「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a GaN single crystal substrate capable of flattening the surface of an epitaxial layer and reducing crystal defects in the epitaxial layer, to provide a nitride compound semiconductor epitaxial substrate and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

エピタキシャル層表面の平坦化及び当該エピタキシャル層内の結晶欠陥の低減が可能なＧａＮ単結晶基板、窒化物系化合物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The n-side intermediate layer 12 and p-side intermediate layer 14 may have a structure, consisting of a single composition and may have a gradient structure, in which Al composition and In composition are changed in the thickness direction.例文帳に追加

ｎ側中間層１２およびｐ側中間層１４は、単一の組成からなる構造を有していても良いし、厚さ方向にＡｌ組成およびＩｎ組成を変化させた傾斜構造を有していても良い。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a thin film deposition substrate which is excellent in high density recording property and surface flatness, in a method of depositing thin film of a single layer or a multi-layer, and a disk for recording and playback.例文帳に追加

基板上に単層または多層の薄膜を形成する方法であって、高密度記録特性および表面平坦性に優れた薄膜形成基板の製造方法および記録再生用ディスクを提供する。 - 特許庁

To uniformly epitaxially grow an Si layer at low temps. to make semiconductor elements of a high current density at a high rate by forming steps on a substrate and forming a single crystal Si layer of specified thickness on the substrate including the steps by the catalytic CVD method.例文帳に追加

歪点が比較的低い大型のガラス基板であっても低温で均一にシリコン層をエピタキシャル成長させ、高速で大電流密度の半導体素子を作り込むことのできる方法を提供すること。 - 特許庁

In this method for manufacturing a semiconductor device, the mask pattern of a first layer and the mask pattern of a second layer can be formed as mask patterns whose shapes are similar, and whose dimensions are different by self-align only in single photo-lithograph process.例文帳に追加

本発明の作製方法によれば、１回のフォトリソグラフ工程のみで第１層のマスクパターン及び第２層のマスクパターンをセルフアラインで、かつ、相似形で寸法の異なるマスクパターンとして形成できる。 - 特許庁

A non-volatile oil photosensitive material layer 2 and a volatile oil photosensitive material layer 3 applied onto the substrate 1 are developed corresponding to a bank formation region after exposed to a light of a single wavelength (I-beam) at the same time.例文帳に追加

基板１に塗布により形成された非撥油性感光材料層２と撥油性感光材料層３とをバンク形成領域に合わせて単一波長（Ｉ線）の光で同時に露光した後に現像する。 - 特許庁

The (photo)thermographic printing- recording layer is removed in a single developing step by using an appropriate solvent, the unexposed region of the photopolymer layer is removed by washing and a relief image usable as a printing master for flexographic printing is developed.例文帳に追加

適当な溶媒を用いて、単一現像段階で（フォト）盛り上げ印刷記録層を除去することができ且つ光重合体層の露光されなかった領域を同時に洗浄除去することができる。 - 特許庁

To provide a single layer-type electrophotographic photoreceptor which effectively prevents the occurrence of filming and the occurrence of dark spots due to the filming even if an image is formed under any usage conditions, and also to provide an image-forming device on which such a single layer-type electrophotographic photoreceptor is mounted.例文帳に追加

いずれの使用条件下で画像形成を行った場合であっても、フィルミングの発生及びそれに起因した黒点の発生を効果的に抑制することができる単層型電子写真感光体及びそのような単層型電子写真感光体を搭載した画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A relation between each component of the four-terminal matrix and an area thermal diffusion time shown by a physical value of the constituting single layer material is clarified by using the recurrence formulas, and a thermal diffusion rate and an interface thermal resistance of an unknown single layer material inserted into a multilayered material whose thermophysical property value is already known are calculated simultaneously.例文帳に追加

前述の漸化式を用いて、構成単層材料の物性値によって表した四端子行列の成分と面積熱拡散時間との関係を明らかにし、熱物性値が既知である多層材料中に挟んだ未知の単層材料の熱拡散率および界面熱抵抗を同時に算出する。 - 特許庁

The method includes the steps of acquiring a Raman spectrum, by having carbon nanotubes containing a material irradiated with a laser light of energy 1.9±0.1 eV and determining the degree of dispersion of single-layer carbon nanotubes in a carbon nanotube-containing material from the intensity of the peak (peak A) of the Raman shift 221±5 cm^-1 caused by the aggregate of single-layer nanotubes.例文帳に追加

