「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

A coating formed by successively laminating a first layer 25 formed of a chromium single layer, a second layer 26 formed of an alloy layer of chromium and tungsten carbide, a third layer 27 formed of an amorphous carbon layer containing metal containing at least one of tungsten and tungsten carbide and a fourth layer 28 formed of an amorphous carbon layer not containing metal and containing carbon and hydrogen, is formed on a surface of the base material 24.例文帳に追加

基材２４の表面に、クロムの単一層からなる第１の層２５、クロムとタングステンカーバイトとの合金層からなる第２の層２６、タングステン及びタングステンカーバイトの少なくとも一方を含有した金属含有アモルファス炭素層からなる第３の層２７、金属を含有せず炭素と水素とを含むアモルファス炭素層からなる第４の層２８を順に積層した皮膜が形成されている。 - 特許庁

An optically variable magnetic stripe assembly includes a magnetic layer, an optically variable effect generating layer on the magnetic layer, and a non-conductive reflective layer, and further includes an optically opaquing layer between the non-conductive transparency and reflectivity improving layer and the magnetic layer while the optically opaquing layer is provided by a single-color or multiple-color design-provision-visually-reading information.例文帳に追加

磁性層、前記磁性層上の光学可変効果発生層、前記磁性層と前記光学可変効果発生層の間の非導電性透明反射向上層を含み、 前記非導電性透明反射向上層と前記磁性層の間に光学的不明瞭化層をさらに含み、 前記光学的不明瞭化層が、単色または多色設計規定視覚読み取り情報で提供されている光学可変磁気ストライプアセンブリ。 - 特許庁

In a photovoltaic device provided with a substantially intrinsic amorphous silicon layer containing hydrogen between an n-type single crystal silicon substrate and a p-type amorphous silicon layer containing hydrogen, a trap layer is formed between the p-type amorphous silicon layer and the intrinsic amorphous silicon layer, wherein the hydrogen concentration of the trap layer is lower than that of the intrinsic amorphous silicon layer.例文帳に追加

この発明は、ｎ型単結晶シリコン基板と水素を含有するｐ型非晶質シリコン層との間に、水素を含有する実質的に真性な非晶質シリコン層を設けた光起電力装置において、前記ｐ型非晶質シリコン層と前記真性な非晶質シリコン層との間に、前記真性な非晶質シリコン層の水素濃度より水素濃度が低いトラップ層を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device that meets a requirement for thinning a gate insulating layer in a miniaturized transistor under such circumstances that a physical limit occurs on thinning a gate insulating layer because of an increase in tunneling current, i.e. gate leakage current when the gate insulating layer is formed of a silicon oxide single layer.例文帳に追加

微小化されたトランジスタはゲート絶縁層の薄膜化を要求されるが、トンネル電流、つまりゲートリーク電流の増加により、ゲート絶縁層が酸化珪素膜の単層である場合はゲート絶縁層の薄膜化には物理的限界が生じつつある。 - 特許庁

The vitreous silica crucible 1 used for pulling a silicon single crystal has a wall having, from an inner surface toward an outer surface of the crucible 1, a synthetic vitreous silica layer, a natural vitreous silica layer, an impurity-containing vitreous silica layer, and a natural vitreous silica layer.例文帳に追加

シリコン単結晶引き上げに用いるシリカガラスルツボ１であって、前記ルツボ１の壁が、前記ルツボ１の内面から外面に向かって合成シリカガラス層、天然シリカガラス層、不純物含有シリカガラス層及び天然シリカガラス層を有するシリカガラスルツボが提供される。 - 特許庁

In this device 30, a nonvolatile random access memory(NVRAM) structure comprises an implantation element 32 in a single-crystal silicon substrate 34, an insulating layer 36 on the substrate 34, an silicon-on-insulator(SOI) layer 38 on the insulating layer 36, and a sense element 40 in an SOI layer 38 overlapping the implanting element.例文帳に追加

