「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic electroluminescent device includes a pair of electrodes including an anode and a cathode, and an array of pixels each including a single-layer or multi-layer organic layer provided between the pair of electrodes, a reflection layer contacting either the anode or the cathode, and an insulating layer 22 contacting either the anode or the cathode and defining an area S_nl of a light emitting region 21.例文帳に追加

陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に備えられている一層または複数層からなる有機層と、該陽極及び陰極のいずれかに接する反射層と、該陽極及び陰極のいずれかに接し発光領域２１の面積Ｓ_nlを規定する絶縁層２２と、を備えた画素を複数配置してなる。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁

A laminated substrate 100 obtained by laminating a first substrate 10 having a void-containing layer 2 (for example, a porous layer formed by anodization) on a main body substrate 1 and a layer containing no void 3 (for example, a single-crystal Si layer and insulating layer), and a second substrate 20 is housed in a sealed chamber and pressurized.例文帳に追加

本体基板１上に空洞含有層（例えば、陽極化成により形成された多孔質層）２を有し、その上に非空洞含有層（例えば、単結晶Ｓｉ層及び絶縁層）３を有する第１の基板１０と、第２の基板２０とを貼り合わせてなる貼り合わせ基板１００を密閉容器内に収容して圧力を印加する。 - 特許庁

In the semiconductor laser for oscillating laser light of a single vertical mode by a wavelength selected by an n-type distribution Bragg reflection layer 3, the reflection layer 3 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1 and provided with a waveguide including an active layer 5 formed on the surface of the reflection layer 3 and clad layers 4, 7 holding the active layer 5 between them.例文帳に追加

ｎ型分布ブラッグ反射層３により選択された波長で単一縦モードのレーザ光発振を行う半導体レーザであって、ｎ型分布ブラッグ反射層３は半導体基板上１に形成され、ｎ型分布ブラッグ反射層３上に形成された活性層５と、活性層５を挟むクラッド層４、７とを含む導波路を備えている。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having an active layer 3 including a strained quantum well layer 2, and a clad layer 4 for confining light and a carrier formed on a semiconductor substrate 1, the thickness of the strained quantum well layer 2 is larger than a critical film thickness h_c when a single layer film is grown on a substrate of an infinite thickness.例文帳に追加

半導体基板１上に、歪み量子井戸層２を含む活性層３と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層４とが形成されている半導体発光素子において、前記歪み量子井戸層２の厚さは、無限大の厚さの基板上に単層膜を成長するとした場合の臨界膜厚ｈ_ｃよりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁

The endless belt for electrophotographic equipment comprises a single layer comprising only a base layer 1 or 2-4 layers including the base layer 1 and a surface layer 2, wherein the base layer 1 of the endless belt for electrophotographic equipment is formed in a sea-island structure obtained by microscopically dispersing an island phase comprising a polysiloxane compound in a sea phase comprising a polyamidoimide resin or a polyimide resin.例文帳に追加

基層１のみからなる単層，もしくは基層１および表層２を含む２〜４層の電子写真機器用無端ベルトであって、上記電子写真機器用無端ベルトの基層１が、ポリアミドイミド樹脂またはポリイミド樹脂からなる海相中に、ポリシロキサン化合物からなる島相がミクロ分散してなる海−島構造に形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetic detecting element comprises the steps of laminating a ferromagnetic layer 19 and a second antiferromagnetic layer 20 on the nonmagnetic layer 18 formed in a predetermined thickness, then digging out the layer 20 to form a recess 22, and thereby forming the magnetic detecting element in which the free magnetic layer 17 can be surely formed in a single domain in the track width direction.例文帳に追加

一定の厚さで形成されている非磁性層１８上に、強磁性層１９及び第２反強磁性層２０を積層した後、第２反強磁性層２０を掘り込んで凹部２２を形成することによって、フリー磁性層１７をトラック幅方向に確実に単磁区化できる磁気検出素子を形成することができる。 - 特許庁

Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the photo cathode formed by forming alkali metal or a coating layer made of oxides or the like on a light absorbing layer made up of semiconductor crystal, a plurality of single wavelength lights different from one another in peak wavelength are alternately irradiated during formation of the coating layer, and the forming modes of the coating layer are controlled respectively based on discharge currents by light radiation from the respective single wavelength lights.例文帳に追加

半導体結晶からなる光吸収層上に、アルカリ金属又はこれらの酸化物などからなる被覆層を形成してなるフォトカソードの製造方法において、前記被覆層の形成中に、ピーク波長が互いに異なる複数の単波長光を交互に照射し、各単波長光からの光照射による放出電流にそれぞれ基づいて、前記被覆層の形成態様を制御するようにした。 - 特許庁

This device 1 is provided with a transparent substrate 2, a transparent front electrode layer 3 formed on the transparent substrate 2, a non-single-crystal silicon photoelectric transfer unit 4 formed on the electrode 3, a silver base rear electrode layer 5 formed on the a non-single-crystal silicon photoelectric transfer unit 4, and a rear electrode protective layer 6 formed on the silver base rear electrode layer 5.例文帳に追加

薄膜光電変換装置１は、透明基板２と、この透明基板２上に形成された透明前面電極層３と、この透明電極層３上に形成された非単結晶シリコン系光電変換ユニット４と、この非単結晶シリコン系光電変換ユニット４上に形成された銀系裏面電極層５と、銀系裏面電極層５上に形成された裏面電極保護層６とを具備する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a polyamide based simultaneously biaxially oriented laminated film wherein the central part in the film width direction has the double layer structure and both end parts have a single layer structure, a cooling speed of the single layer part is made slower than that of the double layer part in a process wherein a polymer discharged from a die lip is bonded onto a cooling roll to make a film by quenching.例文帳に追加

フィルム巾方向の中央部が複層構造であり、両端部が単層構造であるポリアミド系同時２軸延伸積層フィルムを製造する方法において、ダイリップから吐出されたポリマを冷却ロール上に密着させて急冷製膜させる工程で、単層部の冷却速度を複層部のそれよりも遅くすることを特徴とするポリアミド系同時２軸延伸積層フィルムの製造方法。 - 特許庁

A damage layer 12 is formed at a position of desired depth to implant hydrogen ions toward a surface of the single crystal SiC substrate 11, then the single crystal SiC substrate 11 in which the damage layer 12 is formed, and fine powder 13 of SiC is heated and compressed to form a sintered body 1 and integrate the sintered body 1 with the single crystal SiC substrate 11.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ基板１１の表面に対して水素イオンを注入して所定深さの位置にダメージ層１２を形成したのち、ダメージ層１２を形成しておいた単結晶ＳｉＣ基板１１とＳｉＣの微細粉末１３を加熱加圧することで、焼結体１を形成すると共に、焼結体１を単結晶ＳｉＣ基板１１に一体化させる。 - 特許庁

The elastic wave element is provided with a piezoelectric single crystal substrate 5, a first conductivity type semiconductor layer 3 provided on the piezoelectric single crystal substrate 5 and a plurality of linear second conductivity type semiconductor regions 4a and 4c arrayed in a prescribed cycle in a prescribed direction on the surface facing the piezoelectric single crystal substrate 5 of the first conductivity type semiconductor layer 3.例文帳に追加

圧電単結晶基板５と、この圧電単結晶基板５上に設けられた第１導電型半導体層３と、この第１導電型半導体層３の圧電単結晶基板５に対向する面に所定の方向に所定の周期で配列して設けられた複数の線状の第２導電型半導体領域４ａ、４ｃとを具備することを特徴とする弾性波素子。 - 特許庁

A method of producing a component including a single crystal substrate, on which at least one single crystal layer is deposited, includes one or several step/steps on deposition of a single crystal layer by powdering a metal or a semiconductor in gas plasma wherein deposition speed of an atom is slow compared with homogenization speed of such an atom in the step.例文帳に追加

