「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

The floor material has a plywood 2 composed of a plurality of superimposed thin plates, a single plate 4 stuck to the plywood 2 through an adhesive layer 3 and a transparent or translucent resin film printed with a grain and stuck to the single plate 4.例文帳に追加

複数枚の薄板を重ねた合板２と、合板２に接着剤層３を介して貼り付けられた単板４と、木目を印刷され、単板４に貼り付けられる透明又は半透明の樹脂フィルム５と、を有することを特徴としている。 - 特許庁

Since the single sign-on can be achieved without requiring the knowledge of the lower layer such as HTTP or HTML to the system engineer, the single sign-on can be achieved in a short time at low cost.例文帳に追加

ナレッジとして格納したシングルサインオンを実現するシングルサインオンモジュール105、業務システムのログイン通信を解析し適用可能なシングルサインオンモジュールを選択、実行するシングルサインオンサーバ102によりHTTP、HTMLなどの下位レイヤの知識を必要せずにシングルサインオンを実現する。 - 特許庁

The semiconductor wafer has constitutionally a semiconductor substrate 100 made of a single-crystal silicon (Si), and a semiconductor layer 200 made of a similar single-crystal silicon (Si) and so formed as to be laminated on the top surface of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体ウエハは、単結晶シリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板１００と、該半導体基板１００の上表面に積層されるようにして形成された、同じく単結晶シリコン（Ｓｉ）からなる半導体層２００とを有して構成される。 - 特許庁

The method for producing the epitaxial wafer includes a step for pulling a single crystal from a boron-added silicon melt by a Czochralski method in a chamber and a step for forming an epitaxial layer on the surface of a silicon wafer obtained by slicing the single crystal.例文帳に追加

ボロンが添加されたシリコン融液から単結晶をチャンバ内でチョクラルスキー法により引上げる工程と単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。 - 特許庁

This wall paper is made of a single side or double side corrugated board sheet having the number of corrugations of ≥90 every 30 cm and thickness of ≤1.2 mm, wherein the single side liner is a synthetic resin sheet, or a synthetic resin layer is formed on the surface of the base paper of the liner.例文帳に追加

段の山数が３０ｃｍあたり９０以上、厚さが１．２ｍｍ以下の片面または両面段ボールシートから成り、片側ライナーが合成樹脂シートであるか、または、ライナー原紙表面に合成樹脂層を設けた段ボール製壁紙。 - 特許庁

In the method of manufacturing a floating gate memory structure, the floating gate is composed of a single crystal semiconductor material, and is grown epitaxially on a single crystal substrate by selective epitaxial growth for growing in the lateral direction on a tunnel oxide layer 2.例文帳に追加

フローティングゲートメモリ構造を作製する方法に関し、フローティングゲートは単結晶半導体材料からなり、トンネル酸化物層２の上に横方向に成長する、選択エピタキシャル成長により、単結晶基板上にエピタキシャル成長される。 - 特許庁

Subsequently, the temperature of the reaction chamber is again raised up to 1,040°C and a GaN single crystal film with a thickness of about 20 μm is obtained on the base crystal substrate through the CrN film and the GaN buffer layer by growing the GaN single crystal film.例文帳に追加

次いで、再び反応室の温度を１０４０℃まで上げ、ＧａＮ単結晶膜を成長させることにより、下地結晶基板上にＣｒＮ膜、ＧａＮバッファー層を介して厚さが約２０μｍのＧａＮ単結晶膜を得た。 - 特許庁

This pad 1 for garment has the following structure: single fibers are nearly three-dimensionally arranged against the plane, and a three dimensional fiber layer 2 comprising fiber clusters where the single fiber is partially bonded or joined to each other, is heated and compressed to form a core material thereof.例文帳に追加

単繊維が平面に対し略立体的に配列し、かつ該単繊維が部分的に接着または結合している繊維集合体からなる立体的繊維層２が、加熱圧縮されて芯材を形成している衣服用パット１である。 - 特許庁