不揮発性ランダム・アクセス・メモリ（ＮＶＲＡＭ）構造が、単結晶シリコン基板内の注入要素と、基板の上の絶縁層と、絶縁層の上のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）層と、注入要素の上に重なるＳＯＩ層内のセンス要素とを含む。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 20 is made by bonding a single-layer anode catalyst electrode 30 to one surface of an electrolyte film 22 and a cathode catalyst electrode 40 to the other surface of the electrolyte film 22, the cathode catalyst electrode 40 being a double-layer structure composed of a first catalyst layer 41 and a second catalyst layer 42.例文帳に追加

膜電極接合体２０は、電解質膜２２の一方の膜面に単層のアノード触媒電極３０を接合し、他方の膜面に接合したカソード触媒電極４０を第１の触媒層４１と第２の触媒層４２の２層構造とする。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal wafer and its manufacturing method which has a stable defectless layer formed on a surface layer and impurity gettering zones of clustered fine crystal defect groups formed in an inner layer deeper than the defectless layer and is suited for forming devices.例文帳に追加

表層に安定した無欠陥層が形成され、その無欠陥層より深い内層に、微細結晶欠陥群が密集した不純物ゲッタリング帯域が形成されたデバイス形成に好適なシリコン単結晶ウエハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁

The core tube 2 for collecting the soil sample in the deep layer and the short core tube 1 for collecting the soil sample in a shallow part of the surface layer are concentrically arranged, and the soil samples at the two places in the surface layer and the deep layer can be simultaneously collected by a single sampling operation.例文帳に追加

深層の土壌を採取するコアチューブ２と表層の浅い部分を採取する長さの短いコアチューブ１を同心に配置し、表層と深層の２箇所の土壌を１回の採取作業によって同時に採取できるようにしたものである。 - 特許庁

In a single-electron tunnel element where a lower electrode, a lower insulating thin-film layer, an intermediate electrode layer, an upper insulating thin-film layer and an upper electrode are laminated in the order on a substrate, the intermediate electrode layer is constituted of an insulating thin film, into which dendrimer molecules are inserted.例文帳に追加

基板上に下部電極、下部絶縁性薄膜層、中間電極層、上部絶縁性薄膜層、上部電極を順次積層した単一電子トンネル素子において、中間電極層をデンドリマー分子を挿入した絶縁性薄膜により構成する。 - 特許庁

The compound semiconductor epitaxial wafer comprises a semiconductor substrate 10, and an epitaxial layer 20 formed on the semiconductor substrate 10 wherein a single layer or multilayer insulation layer 15 is provided between the semiconductor substrate 10 and the epitaxial layer 20.例文帳に追加

半導体基板１０と、この半導体基板１０上に形成されたエピタキシャル層２０とを有する化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記半導体基板１０と上記エピタキシャル層２０との間に、単層もしくは多層からなる絶縁層１５を設ける。 - 特許庁

An essentially intrinsic microcrystal silicon thin-film layer 5 and a P-type microcrystal silicon carbide layer 6 are formed on the N-type single-crystal silicon layer 4 and the microcrystal silicon thin-film layer 5, respectively by the plasma CVD method, and a transparent conductive film 7 is formed on the uppermost surface.例文帳に追加

前記Ｎ型単結晶シリコン層(4) の上に実質的に真性の微結晶シリコン薄膜層(5) と、同微結晶シリコン薄膜層(5) の上にＰ型微結晶シリコンカーバイド層(6) とをプラズマＣＶＤ法により成膜し、最表面に透明導電膜(7) を形成する。 - 特許庁

One electrode 14, 15 supported by the substrate 12 comprises a first conductive layer 14, and a polarity control layer 15 arranged between the conductive layer 14 and the thin film 16 and made up of metal whose standard single electrode potential is lower than that of the conductive layer 14.例文帳に追加

