「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(117ページ目) - Weblio英語例文検索

The virtual folder of the retrieval attribute value of the first retrieval attribute item is displayed in a first layer, and the virtual folder of the retrieval attribute value of the second retrieval attribute item is displayed under each folder of the first layer in a second layer.例文帳に追加

第一階層に第一検索属性項目の検索属性値の仮想フォルダが表示され、第二階層に第一階層の各フォルダの下層に第二検索属性項目の検索属性値の仮想フォルダが表示される。 - 特許庁

Second and third aluminum alloy layers 2 and 3 are respectively formed on the different surfaces of a first aluminum alloy layer 1 and a brazing filler metal layer 4 containing Si is formed on the surface of the second aluminum alloy layer.例文帳に追加

第１のアルミニウム合金層１の相異なる表面上に、夫々第２及び第３のアルミニウム合金層２、３が形成され、第２のアルミニウム合金層の表面上にＳｉを含有するろう材層４が形成されている。 - 特許庁

An etching mask 9 is formed of SiO_2 on the second gate electrode layer 7, and a gate electrode 8 is formed by etching the first gate electrode layer 6 and the second gate electrode layer 7 by using the etching mask 9.例文帳に追加

そして、第２ゲート電極層７上にＳｉＯ_2 からなるエッチングマスク９を形成し、エッチングマスク９を用いて第１ゲート電極層６および第２ゲート電極層７をエッチングすることにより、ゲート電極８を形成する。 - 特許庁

A part of the surface of a second group III nitride semiconductor layer is exposed by etching a layer formed on the surface of a second group III nitride semiconductor layer containing a n-type impurity or of i-type with a gas containing no nitrogen element.例文帳に追加

ｎ型の不純物を含むか又はｉ型の第２のIII族窒化物半導体層の表面に形成されている層を、窒素元素を含まないガスでエッチングして、第２のIII族窒化物半導体層の表面の一部を露出させる。 - 特許庁

The organic electroluminescent element comprises a first electrode and a second electrode and an organic layer which is interposed between the first electrode and the second electrode and has a fluorescence emitting layer and a phosphorescence emitting layer, and emits white light.例文帳に追加

前記有機電界発光素子は、第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極との間に介在され、蛍光発光層と燐光発光層とを備える発光層を含めて白色光を放出する。 - 特許庁

The nonvolatile memory element of the present invention is formed by laminating a first electrode 51, a first material layer 53 having a positive Peltier coefficient, an information storage layer 60, a second material layer 54 having a negative Peltier coefficient, and a second electrode 52.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ素子は、第１電極５１、正のペルチェ係数を有する第１材料層５３、情報記憶層６０、負のペルチェ係数を有する第２材料層５４、及び、第２電極５２が積層されて成る。 - 特許庁

A wall panel 10 comprises a first sound insulating layer 12 arranged on the outdoor side, a second sound insulating layer 13 arranged on the indoor side, and an air layer 16 arranged between these first and second sound insulating layers 12 and 13.例文帳に追加

屋外側に配置される第１遮音層１２と、室内側に配置される第２遮音層１３と、これら第１及び第２遮音層１２，１３の間に設けられる空気層１６とを備えて壁パネル１０が構成されている。 - 特許庁

The storage element is constituted by sequentially stacking a first ferroelectric layer, an insulating layer, and a second ferroelectric layer, and destroyed by short-circuiting the first and second ferroelectric layers by using the destruction means.例文帳に追加

記憶素子は、第１の強磁性層と、絶縁層と、第２の強磁性層とを順次積層して構成し、破壊手段によって第１の強磁性層と第２の強磁性層とをショートさせることにより破壊すべく構成する。 - 特許庁

In addition, a second wiring layer 40 and a third wiring layer 42, which are set to the ground potential, are provided, in the same layer as the second bit line pair BS, /BS, opposed with each other via each bit line and interlayer insulation film 32.例文帳に追加

第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳと同層で、第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭの各々のビット線と層間絶縁膜３２を介してそれぞれ対向し、互いにグランド電位に設定される第２，第３の配線層４０，４２を有する。 - 特許庁

The second absorption layer 23 has second high absorption polymer grains 42 whose water absorption time is shorter than that of first high absorption polymer grains 27 and whose water retension magnification is lower than that of the grains 27 which grains are included in the first absorption layer 21 and the third absorption layer 23.例文帳に追加

