「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

An oxide film containing halogen is formed on each of surfaces of a single crystal semiconductor substrate and of a semiconductor substrate provided with a single crystal semiconductor layer separated from the single crystal semiconductor substrate, whereby impurities that exist on the surfaces of and inside the substrates are decreased.例文帳に追加

単結晶半導体基板と、単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層が設けられた半導体基板と、の表面に、ハロゲンを含有する酸化膜を形成することで、基板表面又は内部に存在する不純物を減少させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the multilayer printed wiring board 40 includes a step of preparing a single-sided plate 10; a step of hardening an insulating layer 14 of the single-sided plate 10 by heating the single-sided plate 10; and a step of preparing a two-sided plate 20.例文帳に追加

多層プリント配線板４０の製造方法は、片面板１０を準備する工程と、この片面板１０を加熱することにより当該片面板１０の絶縁層１４の硬化処理を行う工程と、両面板２０を準備する工程と、を備えている。 - 特許庁

In this coating method for the imaging lens 1 including single lenses 2, 3 formed by a resin, in particular, thermosetting resin, a single-layer film coating for the fluoropolymer film is applied on optical surfaces 2a, 2b, 3a, 3b on at least object side, preferably, on an object side and an image side of the single lenses 2, 3.例文帳に追加

樹脂製、特に熱硬化性樹脂で形成された単体レンズ２，３を含む撮像レンズ１において、単体レンズ２，３の少なくとも物体側、好ましくは物体側と像側の光学表面２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂにフッ素系高分子膜の単層膜コーティングを施す。 - 特許庁

A single crystal sapphire substrate 3 is laminated on a substrate 5 so as to form a sapphire composite substrate 10 and a gallium nitride single crystal 1 is epitaxially grown on the sapphire surface of the sapphire composite substrate 10, thus forming a multi-layer substrate having the gallium nitride single crystal.例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶を有する多層基板は、基体５に単結晶サファイア基板３を貼り付けてサファイア複合基板10を作製し、サファイア複合基板10のサファイア面上に窒化ガリウム単結晶１をエピタキシャル成長させることにより製造する。 - 特許庁

A belt layer 3 is formed by being parallelly arranged in a planar shape at intervals between single tracks or bundles as metallic single tracks or metallic bundles parallelly arranged in the belt width direction without intertwising a single or plural metallic wires having a flat cross section.例文帳に追加

ベルト層３を、断面扁平の１本又は複数本の金属線を撚り合わせることなくベルト幅方向に並列に引き揃えた金属単線又は金属束として、単線間又は束間で間隔を開けて平行に平面的に配列させて形成する。 - 特許庁

Perfect depletion high speed MOS transistors, high breakdown strength MOS transistors and ESD protective elements are formed on the single crystal silicon device forming layer, and the single crystal silicon device forming layer in the perfect depletion high speed MOS transistor region is formed thinner as compared with other regions.例文帳に追加

完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタと高耐圧型ＭＯＳトランジスタおよびＥＳＤ保護素子は単結晶シリコンデバイス形成層に形成し、完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタ領域の単結晶シリコンデバイス形成層膜厚を他に比べて薄くした。 - 特許庁

For the patch pharmaceuticals, the release sheet 1 covering an adhesive material layer is provided with a cut 2 which does not completely divide a single sheet on the sheet, and is kept as a single sheet without being completely divided after being completely released from the adhesive material layer.例文帳に追加

粘着剤層を被覆する剥離シート１が、単一のシートに該シートを完全に分割することのない切り込み２を設けたものであり、かつ、粘着剤層から完全に剥離した後も完全に分割されず、単一のシートのままである、貼付製剤。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor substrate having a single-crystal semiconductor layer which has an SOI structure free of peeling of a single-crystal silicon layer and is partially different in thickness, the semiconductor substrate, an electrooptic device and electronic equipment.例文帳に追加

単結晶シリコン層がはがれることなく、ＳＯＩ構造を有し、かつ、部分的に異なる厚さの単結晶半導体層を備える半導体基板を形成可能な半導体基板の製造方法、半導体基板、電気光学装置並びに電子機器を提供すること。 - 特許庁

The surface acoustic wave device comprises a single crystal substrate 1, a buffer layer 2 composed of a crystal film formed on the single crystal substrate 1, and a piezoelectric thin film 3 having crystal structure of a trigonal or hexagonal system formed on the buffer layer 2.例文帳に追加

単結晶基板１と、この単結晶基板１上に形成された結晶膜からなるバッファー層２と、バッファー層２上に形成された六方晶系または三方晶系の結晶構造を有する圧電薄膜３とを備えてなる表面弾性波素子。 - 特許庁

Further, by heating the single crystal SiC substrate accommodated in the fitted vessel in the same condition as the above, at least a part of the amorphous SiC on the sacrifice growth layer is recrystallized to generate a single crystal 4H-SiC layer 5c.例文帳に追加

