「sputter-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Namely, the duration of the sputter etching is set at twice or more as long as the just etching time.例文帳に追加

すなわち、スパッタエッチング法によるエッチング時間をジャストエッチング時間の２倍以上として行なう。 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING OVERHUNG USING SPUTTER ETCHING AFTER DEPOSITING LINER/BARRIER/SEED LAYERS例文帳に追加

ライナー／バリア／シード層の堆積後にスパッタエッチングを用いてオーバハングを除去する方法 - 特許庁

To remove overhang of the deposition of a liner, a barrier and a seed using sputter etching.例文帳に追加

スパッタエッチングを用いるライナ／バリア／シードの堆積においてオーバハングを除去すること。 - 特許庁

In addition, the barrier layer forming process includes a selective film-forming process and a sputter etching process.例文帳に追加

また、バリア層形成工程は、選択成膜工程と、スパッタエッチング工程を有する。 - 特許庁

To provide a device for etching a layer or sputter-depositing a layer for improving the uniformity.例文帳に追加

均一性を改善するための、層をエッチングまたはスパッタ堆積する装置を提供する。 - 特許庁

Then, during the sputter etching process in the barrier layer 340, sputtering particles in the barrier layer 340 are laminated in a sidewall part 344 of the opening part while sputter etching is performed with respect to the barrier layer 340 of the plane part 342.例文帳に追加

次いで、バリア層３４０のスパッタエッチング工程は、平面部３４２のバリア層３４０をスパッタエッチングしながらバリア層３４０のスパッタ粒子を開口部の側壁部３４４に堆積させる。 - 特許庁

Sputter etching is applied to a reflector layer or a dielectric layer formed between the base and the recording layer, and another sputter etching is carried out on the surface of the recording layer laminated on it.例文帳に追加

基板と記録層の間に形成された反射膜層又は誘電体層の表面にスパッタエッチングを行い、さらにその上に積層する記録層の表面にもスパッタエッチング処理を施す。 - 特許庁

To detect abnormal discharge related with defective products in the sputter etching utilizing high frequency plasma.例文帳に追加

高周波プラズマを利用したスパッタエッチングにおける製品不良に繋がる異常放電を検出する。 - 特許庁

Recessed shape processing (recess-shaped sputter etching) using a converged ion beam is carried out along the width of the supercondcutvie film 210.例文帳に追加

超電導膜２１０の幅方向に集束イオンビームによる凹形加工（凹形スパッタエッチング）を行う。 - 特許庁

It is preferable that the mixed gas further contains BCl3 66 so that sputter-etching by boron ion can be carried out.例文帳に追加

ガス混合物は、ホウ素イオンによるスパッタエッチングが行われるように、更にＢＣｌ_3６６を含むことが好ましい。 - 特許庁

In order to remove the overhung part of the physical vapor deposited film, after liner/barrier/seed (110, 112 and 214) deposition, sputter etching is conducted.例文帳に追加

物理気相堆積膜のオーバハング部分を除去するために、ライナー／バリア／シード堆積（110,112,214）後に、スパッタエッチングが行なわれる。 - 特許庁

An etching treatment is performed on the Al alloy film formed by sputtering this sputter target, thus forming Al alloy wiring.例文帳に追加

このスパッタターゲットをスパッタして形成したＡｌ合金膜にエッチング処理を施してＡｌ合金配線を形成する。 - 特許庁

To provide a process chamber, capable of decreasing redeposition or contamination on a substrate in sputter etching, and degassing from an enclosure wall.例文帳に追加

スパツタエッチングにおける基板への再堆積又は汚染及びエンクロージャー壁からの脱ガスを低減できるプロセスチャンバーを提供する。 - 特許庁

Since SiO_2 is employed as the material of a guide ring 9, O_2 atoms out of the SiO_2 subjected to sputter etching with Ar ions contributes to etching at the end portion of a body 6 to be etched thereby raising etching rate at the end portion.例文帳に追加

ガイドリング９の材質をＳｉＯ_2にすることにより、ＡｒイオンによりスパッタエッチングされたＳｉＯ_2のうちのＯ_2原子が被エッチング体６の端部のエッチングに寄与し、端部のエッチング速度を上げることができる。 - 特許庁