第２吸収層２３は、第１，第３吸収層２１，２３に含まれる第１高吸収性ポリマー粒子２７よりも吸水時間が短く、保水倍率の低い第２高吸収性ポリマー粒子４２が使用される。 - 特許庁

The Chikuwa has second layer (2) of sausage or ham concentrically in the interior of the first layer (1) of ground fish meat and the second layer (2) of ground fish meat and concentric pattern excellent in definite beautiful view is expressed on the cut surface.例文帳に追加

魚肉すりみの第１層（１）と魚肉すりみの第３層（３）の内部に同心状にソーセージ又はハムの第２層（２）を有し、切断面は一定の美観に秀れた同心状の模様形状が表出されるものである。 - 特許庁

On the other hand, the second buried layer 4b is located at a further deep given position and is the group of the p-type impurity regions formed under the separate condition respectively so that the first buried layer 4a will not exist on the second buried layer 4b.例文帳に追加

また、第２の埋め込み層４ｂは、さらに深い一定の位置にあり、かつその上部には第１の埋め込み層４ａが存在しないように、それぞれ離反した状態で形成したｐ型不純物領域の群である。 - 特許庁

Then, a second layer wire 32 including copper is formed in the wiring groove 31, a connection part 34 including copper is formed in the connection hole 33, and the second layer wire 32 and the first layer wire 18 are connected by the connection part 34 the length of which has been shortened.例文帳に追加

そして配線溝３１に銅を含む第２層配線３２を、接続孔３３に銅を含む接続部３４を形成し、第２層配線３２と第１層配線１８とを長さが短縮化された接続部３４で接続する。 - 特許庁

A substrate including a first metal layer 110, a second metal layer 120 having a top face and a bottom face facing each other, and an insulation layer 130 between the first and second metal layers is provided by a method of manufacturing a package carrier.例文帳に追加

パッケージキャリアの製造方法において、第１金属層１１０と、互いに対向する頂面および底面を有する第２金属層１２０と、第１および第２金属層間の絶縁層１３０を含む基板が提供される。 - 特許庁

The circuit device includes a first analysis mark pattern 12 which is formed on a first wiring layer disposed above a portion 11 to be analyzed, and a second analysis mark pattern 13 which is formed on a second wiring layer disposed above the first wiring layer.例文帳に追加

解析対象部１１より上方の第１の配線層に形成された第1の解析用目印パターン１２と、第１の配線層より上方の第２の配線層に形成された第２の解析用目印パターン１３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor substrate is constituted of a first Si layer 9-1 composed mainly of Si, an SiGe layer 9-4, and a second Si layer 9-3 which is interposed and installed between the Si layer 9-1 and the SiGe layer 9-4 and which covers a part as a surface layer part 9-2 on the Si layer 9-1 and containing impurities.例文帳に追加

Ｓｉが主成分である第１Ｓｉ層９−１と、ＳｉＧｅ層９−４と、第１Ｓｉ層９−１とＳｉＧｅ層９−４との間に介設され、第１Ｓｉ層９−１の表層部分９−２であり不純物が存在する部分を被覆する第２Ｓｉ層９−３とから構成されている。 - 特許庁

A main conductor layer 4 composed of a contact metal layer 2, a first anti-diffusion layer 3 and Au, a second anti-diffusion layer 5 of Pt and a solder material layer 7 composed of an Sn layer 6 and an alloy of Au-M (M is Sn, Si or Ge) are stacked in sequence to form a wiring conductor layer on the top of an insulating substrate 1.例文帳に追加

絶縁基板１の上面に密着金属層２、第１の拡散防止層３、Ａｕより成る主導体層４、Ｐｔより成る第２の拡散防止層５、Ｓｎ層６およびＡｕ−Ｍ（ＭはＳｎ，ＳｉまたはＧｅ）合金より成るロウ材層７が順次積層された配線導体層が形成されている。 - 特許庁

This optical recording medium is constituted by successively forming at least a reflection layer 2, first dielectric layer 3, crystallization assisting layer 4, phase transition type recording layer 5, second dielectric layer 6 and light transparent layer 7 on a substrate 1, in which the crystallization assisting layer 4 consists of an alloy of an Sb_xTe_1-x(0.7<x<1) system.例文帳に追加

