「soi sensor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When the thickness of the SOI layer of the SOI substrate is set to ≥1 μm and <7 μm, the wavelength of the levelling sensor light is set to 450 nm.例文帳に追加

また、前記ＳＯＩ基板のＳＯＩ層の厚さを１μｍ以上７μｍ未満とする場合は、前記レベリングセンサー光の波長を４５０ｎｍとする。 - 特許庁

The optical sensor 1 has the visible-light sensor 3 formed on a semiconductor support substrate 11 and the ultraviolet-ray sensor 5 formed on the SOI layer 13 of an SOI substrate 10 composed of the semiconductor support substrate 11 and the SOI layer 13 disposed on the semiconductor support substrate 11 with a buried oxide film 12 interposed.例文帳に追加

光センサ１は、半導体支持基板１１と、半導体支持基板１１上に埋め込み酸化膜１２を介して配置されたＳＯＩ層１３とからなるＳＯＩ基板１０において、半導体支持基板１１に形成された可視光センサ３と、ＳＯＩ層１３に形成された紫外線センサ５と、を有する。 - 特許庁

When the thickness of an SOI layer 3c of the SOI substrate is set to ≥7 μm and ≤20 μm, the levelling sensor light has a wavelength range of 450-633 nm.例文帳に追加

前記ＳＯＩ基板のＳＯＩ層３ｃの厚さを７μｍ以上２０μｍ以下とする場合は、前記レベリングセンサー光は、４５０ｎｍ〜６３３ｎｍの波長領域を有する。 - 特許庁

In a gyro sensor 1, conductivity in the post 41 can be easily secured by forming the post 41 having the thickness similar to an SOI substrate 20 by using a conductive material.例文帳に追加

ジャイロセンサ１は、導電性の材料を用いて、SOI基板２０と同様の厚さからなるポスト４１を形成することで、ポスト４１内の導通を容易にとることができる。 - 特許庁

A semiconductor pressure sensor 1 has as SOI substrate 2 on which a diaphragm 3 is formed, and four piezo resistance elements R1-R4 provided on the SOI substrate 2.例文帳に追加

半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム３が形成されたＳＯＩ基板２と、ＳＯＩ基板２上に設けられた４つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを有する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor physical quantity sensor by using an SOI substrate 1, a single crystal silicon substrate 2 and buried oxide film 4 are removed after bonding the SOI substrate 1 to a sensor wafer 11 so that a single crystal layer 3 becomes a cap layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１を用い、ＳＯＩ基板１をセンサウェハ１１に貼り合わせてから単結晶シリコン基台２および埋め込み酸化膜４を除去し、単結晶シリコン層３がキャップ層となるようにする。 - 特許庁

A part except for a division comprising heater pattern out of SOI layers in the SOI substrate used for formation of a thermal type flow sensor S1 is selectively oxidized to form silicon oxide film 13 around the heater pattern.例文帳に追加

熱式流量センサＳ１を形成するために用いるＳＯＩ基板のＳＯＩ層のうちヒータパターンとなる部分以外を選択酸化し、ヒータパターンの周囲にシリコン酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

To provide: an SOI substrate where an antireflective film or the like capable of preventing characteristics of an image sensor from deteriorating, are preformed; a method of manufacturing the same; and a method of manufacturing a solid-state image pickup device with the SOI substrate.例文帳に追加

イメージセンサ特性の劣化を防止できる、反射防止膜などを予め形成したＳＯＩ基板とその製造方法およびそれを用いた固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An integrated circuit having MISFETs and wiring is formed on a silicon layer 102 of an SOI substrate, and the MEMS sensor containing a structure 125 inside is formed by processing a substrate layer 100 of the SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン層１０２上にＭＩＳＦＥＴや配線を有する集積回路を形成し、ＳＯＩ基板の基板層１００を加工して、構造体１２５を含むＭＥＭＳセンサを形成している。 - 特許庁

The integrated circuit and the MEMS sensor are electrically connected to each other by a through-electrode 121 provided in the SOI substrate.例文帳に追加

そして、集積回路とＭＥＭＳセンサとは、ＳＯＩ基板の内部に設けられている貫通電極１２１によって電気的に接続されている。 - 特許庁

To secure a sufficient performance (sensitivity or the like) of a pressure sensor without using two monocrystal silicon substrates pasted with each other or a SOI substrate in the pressure sensor, and also to further reduce its cost.例文帳に追加

