「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

By this arrangement, the self-excited oscillation circuit is not oscillated in other than a λ/2-mode or a λ-mode of the Rosen-type single layer piezoelectric transformer 110.例文帳に追加

これにより、ローゼン型単層圧電トランス１１０のλ／２モードまたはλモード以外では発振しないようにすることができる。 - 特許庁

The single insulator layer contains a capacitor node dielectrics above the capacitor conductor while a gate dielectrics above the channel region.例文帳に追加

この単一の絶縁体層は、キャパシタ導体の上方にキャパシタ・ノード誘電体を含み、チャネル領域の上方にゲート誘電体を含む。 - 特許庁

The front sheet 2 comprises a single sheet including spunbond layers on the front side and the back side, and a melt blown layer between the spunbond layers.例文帳に追加

表面シートは、表側及び裏側のスパンボンド層とこれらスパンボンド層同士間のメルトブローン層とを含む単一のシートからなる。 - 特許庁

A semiconductor device includes a capacitor having as its dielectric film a single-layer amorphous strontium titanate film containing a plurality of crystal grains therein.例文帳に追加

半導体装置は、内部に複数の結晶粒を含む単層のチタン酸ストロンチュウム非晶質膜を誘電体膜とするキャパシタを含む。 - 特許庁

The silicon single crystalline film 59 is carbonized by using a CVD system and a silicon carbide layer 63 is formed thereon by heteroepitaxial growth.例文帳に追加

ＣＶＤ装置を用いて、シリコン単結晶膜５９を炭化し、その上に、ヘテロエピタキシャル成長によりシリコンカーバイド層６３を形成する。 - 特許庁

This wire is composed of a metal-made core material and a resin coating material having a single layer and provided by covering a surface of the metal-made core material.例文帳に追加

金属製芯材と、この金属製芯材の表面を覆って設けられる単層の樹脂コーティング材によって構成する。 - 特許庁

To improve the surface positional accuracy of an etching side wall face by suppressing the side etching in the dry etching of a single crystal silicon layer.例文帳に追加

単結晶シリコン層のドライエッチングにおけるサイドエッチングを抑制してエッチング側壁面の面位置精度の向上を図れるようにする。 - 特許庁

The woody fiber sheet should preferably be made a medium fiber sheet or a hard fiber sheet, and further should preferably be a single layer.例文帳に追加

この木質繊維板は、好ましくは、中質繊維板又は硬質繊維板とすることが好ましく、更に、単層であることが望ましい。 - 特許庁

The band-pass filter 1 has a single conductor layer 377 for capacitors used for composing a plurality of capacitors for resonators.例文帳に追加

バンドパスフィルタ１は、複数の共振器用キャパシタを構成するために用いられる単一のキャパシタ用導体層３７７を備えている。 - 特許庁

As a means for forming a depletion layer in the n- silicon single crystal layers 5 and 11, the insulating embedded electrodes 7a-7e are used.例文帳に追加

ｎ^-シリコン単結晶層５、１１に空乏層を形成するため手段として、絶縁埋め込み電極７ａ〜７ｅを用いている。 - 特許庁

In a preferable form, the barrier layer is laminated or applied to a single-layered or multilayered film showing biodegradability.例文帳に追加

好適な形態では、前記バリヤー層を同様に生分解性を示す単層もしくは多層フィルムに積層させるか或はそれで被覆する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device that can control viewing angles by a single layer cell without providing a louver or a viewing angle control cell.例文帳に追加

ルーバーあるいは視角制御用セルを設けることなく、１層のセルで視角制御を行うことのできる液晶表示装置を得る。 - 特許庁

A silicon single crystal substrate 10 that a first epitaxial layer 11 is formed on one surface 10a is subject to a deposit removal process.例文帳に追加

一面１０ａ側に第一のエピタキシャル層１１を形成したシリコン単結晶基板１０は、次に、堆積物除去工程を行う。 - 特許庁

To provide a photoresist composition and a method which are suitable for depositing a very thick photoresist layer in a single coating process.例文帳に追加

