「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

Afterwards, when a single-crystal semiconductor thin film 20 is grown on the porous layer, a plurality of fine projecting structures 21 formed of crystal habits appearing on the surface with the same plane direction (100) as that of the single-crystal semiconductor substrate are formed on the surface of the single-crystal semiconductor thin film 20.例文帳に追加

その後、多孔質層の上に単結晶半導体薄膜２０を成長させると、その表面に、単結晶半導体基板と同一の（１００）面方位を有するとともに、表面に現れた結晶晶癖により形成された多数の微小な凸構造２１が形成される。 - 特許庁

In a first layer forming process (1) for epitaxially growing silicon on a single crystal silicon substrate 1, silicon is grown epitaxially while adding oxygen to such an extent as the single crystallinity of silicon is not collapsed by growing silicon epitaxially on the single crystal silicon substrate 1 in oxygen atmosphere.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシリコンをエピタキシャル成長させる第１層形成工程 において、単結晶シリコン基板１上に酸素雰囲気中でシリコンをエピタキシャル成長させることにより、シリコンの単結晶性を崩さない程度の酸素を含有させつつシリコンをエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Under reduced pressure, molecular beams are injected to the surface of the single crystal substrate at an incident angle of ≤40° to effect the epitaxy growth of a single crystal thin layer 8 on the surface of the single crystal substrate exposed at the opening 3.例文帳に追加

次いで、減圧下において、分子ビーム６−２を単結晶基板１の表面１Ａに対して４０°以下の入射角度で開口部３に入射させ、開口部３の前記露出した単結晶基板表面上に単結晶薄膜４を選択的にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

In the pneumatic tire including the reinforcement layer formed by pulling a plurality of single-line steel wires 10 into alignment and embedding them in rubber, each single-line steel wire 10 is given a twist around the axis thereof, and the wire surface twist angle θ with respect to the axial direction of the single-line steel wire 10 is 1-15°.例文帳に追加

複数本の単線スチールワイヤ１０を引き揃えてゴム中に埋設してなる補強層を備えた空気入りタイヤにおいて、各単線スチールワイヤ１０にその軸廻りに捩りを与え、該単線スチールワイヤ１０の軸方向に対するワイヤ表面捩り角θを１°〜１５°とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus for improving productivity by reducing substrate conveyance distance in a process for bonding a single-crystal semiconductor substrate to a support substrate to form a thin-film single-crystal semiconductor layer separated from the single-crystal semiconductor substrate on the support substrate, and improving yields by reducing dirt adhering onto the substrate during the process.例文帳に追加

単結晶半導体基板と支持基板とを貼り合わせ、単結晶半導体基板から剥離した薄膜の単結晶半導体層を支持基板に形成する工程において、基板搬送距離を短くし、生産性を向上させる製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride single crystal substrate having small crystal defect density and a large surface area from a gallium nitride single crystal layer laminated on the surface of silicon (Si) single crystal used as a substrate and having low dislocation density, excellent crystal quality and a large diameter and to provide the gallium nitride single crystal substrate manufactured by the same method.例文帳に追加

転位密度が低く結晶品質に優れ、且つ大口径の珪素（Ｓｉ）単結晶を基板として利用し、その表面上に積層した窒化ガリウム単結晶層から結晶欠陥密度の小さい大面積の窒化ガリウム単結晶基板を製造する方法とその方法により製造された窒化ガリウム単結晶基板を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a GaN single crystal substrate includes an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 made of hexagonal GaN on the GaN single crystal using the GaN single crystal as a seed crystal, and a cutting step of cutting the ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The innermost layer of the packaging material disposed on the photosensitive material side is formed with a blended resin comprising 50-98 pts.wt. single site type ethylene/α-olefin copolymer resin obtained by polymerization with a single site catalyst and 2-50 pts.wt. non-single site type ethylene resin obtained by the polymerization with a catalyst other than the single site catalyst.例文帳に追加

感光材料用包装材料の感光材料側に配置される最内層が、シングルサイト触媒で重合して得られたシングルサイト系エチレン・α−オレフィン共重合体樹脂５０〜９８重量部と、シングルサイト触媒以外の触媒で重合して得られた非シングルサイト系エチレン樹脂２〜５０重量部とからなるブレンド樹脂で形成されている。 - 特許庁