本発明では、エネルギー１．９±０．１ｅＶのレーザ光をカーボンナノチューブ含有物に照射することによってラマンスペクトルを取得し、単層カーボンナノチューブの集合体に起因するラマンシフト２２１±５ｃｍ^-1のピーク（ピークＡ）の強度に基づき、カーボンナノチューブ含有物中での単層カーボンナノチューブの分散度を判定する。 - 特許庁

A single crystal film having good quality can be formed on a polycrystalline substrate by an epitaxial growth method where a buffer layer is formed by heat-treating the surface of the substrate in arsin atmosphere or a polycrystalline buffer layer is formed at a temperature low enough not to start epitaxial growth of a single crystal.例文帳に追加

そのための成長方法として、基板表面をアルシン雰囲気での熱処理することによるバッファ層、あるいは、通常単結晶が成長しない程度の低温での多結晶体バッファ層を形成することにより、多結晶体基板上に良質な単結晶膜を形成することができる。 - 特許庁

The method for producing the nitride single crystal comprises forming a substance transport medium layer 12 containing a compound of a rare earth element on the surface of a nitride crystal 11 and growing the nitride single crystal 14 on a seed crystal 13 by bringing the seed crystal 13 into contact with the substance transport medium layer 12.例文帳に追加

窒化物結晶１１の表面に希土類元素の化合物を含有する物質輸送媒体層１２を形成し、種結晶１３を物質輸送触体層１２に接触させることにより、種結晶１３に窒化物単結晶１４を成長させることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法である。 - 特許庁

To provide a positively charged single-layer type electrophotographic sensitive body that suppresses the occurrence of transfer memory so that the occurrence of an image defect is suppressed in an image forming apparatus that has a charging portion applying direct voltage by a contact charging method and uses the positively charged single-layer type electrophotographic sensitive body.例文帳に追加

接触帯電方式により直流電圧を印加する帯電部を備え、正帯電単層型電子写真感光体を用いる画像形成装置において、転写メモリの発生を抑制することにより画像不良の発生を抑制できる正帯電単層型電子写真感光体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The integrated optical isolator element is obtained by laminating at least two or more polarizers formed like a single plate-like and at least one or more 45° Faraday rotators formed like a single plate-form through a plate-like low melting point glass layer provided with an aperture part through which light passes, by melting and solidifying the low melting point glass layer.例文帳に追加

少なくとも２枚以上の単板状の偏光子と、少なくとも１枚以上の単板状の４５度ファラデー回転子とを、光通過用の開口部を設けたプレート状の低融点ガラス層を介して積層させ、前記低融点ガラス層を溶融固化することにより一体化した光アイソレータ素子とする。 - 特許庁

One strip of the reinforcing material is spirally wound in a single layer along one way in a longitudinal direction of the long-columned steel pipe, spirally wound in a multiple layered state reciprocating a plurality of times, be spirally wound in a single layer with folds one way or is spirally wound in multiple layers reciprocating a plurality of times with folds.例文帳に追加

１本の補強材が、長柱鋼管の長手方向に１回の往路にそって一重螺旋巻き形態で、複数回の往復路にそって多重螺旋巻き形態で、１回の往路にそって一重折曲げ螺旋巻き形態で、複数回の往復路にそって多重折曲げ螺旋巻き形態で巻き付けられてもよい。 - 特許庁

A high density Si-doped GaN buffer layer 2 having an Si concentration of 4×10^19cm^-3 or higher is epitaxially grown on a single crystal insulating substrate 1, and the nitride semiconductor layer 3, having a crystal structure of a single crystal is formed by an epitaxially growing method.例文帳に追加

単結晶の絶縁性基板１上に、Ｓｉ濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層２上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層３を形成する。 - 特許庁

A single crystal SiC substrate 15, in which unstable sites including crystal defects or a damaged layer 15a generated during polishing of its surface exist, is subjected to a heat treatment under a high vacuum environment so as to carbonize the surface and its vicinity of the single crystal SiC substrate 15 and to form a carbonized layer 15b (first process).例文帳に追加

結晶欠陥を含む不安定サイトや、基板表面の研磨時に発生したダメージ層１５ａが存在する単結晶ＳｉＣ基板１５を高真空環境において加熱処理することにより、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面及びその近傍を炭化して炭化層１５ｂを形成する（第１工程）。 - 特許庁

The method forms structures arranged on a substrate in a two-dimensional manner by forming a single layer by arranging spherical particles on the surface of the substrate so as to fill the surface with the spherical particles most densely using self-organization of the spherical bodies, and performing etching processing using the single layer formed of the spherical particles as an etching mask.例文帳に追加