The light-emitting element includes, in an organic layer 13 sandwiched between a first electrode 11 and a second electrode 12, a first light-emitting layer 13a and a second light-emitting layer 13b which respectively emit light, in a single color or two or more colors in a visible light range, differing from each other.例文帳に追加

発光素子は第１の電極１１と第２の電極１２との間に挟持された有機層１３に可視光領域の単色または２色以上の互いに異なる色の光を発光する第１の発光層１３ａおよび第２の発光層１３ｂを含む。 - 特許庁

A semiconductor device forms a first resist pattern by exposure using a fist multi-gradation photomask (gray-tone or half-tone mask), and etches a first conductive layer, a first insulating layer, and first and second semiconductor layers, and forms an island-shaped single layer and an island-shaped laminate.例文帳に追加

第１の多階調フォトマスク（グレートーンマスクまたはハーフトーンマスク）を用いた露光により第１のレジストパターンを形成し、第１の導電層、第１の絶縁層、第１の半導体層及び第２の半導体層をエッチングし、島状の単層および島状の積層を形成する。 - 特許庁

The GaN substrate 28 includes a GaN single crystal substrate 14, an AlGaN (0<x≤1) intermediate layer 24 epitaxially grown on the substrate 14, and a GaN upper layer 26 epitaxially grown on the intermediate layer 24.例文帳に追加

本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

Forming an overcoat layer 20a and a spacer part 20b in one body (an overcoat part 20) eliminates the need for newly patterning the spacer part 20b after having formed the overcoat layer 20a, and forming the overcoat layer 20a and the spacer 20b can be made in a single step.例文帳に追加

オーバーコート層２０ａとスペーサ部２０ｂとを一体的に形成する（オーバーコート部２０）ことにより、オーバーコート層２０ａを形成した後であらためてスペーサ部２０ｂをパターニングする必要が無く、オーバーコート層２０ａとスペーサ２０ｂとを一の工程で形成することができる。 - 特許庁

Ground surface layers consisting of single or a plurality of layers and magnetic domain control layers designed to control the magnetic domains of a soft magnetic backing layer are imparted between a nonmagnetic substrate and the soft magnetic backing layer, by which the spike noise occurring in the formation the domain wall of the soft magnetic backing layer can be suppressed.例文帳に追加

また、非磁性基体と軟磁性裏打ち層の間に、１層あるいは複数層からなる下地層、及び、軟磁性裏打ち層の磁区制御を目的とした磁区制御層を付与したことにより、軟磁性裏打ち層の磁壁形成に起因するスパイクノイズを抑制することが可能となる。 - 特許庁

A basic bottom layer 20 is formed by arbitrary times repeating a cycle of stacking a buffer layer composed of a group III nitride-based compound semiconductor formed at a temperature at which not single crystal is grown and a group III nitride-based compound semiconductor layer formed at a temperature at which a crystal is grown.例文帳に追加

単結晶が成長しない温度で形成されたIII族窒化物系化合物半導体から成る緩衝層と、単結晶が成長する温度で形成されたIII族窒化物系化合物半導体層とを１周期として任意周期繰り返し積層した基底層２０を形成する。 - 特許庁

A vertical transfer register 120 is provided with a transfer electrode 122 formed of metal electrode with a single-layer structure, and a horizontal transfer register 130 is provided with a lower-layer transfer electrode 132 made of polysilicon film and an upper-layer transfer electrode 133 formed of metal electrode made of tungsten or the like.例文帳に追加

垂直転送レジスタ１２０は、単層構造のメタル電極よりなる転送電極１２２を有し、水平転送レジスタ１３０は、ポリシリコン膜よりなる下層転送電極１３２と、タングステン等のメタル電極よりなる上層転送電極１３３を有している。 - 特許庁

The window laminating biaxially oriented polyester film is a coextrusion laminated polyester film consisting of at least three layers including an intermediate layer containing a dye and has an antistatic coating layer on at least the single surface thereof, and the surface resistivity of the coating layer is 1.0×1013 Ω or less.例文帳に追加

中間層に染料を含有する少なくとも３層の共押出積層ポリエステルフィルムであり、少なくとも片方の表面に帯電防止塗布層を有し、当該塗布層の表面固有抵抗値が１．０×１０^13Ω以下であることを特徴とする窓貼り用二軸配向ポリエステルフィルム。 - 特許庁