１回のコーティングプロセスにおいて非常に厚いフォトレジスト層を堆積させるために好適なフォトレジスト組成物および方法が提供する。 - 特許庁

The waveguide layer 102 satisfies a multi mode condition to incident light, and light propagating in the ridge waveguide 103 has a single mode.例文帳に追加

導波層１０２は、入射光に対してマルチモード条件を満足し、リッジ導波路１０３を伝搬する光はシングルモードである。 - 特許庁

To provide a method of determining the thickness of one or more layers in a single or multi-layer structure on a substrate, using photoelectron spectroscopy.例文帳に追加

基板上の単層もしくは多層構造体における１以上の層の厚さを決定するために、光電子分光法を使用する。 - 特許庁

Namely, the buried gate electrode 20, the single-crystal silicon layer 22, and the surface gate electrode 24 are laid to overlap vertically.例文帳に追加

すなわち、埋め込みゲート電極２０、単結晶シリコン層２２、表面ゲート電極２４が上下方向で重なるようにされている。 - 特許庁

To form a (non-defect) III-V compound semiconductor layer in which dislocation is completely eliminated on a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板上に完全に転位をなくした（無欠陥の）III −Ｖ族化合物半導体層を形成することを目的とする。 - 特許庁

At a part covered with the ion shielding mask 300a, on the other hand, a thick 2nd single-crystal semiconductor layer 230 is formed.例文帳に追加

これに対して、イオン遮蔽用マスク３００ａで覆われていた部分では、厚い第２の単結晶半導体層２３０が形成される。 - 特許庁

As shown in Fig. 2A, a single crystalline silicon substrate 21 having a surface layer 22 subjected to heat treatment in a hydrogen-contained reducing atmosphere is prepared.例文帳に追加

図2Aに示すように、水素を含む還元性雰囲気中で熱処理された表層部22を有する単結晶シリコン基板21を用意する。 - 特許庁

The heating element array, the common electrodes 1-1 and 1-2, and the conductor patterns 61 and 62 are formed of a single layer on an insulating substrate.例文帳に追加

発熱体素子列、共通電極1-1及び1-2、そして導体パターン61及び62を絶縁基板上において単一層で形成する。 - 特許庁

In the present invention, a multilayer structure is partially realized by bending and folding back a single layer flexible wiring board 10.例文帳に追加

本発明では、単層のフレキシブル配線基板１０を曲折加工して折り返すことにより、部分的に多層構造を実現させている。 - 特許庁

The feed line layer allows for connection of a single transmission line to the antenna and for electromagnetically connecting the radiating layers to the transmission line.例文帳に追加

フィードライン層により、単一の送信線でアンテナへ接続でき、且つ第１及び第２放射層を、電磁的に送信線へ接続できる。 - 特許庁

When starting a single-sided double layer disk, the focusing control circuit performs focus search to determine the position to pull in the focus.例文帳に追加

片面二層ディスクの立ち上げ処理において、フォーカス制御回路によりフォーカスサーチが行われ、フォーカス引き込み位置が決定される。 - 特許庁

Since the light-shielding layer is formed in not only the region where a transistor device is to be formed (pixel region) but also in the region including the surrounding region, the quality of lamination interface is improved when an insulating layer is deposited on the light-shielding layer and flattened to laminate with a single crystal silicon layer.例文帳に追加

この遮光層は、トランジスタ素子形成領域（画素部）だけでなく、その周辺領域まで含めて形成されているため、遮光層上に堆積した絶縁体層を平坦化して単結晶シリコン層を貼り合わせる際に、貼り合わせ界面の品質を向上させることができる。 - 特許庁

The sheet is not only of a single-layer construction where the sheet contains the inorganic lamellar filler and PBT or its copolymer uniformly all over but also of a multiple-layer construction where a layer containing the filler and a layer containing PBT or its copolymer are combined.例文帳に追加