また、前記嵌合容器に前記単結晶ＳｉＣ基板を収容した状態で上記と同様の条件で加熱することで、前記犠牲成長層のアモルファスＳｉＣの少なくとも一部を再結晶させて単結晶４Ｈ−ＳｉＣ層５ｃを生成させる。 - 特許庁

A step for forming the plurality of single strand superconducting conductors including surrounding a single strand superconducting filament core using a copper layer, and a step for arranging an insulating coating around the copper layer are included.例文帳に追加

本発明の別の態様では、銅層を用いて単一ストランド超伝導フィラメントコアを取り囲むことを含んだ複数の単一ストランド超伝導体を形成する工程と、該銅層の周りに絶縁コーティングを配置する工程と、を含む導体の製作方法が提供される。 - 特許庁

A single-crystal silicon germanium layer 324 and a single-crystal silicon layer 326 are formed on a substrate 202 on which a plurality of SOI formation regions are arranged, and a support hole 332 is formed which is adjacent while including only one side of the SOI formation region 204.例文帳に追加

複数のＳＯＩ形成領域が配置された基板２０２上に単結晶シリコンゲルマニウム層３２４、および単結晶シリコン層３２６を形成し、ＳＯＩ形成領域２０４の一辺のみを含むように隣接する支持体穴３３２を形成する。 - 特許庁

Moreover, after a secondary slit 29 is formed to the large size substrate 12A and each single chip body 30 is isolated from the supporting board 25 by cleaning the protection layers 23, 24, a plating layer 22 is formed to the lower electrode layer 19 of the single chip body 30 to obtain a completed chip resistor 11.例文帳に追加

そして、大判基板１２Ａに二次スリット２９を形成し、保護層２３，２４を洗浄して各チップ単体３０を支持台２５から剥離した後、チップ単体３０の下地電極層１９にめっき層２２を形成してチップ抵抗器１１の完成品を得る。 - 特許庁

Moreover, after a secondary slit 29 is formed to the large size substrate 11A and each single chip body 30 is isolated from the supporting board 25 by cleaning the protection layers 23, 24, a plating layer 22 is formed to the lower electrode layer of the single chip body 30 in order to obtain a completed chip resistor 50.例文帳に追加

そして、大判基板１１Ａに二次スリット２９を形成し、保護層２３，２４を洗浄して各チップ単体３０を支持台２５から剥離した後、チップ単体３０の下地電極層にめっき層２２を形成してチップ抵抗器５０の完成品を得る。 - 特許庁

This allows the height of a material at the time of word line processing to be decreased because the material that is processed at the time of word line formation can be a single-layer polysilicon film only, and also allows a manufacturing process to be simple because an embedded bit line structure can be formed of a single-layer polysilicon.例文帳に追加

これにより、ワード線を形成する際に加工する材料を単層のポリシリコン膜のみにできるため、ワード線加工時の材料の高さを低くできるとともに、単層のポリシリコンで埋め込みビット線構造を形成できるため、製造プロセスが簡便になる。 - 特許庁

For instance, when the single-layer carbon nanotubes are metallic single-layer carbon nanotubes with diameters of 1.3-1.4 nm, a cyanic (blue) color is exhibited, and the color is changed to a yellowish (yellow) color by voltage application while the color is returned to the cyanic color when stopping the voltage application.例文帳に追加

例えば、単層カーボンナノチューブが金属型単層カーボンナノチューブであり、その直径が１．３〜１．４ｎｍであればシアン系（青）の色を呈しているが、電圧印加によりイエロー系（黄）に変化し、電圧印加を停止すれば元のシアン系の色に回復する。 - 特許庁

A body region is formed in the single crystal Si layer below the gate electrode, a body contact region 26 joined to the body region for electrical connection is formed in the single crystal Si layer, and one portion of the body contact region is positioned at the lower portion of the hammer head.例文帳に追加

ゲート電極下の単結晶Ｓｉ層にはボディー領域が形成され、ボディー領域に繋げられ電気的に接続されたボディーコンタクト領域２６が単結晶Ｓｉ層に形成され、ボディーコンタクト領域の一部は前記ハンマーヘッド部分の下方に位置する。 - 特許庁

Then the processing trough 24 is reciprocated and vibrated, whereby the seed rice 14 on the processing trough 24 can be effectively and uniformly dispersed in the form of a thin layer (particularly in the form of a single layer) and be rolled.例文帳に追加

ここで、処理トラフ２４が往復振動されることで、処理トラフ２４上の種籾１４が、効果的に、薄層状（特に単層状）に均一に分散できると共に、転動できる。 - 特許庁

To provide a lid material which can be sealed by a single step of sealing, prevents contents from spilling out even if a container falls down, and can be separated into a venting layer resistant to contents and a barrier layer.例文帳に追加