The compact metal cord has two layers (C1, C2) of construction 1+N, comprising a core or inner layer (C1) comprising a single core wire 10 of diameter d1, and a saturated outer layer (C2) of N wires 12 of diameter d_2 wound together in a helix at a pitch p_2 around the inner layer (C1).例文帳に追加

１＋Ｎ構造の２つの層（Ｃ１，Ｃ２）は、直径ｄ_1の単一コアワイヤ１０から成るコア又は内側層（Ｃ１）及び内側層（Ｃ１）にピッチＰ_2で螺旋をなして巻き付けられた直径ｄ_2のＮ本のワイヤ１２の飽和外側層（Ｃ２）を有するコンパクトな金属コードに関する。 - 特許庁

A ZnO-based crystal layer grown on a substrate of sapphire (Al_2O_3) single crystal includes a solid solution layer having aluminum (Al) solid-dissolved in an interface with the substrate to have a concentration of 8×10^20 pieces/cm^3, and a high-concentration diffusion layer of ≥1×10^19 cm^3 in Al concentration.例文帳に追加

サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 - 特許庁

The light-emitting element includes a first light-emitting layer 13a and a second light-emitting layer 13b emitting light of a single color or two or more kinds of different colors of a visible light region in an organic layer 13 pinched between a first electrode 11 and a second electrode 12.例文帳に追加

発光素子は、第１の電極１１と第２の電極１２との間に挟持された有機層１３に、可視光領域の単色または２色以上の互いに異なる色の光を発光する第１の発光層１３ａおよび第２の発光層１３ｂを含む。 - 特許庁

This photoelectric conversion element 1 includes: a first electrode layer 20; a single power-generating laminated body 22 that is provided with an nip structure formed of a-Si (amorphous silicon); and a second electrode layer 26 of Al formed on the power-generating laminated body 22 with a nickel layer 24 interposed therebetween.例文帳に追加

光電変換部材１は、第１の電極層２０、ａ−Ｓｉ（非晶質シリコン）によって形成されたｎｉｐ構造を備えた単一の発電積層体２２、及び、当該発電積層体２２上に、ニッケル層２４を介して成膜されたＡｌの第２の電極層２６を有している。 - 特許庁

The co-extrusion film can be separated, at a boundary (1) of an internal layer, into a support film (3) as one side and an elastic film (2) with a single layer including thermoplastic elastomer or an extensible film (7) including a layer (2') formed of thermoplastic elastomer as the other side.例文帳に追加

本発明は、内部の層の境目（１）で、一方としての支持フィルム（３）と、他方としての熱可塑性エラストマーから成る単層の弾性フィルム（２）または熱可塑性エラストマーから成る層（２’）を備えた伸長可能なフィルム（７）とに分離することができる共押出フィルムに関する。 - 特許庁

To provide a laminate comprising a release layer, a substrate layer and a pressure-sensitive adhesive layer, which can be manufactured in a single step, exhibits releasing performances of an equal or superior level to conventional laminates obtained by applying a release agent and can be well unwound while hardly causing abnormality such as noise or the like.例文帳に追加

剥離層、基材層、粘着層とから成る積層体が単一工程で生産が出来、得られた積層体は在来の剥離剤塗布タイプのものより同等レベル以上の剥離性能を有し、これら積層体の巻出しが騒音等の異常発生も少なく良好に出来ること。 - 特許庁

An etch-stopping layer 6', which is higher in oxygen concentration than its peripheral area is formed in a second single-crystal silicon substrate 1, by forming an ion-implanted layer 6 for stopping etching through ion implantation and performing an oxygen diffusing step of making oxygen diffuse toward the ion-implanted layer 6.例文帳に追加

第二シリコン単結晶基板１中に、イオン打ち込み法によりエッチストップ用イオン注入層６を形成し、次いでエッチストップ用イオン注入層６に向けて酸素を拡散させる酸素拡散工程を行なって、周囲部分よりも酸素濃度が高いエッチストップ層６’を形成する。 - 特許庁