本発明は、少なくとも１つの単結晶層が堆積された単結晶基板を含む構成要素の製作方法に関し、この方法は、気体プラズマ内の金属または半導体の粉末化による単結晶層の堆積に関する１つまたはいくつかのステップを含み、原子堆積の速度が、ステップ自体の中では、かかる原子の均質化速度より遅いことを特徴とする。 - 特許庁

Further, this semiconductor lamination can be manufactured by the manufacturing method comprising the steps of forming the lamination of the SiC single crystal substrate and the graphite layer, by evaporating the Si in at least the uppermost surface of a predetermined surface of the SiC single crystal substrate, and hetero-epitaxially growing the hexagonal boron nitride single crystal film on the graphite layer.例文帳に追加

また、この半導体積層構造は、ＳｉＣ単結晶基板の所定の面の、少なくとも最表面のＳｉを蒸発させて、前記ＳｉＣ単結晶基板とグラファイト層との積層を形成する工程と、前記グラファイト層上に六方晶窒化ホウ素単結晶膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程とを有する製造方法により製造することができる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the epitaxial silicon single crystal wafer, a silicon single crystal rod is grown using a silicon polycrystalline material which contains isotope^28Si by 92.3% or above at least by the Czochralski pulled method, and the silicon single crystal rod is sliced into silicon single crystal wafers and then an epitaxial layer is formed on the silicon single crystal wafers.例文帳に追加

エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法により、同位体^２８Ｓｉの含有率が９２．３％以上のシリコン多結晶原料を用いてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工し、該シリコン単結晶ウェーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ。 - 特許庁

The single-crystalline substrate 1 containing another impurity doped therein at a measurement target temperature included in the above temperature range is thermally treated, and then a sheet resistance of the impurity doped layer 11 of the silicon single-crystalline substrate 1 is measured.例文帳に追加

上記温度範囲に属する測定対象の温度で他の上記不純物を導入したシリコン単結晶基板１を熱処理した後、当該シリコン単結晶基板１の不純物導入層１１のシート抵抗を測定する。 - 特許庁

The steel electric component is structured so that a plating layer of single component of Ni or Cr not containing P substantially and having a thickness of 5-20 μm is formed on the surface, and the metal structure of the parent material is made substantially a ferrite single phase structure.例文帳に追加

厚さが５〜２０μｍであるＰ（りん）を実質的に含まないＮｉまたはＣｒの単一成分めっき層を表面に形成し、かつ母材の金属組織が実質的にフェライト単相組織となるようにする。 - 特許庁

A single particle layer having fine particles bonded thereto in a single particle state is provided to the region, where a hydrophilic graft polymer chain is present, on a support having a surface on which the hydrophilic graft polymer chain is present patternwise.例文帳に追加

親水性グラフトポリマー鎖がパターン状に存在する表面を有する支持体上の該親水性グラフトポリマー鎖の存在する領域に、微粒子を単粒子状態で付着させた単粒子層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The air-core coil 1a is constructed in a manner such that a conductor 11, whose single conductor 12 of the maximum diameter d1 is provided with an insulating cover 13, is wound in a flat spiral single layer of an air-coil so that the adjacent conductor 11 are closed each other.例文帳に追加

最大径がｄ１の単導線１２に絶縁被覆１３を施して導線１１を平板空芯単層渦巻き状で、隣接する導線１１同士が密接するように巻回して空芯コイル１ａを構成する。 - 特許庁

Scrubbing washing is carried out while an alkali solution which does not contain an oxidant is added to a silicon single crystal substrate, and the vapor growth of a silicon epitaxial layer is carried out on the main surface of the silicon single crystal substrate in a reaction container.例文帳に追加

シリコン単結晶基板に酸化剤を含有しないアルカリ溶液を添加しながらスクラビング洗浄を施し、その後、反応容器内でシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 - 特許庁