球体の自己組織化を利用して、基板表面に球状粒子を最密に充填するように配置して単層を形成し、前記球状粒子からなる単層をエッチングマスクとしてエッチング処理を行うことにより、基板上に規則的に二次元配置した構造体を形成する方法。 - 特許庁

To provide a magnetic nanoparticle single layer film wherein an anisotropic magnetic field is increased by crystal structure transition and sintering between particles by a heat treatment is suppressed and which has a uniform thickness, to provide a magnetic recording medium using the same, and to provide a nanoparticle single layer film wherein sintering between particles by a heat treatment is suppressed and which has a uniform thickness.例文帳に追加

結晶構造転移による異方性磁界の増大が見られ、加熱処理による粒子間焼結が抑制された、均一な厚さの磁性ナノ粒子単層膜およびこれを用いた磁気記録媒体と、加熱処理による粒子間焼結が抑制された均一な厚さのナノ粒子単層膜を提供する。 - 特許庁

To form a boron phosphide-based semiconductor layer having an excellently flat and continuous surface on the surface of a single-crystal silicon substrate, by suppressing discharge of a material that inhibits formation of the boron phosphide-based semiconductor layer on the surface of the single- crystal silicon substrate from a decomposition product adhering to the internal wall of a vapor phase growth furnace.例文帳に追加

珪素単結晶基板表面上へのリン化硼素系半導体層の形成を阻害する、気相成長炉の内壁に被着した分解生成物からの物質の放出を抑制し、珪素単結晶基板表面上に表面の平坦性及び連続性に優れるリン化硼素系半導体層を形成する。 - 特許庁

In the method for producing the nitride single crystal, the nitride single crystal 14 is grown on a seed crystal 13 by forming a substance transport medium layer 12 containing the compound of a rare earth element in the periphery of a nitride powder 11, and bringing the seed crystal 13 into contact with the substance transport medium layer 12.例文帳に追加

窒化物粉末１１の周囲に希土類元素の化合物を含有する物質輸送媒体層１２を形成し、種結晶１３を該物質輸送触体層１２に接触させることにより、該種結晶１３に窒化物単結晶１４を成長させることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法である。 - 特許庁

Therefore, the electroconductive powder layer 106 is, for instance, in a condition with plasticity and ductility in the manufacturing process of connecting a single cell and a separator 101, and warpage of the single cell, asperities of a surface of the separator 101 and asperities of a surface of the fuel electrode 102 are absorbed by the electroconductive powder layer 106.例文帳に追加

従って、電気伝導性粉体層１０６は、例えば単セルとセパレータ１０１とを接続する製造過程において塑性及び延性を備えた状態となっており、単セルの反り，セパレータ１０１の表面凹凸，及び燃料極１０２の表面凹凸が、電気伝導性粉体層１０６により吸収される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate with a particulate-single-layer-membrane which consists of only relatively simple processes of treatment by not only an atmosphere plasma process but also a precisely controlled process, and in which enlargement of the area and the high through-put production can be carried out, and to provide a substrate with a particulate-single-layer-membrane manufactured by the method.例文帳に追加

大気圧プラズマプロセスによる処理を始め、正確に制御可能な比較的簡単な工程のみからなり、大面積化や高スループット製造が可能な微粒子単層膜付き基板の製造方法を提供し、またそれにより製造された微粒子単層膜付き基板を提供する。 - 特許庁

In the circuit board on which a single layer metal film or a multilayer metal film is formed, a resist film pattern is formed on the board using a photoengraving, and then a recess is formed at the lower part of a resist film end by wet-etching the single layer metal film or the multilayer metal film taking the resist film as a mask.例文帳に追加

基板上に単層金属膜あるいは多層金属膜が形成されている基板において、基板上にレジスト膜のパターンを写真製版技術を用いて形成した後に、前記レジスト膜をマスクとして単層金属膜あるいは多層金属膜のウエットエッチングによりレジスト膜端の下部に窪みを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer which is capable of reducing the possibility of generation of defects and dislocations, and simply performing the crystal growth of III-V group nitride semi-conductors at low cost, and recyclable as a novel substrate on a surface layer part of the gallium oxide single crystal.例文帳に追加

欠陥や転位の発生のおそれをより低減でき、かつ、低コストで簡便にIII−Ｖ族窒化物半導体を結晶成長させる新規な基板としても利用可能性を有する、酸化ガリウム単結晶の表層部に窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The woven or knitted fabric in the multilayer-structure having the excellent water absorption and diffusion evaporative property, includes an infrared-absorbing fiber having >1 dtex single fiber fineness at least in a back surface layer, and a fiber having ≤1 dtex single fiber fineness in a front surface layer.例文帳に追加

