「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an optical disk wherein satisfactory ROM capacity is secured, a RAM function capable of performing recording is added and reproduction compatibility with a single-sided two layer DVD is secured.例文帳に追加

十分なＲＯＭ容量を確保すると同時に追記記録可能なＲＡＭ機能を付加し、更に片面２層ＤＶＤとの再生互換を確保する。 - 特許庁

To surely measure all colors of each colored layer in line by a single operation in an optional manufacturing process of a liquid crystal color filter.例文帳に追加

液晶カラーフィルタの任意の製造工程において、各着色層の色をインラインで、１回の操作により確実に全色を測定できるようにする。 - 特許庁

To realize a high-performance semiconductor device by providing a semiconductor film, having crystal properties that can practically be regarded as the single-crystal and assembling the circuit with a TFT, wherein the semiconductor film such as this is the active layer.例文帳に追加

電気特性の優れたＴＦＴを作製し、そのＴＦＴで回路を組むことによって高性能な半導体装置を実現する。 - 特許庁

A cluster-contained layer 10 containing nitrogen is formed on the single crystal semiconductor substrate 1 to remove impurities effectively.例文帳に追加

単結晶半導体基板１中には、窒素を含むクラスター含有層１０が形成され、クラスター含有層１０が不純物を取り除く効果を有している。 - 特許庁

A compound semiconductor element, having a nitride-based compound semiconductor layer formed on an Al_xGa_1-xN (0<x≤1) single crystal substrate, is manufactured.例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）単結晶基板上に形成された窒化物系化合物半導体層を有する化合物半導体素子を製造する。 - 特許庁

The semiconductor layer includes a single carbon nanotube film, the carbon nanotubes of the carbon nanotube film are connected end-to-end, and arranged in the same direction.例文帳に追加

前記半導体層が一枚のカーボンナノチューブフィルムを含み、該カーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブが端と端で接続され、同じ方向に沿って配列される。 - 特許庁

The strip-like single-layer graphite thin film 3 having a specific edge structure is formed by cleaving a nanotube by using oxygen atoms 2.例文帳に追加

酸素原子２を用いてカーボンナノチューブを劈開させることにより、特定の端構造を有する短冊状の単層グラファイト薄膜３を形成する。 - 特許庁

This seed material 12 for liquid phase epitaxial growth of single crystal silicon carbide has a surface layer including polycrystalline silicon carbide having a crystal polymorph of 3C.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。 - 特許庁

The protrusion 5 is a single resin layer formed by using a negative resist containing an alkali soluble resin, a photopolymerization initiator and a photo-polymerizable monomer as main components.例文帳に追加

突起５がアルカリ可溶性樹脂、光重合開始剤、光重合性モノマーを主成分とするネガ型レジストを用いて形成された単一樹脂層であること。 - 特許庁

This lapping ball for single-crystal silicon has sphericity of 0.08 μm or less and a residual stress layer being set to 5 μm or less on one side of the directions of positive and negative depths.例文帳に追加

この単結晶シリコンのラッピング球は、真球度が０．０８μｍ以下で、残留応力層が正負の深さ方向の片側で５μｍ以下とする。 - 特許庁

A light transmittance of a single layer 4 is in a range of 80 to 95% in a range of 700 to 1,100 nm of a wavelength.例文帳に追加

この中間層４の単膜での光透過率が波長７００ｎｍ乃至１１００ｎｍの領域で８０％乃至９５％の範囲内にある。 - 特許庁

The single-layer propulsion coils 10A and 10D, 10B and 10E, 10C and 10F are connected each other using a connection cable 12 inside the epoxy resin 11.例文帳に追加

単層推進コイル１０Ａと１０Ｄ、１０Ｂと１０Ｅ、及び１０Ｃと１０Ｆはエポキシ樹脂１１の内部で接続ケーブル１２でそれぞれ接続されている。 - 特許庁

The acrylic resin film used herein is colored to a degree capable of concealing the color of the substrate recovered resin and may have a single-layer or multilayer structure.例文帳に追加

ここで使用されるアクリル系樹脂フィルムは、下地回収樹脂の色遮蔽が可能な程度に着色されたものであり、単層でも多層でもよい。 - 特許庁

To provide a non-single crystal germanium thin film transistor including a gate insulating film which can reduce interface level density between an active layer and a gate insulating film.例文帳に追加

活性層とゲート絶縁膜との界面準位密度を低減し得るゲート絶縁膜を有する非単結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

(b): A trench 16 is made on the single crystalline silicon layer 11C of an SOI substrate 11 by anisotropic dry etching using a silicon oxide film 14 as a mask.例文帳に追加