基板１上に、少なくとも反射層２、第１の誘電体層３、結晶化補助層４、相変化型記録層５、第２の誘電体層６、および光透過層７が順次形成されて成るものとし、結晶化補助層４が、Ｓｂ_x Ｔｅ_1-x （０．７＜ｘ＜１）系の合金よりなるものとする。 - 特許庁

When the laminating member is formed by releasably providing a laminating layer having a first layer to become a laminating layer of an image surface of the printed matter and a second layer to become an adhesive layer to the image surface on the heat resistant base, a layer capable of regulating an adhesive force between these layers is disposed between the heat resistant base and the first layer.例文帳に追加

印画物の画像面のラミネート層となる第１の層と、画像面への接着層となる第２の層を有するラミネート層を耐熱性基材上に剥離可能に設けてラミネート用部材を形成する際に、耐熱性基材と第１の層との間にこれらの層間の接着力を調整し得る層を配置する。 - 特許庁

MS films 3 each having thickness of 30 to 300 nm are sequentially formed, comprising an HC layer 41 mainly composed of an ultraviolet-curing resin provided on one principal plane of a base film 40, a first refraction layer (middle refraction layer) 42 on the HC layer 41, a second refraction layer (lower refraction layer) 43, and a transparent conductive layer 13.例文帳に追加

ベースフィルム４０の一方の主面に紫外線硬化樹脂を主成分とするＨＣ層４１を配設し、その上に第一屈折層（中屈折層）４２、第二屈折層（低屈折層）４３、透明導電膜１３からなる、厚さ３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下のＭＳ膜３を順次形成する。 - 特許庁

The vertical light emitting device has a structure having: a semiconductor layer of a first conductivity type 30; a light emission layer 20 located on the semiconductor layer of a first conductivity type; and a semiconductor layer of a second conductivity type 10 located on the light emission layer and having an etching barrier layer 40; in which a light extraction structure 50 is formed on the etching barrier layer.例文帳に追加

第１伝導性半導体層３０と、該第１伝導性半導体層上に位置する発光層２０と、該発光層上に位置し、エッチング障壁層４０を有する第２伝導性半導体層１０と、を備え、前記エッチング障壁層上には、光抽出構造５０が形成されている構造としている。 - 特許庁

A piezoelectric actuator 1 includes: a substrate 3; a dummy layer 5 arranged on the substrate 3 and made of a ceramic material; a first electrode layer 7 arranged on the dummy layer 5; a piezoelectric layer 9 arranged on the first electrode layer 7 and made of a ceramic material; and a second electrode layer 11 arranged on the piezoelectric layer 9.例文帳に追加

圧電アクチュエータ１は、基板３と、基板３上に配置され、セラミック材料からなるダミー層５と、ダミー層５上に配置された第１の電極層７と、第１の電極層７上に配置され、セラミック材料からなる圧電層９と、圧電層９上に配置された第２の電極層１１と、を備えている。 - 特許庁

The suspension substrate 11 includes a first insulating layer 10, a spring metal layer disposed on one surface of the first insulating layer 10, a first wiring layer 14 disposed on the other surface of the first insulating layer 10, and a second wiring layer 15 insulated from the first wiring layer 14.例文帳に追加

本発明によるサスペンション用基板１は、第１絶縁層１０と、この第１絶縁層１０の一方の面に設けられたバネ性金属層１１と、第１絶縁層１０の他方の面に設けられた第１配線層１４と、この第１配線層１４に対して絶縁された第２配線層１５とを備えている。 - 特許庁

The photoelectric conversion cell includes a first electrode layer 2, a light absorbing layer 4 prepared on one side of the first electrode layer 2, a buffer layer 5 containing a group III-VI compound prepared on one side of the light absorbing layer 4, and a second electrode layer 6 containing the group III-VI compound prepared on one side of the buffer layer 5.例文帳に追加

光電変換セルは、第１の電極層２と、第１の電極層２の一方側に設けられた光吸収層４と、光吸収層４の一方側に設けられたIII-VI族化合物を含むバッファ層５と、バッファ層５の一方側に設けられたIII-VI族化合物を含む第２の電極層６と、を具備する。 - 特許庁