シートはシート全体に前記板状無機フィラーとＰＢＴ又はその共重合体とが均一に含有された単層構成に限らず、前記フィラーを含有する層と、ＰＢＴ又はその共重合体を含有する層とを組み合わせた複数層構成としてもよい。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is constituted by forming a single layer of photosensitive layer directly or via an intermediate layer on a conductive support, the photosensitive layer containing a polymer charge transporting substance having a specified polycarbonate structure, a charge generating substance and an acceptor compound (2,3-diphenyl indene compound).例文帳に追加

導電性支持体上に、直接または中間層を介して、特定のポリカーボネート構造を有する高分子電荷輸送物質と電荷発生物質とアクセプター性化合物（２，３−ジフェニルインデン化合物）を含有する単層の感光層を設けて電子写真感光体とする。 - 特許庁

In the single cell for the fuel cell, a solid electrolyte layer 9 is arranged in a groove or a hole providing an air electrode layer 5 and a fuel electrode layer 6 on a substrate 10, an electrochemical reaction fluid is formed in a solid electrolyte layer interface, and a conductive material 3 is inserted in the substrate 10.例文帳に追加

固体電解質層９を空気極層５及び燃料極層６を基板１０に設けた溝又は孔に配置して成り、該固体電解質層界面に電気化学的な反応場を形成し、基板１０に導電性材料３を貫入した燃料電池用単セルである。 - 特許庁

In a laminate wherein the vapor deposition thin film layer 2 comprising an inorganic oxide and the gas barrier film layer 3 are successively laminated on at least the single surface of a base material film 1, the component of the gas barrier film layer 3 is incorporated in the vapor deposition thin film layer 2 to impart flexibility.例文帳に追加

基材フイルム１の少なくとも片面に、無機酸化物からなる蒸着薄膜層２、ガスバリア性被膜層３を順次積層した積層体において、ガスバリア性被膜層３の成分を蒸着薄膜層２中に入り込ませることにより、可撓性を付与する。 - 特許庁

By using non-selective epitaxial growth, a polycrystalline silicon layer is formed on a field oxide film simultaneously to formation of a single crystal silicon layer on an active region, a source/drain region is formed on a polycrystalline silicon layer is formed on the field oxide film 3, and a source/drain region is formed on the polycrystalline silicon layer formed on the field oxide film 3.例文帳に追加

非選択エピタキシャル成長を用いることで、アクティブ領域上に単結晶シリコン層を形成するのと同時に、フィールド酸化膜３上に多結晶シリコン層を形成し、フィールド酸化膜３上に形成された多結晶シリコン層にソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is a CMOS comprising a DTMOS having a common substrate structure wherein the substrate part includes an Si substrate 41, a seed layer 44, a single crystal oxide film 45, a first SiGe layer 54, a second SiGe layer 55, and a strained Si layer 56 sequentially from below.例文帳に追加

半導体装置は、共通の基板構造を有するＤＴＭＯＳから構成されたＣＭＯＳであって、その基板部分は、下から順にＳｉ基板４１と、シード層４４と、単結晶酸化膜４５と、第１のＳｉＧｅ層５４と、第２のＳｉＧｅ層５５と、歪みＳｉ層５６とを有している。 - 特許庁

This seedling-raising pot is characterized by having (a) a layer comprising a composition A obtained by compounding fertilizers into a biodegradable resin and (b) a slowly degradable layer which comprises a composition B having a slower degradation rate than that of the composition A and is disposed on the outside of the layer (a), without having a single layer structure comprising only the composition A.例文帳に追加

育苗ポットを、生分解性樹脂に肥料が配合された組成物Ａのみからなる単層構成とはせずに、組成物Ａからなる層（ａ）の外側に、該組成物Ａよりも分解の遅い組成物Ｂからなる遅分解層（ｂ）を有する構成とする。 - 特許庁