圧力センサにおいて２枚の単結晶シリコン基板を張り合わせたものやＳＯＩ基板を適用せずに、圧力センサにおいて十分な性能（感度等）を確保すると共に、そのコストをより抑制する。 - 特許庁

To provide a sensor constitution for a semiconductor kinematic value sensor formed by a beam structure body, of which supporting for the beam structure body becomes stable through etching an insulating film by using an SOI(silicon-on-insulator) wafer.例文帳に追加

ＳＯＩウェハを用いて絶縁膜をエッチングすることにより、梁構造体を形成してなる半導体力学量センサにおいて、梁構造体の支持が安定となるようなセンサ構成を提供する。 - 特許庁

In this sensor, SOI substrate 1 is used to form a first condenser component part E1, a second condenser component part E2 and a third condenser component part E3.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１を用いて第１のコンデンサ構成部Ｅ１と第２のコンデンサ構成部Ｅ２と第３のコンデンサ構成部Ｅ３が形成されている。 - 特許庁

To provide a compact optical sensor in the form of one chip by forming an ultraviolet-ray sensitive element and a visible-light sensitive element on a semiconductor substrate having an SOI structure.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の半導体基板に、紫外線感光素子と可視光感光素子とを形成して、１チップ化された小型の光センサを提供する。 - 特許庁

At least two acceleration-detecting inertial sensor elements 31 having different acceleration strengths are provided on the same substrate(SOI substrate 20).例文帳に追加

同一基板（ＳＯＩ基板２０）に加速度強度が異なる加速度を検出する慣性センサ素子３１を少なくとも２つ以上有することを特徴とする。 - 特許庁

The head section of the thin film, made of an SOI layer or the like and formed like a cantilever, is used as the sample holder, and a thin-film temperature sensor is formed on this region.例文帳に追加

ＳＯＩ層などをカンチレバ状に形成した薄膜の先端部を試料ホルダとして利用し、この領域に薄膜温度センサを形成する。 - 特許庁

The pressure sensor is manufactured by jointing two wafers 1a, 1st wafer equipped with CMOS circuit 2, and 14, a 2nd wafer which is a SOI (Silicon-On-Insulator) wafer.例文帳に追加

圧力センサは、ＣＭＯＳ回路２を具備する第１ウェハとＳＯＩウェハである第２ウェハの２つのウェハ１ａ、１４を接合することによって製造される。 - 特許庁

In the gyro sensor 1, formation of a V-groove for securing conductivity in the post 41 which is necessary when forming the post by using the SOI substrate 20 becomes unnecessary by forming the post 41 by using the conductive material, and the size of the post can be reduced, to thereby enable miniaturization of the gyro sensor 1.例文帳に追加

また、ジャイロセンサ１は、導電性の材料を用いてポスト４１を形成することにより、SOI基板を用いてポストを形成する場合に必要であったポスト４１内の導通をとるためのV溝を形成することが不要となり、ポストのサイズを小さくすることができるため、ジャイロセンサ１の小型化が可能である。 - 特許庁

This compound sensor includes a UV sensor part including a PN junction area provided within an SOI layer layered on an embedded oxide film on a semiconductor substrate, and an IR sensor part including an N-type low-density diffusion area provided in the SOI layer, and an N-type high-density diffusion area provided within the semiconductor substrate opposedly to the low-density diffusion area.例文帳に追加

半導体基板上の埋め込み酸化膜上に積層されたＳＯＩ層内に設けられたＰＮ接合領域を含むＵＶセンサ部と、前記ＳＯＩ層に設けられたＮ型の低濃度拡散領域及び前記低濃度拡散領域に対向して前記半導体基板内に設けられたＮ型の高濃度拡散領域を含むＩＲセンサ部とを有している。 - 特許庁

More specifically, the cap layer and the sensor wafer 11 are bonded to be thinned not by preparing and bonding the thin cap to the sensor wafer from the outset but by allowing the cap layer to be in a wafer condition on the thick SOI substrate 1.例文帳に追加