１工程のシールで密封が可能で、転倒しても内容物がこぼれ出ることがなく、かつ、耐内容物性を有する通気層とバリア層に分離が可能な蓋材を提供すること。 - 特許庁

The porous electrode 2b is formed by using a material such as a multi-layer carbon nano-tube of a single layer or two layers or more and by an electro-deposition method or a compression bonding method of this on the electrode 2a.例文帳に追加

ポーラス電極２ｂは、単層、もしくは二層以上の多層カーボンナノチューブなどを材料として用い、電極２ａの上に電着法や圧着法によって形成する。 - 特許庁

To provide a single-layer type electrophotographic photoreceptor on which coating liquid for forming a photosensitive layer is superior in stability and which has excellent electric characteristics, and an image forming apparatus equipped with the photoreceptor.例文帳に追加

感光層を形成するための塗布液の安定性に優れ、且つ、電気特性の良好な単層型電子写真感光体、及び該感光体を備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thermofusion protection layer which satisfies all of clean cut property, transparency property, adhesion property, offset resistance, glossiness, rubfastness, water-resistance, and light fastness, even though being a single layered protection layer without containing particles therein.例文帳に追加

粒子を含まない単層の保護層でありながら、切れ性、透明性、密着性、裏移り、光沢性、耐擦過性、耐水性、耐光性をすべて満たすものを提供することである。 - 特許庁

To provide a single layer type electrophotographic photoreceptor which is excellent in the stability of a coating liquid for forming a photosensitive layer thereof and exhibits good electrical properties, and to provide an image forming apparatus including the photoreceptor.例文帳に追加

感光層を形成するための塗布液の安定性に優れ、且つ、電気特性の良好な単層型電子写真感光体、及び感光体を備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is easy to manufacture and uses an inexpensive single-layer wiring tape and has superior electrical characteristics, especially high-frequency characteristics as those using a two- layer wiring tape.例文帳に追加

製造が容易で安価な１層配線テープを使用し、２層配線テープを使用したもの同様に優れた電気的特性、特に高周波特性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thereby unevenness of the surface of the seed crystal 5 to be a starting point of dislocation in the growing layer of the silicon carbide single crystal is extremely minimized so that the occurrence of dislocation in the growing layer is suppressed.例文帳に追加

これにより、炭化硅素単結晶成長層の転位の起点となる、種結晶５表面の凹凸が極めて小さくなり、成長層の転位の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a technology for growing a thick single-crystal layer on a semiconductor wafer without growing a crystal layer in an angulated shape on an end surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの端面に角張った形状の結晶層を成長させることなく、半導体ウエハ上に厚い単結晶層を成長させることができる技術を提供する。 - 特許庁

The crystalline structure of the layer 33 is formed in a single domain structure having the excellent crystallizability in this case, and the electrical characteristics of the hetero structure formed on the layer 33 are improved.例文帳に追加

このとき、第２バッファ層３３の結晶構造が、結晶性に優れたシングドメイン構造になって、第２バッファ層３３に形成されるヘテロ構造の電気的特性が優れたものになる。 - 特許庁

The first release liner comprises a single layer or a laminated film which has a peelable layer whose peeling adhesive strength (23°C) to an acrylic plate is 0.02-0.5 N/20 mm.例文帳に追加

本発明の第１の剥離ライナーは、アクリル板に対するピール接着力（２３℃）が０．０２Ｎ／２０ｍｍ〜０．５Ｎ／２０ｍｍである剥離性層を有する単層又は積層フィルムからなる。 - 特許庁

In manufacturing a light emitting device 100, a light emitting layer portion 24 and a current diffusion layer 7 each comprising a III-V compound semiconductor are formed on a single crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００を製造するに際し、単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁

A developing roller 1 is to be used with a single-component negatively chargeable developer and the roller includes a conductive shaft core body 102 and a conductive urethane resin layer as a surface layer 103.例文帳に追加

一成分負帯電性の現像剤とともに用いられる現像ローラ１であって、導電性の軸芯体１０２と、表面層１０３である導電性のウレタン樹脂層とを有する。 - 特許庁

An ND film 2, having a gradation gradient changing continuously in density at maximum density, is formed on a PET substrate 1 and an MgF_2 film of a single layer is formed on the outermost surface layer.例文帳に追加

ＰＥＴ基板１上に最大濃度が１．０で濃度が連続的に変化するグラデーション勾配を有するＮＤ膜２を成膜し、最表層に単層のＭｇＦ_2膜３を成膜する。 - 特許庁

To prevent the number of production steps from increasing in production of a multilayer wiring board by completing the formation of a mother board cover layer for insulation protecting the wiring layer of a mother board printed wiring board by single step.例文帳に追加