The photovoltaic device (1) are arranged in a form of a single layer in parallel with each other, a conductive layer (7) is arranged between an n layer (6) and a p layer (5) which are continued in each cell (2), and thereby the plurality of photovoltaic cells (2) are electrically connected in series.例文帳に追加

この本発明の光起電デバイス（１）は、単層の形で、互いに平行に配置されており、導電層（７）が、各電池（２）の連続するｎ層（６）とｐ層（５）との間に配置されており、それによって複数の光電池（２）が直列に電気的に接続されている。 - 特許庁

Laminated layers formed of the first conductive material layer and the antiferromagnetic layer (or a single layer of the first conductive material layer) are selectively etched by using hard masks 40a, 40b constituted of insulating films as selecting masks, an isolating trenches 44 are formed, and TMR elements Ta-Tc corresponding to the magnetic tunnel junction part are obtained.例文帳に追加

第１の導電材層及び反強磁性層の積層（又は第１の導電材層の単層）に絶縁膜からなるハードマスク４０ａ，４０ｂを選択マスクとする選択エッチング処理を施して分離溝４４を形成し、磁気トンネル接合部に対応したＴＭＲ素子Ｔａ〜Ｔｃを得る。 - 特許庁

To do so, the level difference absorbing layer is formed around the entire circumference of the inner electrode layer in single-chip regions 43a-43d on at least one unit sheet, and in addition, at least one binder removal gas slit 45 is provided around the inner electrode layer on the level difference absorbing layer.例文帳に追加

その際、少なくとも一つの単位シートにおいて、段差吸収層を、一チップ領域４３ａ〜４３ｄでみて内部電極層の全周に形成し、且つ、その段差吸収層には、内部電極層の周囲に脱バイガススリット４５が少なくとも一つ設けられているようにする。 - 特許庁

Then a semiconductor layer 111 doped with a p-type impurity is formed in the base opening 110 by performing nonselective epitaxial growth so that the layer 111 may have a single-crystal structure 111a on a collector layer 102 and a polycrystalline structure 111b on the undoped polysilicon layer 109.例文帳に追加

ベース開口部１１０にはＰ型不純物がドープされた半導体層１１１を非選択的にエピタキシャル成長により形成し、半導体層１１１は、コレクタ層１０２上では単結晶構造部１１１ａが、アンドープポリシリコン層１０９上では多結晶構造部１１１ｂとする。 - 特許庁

An underlying layer 2 of the group III nitride containing at least Al is formed on a prescribed single crystal substrate 1, and a first semiconductor layer 3 of the group III nitride containing at least Al and a second semiconductor layer 12 are formed on the underlying layer 2.例文帳に追加

所定の単結晶基材１上に少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物からなる下地層２を形成するとともに、この下地層２上に形成された少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物からなる第１の半導体層３及び第２の半導体層１２を形成する。 - 特許庁

The metal oxide layer positioned as the uppermost layer of the antireflection film consisting of a single layer metal oxide layer or two or more metal oxide layers on the substrate is surface-treated with plasma discharge in a mixed gas atmosphere at a pressure close to the atmospheric pressure.例文帳に追加

基材上に、１層の金属酸化物層又は２層以上からなる金属酸化物層が積層された反射防止フィルムの最上層に位置する金属酸化物層に大気圧近傍の圧力下、混合ガス雰囲気中で放電プラズマによる表面処理が施こされた反射防止フィルム。 - 特許庁

To improve productivity by making a barrier layer thinner than conventional ones while preventing a tungsten film from peeling due to alteration of a titanium layer by forming the titanium film and then nitriding the entire titanium film to form a single titanium nitride film as the barrier layer in forming the barrier layer for embedding tungsten.例文帳に追加

タングステンを埋め込むときのバリア層を形成する際に，チタン膜を形成し，そのチタン膜をすべて窒化して単一の窒化チタン膜をバリア層として形成することで，チタン層の変質によるタングステン膜の剥離を防止しつつ，従来よりもバリア層を薄くして，生産性を向上させる。 - 特許庁