An ink layer 12a having the same color as a car paint is printed and laminated on a transparent protective film 12b to form a laminated sheet 12, and the ink layer of the laminated sheet 12 is bonded to the single surface of a resin substrate 11 through a hot melt layer 13 to produce a colored raw material resin sheet 10.例文帳に追加

有色原料樹脂シート１０は、自動車塗料と同一色のインク層１２ａを透明の保護フィルム１２ｂ上に印刷積層して構成された積層シート１２のインク層をホットメルト層１３を介して樹脂基板１１の片面に熱圧着したものである。 - 特許庁

To manufacture a wafer for a group III nitride semiconductor light emitting element by forming a buffer layer composed of a BP base material tightly adhered with an Si single crystal substrate provided with a composed of a {100} plane on the substrate and forming a group III nitride semiconductor layer on the buffer layer further.例文帳に追加

｛１００｝面からなる表面を有するＳｉ単結晶基板上に、該基板との密着したＢＰ系材料からなる緩衝層を形成し、さらに該緩衝層上にＩＩＩ族窒化合物半導体層を形成してＩＩＩ族窒化物半導体発光素子用ウェハを製造する。 - 特許庁

At least on the surface of a base layer 40 and a drift layer 30 at the side face of a gate trench 60 provided in a single crystal silicon carbide semiconductor substrate 12, a channel layer 70 composed of a thin film of Si_1-xA_xC mixed crystal (A:Ge, Sn 0<x<1) is provided.例文帳に追加

単結晶炭化珪素半導体基板１２に設けられたゲート溝６０の側面における少なくともベース層４０及びドリフト層３０の表面には、Ｓｉ_１−ｘＡ_ｘＣ混晶（Ａ：Ｇｅ，Ｓｎ ０＜ｘ＜１）の薄膜からなるチャネル層７０が設けられている。 - 特許庁

The MFIS transistor structure is provided with a semiconductor substrate 12 like a silicon substrate, a layer of an insulating film 14 like ZrO_2 which is arranged on the semiconductor substrate 12, and a ferroelectric layer 16 which is a single phase (c) axis Pb_5Ge_3O_11 (PGO) film arranged on the layer of the insulating film 14.例文帳に追加

シリコン基板のような半導体基板１２と、その半導体基板１２上に配置されたＺｒＯ_2のような絶縁膜１４の層と、絶縁膜１４の層上に配置された単一相のｃ軸Ｐｂ_5Ｇｅ_3Ｏ_11（ＰＧＯ）膜である強誘電体層１６とを有する。 - 特許庁

When manufacturing a wire tool formed by fixing abrasive grain 22c on a wire 11 by binder having photocurable adhesive 22a as its main component, the binder is composed of only the photocurable resin adhesive layer (single layer) or only the photocurable adhesive layer formed after a primer treatment.例文帳に追加

ワイヤ１１上に光硬化性接着剤２２ａを主成分とする結合材で砥粒２２ｃを固定したワイヤ工具を製造する場合、結合材を光硬化性接着剤層（単層）のみ、あるいはプライマ処理後に形成された光硬化性接着剤層のみ、で構成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a solid-state imaging apparatus provided with the transfer electrodes having single-layer structures, sacrificial layer patterns 6 are formed along the charge transferring direction v and electrode material layers 7 are formed by burying the layers 7 among the sacrificial layer patterns 6 in a state where the patterns 6 are exposed.例文帳に追加

単層構造の転送電極を備えた固体撮像装置の製造方法であって、電荷転送方向ｖに沿って犠牲層パターン６を形成し、犠牲層パターン６を露出させた状態で犠牲層パターン間に電極材料層７を埋め込み形成する。 - 特許庁

A first thin film 2 is formed on a single crystal substrate 1; the surface of the first thin film 2 is rubbed to form a friction alignment layer 3; a second thin film is deposited on the friction alignment layer 3 to form a deposited alignment layer 4; and a crystal is grown thereon.例文帳に追加