基板１２に支持される一方の電極１４，１５は、第１の導電層１４と、第１の導電層１４と圧電薄膜１６との間に配置され、第１の導電層１４より標準単極電位の低い金属からなる極性制御層１５とを含む。 - 特許庁

The embodiments pertain to an electrophotographic imaging member having a charge transport layer in which a charge transport molecule (CTM) concentration gradient is formed through a single coating pass using only a single charge transport layer solution, and time-of-flight based methods of measuring the CTM gradient through the thickness of the charge transport layer.例文帳に追加

電荷輸送層を備え、この層の中にたった１種類の電荷輸送層溶液を用いたシングルコーティングパスによって電荷輸送分子（ＣＴＭ）濃度勾配が作られる電子写真式画像形成体に関し、また、電荷輸送層の厚み方向に沿ってＣＴＭ勾配を測定する飛行時間型の方法に関する。 - 特許庁

Further, a first matching layer 12 composed of single crystal of Al is arranged between a surface of the substrate 2 and backs of the insulating layers 3, and a second matching layer 13 is arranged which is formed so as to cover the gaps 4 and the insulating layers 3, positioned below the growth layer 5 and composed of single crystal of GaAlN.例文帳に追加

更に、前記基板２の表面と前記絶縁層３の裏面との間に、Ａｌの単結晶から成る第１整合層１２を設け、前記隙間４および前記絶縁層３を覆う様に形成され、かつ前記成長層５の下に位置し、ＧａＡｌＮの単結晶から成る第２整合層１３を設けた。 - 特許庁

The photovoltaic device using a single crystal or polycrystalline semiconductor layer separated from a single crystal or polycrystalline semiconductor substrate as a photovoltaic layer has a so-called SOI (silicon on insulator) structure in which the semiconductor layer is bonded to a substrate having an insulating surface or an insulating substrate.例文帳に追加

単結晶若しくは多結晶半導体基板から分離した単結晶若しくは多結晶半導体層を光電変換層とする光電変換装置であって、当該半導体層を絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板に接合させる所謂ＳＯＩ構造を備えたことを要旨とする。 - 特許庁

A semiconductor substrate is a single-crystal silicon wafer having a relaxed, single-crystal layer containing silicon and germanium on its surface, the germanium content at the surface of the layer in the range from 10% by weight to 100% by weight, and a layer of periodically arranged cavities below the surface.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハと、その表面上に存在する、シリコン及びゲルマニウムを含有する緩和された単結晶層（この場合、前記層の表面のゲルマニウム含有量は１０質量％〜１００質量％の範囲内にある）と、及び前記表面の下に周期的に配置された中空室の層とを有する半導体基板 - 特許庁

In the cover tape 1 which prevents a component put into a pocket 3 of a carrier tape 2 from slipping out of the packet, the tape 1 is a single layer material or a laminated material, and an outer layer of the single layer material or the laminated material is composed of a stretched film containing a poly lactic acid polymer and an antistatic agent.例文帳に追加

キャリアテープ２のポケット３に収納された部品の飛び出しを防止するためのカバーテープ１において、カバ−テープ１は、単層体又は積層体であり、上記単層体又は積層体の外層は、ポリ乳酸系重合体及び帯電防止剤を含む延伸フィルムからなることを特徴とする。 - 特許庁

The magnetic sensor 10 is equipped with a single substrate 10a, ordinary GMR devices 11 and 12 each comprising a spin valve film equipped with a single film fixed layer, and SAF devices 13 and 14 each comprising a synthetic spin valve film equipped with a multi-layer film laminate fixed layer formed so as to be superposed an an upper part of each of the GMR devices.例文帳に追加

磁気センサ１０は、単一の基板１０ａと、単一膜固定層を備えたスピンバルブ膜からなる通常ＧＭＲ素子１１及び１２と、これらの通常ＧＭＲ素子のそれぞれの上部に重なるように形成された多層膜積層固定層を備えたシンセティックスピンバルブ膜からなるＳＡＦ素子１３，１４とを備える。 - 特許庁