マザーボードプリント配線板の配線層を絶縁保護被覆するマザーボードカバー層の形成を１回で完了させ、多層配線板の製造において工程数を増加しないこと。 - 特許庁

Even if the single film 16 (not containing titanium) is deposited on an adhesive layer 15, the film 16 will not peel off from the adhesive layer 15.例文帳に追加

この密着層１５上に単体の（チタンを含有していない）反強誘電体膜１６を成膜しても反強誘電体膜１６が密着層１５から剥離することがない。 - 特許庁

A planar through hole 2a of penetrating the insulating layer 2 through along a thickness direction is provided in the insulating layer 2 so as to face the diaphragm 3a to the single-crystal silicon support substrate 1.例文帳に追加

ダイヤフラム３ａが単結晶シリコン支持基板１に対向するように、絶縁層２に絶縁層２を厚さ方向に貫通する平板状の貫通孔２ａが設けられている。 - 特許庁

In such an SOI substrate, adhesion is high between a buried insulating layer as an underlayer and a single-crystal silicon layer, and it becomes possible to achieve a semiconductor device with high reliability.例文帳に追加

その様なＳＯＩ基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。 - 特許庁

A light-shield layer 4 is formed between a single-crystal silicon layer 2 and a transparent support substrate 1 of the optoelectronic substrate, to block the light from entering a substrate rear-surface.例文帳に追加

このため電気光学基板の透明支持基板１と単結晶シリコン層２の間に遮光層４を形成することにより、基板裏面からの光入射を遮る構造とした。 - 特許庁

The EEPROM device (a device 100 on Fig. 1) is fabricated on a single conductive layer formed on a semiconductor substrate through an insulation layer.例文帳に追加

この発明の実施例は半導体基板の上に絶縁層によって絶縁して配置された単一導電層の上に構成されるＥＥＰＲＯＭデバイス（図１のデバイス１００）である。 - 特許庁

The n-type semiconductor diamond 1 is formed on a substrate 3 which is a diamond {110} single crystal substrate, and provided with a first non-doped diamond layer 7 and an n-type diamond layer 5.例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド１は、ダイヤモンド｛１１０｝単結晶基板である基板３上に形成されており、第１のノンドープダイヤモンド層７及びｎ型ダイヤモンド層５を備えている。 - 特許庁

The release film is constituted by forming the release layer on at least the single surface of a thermoplastic resin film through a layer comprising a water soluble polymer.例文帳に追加

本発明の離型フィルムは、熱可塑性樹脂フィルムの少なくとも片面に水溶性ポリマーからなる層を介して離型層が形成されてなることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a method to form periodical arrangement of magnetic nano particles into a layer (which may be a single layer or multilayer) with high regularity and to stabilize the arrangement above described on a substrate.例文帳に追加

磁性ナノ粒子の層状（単層または多層でもよい）の高度に規則的な周期的配列を作成し、基板表面上の前記配列を安定化する方法を提供すること。 - 特許庁

The deposition method has a process step of chemically adsorbing at least a first layer of the one single-layer film thickness on the substrate by bringing the substrate into contact with the first precursor at the first temperature.例文帳に追加

堆積方法は、第１温度において、基板を第１前駆体に接触させ、前記基板上に少なくとも１単層膜厚の第１層を化学吸着する工程を有する。 - 特許庁

A ferrite layer 1b is formed by a so-called ferrite plating method on a single surface or both surfaces of an electrical insulation layer 1a made of a synthetic resin such as polyimide or ceramic.例文帳に追加

ポリイミド樹脂などの合成樹脂またはセラミックなどから成る電気絶縁層１ａの片面または両面に、いわゆるフェライトめっき法によってフェライト層１ｂを形成する。 - 特許庁

For example, the single crystallinity of the edge 1A of a wafer 1 is destroyed through ion implantation or sand blasting to form a damage layer 11 on the surfacial layer of the wafer edge 1A.例文帳に追加

例えばイオン注入法やサンドブラスト法によってウェーハ１のエッジ部１Ａの単結晶性を崩すことにより、当該ウェーハエッジ部１Ａの表層にダメージ層１１を形成する。 - 特許庁

An amorphous silicon film is deposited so as to cover the seed layer, and subjected to solid-phase epitaxial growth starting at the seed layer as a starting point to form a single-crystal silicon film.例文帳に追加

次に、このシード層を覆うようにアモルファスシリコン膜を堆積させ、このアモルファスシリコン膜をシード層を起点として固相エピタキシャル成長させて、単結晶シリコン膜を形成する。 - 特許庁

A single layer carbon nano-horn aggregation having a specific structure and a considerably large surface area is used as a carbon composite electrode which serves as a polarizable electrode of an electric double layer capacitor.例文帳に追加

電気二重層コンデンサの分極性電極として用いられる炭素複合電極に、特異な構造と非常に大きな表面積有する単層カーボンナノホーン集合体を用いる。 - 特許庁