単結晶基板１上に第１の薄膜２を製膜して第１の薄膜２表面を摩擦することにより摩擦配向層３を形成し、さらに摩擦配向層３の上に第２の薄膜を堆積することにより堆積配向層４を形成し、その上に結晶を成長させる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a p-type clad layer 11 consisting of a hexagonal-crystal SiC single crystal thin film; and a light emission layer 12 which consists of an alloy ZnO compound semiconductor having a wurtzite structure and a forbidden band width Eg not less than 1.8 eV and less than 3.1 eV, and forms a hetero junction with the clad layer 11.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。 - 特許庁

A TFT for composing a differential amplification circuit 15 has a single-crystal silicon layer, thus speedily processing first and second potential signals and rapidly outputting high-potential and low-potential signals as compared with a TFT having, for example, a high-temperature polysilicon layer as a channel layer.例文帳に追加

差動増幅回路１５を構成するＴＦＴは、単結晶シリコン層を有しているため、例えば高温ポリシリコン層をチャネル層として備えるＴＦＴに比べて、第１電位信号及び第２電位信号を高速で処理し、高電位信号及び低電位信号を迅速に出力できる。 - 特許庁

Preferably, the illuminance equalization element 20 contains a single core layer 21 formed with a first translucent material, and a cladding layer 22 formed with a second translucent material having a lower refractive index than the first translucent material, and covering a periphery of the core layer 21.例文帳に追加

照度均一化素子２０は、第１の光透過性材料で形成された単一のコア層２１と、第１の光透過性材料よりも屈折率が低い第２の光透過性材料で形成され、且つ、コア層２１の周囲を覆うクラッド層２２とを備えているのが好ましい。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter of high power generation efficiency by improving light transmittance to a photoelectric conversion layer by inserting a single layer of transparent thin film, having both of a reflection prevention function and an alkali-barrier function, between a translucent substrate and a transparent electrode layer.例文帳に追加

反射防止機能とアルカリバリア機能を兼ね備えた単層の透明薄膜を、透光性基板と透明電極層との間に挿入することによって、光電変換層への光透過率を向上させ、発電効率の高い光電変換装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Following to the epitaxial growth of an n^+-GaAs layer 8 of GaAs single crystal 10, an Si layer 11 is grown epitaxially in the same epitaxial growth furnace and then an aluminum electrode 12 is formed, as an ohmic electrode, on the Si layer 11.例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶１０のｎ^＋ −ＧａＡｓ層８をエピタキシャル成長により成膜した後、引き続きＳｉ層１１を同一のエピタキシャル成長炉内においてエピタキシャル成長させ、しかる後アルミニウムの電極１２をオーミック電極としてＳｉ層１１上に形成する。 - 特許庁

To provide a layer structure having an extremely thin semiconductor layer, in addition, extremely low HF defect density in manufacturing a semiconductor substrate having a support wafer 2 and a layer 8 comprising a single-crystal semiconductor material provided on a surface of the support wafer 2.例文帳に追加

支持体ウェハ２とこの支持体ウェハ２の１つの面に設けられた単結晶半導体材料から成る層８を有する半導体基板の製造にあたり、きわめて薄い半導体層をもち同時にＨＦ欠陥密度も著しく僅かな層構造を提供する。 - 特許庁

An entire support substrate of the polycrystalline compound semiconductor layer is polished to manufacture a polycrystalline compound semiconductor layer single body, and an electrode of a metal thin film is formed on the polycrystalline compound semiconductor, whereby the attenuation of X rays made incident on the polycrystalline compound semiconductor layer can be reduced.例文帳に追加

多結晶化合物半導体層の支持基板を全て研磨することで多結晶化合物半導体層単体を製作して、これに新たに金薄膜の電極を形成することで多結晶化合物半導体層に入射されるＸ線の減衰を低減することができる。 - 特許庁

This base paper for a paper container with the sealant layer has at least the laminated resin layer comprising a straight-chain polyethylenic resin composition for lamination obtained by a single site catalyst and the sealant layer formed of the polyester resin composition sequentially laminated on the paper base material.例文帳に追加