多層構造織編物であって、少なくとも裏面層に単繊維繊度が１ｄｔｅｘより大の赤外線吸収性繊維が含まれており、かつ表面層に単繊維繊度１ｄｔｅｘ以下の繊維が含まれることを特徴とする吸水性と拡散蒸発性に優れる多層構造織編物。 - 特許庁

First, a single layer printed circuit board having a core substrate 6a, an upper conductor 4 and a lower conductor 5 and a single layer printed circuit board having a core substrate 6b, an upper conductor 8 and a lower conductor 9 are stuck together putting a prepreg 7 between them, and an elimination area 4c of width CW is formed on the upper conductor 4 of the substrate 6a.例文帳に追加

先ず、コア基板６ａ，上部導体４及び下部導体５を有する単層のプリント配線基板と、コア基板６ｂ，上部導体８及び下部導体９を有する単層のプリント配線基板とをプリプレグ７を介して接着し、コア基板６ａの上部導体４に幅ＣＷの削除領域４ｃを形成する。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element having single or plural organic thin film layer including a luminous layer between an anode and a cathode, at least one layer of the organic thin film layers contains an aromatic methylidene compound described as the following general formula (1) as a single substance or mixture to emit a high luminance light and to provide a high durability.例文帳に追加

陽極と陰極の間に発光層を含む一層又は複数層の有機薄膜層を有する有機電界発光素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が、下記一般式で表される芳香族メチリデン化合物を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機電界発光素子により高輝度で発光し、高耐久なものを提供する。 - 特許庁

This printing plate material has a plastic support whose average film thickness is within the range of 110 to 500 μm; at least a single imaging function layer containing a water-soluble resin in one side of the support, the thickness distribution of which is not more than 10%; and at least a single hydrophilic layer between the support and the imaging function layer.例文帳に追加

支持体の平均膜厚が１１０μｍ〜５００μｍの範囲であり、且つ、支持体の厚み分布が１０％以下であるプラスチックフィルム支持体上の一方の面に水溶性樹脂を含有する少なくとも１層の画像形成機能層を有し、かつ該支持体と該画像形成機能層の間に少なくとも１層の親水性層を有することを特徴とするする印刷版材料。 - 特許庁

After performing crystal defect repair processing or crystal defect removal processing of the single crystal silicon layer, using stock gas at least containing silicon based gas, the stock gas is activated by plasma under the atmospheric pressure or near the atmospheric pressure to cause single crystal silicon layer epitaxial growth and a second impurity silicon layer is formed on the epitaxial grown surface side.例文帳に追加

単結晶シリコン層の結晶欠陥修復処理又は結晶欠陥除去処理を行った後、シラン系ガスを少なくとも含む原料ガスを用い、大気圧或いは大気圧近傍下で生成したプラズマにより原料ガスを活性化させ、単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させ、該エピタキシャル成長させた表面側に第２不純物シリコン層を形成する。 - 特許庁

A rule for handling an information recording medium of a single layer can be adapted except selecting operation of recording layers 21, 22, 23 by handling each recording layer 21, 22, 23 of an information recording medium 1 regarding virtually as a single independent recording medium, handling of each recording layer 21, 22, 23 can be made extremely easy and simple.例文帳に追加

情報の記録又は再生に際して情報記録媒体１の各記録層２１，２２，２３を仮想的に単層の独立した記録媒体と見做して扱うことにより、記録層２１，２２，２３の選択動作以外は、単層の情報記録媒体を扱う場合のルールをそのまま適用することができ、各記録層２１，２２，２３の取り扱いが極めて容易かつ単純となるようにした。 - 特許庁

The compound semiconductor substrate is manufactured by forming a CaN compound semiconductor layer 3 on a Zr_XTi_1-XB_2 single-crystal substrate 1 by epitaxial growth via an interposed reactive layer 2, containing at least one of B, Zr, and Ti from the Zr_XTi_1-XB_2 single-crystal substrate 1 and at least one of Ga and N from the CaN compound semiconductor layer 3.例文帳に追加