The photoabsorption layer is made of a single metal film or an alloy film and preferably an Ag single film or an Ag alloy film having its film thickness d lying within the range indicated by an inequality: 12 nm≤d≤24 nm.例文帳に追加

前記光吸収層は、金属単体膜又は合金膜からなり、好ましくは、Ａｇ単体膜又はＡｇ合金膜からなり、その光吸収層の膜厚ｄが、次の式 １２ｎｍ≦ｄ≦２４ｎｍ で示される範囲にある。 - 特許庁

To provide an effective method for polishing the surface of a silicon carbide single crystal wafer capable of finish polishing (polishing) by removing a work-affected layer from the surface of the chemically stable silicon carbide single crystal wafer roughly polished (lapped) to provide a high quality surface.例文帳に追加

本発明は、荒研磨(ラップ)した化学的に安定な炭化珪素単結晶ウェハ表面から加工変質層を除去して仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、高品質な表面を得る効果的な方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a single component urethane adhesive composition forming a cured film having excellent flexibility and content resistance; a method for producing the composition; and an assembly produced by using the single component adhesive composition as an adhesive layer.例文帳に追加

可撓性、耐内容物性に優れた硬化皮膜を形成する一液型ウレタン系接着剤組成物及びその製造方法並びに該一液型接着剤組成物を接着層として構成された構成体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer which enables suitably the vapor growth of a silicon epitaxial layer having resistivity higher than a silicon single-crystal substrate on the main surface of the silicon single-crystal substrate, while restraining autodoping.例文帳に追加

オートドープを抑制しながら、シリコン単結晶基板の主表面上に、該シリコン単結晶基板よりも高抵抗率のシリコンエピタキシャル層を好適に気相成長することを可能とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a conductive paste which has a high conductivity and can form a conductive pattern of a single layer structure colored in sufficiently deep black color.例文帳に追加

高い導電性を有し、しかも十分に濃い黒色に着色された単層構造の導電パターンを形成できる導電性ペーストを提供する。 - 特許庁

To provide a CPP structure magnetoresistive effect device capable of satisfactorily realizing single magnetic domain in a free magnetic layer without causing a further finer structure.例文帳に追加

一層の微細化を伴わずに十分に自由側磁性層の単磁区化を実現することができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

Since these two parts of the airbag comprise only a single layer material 18, the two parts of the airbag are expanded outside the cover in front of the residual parts of the airbag.例文帳に追加

エアバッグの２つの部分は単層材料１８のみを含むので、エアバッグの残留部分の前で、エアバッグの２つの部分がカバーの外側へ展開される。 - 特許庁

One end of the columnar diamond single crystal 10 is polished to form a smooth flat surface 11, and a ceramic layer 12 is formed on the smooth flat surface 11.例文帳に追加

柱状ダイヤモンド単結晶１０片端を研磨して滑らかな平面１１を形成し、滑らかな平面１１上にセラミック層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive nanostructure thin film having a single layer structure including a porous structure with a gradient refractive index, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

勾配型屈折率を備えた多孔質を含む単層構造をした透明導電性のナノ構造薄膜とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Another pair of windings 8 and 9 are wound around the wound paired windings 6 and 7 by normal winding in a single layer, comprising a second common mode choke coil 11.例文帳に追加

残る一対の巻線８，９は、巻回された一対の巻線６，７上に単層整列巻きされ、第２のコモンモードチョークコイル素子１１を構成している。 - 特許庁

Then, the temperature of the single crystal substrate is decreased from 1,070 to 700°C and a surface protective film 20 is formed by a thermal CVD method without exposing the carrier injection layer to the ambient air.例文帳に追加

次に単結晶基板の温度を1,070℃から700℃まで降下させ、キャリア注入層を大気に触れさせないで表面保護膜20を熱CVD法で形成する。 - 特許庁

To provide a positive charge type single layer photoreceptor having high sensitivity, excellent in charge stability and free of occurrence of abnormal images such as a residual image even after repeated use.例文帳に追加