紙基材上に、少なくとも、シングルサイト触媒から得られる直鎖状ポリエチレン系ラミネート用樹脂組成物からなるラミネート樹脂層と、ポリエステル樹脂組成物からなるシーラント層とを、順次積層したことを特徴とするシーラント層を有する紙容器用原紙である。 - 特許庁

A method of crystallizing a semiconductor thin-film includes steps of depositing an amorphous semiconductor thin-film on the insulation layer, bringing the monocrystalline semiconductor layer into contact with part of the former thin-film, and single-crystallizing the amorphous semiconductor thin-film with crystallinity of the monocrystalline semiconductor layer reflected by heat treatment.例文帳に追加

絶縁層上に非晶質半導体薄膜を堆積し、その一部に単結晶半導体層を接触させ、熱処理によって単結晶半導体層の結晶性を反映させ非晶質半導体薄膜を単結晶化する半導体薄膜の結晶化方法。 - 特許庁

This nonwoven fabric is a composite nonwoven fabric obtained by laminating a synthetic fiber layer and a hydrophilic fiber layer so as to form substantially two or more layers, and is regulated so that a nonwoven fabric layer including ≥50 mass% ultrafine fiber having ≤0.5 dtex single fiber fineness is present at least in a part of the nonwoven fabric.例文帳に追加

合成繊維層と親水性繊維層が実質的に二層以上に積層されてなる複合不織布であって、該不織布の少なくとも一部に単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下の極細繊維を５０質量％以上含む不織布層が存在する複合不織布。 - 特許庁

The single-layer electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer on a substrate; the image forming apparatus including the same and the image formation method are also provided; and the photosensitive layer contains titanyl phthalocyanine crystals as a charge-generating agent and also contains an antioxidant and an ultraviolet absorber as additives.例文帳に追加

基体上に、感光層を有する単層型電子写真感光体、それを含む画像形成装置及び画像形成方法であって、感光層が電荷発生剤として、チタニルフタロシアニン結晶を含むとともに、添加剤として、酸化防止剤及び紫外線吸収剤を含む。 - 特許庁

The semiconductor wafer includes: the support substrate 1; a first nitride-based semiconductor layer 2 of a group III nitride-based semiconductor of which an upper surface 2b becomes at least a single crystal; and a second nitride-based semiconductor layer 3 that is provided on the upper surface 2b of the first nitride-based semiconductor layer 2 and contains nitrogen and gallium.例文帳に追加

支持基板１と、上面２ｂが少なくとも単結晶となっているIII族窒化物系半導体の第１の窒化物系半導体層２と、第１の窒化物系半導体層２の上面２ｂに設けられ、窒素とガリウムを含む第２の窒化物系半導体層３とを備える。 - 特許庁

A photoreceptor containing an azo compound of the formula Ar(-N=N-Cp)_n (where Ar is an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group and Cp is a coupler residue) and a high molecular charge transport material are used and a single layer type photosensitive layer is disposed on an electrically conductive support directly or by way of an intermediate layer.例文帳に追加

アゾ化合物（Ａｒ（−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐ）_n：Ａｒは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基、Ｃｐはカップラー残基）と高分子電荷輸送物質とを含む感光体を用い、導電性支持体上に直接または中間層を介して単層の感光層を設ける。 - 特許庁

Accordingly, by using the layer B independent of the ground substrate side as a new crystal growth substrate, the high quality semiconductor crystal layer C (GaN single crystal) can be obtained without dislocation or crack coming up with a stress caused by the differences of lattice constant and thermal expansion coefficient between the layer C and the ground substrate side.例文帳に追加

したがって、下地基板側から独立したこの保護層Ｂを新たな結晶成長基板とすれば、下地基板側との格子定数差や熱膨張係数差等に起因する応力に伴う転位やクラックが発生せず、高品質な半導体結晶層Ｃ（ＧａＮ単結晶）が得られる。 - 特許庁

A GaN substrate 28 comprises a substrate 14 constituted of GaN single crystal, an intermediate layer constituted of AlGaN (0<x≤1) epitaxially grown on the substrate 14, and an upper layer 26 constituted of GaN epitaxially grown on the intermediate layer 24.例文帳に追加

本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。 - 特許庁