A second porous reaction preventing layer 20 and a first porous reaction preventing layer 40 preventing reactions between the component of the hydrogen separating layer 30 and catalytic components in respective layers are arranged between the reforming catalyst layer 50 and the hydrogen separating layer 30 and between the hydrogen separating layer 30 and the converting catalyst layer 10.例文帳に追加

また、改質触媒層５０及び水素分離層３０、水素分離層３０及び変換触媒層１０の間に、水素分離層３０の成分と、それら各層の触媒成分との反応を防止する第２多孔質反応防止層２０及び第１多孔質反応防止層４０を備える。 - 特許庁

A body layer includes a first body layer 3 deeply formed by including a channel region CH between an n+-type source layer and an n-type first drain layer 4, and a second body layer 6 overhanging from the first body layer 3 to a region under the layer 4 and shallowly formed.例文帳に追加

ボディ層は、Ｎ＋型ソース層とＮ型の第１ドレイン層４との間のチャネル領域ＣＨを含んで深く形成された第１のボディ層３と、この第１のボディ層３からＮ型の第１ドレイン層４の下の領域に張り出して浅く形成された第２のボディ層６とから構成されるようにした。 - 特許庁

The organic layer has at least a luminescent layer 14 emitting light and this luminescent layer 14 forms a laminated structure composed of a first doped layer 14a which specifies the first luminescent color, a δ layer 14b which specifies the second luminescent color and of a third doped layer 14c which is the same as the first doped layer 14a.例文帳に追加

前記有機層は発光を呈する発光層１４を少なくとも有し、この発光層１４が第１の発光色を規定する第１のドーピング層１４ａと第２の発光色を規定するδ層１４ｂと第１のドーピング層１４ａと同じ第３のドーピング層１４ｃとの積層構造から成る。 - 特許庁

The reflecting pattern layer is formed on the second region between the brightness enhancement layer 410 and the diffusion layer 420, and includes a reflective member which maintains a prescribed interval between the diffusion layer 420 and the brightness enhancement layer 410 and a gap 450 formed on the first region between the diffusion layer 420 and the brightness enhancement layer 410.例文帳に追加

反射パターン層は、集光層４１０と拡散層４２０との間の第２領域に形成され、拡散層４２０及び集光層４１０の所定間隔を維持する反射部材と、拡散層４２０と集光層４１０との間の第１領域で形成されたギャップ４５０を含む。 - 特許庁

A semiconductor laser element is provided with a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4 and an etching stop layer 5 which are stacked in order on a substrate 1, a second ridge upper clad layer 7 provided on the layer 5, and optical confinement layers 10 provided on the sides of the layer 7.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、基板１の上に順に積層された下部クラッド層２、活性層３、上部第１クラッド層４、およびエッチングストップ層５と、エッチングストップ層５の上に設けられたリッジ形の上部第２クラッド層７と、上部第２クラッド層７の側方に設けられた光閉じ込め層１０とを備えている。 - 特許庁

The photoelectric conversion device is provided with the photoelectric conversion element and an element isolation region disposed to a semiconductor substrate, and has a plurality of inter-layer insulating layers including a first inter-layer insulating layer disposed most closely to the semiconductor substrate and a second inter-layer insulating layer disposed covering the first inter-layer insulating layer.例文帳に追加

光電変換装置は、半導体基板に配された光電変換素子と素子分離領域とを有し、半導体基板に最も近接して配された第１の層間絶縁層と、第１の層間絶縁層を覆って配された第２の層間絶縁層と、を含む複数の層間絶縁層とを有する。 - 特許庁

The piezoelectric actuator 1 includes a substrate 3, a dummy layer 5 arranged on the substrate 3 and made of a ceramic material, a first electrode layer 7 arranged on the dummy layer 5, a piezoelectric layer 9 arranged on the first electrode layer 7 and made of a ceramic material, and a second electrode layer 11 arranged on the piezoelectric layer 9.例文帳に追加

圧電アクチュエータ１は、基板３と、基板３上に配置され、セラミック材料からなるダミー層５と、ダミー層５上に配置された第１の電極層７と、第１の電極層７上に配置され、セラミック材料からなる圧電層９と、圧電層９上に配置された第２の電極層１１と、を備えている。 - 特許庁