Operation of the sputter etching apparatus 100 is quickly stopped when abnormal discharge is generated by connecting an abnormal discharge detecting means 20 to a matching box 17 of the sputter etching apparatus 100 and also connecting an abnormal discharge processing means 30 such as an interlocking means 30a or the like to the abnormal discharge detecting means 20.例文帳に追加

スパッタエッチング装置１００のマッチングボックス１７に異常放電検知手段２０を接続し、異常放電検知手段２０にインターロック手段３０ａ等の異常放電時処理手段３０を接続して、異常放電発生時に速やかにスパッタエッチング装置１００の停止を行う。 - 特許庁

An exposed portion of the insulation layer 11 corresponding to an aperture 13a of a mask layer 13 is etched with the reactive ion etching, an element remaining in the process atmosphere after this reactive ion etching process is then eliminated and thereafter further etching is conducted with the sputter etching process to form a through hole.例文帳に追加

マスク層１３の開口１３ａに対応する絶縁層１１の露出部分を反応性イオンエッチングによってエッチングし、次いでこの反応性イオンエッチング後に処理雰囲気中に残留する成分を除去した後、スパッタエッチングによってさらにエッチングして貫通させる。 - 特許庁

The source magnetron is smaller, stronger, and unbalanced source magnetron 62 and is positioned near the edge of the wafer in sputter deposition and etching.例文帳に追加

該ソースマグネトロンは、より小さく、より強く、かつアンバランスのソースマグネトロン６２であり、スパッタ堆積及びエッチングにおいて、ウェーハのエッジ近くに位置している。 - 特許庁

After the deposition, sputter etching is performed by using a low bias, the thickness of the overhung part (111) is reduced and a seam generated in subsequent important processes is avoided.例文帳に追加

堆積後、低バイアスを用いてスパッタエッチングが行なわれ、オーバハング部分（111）の暑さを減少し、続く重点プロセスにいて生じるシームを避ける。 - 特許庁

The optical waveguide is manufactured by a self-cloning method, in which the ratio of the deposition to that of the etching is optimized, when the core or a part of the core formed with a dielectric multilayer type photonic crystal is sputter etched simultaneously or alternately sputter deposited.例文帳に追加

誘電体多層膜型のフォトニック結晶で構成されるコアあるいはコアの一部を、スパッタデポジションと同時あるいは交互にスパッタエッチングを行う際、デポジションとエッチングの比率を適正化する自己クローニング法により作製する。 - 特許庁

This invention relates to the copper foil with a resistor layer which is a copper foil for an electronic circuit used for circuit formation by etching, and has nickel chromium alloy sputter films on both surfaces of the copper foil such that one nickel chromium alloy sputter film functions as the resistor layer.例文帳に追加

エッチングにより回路形成を行う電子回路用の銅箔であって、該銅箔の両面にニッケルクロム合金スパッタ膜を有し、一方のニッケルクロム合金スパッタ膜が抵抗層として機能する抵抗層付き銅箔。 - 特許庁

After a metallic thin film 13 having a temperature-dependency is formed on an insulating substrate 2, heat-sensitive sections 5 and 6 are formed by patterning the film 13 by sputter etching.例文帳に追加

絶縁性基板上に温度依存性の金属薄膜を形成し、金属薄膜をスパッタエッチング法によりパターニングして感熱部を形成する。 - 特許庁

Successively, a CrSi thin film (metallic thin film) 37 for metallic thin film resistor is formed continuously without breaking the vacuum after the Ar sputter etching is completed.例文帳に追加

続けて、Ａｒスパッタエッチング完了後に真空を破らずに連続して金属薄膜抵抗体用のＣｒＳｉ薄膜（金属薄膜）３７を形成する。 - 特許庁

The shoulder of a portion of the silicon oxide film 30 covering a side wall spacer 14 in the silicide region is removed by carrying out sputter etching in the state.例文帳に追加

この状態でスパッタエッチングを行うことにより、シリサイド領域におけるシリコン酸化膜３０のうちサイドウォールスペーサ１４を覆う部分の肩部を除去する。 - 特許庁

Then, after reverse sputter etching, Ti and TiN are formed continuously as a contact layer, and further a dielectric film is formed on the capacitance formation region.例文帳に追加

