショットキバリアダイオード）を形成する。 - 特許庁

To provide a SBD(Schottky Barrier Diode) element where the Schottky contact area is increased, by providing it with a trench groove on the surface of silicon, and also where the forward voltage VF is small and its control is easy, by using plural kinds of barrier metals different in work function.例文帳に追加

シリコン表面にトレンチ溝を設けてショットキー接触面積を増大すると共に、仕事関数の異なる複数種類のバリア金属を用いることで、順方向電圧ＶＦが小さく且つその制御が容易なＳＢＤ素子を得る。 - 特許庁

After that, SBD and meta-data/bit-map/file are recorded in the partition, while LVIS is recorded based on information such as the number of sectors consumed by recording ICB and FIDs of all directories, and the total number of directories recorded.例文帳に追加

その後、ＳＢＤやメタデータ・ビットマッフ・ファイルをパーティション内に記録するとともに、すべてのディレクトリのＩＣＢ及びＦＩＤｓを記録したことによって消費したセクタ数や、記録したディレクトリ総数などの情報を基にＬＶＩＳを記録する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can resolve problems of current collapse and long-term reliability by alleviating electric field concentration generated at an electrode end when a reverse voltage is applied to a device, such as an SBD (Schottky Barrier Diode), an HEMT (High Electron Mobility Transistor), and the like.例文帳に追加

本発明は、ＳＢＤ、ＨＥＭＴ等のデバイスに逆方向電圧をかけたときの電極端部に生じる電界集中を緩和して電流コラプス、及び長期信頼性の問題を解決した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology of simultaneously achieving improvement of recovery characteristic of a reflux diode and sure maintenance of avalanche resistance of MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in a semiconductor device with the MOSFET and SBD (Schottky Barrier Diode) in reverse parallel with the MOSFET formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴと、ＭＯＳＦＥＴと逆並列となるＳＢＤとが同一半導体基板に形成された半導体装置において、還流ダイオードのリカバリ特性の改善と、ＭＯＳＦＥＴのアバランシェ耐量の確保との両立が可能な技術を提供する。 - 特許庁

In this DC power supply device 1A, a reverse leak current Ir generated by the temperature of the Schottky barrier diode (SBD) D51B thermally connected to a rectifying diode D51A is made to flow to the photocoupler PC1 in an output voltage detection circuit 10A.例文帳に追加

直流電源装置１Ａにおいて、整流ダイオードＤ５１Ａと熱的に結合されたショットキーバリアダイオード(ＳＢＤ)Ｄ５１Ｂの温度による逆方向漏れ電流Ｉｒを、出力電圧検出回路１０Ａ内のフォトカプラＰＣ１に流すようにする。 - 特許庁

An SBD 10 as a semiconductor device includes: a substrate 11 composed of semiconductor; an n-type layer 12 formed on the substrate 11; an anode electrode 14 arranged on the n-type layer 12; and a p-type region 13 connected with the anode electrode 14 and projecting to the n-type layer 12.例文帳に追加

半導体装置としてのＳＢＤ１０は、半導体からなる基板１１と、基板１１上に形成されたｎ型層１２と、ｎ型層１２上に配置されたアノード電極１４と、アノード電極１４に接続され、ｎ型層１２に突出するｐ型領域１３とを備えている。 - 特許庁

An SBD 10, as a semiconductor device, includes a substrate 11 made of semiconductor, an n-type layer 12 formed on the substrate 11, an anode electrode 14 arranged on the n-type layer 12, and p-type regions 13 connected to the anode electrode 14 and protruded into the n-type layer 12.例文帳に追加

半導体装置としてのＳＢＤ１０は、半導体からなる基板１１と、基板１１上に形成されたｎ型層１２と、ｎ型層１２上に配置されたアノード電極１４と、アノード電極１４に接続され、ｎ型層１２に突出するｐ型領域１３とを備えている。 - 特許庁

Thereby, a Schottky barrier diode composing the SBD thermistor for detecting a change of a current flowing into the Schottky barrier diode configured by bringing a metal into contact with a semiconductor as a temperature change is driven by voltage in a range of ±0.1 V to be voltage in a voltage area of a non-saturation characteristic area.例文帳に追加

そのため、半導体に金属を接触させたショットキーバリアダイオードに流れる電流の変化を温度の変化として検出するショットキーバリアダイオード・サーミスタを構成するショットキーバリアダイオードを、非飽和特性領域の電圧領域の電圧である、±０.１Ｖの範囲内の電圧で駆動する。 - 特許庁

To provide an overheat protection method when an overheat detection circuit is not arranged at the secondary side of a transformer T, and to achieve cost reduction by reducing the number of photocouplers, in an overheat protection circuit of a power supply device that performs overheat protection by using a Schottky barrier diode (SBD) without using an exclusive temperature transducer.例文帳に追加

専用の感温素子を用いずにショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）を用いて過熱保護を行う電源装置の過熱保護回路において、トランスＴの２次側に過電圧検出回路がない場合の過熱保護方法を提供すると共に、フォトカプラの個数を削減しコストダウンを図る。 - 特許庁

An anode electrode 11 in an SBD 1 is formed on the barrier metal 12 in a way that it contacts the p poly-silicon layer 27 of the reverse connection diode 29, and an anode electrode 11a of the pn diode 2 is formed on the p^+-layer 24 in a way that it contacts the n poly-silicon layer 28 of the reverse connection diode 29.例文帳に追加

バリアメタル１２上に逆接ダイオード２９のｐポリシリコン層２７と接するようにＳＢＤ部１のアノード電極１１を形成し、ｐ^+ 層２４上に逆接ダイオード２９のｎポリシリコン層２８と接するようにｐｎダイオード部２のアノード電極１１ａを形成する。 - 特許庁

By this, when the reverse leak current Ir of the Schottky barrier diode (SBD) D51B is increased (when the temperature of the rectifying diode D51A is raised due to an overload), a feedback signal of the output voltage detection circuit 10A is increased, and an output voltage is lowered, thus performing the overheat protection of the DC power supply device 1A.例文帳に追加

これにより、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）Ｄ５１Ｂの逆方向漏れ電流Ｉｒが増大した場合（過負荷により整流ダイオードＤ５１Ａの温度が上昇した場合）に、出力電圧検出回路１０Ａのフィードバック信号を増大させて、出力電圧を低下させ、直流電源装置１Ａの過熱保護を行う。 - 特許庁

In the power converter according to an embodiment, a PiN diode is connected in reverse parallel with the power conversion circuit between a P pole and an N pole closer to AC side than a capacitor so that reverse current is diverted to the PiN diode to reduce flowing current of reflux diodes, an SBD and a JBS, for suppressing element destruction.例文帳に追加

実施の形態の電力変換装置は、コンデンサより交流側のＰ極−Ｎ極間に、電力変換回路とは逆並列にＰｉＮダイオードを接続し、反転電流をＰｉＮダイオードにも分流させて、還流ダイオードであるＳＢＤ、ＪＢＳの通電電流を低減し素子破壊を抑制するようにしたものである。 - 特許庁