「sputter-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Deposition-preventive shields 261-264 for preventing deposition of a material emitted from a substrate 9 are disposed in an exchangeable manner in the pre-etching chamber 2 which is connected to a sputter chamber 4 for performing the deposition by the sputtering so as to ensure the continuous vacuum and performs the pre-etching of the surface of the substrate 9 therein.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜処理が行われるスパッタチャンバー４に真空が連続するよう接続され、スパッタリングに先立ち基板９の表面をエッチングする前処理が内部で行われる前処理エッチングチャンバー２内には、基板９から放出された材料の付着を防止する防着シールド２６１〜２６４が交換可能に設けられている。 - 特許庁

In such method of fabricating semiconductor device, the gap between the gates 120 is embedded without any void defect, and reliability of semiconductor device can be improved by conducting the sputter etching process when the inter-layer insulation film 130 is formed on the gate pattern.例文帳に追加

このように、半導体装置の製造方法において、ゲートパターン上に層間絶縁膜１３０を形成する時にスパッタエッチング工程を行えば、ゲート１２０間のギャップがボイド欠陥無しに埋め込まれ、半導体装置の信頼性を高めることができる。 - 特許庁

To provide plasma treatment equipment wherein the so-called self bias phenomenon is maintained for evading abnormal discharge state of plasma gas at a gas jetting port and obtaining desired sputter effect, and control of a deposition film which is especially regarded as important in etching of an oxide film can be effectively performed.例文帳に追加

プラズマガスのガス吐出口での異常な放電状態を回避し，所望のスパッタ効果を得るため，いわゆるセルフバイアス現象を維持し，特に酸化膜エッチングにて重要視されるデポ膜制御を効率よく行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Two second covers 21a, 21b are mounted onto the shaft 13 and seal a gap between the shaft 13 and the insert hole 20a at two opening/closing positions of a shutter, respectively to prevent sputter particles generated by etching using ion beams, from invading the inside of the first cover 12.例文帳に追加

シャッタの開閉二位置において、シャフト１３と挿通穴２０ａとの隙間を塞ぎ、イオンビームでエッチングされて発生したスパッタ粒子が第１カバー１２の内側に侵入するのを防止する２枚の第２カバー２１ａ，２１ｂをシャフト１３に取り付ける。 - 特許庁

A peculiar vibration frequency sensor 10 is provided in a plasma processing chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, and detects a shaving amount by an etching, a sputter, or the like and a change of a peculiar vibration frequency caused by a deposition, to detect a timing of the maintenance of the processing chamber.例文帳に追加

固有振動数センサ１０を半導体製造装置のプラズマ処理室内に設け、エッチング又はスパッタ等による削れ量、及びデポジションによる堆積によって生じる固有振動数の変化を検知して、処理室のメンテナンスのタイミングを検出する。 - 特許庁

The surface of a semiconductor chip (wafer 10) is subjected to ion milling with a mixture gas of Ar and H2 to form conductor layers 14, 16 on an Al layer 12 and a polyimide layer 13, and the exposed surface of the polyimide layer 13 is subjected to sputter etching with am N2 gas.例文帳に追加

半導体チップ（ウエハ１０）の表面に対し、ＡｒとＨ_2 の混合ガスによりイオンミリングを行い、Ａｌ層１２とポリイミド層１３の上に導体層１４，１６を形成した後、露出しているポリイミド層１３の表面に対し、Ｎ_2 ガスによりスパッタエッチングを行う。 - 特許庁

An optically opaque silicon film 2 is deposited on an optically transparent base substrate 1 using a sputter deposition apparatus or the like, and then a portion of the silicon film 2 serving as a passage of light is removed with the specified slit width using a photolithography technique and an etching technique so as to produce the slit 3.例文帳に追加

光学的に透明な基台１上にスパッタ成膜装置等により光学的に不透明なＳｉ膜２を成膜した後、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、所定の幅で光の通路となる部分のＳｉ膜２の一部を取り除き、スリット３を作製する。 - 特許庁

This dry etching method repeatedly executes a step of generating plasma in a vacuum tank to etch a substrate and a step of sputtering a sold material disposed oppositely to the substrate to form a protective film on the side wall of an etching pattern, wherein a mixed gas obtained by adding a reaction gas for forming a protective film to a noble gas is used as a sputter gas in the protective film forming step.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置された固体材料をスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うドライエッチング方法であって、保護膜の形成工程では、スパッタガスとして、希ガスに保護膜形成用の反応ガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