（ｂ）ＳＯＩ基板１１の単結晶シリコン層１１Ｃ上に、酸化シリコン膜１４をマスクとした異方性ドライエッチングによりトレンチ１６を形成する。 - 特許庁

This non-SOI region can comprise a bulk silicon extending through all insulator layers of the single stack and having a thickness different from that of a first silicon layer.例文帳に追加

この非ＳＯＩ領域は、単一スタックのすべての絶縁体層を貫通して延び、かつ、第１シリコン層と異なる厚さを有するバルク・シリコンを含み得る。 - 特許庁

A single-sided copper-clad laminate base 10 formed with a conductive layer 12 is formed by stacking copper foil on an insulation board 11 formed of polyimide film or the like.例文帳に追加

ポリイミドフィルム等からなる絶縁基板１１に銅箔を積層して導体層１２を形成した片面銅貼り積層基板１０を形成する。 - 特許庁

The structure of the carbon composite is a porous structure in which small holes with larger diameter than that of an activated carbon are distributed among the single layer carbon nano-horn aggregation.例文帳に追加

炭素複合体の構造は、単層カーボンナノホーン集合体間に、活性炭の細孔よりも大きな径の細孔が存在する多孔質構造である。 - 特許庁

In addition, the energy density of a laser beam with which the best crystallinity of the single crystal semiconductor layer is obtained is detected by a microwave photoconductivity decay method.例文帳に追加

また、単結晶半導体層の結晶性を最良とするレーザ光のエネルギー密度をマイクロ波光導電減衰法によって検出する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device capable of obtaining a compound semiconductor layer with a desired composition ratio, using a single source precursor.例文帳に追加

単一源前駆体を用いて所望の組成比の化合物半導体層を得ることが可能な光電変換装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING WAFER INCLUDING SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING FRONT SIDE AND BACK SIDE AND LAYER OF SIGE DEPOSITED ON THE FRONT SIDE例文帳に追加

おもて面と裏面とを有するシリコン単結晶基板及び前記おもて面上に堆積されたＳｉＧｅの層を含んでなるウェーハを製造する方法 - 特許庁

To provide a reflection preventing film having satisfactory reflection preventing performance with a single layer construction and having excellent adhesiveness and scratch resistance and high productivity.例文帳に追加

単層構成で十分な反射防止性能を有し、かつ密着性及び耐擦傷性に優れた生産性の高い反射防止フィルムを提供する。 - 特許庁

The single layer of grid material wherein the floating grid is formed extends integrally above the active semiconductor area without overlapping part of the isolation region.例文帳に追加

フローティング・グリッドをその内部に形成するグリッド材レイヤは、分離領域と重なる部分を有することなく、能動領域の上に一体として延伸する。 - 特許庁

A UV-curable resin necessary for forming a resin layer 41 is supplied to the die face 341 of a die, and a single lens 40 is arranged on an upper plate.例文帳に追加

樹脂層４１を形成するために必要な紫外線硬化樹脂が金型の型面３４１に供給され、単レンズ４０が上部プレートに配置される。 - 特許庁

To provide a production method of a semiconductor composite device, wherein a high-quality nitride single crystal semiconductor layer having good flatness is joined to the surface of a second substrate.例文帳に追加

平坦性のよい高品質な窒化物単結晶半導体層を第2の基板の表面に接合した半導体複合装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the silicon carbide single crystal substrate 1, an n-type epitaxial layer 2 made of silicon carbide and a p-type semiconductor region 3 made of silicon carbide are stacked.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板１の上に、炭化珪素よりなるｎ型エピタキシャル層２および炭化珪素よりなるｐ型半導体領域３を積層する。 - 特許庁

A silicon carbide single crystal having no process modified layer in the growth face side opposing to the sublimation source material 40 is used as the seed crystal 50.例文帳に追加

種結晶５０として、昇華用原料４０に略対向する成長面側に加工変質層を有しない炭化ケイ素単結晶を用いる。 - 特許庁

A plurality of transfer electrodes 31 are formed so as to be lined with a gap therebetween in a vertical direction y by processing a single conductive material layer 313.例文帳に追加

複数の転送電極３１が間を隔てて垂直方向ｙに並ぶように単一の導電材料層３１３を加工して形成する。 - 特許庁

A memory cell transistor 14a has a first gate electrode, which is provided on the single-crystal silicon layer in the first region.例文帳に追加