The single-layer photoreceptor of the electrophotographic photoreceptor comprising an electroconductive supporter and a single-layer photosensitive layer contains an aromatic polycarbonate containing a constituent unit derived from a compound having an asymmetrical bis(hydroxy)enamine basic skeleton represented by general formula (1) (wherein, n is an integer of 0-3).例文帳に追加

導電性支持体と単層型感光層とを含む電子写真感光体において、単層型感光層に、一般式（１）（式中ｎは０〜３の整数を示す。）で表される非対称ビスヒドロキシエナミン基本骨格を有する化合物から誘導される構成単位を含む芳香族ポリカーボネートを含有させる。 - 特許庁

To provide a single-layer electrophotographic photoreceptor capable of effectively suppressing reduction in charging potential, even in the case where a photosensitive layer is liable to oxidation deterioration by an activated gas, such as, ozone generated in a charging step, an image forming apparatus including such a single-layer electrophotographic photoreceptor, and to provide an image formation method.例文帳に追加

帯電工程において発生するオゾン等の活性ガスによって、感光層が酸化劣化しやすい場合であっても、帯電電位の低下を効果的に抑制できる単層型電子写真感光体、そのような単層型電子写真感光体を含む画像形成装置、及び画像形成方法を提供する。 - 特許庁

An N-type first single-crystal silicon layer (collector region) 10c is provided on a silicon substrate 10a via a first insulating film 10b, and a P-type first polysilicon layer (base extracting region) 12 is provided on the N-type first single-crystal silicon layer 10c through the intermediary of a second insulating film 11.例文帳に追加

シリコン基板１０ａの上に第１の絶縁膜１０ｂを介してｎ型の第１の単結晶シリコン層（コレクタ領域）１０ｃが設けられており、該第１の単結晶シリコン層１０ｃの上には第２の絶縁膜１１を介してｐ型の第１のポリシリコン層（ベース用引き出し領域）１２が設けられている。 - 特許庁

A sapphire film 50 is provided on a glass substrate 1, a single crystal silicon layer 7 is subjected to epitaxial growth from a silicon/indium fluxing liquid layer 6 on the sapphire film, specific treatment is made to the single crystal silicon layer, and a semiconductor device for IPIC where intellectual property function blocks or elements are isolated is formed.例文帳に追加

ガラス基板１上にサファィア膜５０を設け、この上にシリコン・インジウム溶融液層６から単結晶シリコン層７をエピタキシャル成長させた後、この単結晶シリコン層に所定の処理を施し、知的資産機能ブロック又は素子間を分離したＩＰＩＣ用の半導体装置を形成する。 - 特許庁

The single layer-type electrophotographic photoreceptor is provided with a photosensitive layer which contains a binder resin, a hole-transporting agent and a charge-generating agent, and the image-forming device uses the single layer-type electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

結着樹脂と、正孔輸送剤と、電荷発生剤と、を含む感光層を備えた単層型電子写真感光体及び及びそれを用いた画像形成装置であって、正孔輸送剤として、下記一般式（１）で表されるヒドラゾン化合物を含むとともに、結着樹脂の接触角（測定温度：２５℃、測定試料：純水）を９８°以上の値とする。 - 特許庁

This single-sided copper-clad laminate roll can be obtained by forming a strip-like single-sided copper-clad laminate 5 through laminating copper foil 1 on one surface of a liquid crystal polymer layer 2, and rolling the laminate 5 after thermal treatment.例文帳に追加

片面銅張積層板ロールは、液晶ポリマー層２の片面に銅箔１を積層して帯状の片面銅張積層板５を形成し、さらに熱処理した後、ロール巻き取りすることで得られる。 - 特許庁

To provide a vitreous silica crucible for pulling silicon single crystals, which can melt a silicon raw material in a short time and improve the production yield of the silicon single crystal by temporal change of an opaque vitreous silica layer.例文帳に追加