The production method of a silicon wafer comprises at least growing a silicon single crystal bar by Chokralski method, slicing the silicon single crystal bar to silicon single crystal substrates, and thereafter, implanting an element on the whole surface of the silicon single crystal substrate opposite to the surface thereof on which devices are formed, to form the strain layer.例文帳に追加

シリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶基板に加工した後、該シリコン単結晶基板の素子が形成される面とは反対の面の全面に元素の注入を行って歪み層を形成することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 特許庁

ESD protective elements are formed on a silicon substrate from which the single crystal silicon device forming layer and a buried oxide film on the SOI substrate are removed and the scribe region of a semiconductor integrated circuit has such a structure that the single crystal silicon device forming layer and the buried oxide film are removed.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子はＳＯＩ基板上の単結晶シリコンデバイス形成層及び埋め込み酸化膜の除去されたシリコン基板上に形成し、半導体集積回路のスクライブ領域は単結晶シリコンデバイス形成層及び埋め込み酸化膜を除去した構造とした。 - 特許庁

The semiconductor is constituted so that a 1 μm or more-thick β-SiC single crystalline thin film 5 is formed on an Si single crystalline substrate 2 by interposing a 3 to 20 nm-thick first SiC layer 3 containing amorphous and a 10 to 50 nm-thick second SiC layer 4 consisting of a number of β-SiC growth nucleuses one by one.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板２上にアモルファスを含む厚さ３〜２０ｎｍの第１ＳｉＣ層３及び多数のβ−ＳｉＣ成長核からなる厚さ１０〜５０ｎｍの第２ＳｉＣ層４を順に介在して厚さ１μｍ以上のβ−ＳｉＣ単結晶薄膜５が形成されている。 - 特許庁

A plurality of linear single layer films 103 formed of a high-refractive-index material 102 and being narrower than a wavelength of visible light are joined to a joining film 104 on a substrate 101 so that the single layer films are adjacently located at intervals narrower than the wavelength of visible light.例文帳に追加

高屈折率な材料１０２で形成された可視光の波長よりも幅の狭いライン状の単層膜１０３を複数備え、これらの単層膜を可視光の波長よりも狭い間隔で、隣り合って位置するように基板１０１上の接続膜１０４に接続された構成とする。 - 特許庁

A high-quality multifunctional substrate layer can prevent the deformation and decomposition of the lower seed substance layer at high temperature and in a hydrogen atmosphere, and has a single crystal that is a hexagonal structure or a polycrystalline structure to grow the good-quality single-crystal nitride-based semiconductor substrate.例文帳に追加

高品質の多機能性基板層は高温及び水素雰囲気で下部のシード物質層の変形と分解とを防止することができ、良質の単結晶窒化物系半導体基板を成長するために六方晶構造である単結晶または多結晶構造を有する。 - 特許庁

When there are two backing films having two or three single layers for completing the backing layer, the film intermediately colored by changing the color of the upper single layer, can be used without requiring further processing of a second backing film of not being absolute in a color.例文帳に追加

前記裏打層を完全にする２つもしくは３つの単層を備える２つの裏打フィルムがある場合、前記上部単層の色を変えることに起因する中間的に着色されたフィルムは、色が絶対的でない第２の裏打フィルムのさらなる加工の必要もなく利用できる。 - 特許庁

The manufacturing method of the huge single crystal represented by general formula [I] comprises forming two layers consisting of an upper layer of a solution of a metal salt of the organic carboxylic acid having a conjugated system and a lower layer of a solvent immiscible with the solution, and introducing vapor of a substituted pyrazine to form the single crystal at the interface.例文帳に追加

一般式[I]で示される巨大単結晶の製造方法であって、共役系を有する有機カルボン酸金属塩の溶液を上層とし、該溶液と混じり合わない溶媒を下層として２層を形成し、置換ピラジン蒸気を導入して界面に単結晶を生成させる。 - 特許庁

An organic electroluminescence element comprises at least an organic thin film 3 formed between an positive electrode 2 and an anode electrode 4, wherein the organic thin film 3 comprises a single host material layer and a plurality of different kinds of dopants which are doped to the single host material layer with a distribution in the film thickness direction.例文帳に追加

陽極２及び陰極４間に少なくとも有機薄膜３が形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、有機薄膜３は、単一のホスト材料層に対して互いに異なる複数種類のドーパントが膜厚方向に分布をもってドープされることにより構成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of new nitride single crystal substrate capable of making handling in process easier by suppressing generations of crack and bend caused by stress, in such a way that a supporting layer is provided by applying a hardenability substance having mobility and adhesive property on a nitride single crystal layer.例文帳に追加