つまり、最初から薄膜のキャップ層を用意してセンサウェハ１１に貼り合わせるのではなく、貼り合わせるときまでは厚いＳＯＩ基板１にてウェハ状態を保ちつつ、貼り合わせ後にそれを薄膜化する。 - 特許庁

To easily form an electrode for anode connection in a method for manufacturing a semiconductor pressure sensor obtained by forming a diaphragm for pressure detection on an SOI(silicone-on-insulator) substrate and anode connecting this SOI substrate to a glass pedestal.例文帳に追加

ＳＯＩ（シリコン−オン−インシュレータ）基板に対して、圧力検出用のダイヤフラムを形成し、このＳＯＩ基板をガラスよりなる台座に陽極接合してなる半導体圧力センサの製造方法において、陽極接合用の電極部を容易に形成できるようにする。 - 特許庁

This semiconductor gas sensor is equipped with a heater 4 supported in a beam-like shape on a support member (SOI substrate) made of silicon monocrystal and a Schottky diode formed on the heater 4.例文帳に追加

半導体式ガスセンサは、支持部材（ＳＯＩ基板）に梁状に支持されたシリコン単結晶からなるヒータ４と、ヒータ４上に形成されたショットキーダイオードを備えている。 - 特許庁

This light sensor includes an SOI substrate 12 with a silicon oxide insulation film 16 and a silicon semiconductor layer 18 made of single-crystal silicon formed on a silicon substrate 14.例文帳に追加

光センサは、シリコン基板１４上に、酸化シリコン絶縁膜１６、単結晶シリコンからなるシリコン半導体層１８が形成されたＳＯＩ基板１２を備えている。 - 特許庁

To provide a vibrator-type dynamic quantity sensor capable of forming a sensor element including a vibrator having a fixed part and a spindle provided to surround the outer diameter of the fixed part coupled via a plurality of beams in Si wafer batch processing using a SOI wafer, for example, and a method of manufacturing the sensor.例文帳に追加

固定部と該固定部の外径側を囲むように配設された錘とを複数の梁で連結してなる振動体を備えたセンサ素子を例えばＳＯＩウェハを用いたＳｉウェハ一括プロセス処理で形成できるようにした振動体型力学量センサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a physical quantity sensor capable of realizing simultaneously improvement of airtightness and reduction of an electric resistance between an electrode pad and a detection part for detecting displacement of a movable part, concerning a physical quantity sensor, especially, an acceleration sensor formed by using an SOI substrate or the like.例文帳に追加

特に、ＳＯＩ基板を用いて形成した加速度センサ等の物理量センサにおいて、気密性の向上と、電極パッドと可動部の変位量を検出するための検出部との間の電気抵抗の低減を同時に得ることが可能な物理量センサを提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method for controlling thinning of a semiconductor wafer for a solid-state image sensor, capable of reducing variations of thickness of the solid-state image sensor at low cost without increasing number of processes than that of a conventional method in which an SOI wafer is used for thinning the semiconductor wafer.例文帳に追加

撮像素子の厚さばらつきが、半導体ウェーハの薄膜化にＳＯＩウェーハを使用した従来法より工程数の増加を招かず低コスト化が可能な固体撮像素子用半導体ウェーハの薄膜化制御方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes the pixel controller and driver of a liquid crystal display, and/or an image sensor, a static random access memory(SRAM), a silicon on insulator(SOI), and a three-dimensional integration circuit device.例文帳に追加

半導体デバイスには、液晶表示装置の画素コントローラ及びドライバ並びに、イメージセンサ、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、及び３次元集積化回路デバイスが含まれる。 - 特許庁

The sensor chip is formed on an SOI substrate 100, and an n-type semiconductor layer formed with a pMOS transistor is separated from a p-type semiconductor layer formed with an MOS transistor, by pn-joining.例文帳に追加

センサチップをＳＯＩ基板１００上に形成し、ｐＭＯＳトランジスタが形成されるｎ型半導体層とｎＭＯＳトランジスタが形成されるｐ型半導体層とはｐｎ接合により分離する。 - 特許庁

A sensor mainframe 1 is formed by using an SOI substrate 100' in which an active layer 103 composed of an n-type silicon layer is formed on a buried insulating layer 102 on a support layer 101 composed of an n-type silicon layer.例文帳に追加