The substrate for solar cell comprises a base material 11, an electric insulation layer (first layer) 13 formed above the base material 11, and a softening layer (second layer) 12 arranged between the base material 11 and the insulation layer 13 wherein the softening temperature of the softening layer 12 is lower than those of the base material 11 and the insulation layer 13.例文帳に追加

基材１１と、基材１１上に積層された電気絶縁性の絶縁層（第１の層）１３と、基材１１と絶縁層１３との間に配置された軟化層（第２の層）１２とを含み、軟化層１２が軟化する温度が、基材１１および絶縁層１３が軟化する温度よりも低い。 - 特許庁

One storage unit has a mixed layer of an inorganic insulator and an organic compound on a first conductive layer, an insulating layer on the mixed layer of the inorganic insulator and the organic compound, and a second conductive layer on the insulating layer, and the film thickness of the mixed layer of the inorganic insulator and the organic compound is 4 nm or less.例文帳に追加

本発明の記憶装置の一は、第１の導電層上に無機絶縁物と有機化合物との混合層と、無機絶縁物と有機化合物との混合層上に絶縁層と、絶縁層上に第２の導電層とを有し、無機絶縁物と有機化合物との混合層の膜厚は４ｎｍ以下である。 - 特許庁

Further, a seed layer 5 coming in contact with a lower surface of the first intermediate layer 6a or the second intermediate layer 6b is provided at an upper surface side of the soft magnetic backlining layer 4, and a base layer 2 of at least one layer and a magnetic domain control layer 3 are laminated successively.例文帳に追加

さらに、軟磁性裏打層４の上面側に、第１の中間層６ａまたは第２の中間層６ｂの下面に接するシード層５を備えるようにし、非磁性基体１と軟磁性裏打層４の間に、少なくとも１層の下地層２と磁区制御層３とを順次積層して備えるようにした。 - 特許庁

The anode 12 is composed of a first catalyst layer 12a where the catalyst is supported, a magnetic layer 12b adjacent to the first catalyst layer 12a at the side of the electrolyte layer 11 where a magnetic body with an magnetic action is carried, and a second catalyst layer 12c adjacent to the side of the electrolyte layer 11 of the magnetic layer 12b.例文帳に追加

アノード極１２は、触媒が担持された第１触媒層１２ａと、第１触媒層１２ａと電解質層１１側で隣接し、磁気作用をもつ磁力体が担持された磁力層１２ｂと、磁力層１２ｂの電解質層１１側にさらに隣接する第２触媒層１２ｃとからなる。 - 特許庁

A method for manufacturing a wafer according to the present invention includes a step of providing a doped layer on a semiconductor substrate, a step of providing a first semiconductor layer on the doped layer, a step of providing an embedded oxide layer on the first semiconductor layer, and a step of providing a second semiconductor layer on the embedded oxide layer.例文帳に追加

本発明は、ウェーハを製造するための方法に関し、この方法は、半導体基板上にドープト層を設けるステップと、ドープト層上に第１の半導体層を設けるステップと、第１の半導体層上に埋込み酸化物層を設けるステップと、埋込み酸化物層上に第２の半導体層を設けるステップと、を備える。 - 特許庁

The first polyolefin resin layer 3 is extruded and laminated on the decorative layer 2 of the film while oxidizing the surface of the adhesion face with the film 1, of the resin layer 3, simultaneously, the glass nonwoven fabric layer is stuck, and the felt layer 6 is stuck to the glass nonwoven fabric layer 4 while extruding and laminating the second polyolefin resin layer 5.例文帳に追加

上記フィルム１の装飾層２上に、第１のポリオレフィン系樹脂層３を、該樹脂層３の該フィルム１との接着面を表面酸化処理しつつ、押出しラミネートし、同時にガラス不織布層４を貼着し、 該ガラス不織布層４上に、第２のポリオレフィン系樹脂層５を押出しラミネートしつつ、フェルト層６を貼着する - 特許庁

On the substrate 601, an AlN buffer layer 602, an undope GaN layer 603, an undope AlGaN layer 604, a first p-type AlGaN layer 605, a second p-type AlGaN layer 607, and a high density p-type GaN layer 608 are formed sequentially; and a gate electrode 611 carries out ohmic contact with the high density p-type GaN layer 608.例文帳に追加