流動性と接着性を有する硬化性物質を窒化物単結晶層上に塗布し支持層を提供することで応力によるクラック及び曲げ発生を抑制し、工程中の取り扱いをより容易にすることのできる新たな窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a process of selectively epitaxial-growing a single crystal Si strip on the surface of the sidewall of a single-crystal SiGe layer and the SiGe layer is attached to a support platform (generally, an insulator on a Si substrate) and the Si strip is also attached to the support platform.例文帳に追加

該方法は、単結晶ＳｉＧｅ層の側壁表面に単結晶Ｓｉストリップを選択的なエピタキシャル成長させる工程を含み、前記ＳｉＧｅ層は支持基板（一般にＳｉ基板上の絶縁体）に接着され、かつ前記Ｓｉストリップもまた支持基板に接着される。 - 特許庁

The blade material sheet 2 is obtained by laminating a single-layer sheet (0°)2a where carbon fibers are oriented in resin in the longitudinal direction X of the light shielding blade 11 and a single-layer sheet (90°)2b where carbon fibers are oriented in resin in a direction Y perpendicular to the longitudinal direction X.例文帳に追加

羽根素材シート２は、遮光羽根１１の長手方向Ｘに沿って炭素繊維が樹脂中に配列している単層シート（０°）２ａと、長手方向Ｘに直角なＹに沿って炭素繊維が樹脂中に配列している単層シート（９０°）２ｂとが積層されたものである。 - 特許庁

In a process of forming the single-crystal semiconductor layer bonded to the glass substrate by low-temperature heat treatment, before a bonding and separation process in which the single-crystal semiconductor layer is bonded to the glass substrate, the glass substrate is heated at a temperature higher than a heating temperature in heat treatment in the bonding and separation process.例文帳に追加

ガラス基板に低温の加熱処理により接合した単結晶半導体層を形成する工程において、単結晶半導体層を接合するガラス基板を接合剥離工程の前に、接合剥離工程における加熱処理の加熱温度よりも高い温度で加熱しておく。 - 特許庁

In the SOI substrate 10 on one principal side of a silicon single crystal 13 of which a silicon thin film layer 11 is provided via a silicon oxide film 12, a substrate warpage preventing layer 14 made of silicon is provided to the other principal side of the silicon single crystal 13.例文帳に追加

シリコン単結晶１３の一方の主面上にシリコン酸化膜１２を介してシリコン薄膜層１１を有するＳＯＩ基板１０において、前記シリコン単結晶１３の他方の主面上にシリコンからなる基板反り防止層１４が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor laser diode 10 employing a ZnO single crystal substrate 12 has an active layer 15 constituted of a nitride semiconductor containing In, and a semiconductor layer formed by being laminated in a laser element structure on the substrate surface of the ZnO single crystal substrate 12, and the end surface of a resonator is (1_100).例文帳に追加

半導体レーザダイオード１０は、ZnO単結晶基板１２を用いており、Inを含む窒化物半導体で構成された活性層１５を有し、ZnO単結晶基板１２の基板面上にレーザ素子構造に積層して形成された半導体層を備え、共振器端面が（１＿１００）になっている。 - 特許庁

A fibrous wadding material 1 having a conductive layer 3 on the single surface thereof and a skin material 2 comprising a raised fabric of which the single surface is formed into a raised surface 2c wherein conductive fibers 2a in the fabric are partially exposed are laminated so that the raised surface 2c comes into contact with the conductive layer 3.例文帳に追加

片面を導電層３とした繊維系のワディング材１と、片面を生地に混入されている導電性繊維２ａの一部が露出した起毛面２ｃとされている起毛ファブリック地よりなる表皮材２とをその起毛面２ｃが前記導電層３に接するようにして積層した。 - 特許庁

To provide a multilayer antireflection film with single layer film properties of MgF2 capable of both side processing using only a sputtering method in the case of processing a lens which needs multilayer antireflection film properties at one side and single layer film properties of MgF2 at the other side.例文帳に追加

一方の片面が多層反射防止膜特性、他の片面がＭｇＦ２の単層膜特性を必要とするレンズを加工する場合、スパッタ法のみを用いて両面加工が可能な、ＭｇＦ２の単層膜特性を有する多層反射防止膜を提供することにある。 - 特許庁