At a thin part of the recess-shaped processing part 211, U-shaped parts 212a and 212b which are cut from one side and the other side to the center of the member of the superconductive film 210 are formed by sputter etching using a converged ion beam to form opposite tips of the U-shaped parts 212a and 212b as a weak coupling part tm.例文帳に追加

この凹形加工部２１１の薄い部分に一方側及び他方側から超電導膜２１０の部材の中心方向に向かって切り欠いたＵ字形状部２１２ａ，２１２ｂを集束イオンビームのスパッタエッチングで形成して、Ｕ字形状部２１２ａ，２１２ｂの対向する先端部を弱結合部ｔｍとして生成する。 - 特許庁

In a process forming the MOS device on the main face of a silicon wafer, before wafer processing by the process device (an etching device, an ashing processing device, a sputter device and a CVD device) using the plasma, an insulating film is previously formed on the wafer rear face and reduces damage to the device caused by the process device using the plasma.例文帳に追加

シリコンウェハ主面にＭＯＳデバイスを形成するプロセスにおいて、プラズマを用いるプロセス装置（エッチング装置、アッシング処理装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置）によるウェハ加工前に、予めウェハ裏面に絶縁膜を形成しておき、プラズマを用いるプロセス装置起因によるデバイスヘのダメージを低減する。 - 特許庁

To suppress problems such as leakages between wirings caused by the surface of a lower copper wiring being sputtered, where although a natural oxide film on the surface of the lower copper wiring at the bottom of the connection hole can be removed by sputter etching, the sputtered copper adheres to the sidewall of a connection hole and the stuck copper shifts within an interlayer insulating film, and others.例文帳に追加

スパッタエッチングにより接続孔底部の下層銅配線表面の自然酸化膜を除去することはできるが、その表面がスパッタされ、スパッタされた銅が接続孔側壁に付着し、付着した銅が層間絶縁膜中を移動することで引き起こされていた配線間リーク等の問題を解決することにある。 - 特許庁

When a secondary ion 4 released from the surface of a sample 1 through sputter etching by ion beam radiation is detected, and the depth-wise distribution of the element containing in the sample 1 is measured, an ion beam is irradiated in a state where sample 1 is exposed to an oxygen atmosphere 2, and the element distribution on the extreme surface of the sample 1 is evaluated.例文帳に追加

イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料１の表面から放出される二次イオン４を検出し、試料１中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する際に、試料１を酸素雰囲気２に曝した状態でイオンビームを照射して、試料１の極表面での元素分布評価を行う。 - 特許庁

The combined lubricative thin film or the low friction characteristic intercalation compound is formed on the uppermost surface layer by carrying out sealing by sputter etching of reverse sputtering after an anodically oxydized film is formed on the core bar surface using aluminum or the aluminum alloy material.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金材料を用いた芯金表面に陽極酸化皮膜を形成した後に、逆スパッタリングのスパッタリングのスパッタエッチングにより封孔処理を施して、最表層に複合化潤滑性薄膜又は低摩擦性層間化合物をスパッタリングにより形成することを特徴とする上記加熱定着ローラの製造方法。 - 特許庁

The method for processing a silicon-based insulating film 2 formed on a silicon substrate 1 and having a hole k comprises a step for deforming the hole k by sputter etching using inert gas to which CxHyFz-based reactive gas (x>0, y≥0, z>0) is added, and suppressing generation of a space (Void) in the silicon-based insulating film 2.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成された、孔部ｋを有するシリコン系絶縁膜２の加工方法であって、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより孔部ｋを変形させて、シリコン系絶縁膜２内に空間部（Ｖｏｉｄ）が発生するのを抑制する工程を含む。 - 特許庁

The manufacturing method includes lens pattern forming steps of: forming a pattern of an inorganic lens material film 16 on a flattening film 15; and deforming the pattern of the inorganic lens material film 16 by sputter etching using gas having reactive gas of CxHyFz (x>0, y≥0, z>0) added to inert gas, to form many condenser lenses.例文帳に追加

平坦化膜１５上に無機のレンズ材料膜１６のパターンを形成するレンズパターン形成工程と、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより、無機のレンズ材料膜１６のパターンを変形させて多数の集光レンズを形成するレンズ形成工程とを含む。 - 特許庁