基板６０１上にＡｌＮバッファ層６０２、アンドープＧａＮ層６０３、アンドープＡｌＧａＮ層６０４、第１のｐ型ＡｌＧａＮ層６０５、第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７、高濃度ｐ型ＧａＮ層６０８が順に形成され、ゲート電極６１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層６０８とオーミック接合する。 - 特許庁

This polyamide multi-layer film has at least five layers, out of which a first layer and a fifth layer contain a crystalline polyamide and an amorphous polyamide; a second layer and a fourth layer contains the crystalline polyamide and a polyamide copolymer; and a third layer contains a barrier layer.例文帳に追加

少なくとも５層を有するポリアミド系多層フィルムであって、第１層及び第５層が結晶性ポリアミドと非晶性ポリアミドとを含み、第２層及び第４層が結晶性ポリアミドとポリアミド共重合体とを含み、第３層がバリア層を含むことを特徴とする耐ピンホール性に優れたポリアミド系多層フィルム及びその製造方法。 - 特許庁

The ratio of an area where the outer surface of the second piezoelectric layer 5 is actually covered (the coverage of the second electrode 13 to the outer surface) is 68% or more, because of the second electrode 13 to an entire area wherein the second electrode 13 is formed on the outer surface of the second piezoelectric layer 5.例文帳に追加

第２の圧電体層５の外側面における第２の電極１３が形成された領域全体に対する第２の電極１３により第２の圧電体層５の外側面が実際に被覆されている領域の割合（外側面に対する第２の電極１３の被覆率）は、６８％以上である。 - 特許庁

The optical recording medium D is formed by sequentially layering a first recording layer 2, a second recording layer 6 and a second substrate 8 having a second recessed part 8L, a second projecting part 8G and a second prepit 8P on a first substrate 1 having a first recessed part 1L, a first projecting part 1G and a first prepit 1P formed thereon.例文帳に追加

光記録媒体Ｄは、第１の凹部１Ｌと第１の凸部１Ｇと第１のプリピット１Ｐとが形成されている第１基板１上に、第１記録層２と、第２記録層６と、第２の凹部８Ｌと第２の凸部８Ｇと第２のプリピット８Ｐとを有する第２基板８とを順次積層してなる。 - 特許庁

The second sealing layer 32 is filled between the first substrate 11 and the second substrate 21 ranging from the side periphery of the first sealing layer 31 to the protruded peripheral edge A, and it is provided only between the first substrate 11 and the second substrate 21.例文帳に追加

第２封止層３２は、第１封止層３１の側周から、凸条周縁Ａにわたって第１基板１１と第２基板２１との間に充填され、第１基板１１と第２基板２１との間にのみ設けられている。 - 特許庁

Fourth light p4 having an angle equal to or greater than the predetermined angle, of the second light p2, is incident at a critical angle or greater angle with respect to a second boundary layer 12, reflected on the second boundary layer 12, and then reflected on the reflection surface 2a of the collimator 2.例文帳に追加

第２の光ｐ２のうち、所定の角度以上の第４の光ｐ４は第２の境界層１２に対して臨界角以上で入射し、第２の境界層１２で反射しコリメータ２の反射面２ａで反射する。 - 特許庁

Laser light is projected to a rear surface side of the second substrate so that the adhesive resin layer of the second substrate is selectively heated, and the adhesive resin layer is cure so that an element which is to be transferred is bonded to the second substrate.例文帳に追加

第２の基板の裏面側からレーザ光を照射して第２の基板上の接着樹脂層を選択的に加熱し、当該接着樹脂層を硬化することにより転写対象となる素子を第２の基板に接着する。 - 特許庁

After that, the intermediate material 5 made of a polymer alloy containing a first resin having fusibility with the resin of the primer layer and a second resin having fusibility with a second member 3 is arranged between the primer layer 4 and the second member 3.例文帳に追加

その後、プライマー層の樹脂との融着性を有する第１樹脂と、第２部材３との融着性を有する第２樹脂とを含むポリマーアロイからなる中間材５を、プライマー層４と第２部材３との間に配置する。 - 特許庁