Thus, when forming a single crystal layer 2 by, for example, an HVPE method, the surface of the substrate 1 is etched with the atmosphere present in a reactive tube to suppress the degradation of the crystal quality of the surface, resulting in forming the single crystal layer 2 of high crystal quality.例文帳に追加

これにより、例えばＨＶＰＥ法により単結晶層２を形成する際に、反応管内に存在する雰囲気によって基板１の表面がエッチングされて、表面の結晶品質が劣化することを抑止できるので、結晶品質の良い単結晶層２を形成することができる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the epitaxial wafer, a silicon single crystal rod is grown by doping only carbon except a resistance-controlling dopant by a Czochralski method, after the silicon single crystal rod is sliced and processed into a silicon single crystal wafer, the silicon single crystal wafer is heat treated by using a rapid heating/rapid cooling (RTA) device, and then the epitaxial layer is formed on the single crystal wafer surface.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって、抵抗制御用ドーパントを除いては炭素のみをドープしてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置を用いて熱処理を行い、その後、該単結晶ウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.例文帳に追加

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁

To stably produce a laminated disk having a good stable tilt in the case of two layers on one face or single layers on both faces as well as a single layer on one face and to obtain an apparatus for producing the laminated disk.例文帳に追加

片面単層のみならず片面二層や両面単層でもチルトの良好で安定した貼り合わせディスクを安定して製造することができる貼り合わせディスクの製造方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

In a PD (photo diode) 12-2a, on the other hand, an absorption layer 12-2a-1 is able to receive light even not in single mode and the light need not to be guided to the PD by a single-mode waveguide as an optical waveguide.例文帳に追加

その一方でＰＤ１２−２ａで、吸収層１２−２ａ−１はシングルモードでなくとも受光可能であり、あえて光導波路としてシングルモード導波路によりＰＤに光を導く必要はない。 - 特許庁

A compound substrate 1 is equipped with a substrate 4 consisting of the silicon single crystal or the GaAs single crystal, a thin plate 2 of ≥0.1 μm and ≤25 μm thickness and a joining layer 3 to join the substrate 4 and the thin plate 2.例文帳に追加

複合基板１は、シリコン単結晶またはＧａＡｓ単結晶からなる基板４、厚さ０．１μｍ以上、２５μｍ以下の薄板２、および基板４と薄板２とを接合する接合層３を備えている。 - 特許庁

At least one matching layer (280) is attached to the single crystal composite (246), and dicing is performed within the cut grooves (242) to form separate acoustic laminated bodies (370) from the single crystal composite (246).例文帳に追加

単結晶複合体（２４６）に少なくとも１層の整合層（２８０）が取り付けられ、切り溝（２４２）内でのダイシングが達成されて、単結晶複合体（２４６）から別々の音響積層体（３７０）が形成される。 - 特許庁

As a substitute for this, or in addition to this, at least one side of the single semiconductor element has a dielectric layer(25), whereby short circuiting can be prevented, when the single semiconductor element is soldered to the carrier board.例文帳に追加

これの代わりにあるいはこれに加えて、単一半導体要素の少なくとも一つの側面が絶縁層（２５）を具備し、かくして単一半導体要素のキャリアボードへのはんだ付けに際して短絡が防止される。 - 特許庁

Master discs (10, 210) providing for respective single layers of data (12) are utilized, and each respective single layer of data (12) from the master discs (10, 210) are replicated onto the optical data storage discs (22, 220).例文帳に追加

それぞれに単一データ層（１２）を提供するマスターディスク（１０、２１０）を利用すると共に、マスターディスク（１０、２１０）からのそれぞれの各単一データ層（１２）が光学式データ記憶ディスク（２２、２２０）上に複製される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon single-crystal substrate of SOI structure through oxygen ion implantation which reduces defects of a silicon single-crystal part on the surface as much as possible, by forming a sound embedded oxide layer with a low dosage.例文帳に追加

低ドーズ量で健全な埋め込み酸化物層を形成させ、表面のシリコン単結晶部の欠陥をできるだけ少なくした、酸素イオン注入によるＳＯＩ構造のシリコン単結晶基板の製造方法。 - 特許庁