化合物半導体基板は、Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１上に、ＧａＮ系化合物半導体層３を、間にＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１からのＢ，Ｚｒ，Ｔｉの少なくとも１種と、ＧａＮ化合物半導体層３からのＧａ及びＮの少なくとも１種とを含む反応層２を介在させてエピタキシャル成長させた。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor wafer is provided with a process for growing epitaxially an SiGe layer on a surface of a first silicon single crystal wafer, a process for coupling a surface of the SiGe layer with a surface of a second wafer via an oxide film, and a process for thinning the first silicon single crystal wafer coupled with the second wafer and exposing the Si layer including lattice strain.例文帳に追加

第１のシリコン単結晶ウェーハの表面にＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長する工程と、該ＳｉＧｅ層の表面と第２のウェーハの表面とを酸化膜を介して結合する工程と、該第２のウェーハと結合された該第１のシリコン単結晶ウェーハを薄膜化して格子歪みを内在するＳｉ層を露出させる工程と、を有するようにした。 - 特許庁

The photonic crystal having a column array structure is made by forming a metal thin film pattern (gold pattern) 25 on the surface of the (111) face single crystal silicon layer 23 on a substance layer (silicon dioxide layer)22 different from silicon in refractive index and growing silicon single crystal columns 26 on a metal thin film pattern formation part in a high- temperature silicon tetrachloride gas atmosphere to form the columns.例文帳に追加

屈折率がシリコンと異なる物質層（二酸化シリコン層）２２上の（１１１）面単結晶シリコン層２３の表面に金属薄膜パターン（金パターン）２５を形成し、高温の四塩化珪素ガス雰囲気中で金属薄膜パターン形成部にシリコン単結晶柱２６を成長させることにより柱状体を形成し、柱状体配列構造を有するフォトニック結晶を作製する。 - 特許庁

In the matte metallized film which has good printability and constituted by providing a metal vapor deposition layer on the single surface of a film base material, the film base material is a polyolefinic film having a roughened surface on at least the single surface thereof and has the metal vapor deposition layer on one surface thereof and has an easy printing layer containing an oxazoline group modified resin as a component on the other surface thereof.例文帳に追加

フィルム基材の片面に金属蒸着層を有する蒸着フィルムにおいて、フィルム基材が少なくとも片面に粗面化面を有するポリオレフィン系フィルムであり、一方の面に金属蒸着層を有し、他方の面にオキサゾリン基変性樹脂を成分として含む易印刷層を有することを特徴とする印刷性が良好な艶消し蒸着フィルムである。 - 特許庁

A semiconductor device 10 includes a substrate 101 of single crystal, a silicon carbide layer 102 provided on the surface of the single crystal substrate 101, and an intervention layer 103 of III nitride semiconductor provided on the surface of the silicon carbide layer 102 wherein the silicon carbide layer 102 comprises cubic crystal rich in silicon stoichiometrically and has a surface of rearrangement structure of (3×3).例文帳に追加

本発明は、単結晶からなる基板１０１と、その単結晶基板１０１の表面に設けられた炭化珪素層１０２と、その炭化珪素層１０２の表面に設けられたIII族窒化物半導体からなる介在層１０３とを備えた半導体素子１０において、炭化珪素層１０２は、化学量論的に珪素を富裕に含む立方晶からなり、表面が（３×３）構造の再配列構造を有するものである。 - 特許庁

In the production method for compound single crystal for epitaxially growing the compound single crystal layer, different from a compound single crystal substrate on the surface of this substrate, at least one part of the substrate surface has a plurality of projections, extending in one direction and each of such projections is provided, so that the defects to be grown with the epitaxial growth of this compound monocrystal layer can mutually meet.例文帳に追加

化合物単結晶基板の表面にこの基板とは異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、前記基板表面の少なくとも一部が一方向に延在する複数の起伏を有し、かつこの起伏は前記化合物単結晶層のエピタキシャル成長に伴って成長する欠陥が互いに会合しあうように設けられた方法。 - 特許庁

In a manufacturing step of the substrate 10c, a partial insulation layer 12a is formed on the substrate, a single crystal silicon layer 13 is grown on a region between the partial insulation layers 12a, a polycrystalline silicon layer 15 is grown on the layer 12a, and thereafter the substrate is ion injected to thereby form the layer 15 in the substrate.例文帳に追加

第１基板１０ｃの作製工程では、基板上に部分的な絶縁層１２ａを形成し、部分的な絶縁層１２ａの間の領域には単結晶シリコン層１３を成長させ、部分的な絶縁層１２ａの上には多結晶シリコン層１４を成長させ、その後、該基板にイオンを注入することにより、該基板の内部に分離層１５を形成する。 - 特許庁