A gettering layer 3 made of silicon with either of combinations of oxygen, oxygen and carbon, oxygen and nitrogen, oxygen, carbon and nitrogen is formed right above the BOX layer 2, and an S layer 4 made of single crystal silicon is formed right above the gettering layer 3 to form semiconductor elements thereon.例文帳に追加

ＢＯＸ層２の直上に、酸素、酸素と炭素、酸素と窒素、酸素と炭素と窒素のいずれかの組み合わせを含むシリコンからなるゲッタリング層３が形成され、ゲッタリング層３の直上に、半導体素子を形成するための単結晶シリコンからなるＳ層４が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer is provided with a β-Ga_2O_3 substrate 1 consisting of β-Ga_2O_3 single crystal, the GaN layer 2 formed by applying nitriding on the surface of the β-Ga_2O_3 substrate 1, and GaN growth layer 3 formed by the MOCVD method on the GaN layer 2 through epitaxial growth.例文帳に追加

この半導体層は、β−Ｇａ_2Ｏ_3単結晶からなるβ−Ｇａ_2Ｏ_3基板１と、β−Ｇａ_2Ｏ_3基板１の表面に窒化処理を施して形成されたＧａＮ層２と、ＧａＮ層２にＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長して形成されたＧａＮ成長層３とを備える。 - 特許庁

The laminated polyester film for molding is constituted by laminating a resin layer (B-layer) with a quantity of heat of fusion of 20 J/g or less on at least the single surface of a polyester resin layer (A-layer) consisting of at least two kinds of glycol components selected from 2-4C glycol components and a dicarboxylic acid component.例文帳に追加

炭素数２〜４のグリコール成分から選ばれる少なくとも２種以上のグリコール成分とジカルボン酸成分とからなるポリエステル樹脂層（Ａ層）の少なくとも片面に、融解熱量２０Ｊ／ｇ以下の樹脂層（Ｂ層）を積層した成形用積層ポリエステルフィルム。 - 特許庁

For solving the problem that a nitride layer directly grown on the diamond substrate is made to be a polycrystal, the semiconductor laminated structure includes: the diamond substrate; a first layer containing Si provided on the diamond substrate; and a second layer composed of a single crystal nitride provided on the first layer.例文帳に追加

ダイヤモンド基板上に直接成長した窒化物層が多結晶となる上記課題を解決するため、本発明に係る半導体積層構造は、ダイヤモンド基板と、ダイヤモンド基板上の、Ｓｉを含む第１の層と、第１の層上の、単結晶窒化物で構成される第２の層とを備える。 - 特許庁

In the magnetic disk, a track for tracking consisting of magnetic patterns is formed in a single helical shape or in a concentric circle shape on the lower layer 30 of the recording layer 3a of this magnetic disk and a plurality of recording tracks 33 are formed corresponding to one track 31 for tracking on the upper layer 32 of the recording layer 3a.例文帳に追加

この磁気ディスク３の記録層３ａの下層３０には、磁気パターンからなるトラッキング用トラック３１が単一螺旋状あるいは同心円状に形成され、記録層３ａの上層３２には、一つのトラッキング用トラック３１に対応して複数の記録トラック３３が形成される。 - 特許庁

The battery pack is composed so that a hard laminate material 11a has a structure in which a metal layer composed of a hard metal having Vickers hardness of ≥30 is sandwiched between an outer face resin layer and an inner face resin layer; and the single colors, characters or patterns are printed on the inner face side of the outer face resin layer.例文帳に追加

この電池パックでは、硬質ラミネート材１１ａが、ビッカース硬度３０以上の硬質金属からなる金属層が外面樹脂層と内面樹脂層との間に挟まれた構造とされ、外面樹脂層の内面側に、単色、文字または模様が印刷されている。 - 特許庁