Since the end surface of the resonator is (1_100) plane, not only the ZnO single crystal substrate 12 but also the end surface of the semiconductor layer grown on the ZnO single crystal substrate can beautifully be split when the end surface is cleaved.例文帳に追加

共振器端面が（１＿１００）面になっているので、端面をへき開したときに、ZnO単結晶基板１２だけでなく、その上に成長させて形成した半導体層の端面も（１＿１００）面で綺麗に割れる。 - 特許庁

Heat generated in an integrated circuit formed in a single crystal silicon layer on an insulating film is transmitted to an end portion of the insulating film, and thereafter is dissipated into the single crystal silicon with a thick region where no insulating film is formed.例文帳に追加

絶縁膜上の単結晶シリコン層に形成された集積回路で発生した熱は、絶縁膜の端部まで伝わった後、絶縁膜が形成されていない領域の厚い単結晶シリコン中に放散される。 - 特許庁

To provide a method, with which a surface defect generated in an epitaxially grown crystal can be reduced, in a production method for compound single crystal for epitaxially growing a compound single crystal layer different from a substrate.例文帳に追加

基板とは異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、エピタキシャル成長させた結晶内に生じる面欠陥を低減し得る方法を提供すること。 - 特許庁

Since the diameter of the softened region is smaller than a single bit size, even when distortion is generated in the magnetic layer associated with plastic deformation of the softened region, normal recording remains in a part of the single bit, thereby causing no magnetic recording error.例文帳に追加

軟化領域の径が単ビットサイズより小さいので、軟化領域の塑性変形にともない磁気層に生ずる歪みがあっても、単ビットの一部に正常な記録が残るので磁気記録エラーとならない。 - 特許庁

In the method for repairing a surface defect which is an affected layer of the surface of a single crystal wafer used for a semiconductor, a MEMS and an optical lens, etc., the surface of the single crystal is irradiated with a pulse laser one time.例文帳に追加

半導体やＭＥＭＳや光学レンズに使用されている単結晶ウエハーの表面の加工変質層である表面欠陥の修復方法において、単結晶表面にパルスレーザーを１回照射する。 - 特許庁

As an intermediate layer, the SiC single crystal is grown at a growth temperature of 780 to 950°C until the thickness becomes 50 to 750 nm or the GaN single crystal is grown at a growth temperature of 400 to 600°C until the thickness becomes 50 to 500 nm.例文帳に追加

中間層としてＳｉＣ単結晶を成長温度７８０〜９５０℃で厚みが５０〜７５０ｎｍ、又はＧａＮ単結晶を成長温度４００〜６００℃で厚みが５０〜５００ｎｍになるまで成長させる。 - 特許庁

The optical waveguide 3 consists of an electro-optic single crystal film formed by a liquid phase epitaxial method or sol-gel method and the over clad layer 2a consists of an electro-optic single crystal film formed by the sol-gel method.例文帳に追加

光導波路３が液相エピタキシャル法またはゾル−ゲル法によって形成された電気光学単結晶膜からなり、オーバークラッド層２ａがゾル−ゲル法によって形成された電気光学単結晶膜からなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI (Silicon On Insulator) substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced even when a single crystal semiconductor substrate in which crystal defects exist is used.例文帳に追加

結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いたとしても単結晶半導体層の結晶欠陥が低減されたＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的の一とする。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer W has a silicon single crystal substrate 1 having the COP in the main surface 11 and a silicon epitaxial layer 2 grown in a vapor phase on the main surface 11 of the silicon single crystal substrate 1.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハＷは、主表面１１にＣＯＰを有するシリコン単結晶基板１と、該シリコン単結晶基板１の主表面１１に気相成長されたシリコンエピタキシャル層２とを備えている。 - 特許庁

A collector layer 102 is formed by ion-implanting (150) second conductivity first impurities to a semiconductor single crystal substrate 100 along a normal line direction on a principal surface of the semiconductor single crystal substrate 100.例文帳に追加

半導体単結晶基板１００の主面の法線方向に沿って半導体単結晶基板１００に第２導電型の第１不純物をイオン注入（１５０）することによりコレクタ層１０２を形成する。 - 特許庁

To provide a pure-metal or alloy plating layer having a biaxial texture and formed by electroplating on the surface of a metal substrate having single crystal or quasi-single crystal orientation and provide its manufacturing method.例文帳に追加

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属基板の表面に電気鍍金により形成された二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法の提供。 - 特許庁