センサ本体１は、ｎ形シリコン層からなる支持層１０１上の埋込絶縁層１０２上にｎ形シリコン層からなる活性層１０３が形成されたＳＯＩ基板１００’を用いて形成される。 - 特許庁

A material having a variation of a linear expansion coefficient with respect to temperature variation equivalent to that of an SOI substrate at least in a use temperature range of this semiconductor type pressure sensor is used for a glass pedestal.例文帳に追加

ガラス台座には、少なくとも半導体式圧力センサの使用温度範囲において、温度変化に対するその線膨張係数の変化量がＳＯＩ基板の同変化量とほぼ同等である材質を用いている。 - 特許庁

The buried layer of the SOI substrate (Silicon On Insulator) used for forming a thermal flowrate sensor is not only constituted with one layer of SiO_2 but also a silicon nitride membrane 11 arranged on the surface 10b of the silicon substrate 10.例文帳に追加

熱式流量センサを形成するために用いるＳＯＩ基板の埋め込み層をＳｉＯ_2の一層のみによって構成せずに、シリコン基板１０の表面１０ｂに配置したシリコン窒化膜１１も備えた構成とする。 - 特許庁

The capacitance type pressure sensor is provided with a diaphragm body 2 having a substrate electrode 24 and a diaphragm part 26, and a seal cap body 3 having a detection electrode 31 wherein the diaphragm body 2 comprises an SOI laminate 21.例文帳に追加

基板電極２４及びダイヤフラム部２６を有するダイヤフラム体２と、検出電極３１を有するシールキャップ体３と、を具備する静電容量型圧力センサ１において、ダイヤフラム体２は、ＳＯＩ積層体２１からなる。 - 特許庁

In the method of producing the inertial sensor 1 including forming at least two inertial sensor elements 31 on the same substrate (SOI substrate 20), the respective inertial sensor elements 31 have different acceleration strengths, are used to detect accelerations, each element 31 containing a mass section 43 displaceably supported by an elastic support 42, and the respective inertial sensor elements 31 are formed in the same process.例文帳に追加

その製造方法は、同一基板（ＳＯＩ基板２０）に慣性センサ素子３１を少なくとも２つ以上形成する慣性センサ１の製造方法であって、前記各慣性センサ素子３１を加速度強度が異なる加速度を検出するもので弾性支持体４２に変位自在に支持された質量部４３を有する慣性センサ素子３１で形成し、前記各慣性センサ素子３１を同一工程で形成することを特徴とする。 - 特許庁

The exposure method has a step in which leveling sensor light is made incident into an exposure region on the surface of an SOI substrate before emitting exposure light in the exposure region and a leveling correction is performed by detecting reflected light beams generated by reflection of incident light beams 4a, 4d of the leveling sensor light from the exposure region.例文帳に追加

本発明に係る露光方法は、ＳＯＩ基板の表面の露光領域に露光光を照射する前に、前記露光領域にレベリングセンサー光を入射し、その入射光４ａ，４ｄが前記露光領域で反射する反射光を検出することによりレベリング補正を行う工程を有する露光方法である。 - 特許庁

At that time, an injector 14 is controlled based on, for example signal from a crank angle sensor 22 so as to keep both of ignition start timing and end timing at roughly fixed crank angles (SOI, EOI) even if engine speed fluctuates (S6-S9).例文帳に追加

その際、エンジン回転数が変動しても噴射開始時期及び終了時期の双方が略一定のクランク角度（ＳＯＩ，ＥＯＩ）になるように、例えばクランク角センサ２２からの信号に基づいてインジェクタ１４を制御する（Ｓ６〜Ｓ９）。 - 特許庁

With this constitution, a sheet resistance component, which is produced undersirably by a large area planar structure p-n junction in a thin SOI layer, can be substantially subs reduced, and as a result, a non-cooled infrared sensor with low noise and high sensitivity can be obtained.例文帳に追加

このような構成により、薄いＳＯＩ層における大面積プレーナ型ｐｎ接合で問題となっていたシート抵抗成分を大幅に低減することができ、その結果として低雑音・高感度の非冷却赤外線センサを得ることが出来る。 - 特許庁