シリコン原料を短時間で溶融でき、且つ、不透明石英ガラス層の経時的な変態によってシリコン単結晶の製造歩留まりを向上させることが可能な石英ガラスルツボを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a single particle layer wherein nano-particles are regularly arranged on a base material in a single particle state to be fixed on the base material.例文帳に追加

本発明は、基材上にナノ粒子を単粒子状に規則的に配列させ、かつ基材上に固定化させた単粒子層積層体の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

To provide a pneumatic tire having reduced tire weight, which is an advantage based on a single twisted cord, without deteriorating the durability of the tire, the tire having a carcass layer constituted of the single twisted cord.例文帳に追加

カーカス層を片撚りコードで構成したタイヤにおいて、タイヤの耐久性を悪化させることなく、片撚りコードに基づく利点であるタイヤの軽量化を可能にした空気入りタイヤを提供する。 - 特許庁

In this way, a blue light radiated from the light-emitting layer 3 is transmitted through the Al_2O_3 single crystal phase 22, passes through the Y_3Al_5O_12 single crystal phase 21, and excites the Ce^3+ ions to radiate a yellow light.例文帳に追加

これにより、発光層３で放射した青色光は、Ａｌ_2Ｏ_3単結晶相２２を透過するとともに、Ｙ_3Ａｌ_5Ｏ_12単結晶相２１を通過し、Ｃｅ^3+イオンを励起して黄色光を放射する。 - 特許庁

To provide a system distinguishing a program included in a disk of an optional format including a single-sided or double-sided format disk having a single layer track or multilayered tracks.例文帳に追加

単一層のトラックまたは多層トラックの何れかを有する片面形のまたは両面形のディスクを含めて、任意フォーマットのディスク中に含まれているプログラムを識別するシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a new method for manufacturing a nitride-based single crystal substrate by which a high-quality crystal can be grown based on a ZnO single crystal layer, and to provide a nitride-based semiconductor light emitting element using the above method.例文帳に追加

ＺｎＯ単結晶層に基づく良質の結晶成長が可能な、新たな窒化物単結晶基板の製造方法及びこれを利用した窒化物半導体発光素子を提供すること - 特許庁

The coating film containing Ti and O formed on the surface-treated steel sheet preferably contains Ti in an amount of 3 to 200 mg/m^2 per single surface, and the Fe-Ni alloy layer preferably contains Ni in an amount of 5 to 1,000 mg/m^2 per single surface.例文帳に追加

本発明の表面処理鋼板では、TiおよびOを含む皮膜のTi量が片面あたり3〜200mg/m^2であること、また、Fe-Ni合金層のNi量が片面あたり5〜1000mg/m^2であることが好ましい。 - 特許庁

In another design, a single substrate is extended on the backside of the chip 38 so as to completely cross the backside, and a ground via is extended to pass through the single substrate to connect the backside metal layer 44 to the fixing tool 42.例文帳に追加

他の設計では、基板（８０）はチップ（３８）の裏面を完全に横切るように延び、グラウンド・バイア（８４）は基板（８０）を通って延び裏面金属層（４４）を固定具（４２）に接続させる。 - 特許庁

A growth main surface of the GaN-based single crystal substrate 1 is an (m) plane and a growth main surface of the GaN-based semiconductor layer 2 formed on the GaN-based single crystal substrate 1 is also an (m) plane.例文帳に追加

ＧａＮ系単結晶基板１の成長主面はｍ面となっており、ＧａＮ系単結晶基板１上に形成されたＧａＮ系半導体層２の成長主面もｍ面となる。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in a piezoelectric single-crystal substrate 1 under prescribed conditions to form an ion-implanted layer 100 at a position of prescribed depth from one principal surface of the piezoelectric single-crystal substrate 1 (S101).例文帳に追加

圧電単結晶基板１に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板１の一主面から所定深さの位置にイオン注入層１００を形成する（Ｓ１０１）。 - 特許庁