高感度であり且つ帯電安定性に優れ、繰り返し使用しても残像などの異常画像の生じない正帯電型単層感光体を提供する。 - 特許庁

To prevent DC voltage components from being applied to a liquid crystal layer due to imbalance of liquid crystal application voltage being generated in only a single direction, in the long term.例文帳に追加

液晶印加電圧のアンバランスが長期的に単一方向にだけ発生して液晶層に直流電圧成分が印加されることを解消する。 - 特許庁

To form a coating layer for protecting a coating by using only a single coating agent and simplify the formation work.例文帳に追加

塗装を保護するコーティング層を、一種類のコーティング剤のみで形成できるようにするとともに、その形成処理作業を簡単化できるようにすること。 - 特許庁

To provide a drive circuit and a liquid crystal display of which the manufacturing processes are simplified by forming wiring on a glass substrate into a single layer structure.例文帳に追加

ガラス基板上の配線を単層構造にして、製造工程を簡略化することができる駆動回路及び液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

A single tin layer 74 is applied on a conductor circuit 158 and a via 160, on which a conductive connection pin 98 is mounted through a conductive bonding agent 95.例文帳に追加

導体回路１５８、ビア１６０上に単層のスズ層７４を施し、導電性接着剤９５を介在させて導電性接続ピン９８を取り付ける。 - 特許庁

The first flexible printed board 5 has such a structure that two layers of conductors are laminated, while the second flexible printed board 6 has a single-layer conductor structure.例文帳に追加

第１のフレキシブルプリント基板５を、２層の導体を積層する構造とする一方、第２のフレキシブルプリント基板６を、単層の導体構造とする。 - 特許庁

To provide a single layer photoreceptor in which the change of characteristics is reduced even if being repeatedly used at high sensitivity, and abnormal images such as scumming and image retention are not generated.例文帳に追加

高感度で繰り返し使用しても特性変化が少なく、地汚れや残像などの異常画像が発生しない単層感光体を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon carbide single crystal in which a structural defect arises owing to the reduction in airtightness of an adhesive layer is suppressed.例文帳に追加

接着層の気密性の低下が原因で生じる構造欠陥の発生を抑制する炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A common piezoelectric thin-film layer, which may or may not be patterned, is formed as a thin film continuous as a single or not continuous.例文帳に追加

パターン化される事もされない事もある１つの共通圧電薄膜層は、１つの連続する又は連続しない薄膜にて形成される製造方法である。 - 特許庁

To provide a single crystal NiSi_2 film on a silicon layer of a (100) face without forming a silicide facet along a (111) face in an Si substrate.例文帳に追加

（１１１）面に沿ってＳｉ基板中にシリサイドのファセットを形成することなく、（１００）面のＳｉ上に単結晶のＮｉＳｉ_2を提供すること。 - 特許庁

The coefficient of friction between the back layer 16 are the thermal head 11 is A<0.13 when the maximum value-the minimum value in a single line period is given as A.例文帳に追加

背面層１６とサーマルヘッド１１との間の摩擦係数について、１ライン周期中の最大値−最小値をＡとした場合、Ａ＜０．１３となっている。 - 特許庁

To provide a laminated film desirably having high gas barrier properties by a single layer without forming a laminate comprising at least four layers on a resin film base material.例文帳に追加

樹脂フィルム基材上に４層以上の積層体を形成することなく、望ましくは単層で高ガスバリア性を有する積層フィルムを提供する。 - 特許庁

To improve holding power of diamond abrasive grains on a metal bonded grinding wheel constituted by brazing diamond abrasive grains arranged in a single-layer form on a metal base.例文帳に追加

金属基板上に単層状に配置したダイヤモンド砥粒を鑞付してなるメタルボンド砥石において、ダイヤモンド砥粒の保持力を向上させる。 - 特許庁