Thereby, even if temperature changes at least in the use temperature range of the semiconductor type pressure sensor, the quantity of deformation of the glass pedestal is generally equalized to that of the SOI substrate, so that fluctuation of an offset output caused by temperature variation can be prevented.例文帳に追加

それによって、少なくとも半導体式圧力センサの使用温度範囲において温度が変化しても、ＳＯＩ基板とガラス台座との変形量がほぼ均一になるため、温度変化によるオフセット出力の変動を防止することができる。 - 特許庁

A single-crystal silicon layer 8 and a metal silicide layer 13 layered on it are formed on a bulk silicon substrate side of a planar structure p-n junction, formed in an SOI layer which is a thermoelectric transducing part of a forward bias p-n junction type non-cooled infrared sensor.例文帳に追加

順バイアスｐｎ接合型の非冷却赤外線センサの熱電変換部となる、ＳＯＩ層に形成されたプレーナ構造ｐｎ接合のバルクシリコン基板側に単結晶シリコン層８と積層された金属シリサイド層１３が形成される。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor pressure sensor by dicing a wafer, produced by bonding a glass substrate to an SOI substrate on which a diaphragm for detecting pressure is formed, in which the lifetime of a dicing blade is prolonged and chipping is suppressed at the edge of a chip on the bonding interface thereof.例文帳に追加

圧力検出用のダイヤフラムが形成されたＳＯＩ基板とガラス基板とを接合したウェハをダイシングカットする半導体圧力センサの製造方法において、ダイシングブレードの長寿命化、及び、チップの接合界面におけるエッジ部の欠けの抑制を図る。 - 特許庁

To provide an MEMS (micro-electromechanical system) sensor in which a frame body part formed from a silicon wafer of an SOI (silicon on insulator) layer is fixed to a counter substrate while interposing a metal-bonded part between them and a protective insulation layer for covering the metal-bonded part can be formed faultlessly.例文帳に追加

ＳＯＩ層のシリコンウエハで形成された枠体部と対向基板とが金属結合部を介して固定されたＭＥＭＳセンサにおいて、金属結合部を覆う保護絶縁層を欠陥無く形成できるようにしたＭＥＭＳセンサを提供する。 - 特許庁

The thermal analysis sensor having the heating means is constituted, such that the sample holder can be heated uniformly by forming a thin film heater which is used as the heating means, on a diaphragm being positioned on the upper and the lower sides of the cantilever of the SOI layer and sandwiches the thin film via a gap, or by forming a thin-film heater which surrounds the thin film.例文帳に追加

このＳＯＩ層のカンチレバの上側と下側に空隙を介して薄膜を挟むダイアフラムに加熱手段としての薄膜ヒータを形成するか、または薄膜を囲む薄膜ヒータを形成して試料ホルダを一様に加熱できるように加熱手段を有する熱分析センサを構成する。 - 特許庁

Instead of a conventional method for thinning the SOI wafer accompanying an etching stop, a method including a step of measuring thickness of a semiconductor wafer layer from its mirror finished surface to the solid-state image sensor and a step of plasma-etching the semiconductor wafer layer from the mirror finished surface to a predetermined thickness while controlling the plasma-etching amount based on the residual thickness data, is adopted.例文帳に追加

エッチングストップを伴った従来法のＳＯＩウェーハの薄膜化に代えて、半導体ウェーハ層の鏡面化された面から固体撮像素子までの厚さを測定し、その残厚データに基づき、半導体ウェーハ層を、その鏡面化された面から所定厚さまで、プラズマエッチング量を制御してプラズマエッチングする方法を採用した。 - 特許庁

The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.例文帳に追加

熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁

This sensor wherein a moving electrode 4 of the moving part 1 is arranged oppositely to the fixed electrodes 6, 7 and an acceleration is detected based on a capacity change between the moving electrode 4 and the fixed electrodes 6, 7 when the moving part 1 is displaced by receiving the acceleration, is constituted of an SOI substrate 20 having an insulating layer 22 between the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 23.例文帳に追加

可動部１の可動電極４を固定電極６、７と対向配置し、加速度を受けて可動部１が変位したときの可動電極４と固定電極６、７間の容量変化に基づいて加速度を検出するようにしたものであって、第１の半導体層２１と第２の半導体層２３との間に絶縁層２２を有するＳＯＩ基板２０によって構成される。 - 特許庁