To constitute this single-layer metal gasket by a single seat of metal plate in a total region connecting internal/external peripheral metal plates, and reducing a tightening thickness, while a structure is constituted simple.例文帳に追加

この単層金属ガスケットは，内周金属板と外周金属板とを連結した全域に一枚の金属板で構成され，構造をシンプルに構成すると共に締め付け厚さを低減する。 - 特許庁

By doping impurity to the top area of the first single-crystal silicon film 107 and the whole area of the second single-crystal silicon film 108, an impurity diffusion layer 109 being a source or drain is formed.例文帳に追加

第１の単結晶シリコン膜１０７の上部領域及び第２の単結晶シリコン膜１０８の全領域に不純物をドープして、ソース又はドレインとなる不純物拡散層１０９を形成する。 - 特許庁

A lithium ion secondary battery contains a substance having high energy capacity such as a single substance of lithium, a single substance or a compound of silicon or tin in a negative active material layer 1b as an active material.例文帳に追加

負極活物質層１ｂ中に活物質としてリチウムの単体、ケイ素やスズの単体及びその化合物などのエネルギー容量の大きな物質が含まれるリチウムイオン二次電池を作製する。 - 特許庁

This semiconductor substrate 100 has single crystal layers 101 and 103 having a main surface 100a and a silicon oxide layer 102 formed in the single crystal silicon layers 101 and 103.例文帳に追加

半導体基板１００は、主表面１００ａを有する単結晶シリコン層１０１および１０３と、単結晶シリコン層１０１および１０３内に形成されたシリコン酸化物層１０２とを備える。 - 特許庁

A buried oxide film 12 is formed on single crystal semiconductor substrate 11, and a first single crystal semiconductor layer 13 constituting the backgate electrode is formed on the buried oxide film 12.例文帳に追加

単結晶半導体基板１１上には埋め込み酸化膜１２が形成され、埋め込み酸化膜１２上には、バックゲート電極を構成する第１単結晶半導体層１３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser diode 10 includes a hexagonal-wurtzite single crystal substrate 12 and an active layer 15, made of InGaN formed on m-plane (1_100) of the single-crystal substrate 12.例文帳に追加

半導体レーザダイオード１０は、六方晶系ウルツ鉱型単結晶基板１２と、この単結晶基板１２のｍ面（１＿１００）上に形成されたＩｎＧａＮからなる活性層１５とを備える。 - 特許庁

After a muddy layer 2 is formed by implanting hydrogen ions into a single crystal SiC substrate 1, a base substrate 3 is fixed to the side of the single crystal SiC substrate 1 implanted with the hydrogen ions and heat treated.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ基板１に水素イオンを注入して泥弱層２を形成した後、単結晶ＳｉＣ基板１の水素イオンを注入した面側にベース基板３を貼り付け、熱処理をする。 - 特許庁

To provide a method of producing a single crystal substrate, which comprises dividing a crystal layer or a substrate into a plate form and by which the single crystal substrate of silicon carbide having a large surface area and low surface defects can be produced.例文帳に追加

結晶層又は基板を板状に分割する方法を利用し、炭化珪素等の大面積で低面欠陥密度の単結晶基板を製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

The packaging material is obtained by laminating: a first base material composed of a single layer or a multilayered member; a tackifier layer composed of a water dispersible delayed tack agent containing a thermoplastic resin, a tackifier resin and a solid plasticizer; a second base material composed of a single layer or a multilayered member; and a sealant layer composed of a thermoplastic resin in the order wherein the tackifier layer is laminated on at least a part.例文帳に追加

単層または多層の部材からなる第１基材と、熱可塑性樹脂、粘着付与樹脂および固形可塑剤を含む水性分散型のディレードタック剤からなる粘着付与層と、単層または多層の部材からなる第２基材と、熱可塑性樹脂からなるシーラント層とを順次積層してなり、前記粘着付与層は、少なくとも一部分に積層してなることを特徴とする包装材料である。 - 特許庁