メモリセルトランジスタ１４ａは、第１のゲート電極を有し、この第１のゲート電極が第１の領域の単結晶シリコン層上に設けられている。 - 特許庁

To provide a boride single crystal containing ZrB_2 or TiB_2, a method for producing the same, and a semiconductor-layer-growing substrate utilizing the same.例文帳に追加

ＺｒＢ_２又はＴｉＢ_２を含むホウ化物単結晶とその製造方法および、その単結晶を利用した半導体層成長用基板を提供する。 - 特許庁

In the surface treatment method, the damaged layer-thickness ratio (DLa/DLb) of both surfaces of the gallium nitride single crystal substrate 110 is 0.99 to 1.01.例文帳に追加

この表面加工方法において、窒化ガリウム単結晶基板１１０の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）は０．９９〜１．０１である。 - 特許庁

The obtained initial weight and weight after heating are compared, and a content ratio of the single layer carbon nanotube is determined from a weight decrease after heating.例文帳に追加

得られた初期重量と加熱後の重量を比較して、加熱後の重量の減少量から単層カーボンナノチューブの含有率を判定する。 - 特許庁

Deletion of data from the learning data storage section 6 is repeated until all neurons of an output layer in the neural network 1 are classified into a single category.例文帳に追加

ニューラルネット１における出力層のすべてのニューロンが単一のカテゴリに分類されるまで学習データ記憶部６からのデータの削除を繰り返す。 - 特許庁

With this, an electrode having a single-wall carbon nanotube formed on the ZnO layer is adopted for a field emission element, and driving voltage can be decreased.例文帳に追加

これにより、ＺｎＯ層上に形成したシングルウォールカーボンナノチューブを有する電極を電界放出素子に適用し、駆動電圧を下げることができる。 - 特許庁

The moisture permeable waterproof fabric includes a fiber material fabric and a resin film layer based on a water swallable polyurethane resin formed on at least the single surface thereof.例文帳に追加

繊維材料布帛とその少なくとも片面に形成された水膨潤性のポリウレタン樹脂を主成分とする樹脂膜層とを含む透湿性防水布帛。 - 特許庁

To provide a potassium niobate deposited body where a thin polycrystal or single crystal potassium niobate layer is formed on an insulation board, and its manufacturing method.例文帳に追加

絶縁体基板上に多結晶または単結晶の薄いニオブ酸カリウム層が形成されたニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Transfer electrodes 32 extending in the horizontal direction and being driven with difference phases are single layer electrodes formed on the same plane through a narrow gap 34.例文帳に追加

水平方向に延び異なる位相で駆動する転送電極３２は、狭いギャップ３４を介して同一平面状に形成した単層電極とされている。 - 特許庁

When polycrystalline silicon 5 is grown on the porous silicon layer by epitaxial process, it is made to grow more rapidly than the growth of single-crystal silicon.例文帳に追加

多孔質シリコン層上にエピタキシャル工程で多結晶シリコンを成長させる場合、単結晶シリコンを成長させる時より速く成長される。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor substrate with a plurality of single-crystal semiconductor layers fixed onto a base substrate with a low heat resistivity such as a glass substrate via a buffer layer.例文帳に追加

ガラス基板等の耐熱性の低いベース基板にバッファ層を介して、複数の単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。 - 特許庁

The piezoelectric includes a substrate 12 made of a silicon single crystal, an insulation layer 13 formed thereon, and a piezoelectric laminated structure 14 formed thereon.例文帳に追加

シリコン単結晶からなる基板１２と、その上に形成された絶縁層１３と、その上に形成された圧電積層構造体１４とを有する。 - 特許庁

Thereby, a crystal MgO layer 342 having single crystal MgO 342A and glass frit 342B in which glass powder is melted and solidified can be formed.例文帳に追加

これにより、単結晶ＭｇＯ３４２Ａと、ガラス粉体を溶融、凝固させたガラスフリット３４２Ｂとを備えた結晶ＭｇＯ層３４２を形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor, capable of forming a good nitride base compound semiconductor layer on a GaN single-crystal substrate.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板上に良好な窒化物系化合物半導体層を形成することが可能な化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a potassium niobate deposits wherein a polycrystal or single crystal thin potassium niobate layer is formed on a substrate and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

基板上に多結晶または単結晶の薄いニオブ酸カリウム層が形成されたニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which an epitaxial layer of high quality with low defect density is formed on a silicon single-crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal gallium nitride substrate supported by a polycrystalline silicon carbide layer, from which a blue light emitting element can be obtained.例文帳に追加

青色系発光素子を実現し得る、多結晶炭化珪素層に支持された単結晶窒化ガリウム基板の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