The multilayer body 10 for medical container includes at least the innermost layer 11 composed of annular polyolefin; an intermediate layer 12 formed so as to be adjacent to the innermost layer 11, the intermediate layer being produced by use of a single-site catalyst and mainly composed of linear low-density polyethylene having density of 0.900-0.917 g/cm^3; and an outermost layer 13 containing high-density polyethylene.例文帳に追加

環状ポリオレフィンからなる最内層１１と、該最内層１１に隣接するように形成され、シングルサイト系触媒を使用して製造された密度が０．９００〜０．９１７ｇ／ｃｍ^３である直鎖状低密度ポリエチレンを主成分とする中間層１２と、高密度ポリエチレンを含有する最外層１３とを少なくとも有する医療容器用多層体１０。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is characterized by the disposal of a photosensitive layer (a single photosensitive layer or the electric charge transporting layer of a laminate type photosensitive layer) or a protective layer containing a polyurethane, polyester or polycarbonate resin having a specified constitutional unit.例文帳に追加

特定の構成単位を有するポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂又はポリカーボネート樹脂を含有する、感光層（単層の感光層または積層型感光層の電荷輸送層）、又は保護層を設けたことを特徴とする電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真方法、この電子写真感光体を有する電子写真装置及びこの電子写真装置に用いるプロセスカートリッジ。 - 特許庁

The base paper for the gas barrier paper container with the low adsorbing sealant layer is formed by laminating the vapor deposited film layer comprising the vapor deposited thin layer made of at least the inorganic oxide formed on a paper substrate, a laminating resin layer comprising a laminating resin composition of a linear polyethylene type resin produced by using a single site catalyst and the sealant layer of the polyester type resin in order.例文帳に追加

紙基材上に、少なくとも無機酸化物からなる蒸着薄膜層を形成した蒸着フィルム層、シングルサイト触媒から得られる直鎖状ポリエチレン系ラミネート用樹脂組成物からなるラミネート樹脂層、ポリエステル系樹脂からなるシーラント層とを、順次積層したことを特徴とする低吸着性シーラント層を有するバリア性紙容器用原紙である。 - 特許庁

In the gas barrier laminated film wherein the inorganic compound layer is provided on at least the single surface of the base material film, the inorganic compound layer is formed by laminating a transparent conductive oxide layer and a gas barrier layer comprising either one of or both of aluminum oxide and silicon oxide on the surface of the base material film so that the transparent conductive oxide layer is formed on the surface of the base material film.例文帳に追加

基材の少なくとも片面に、無機化合物層を設けてなるガスバリア性積層フィルムにおいて、前記無機化合物層が、透明導電性酸化物層とアルミニウム酸化物、珪素酸化物の何れか一方、もしくは両方からなるガスバリア層とを、基材表面に透明導電性酸化物層がくるように積層させたなガスバリア性積層フィルムを提供する - 特許庁

In this activity evaluating method of an electrode catalyst, catalytic activity is evaluated by the test electrode which is obtained by applying a catalyst dispersion to the surface of a base material and drying it to form a catalyst layer and further forming an ionomer layer on the surface of the catalyst layer, and the catalyst layer is formed, by arranging catalyst particles or its primary flocs so as to form an almost single layer.例文帳に追加

触媒分散液を基材表面に塗布、乾燥して触媒層を形成し、さらにその表面にイオノマー層を作成した試験電極により、触媒活性を評価する方法であって、前記触媒層が、触媒粒子又はその一次凝集体がほぼ単層に配列されたものであることを特徴とする電極触媒の活性評価方法。 - 特許庁

A laminate is constituted by laminating a plurality of single layer units 18 and arranging busbars 16 each having pin insertion holes at positions that correspond to the pin insertion holes of the slender terminals 12 in a direction where at least one of the plurality of single layers intersects with the slender terminal.例文帳に追加

この単層ユニット18を複数層積層し、少なくとも１層の単層ユニットに前記端子12と交差する方向に、前記端子のピン挿通孔に対応する位置にピン挿通孔を有するたバスバー16を配置して、積層体を構成する。 - 特許庁

A track 32 of a third track member T3 for transferring a component A by vibration in a single line and single layer state includes a vertical reference face 33 and a transfer face 34 having a slant angle for pressing the minute component A onto the reference face 33.例文帳に追加

振動によって部品Ａを単列、単層状態で移送する第３トラック部材Ｔ_3 のトラック３２に垂直の基準面３３と、その基準面３３に微小部品Ａを押し付ける傾斜角のついた移送面３４とを形成する。 - 特許庁