次に、逆スパッタエッチングを行った後、連続してＴｉ及びＴｉＮを密着層として形成し、さらに容量形成領域に誘電体膜を形成する。 - 特許庁

An opening which is larger than the upper part of the dielectric layer (102) is formed in the upper part of the sacrificial layer (108) through sputter etching of the sacrificial layer (108).例文帳に追加

犠牲層（１０８）をスパッタエッチングすることにより、誘電体層（１０２）の上部よりも広い開口部を、犠牲層（１０８）の上部に形成する。 - 特許庁

Accumulated coating thickness is controllable by a sputter etching reaction using the ion sheath on the front surface of divided wall 8 to which high frequency electricity is applied.例文帳に追加

高周波電力が印加されている分割壁８前面では、イオン・シースを用いたスパッタ・エッチング反応によって堆積膜厚を制御することができる。 - 特許庁

As coating work having the plasma etching resistance, there is alumite work (aluminizing) for instance and Al coating is by a thermal spray method or a sputter vapor deposition method.例文帳に追加

プラズマエッチング耐性を有する被膜加工としては例えばアルマイト加工（アルミナイズ）であり、溶射法やスパッタ蒸着法によるＡｌコーティングとしている。 - 特許庁

Thereafter, unwanted deposition film 7 formed to the area other than the side surface of the wiring groove 5 is removed with the sputter etching and a conductor film is formed inside the wiring groove 5.例文帳に追加

その後、スパッタエッチングにより配線溝５の側面以外に形成された不要な堆積膜７を除去し、配線溝５内に導電体膜を形成する。 - 特許庁

A level difference 30 between the upper surface of the silicon oxide film 44 and the upper surface of the tungsten plug 48 produced at this time is smoothed by performing sputter etching using an argon ion.例文帳に追加

その際に生じるシリコン酸化膜４４の上面とタングステンプラグ４８の上面との間の段差３０を、アルゴンイオンによるスパッタエッチングを行って平滑化する。 - 特許庁

Then, a tungsten layer is formed over the entire surface without implementing the reverse sputter etching, and a resist film is formed in the capacitance formation region, which is used to etch the tungsten layer.例文帳に追加

次に、逆スパッタエッチングを行わずに全面にタングステン層を形成し、容量形成領域にレジスト膜を形成し、これを用いてタングステン層のエッチングを行う。 - 特許庁

With the etching process by the Ar sputter etching technology to the insulating film 19 including inside of the connecting holes 21, sidewalls 22 are formed to the internal wall of the connecting holes 21, and the upper end parts 21a of the connecting holes 21 are tapered.例文帳に追加

接続孔２１内を含み絶縁膜１９に対してＡｒスパッタエッチング技術によりエッチング処理を施して、接続孔２１の内壁にサイドウォール２２を形成するとともに、接続孔２１の上端部２１ａをテーパー形状にする。 - 特許庁

After connection holes 21 are formed in a second interlayer insulating film 19, the Ar sputter etching is performed on the surface of the insulating film 19 including the inside of the connection holes 21.例文帳に追加

第２層間絶縁膜１９に接続孔２１を形成した後、接続孔２１内を含む第２層間絶縁膜１９の表面に対してＡｒスパッタエッチング処理を行なう。 - 特許庁

Differently from the past, the platinum films are formed into the shape of a desired wiring part by means of the ring-shaped groove part without sputter etching, and therefore, the gas sensor is further miniaturized without contaminating the manufacturing device.例文帳に追加

従来とは異なり、白金膜をスパッタエッチングせず環状の溝部によって所望の配線部の形状に形成できるため、製造装置を汚染することなくさらなる微細化ができる。 - 特許庁

After cleaning the pressure plate 6a, a large number of fine conical projections are formed by sputter-etching on the adhesive surface being a surface for adhering the lining 7a among the pressure plates 6a.例文帳に追加

前記プレッシャプレート６ａを洗浄した後、このプレッシャプレート６ａのうちで前記ライニング７ａを接着すべき面である接着面に、スパッタエッチングにより微細な多数の円錐状突起を形成する。 - 特許庁

The comparatively smooth surface of the intermediate layer (IL) so obtained is denaturalized by irradiation with ion, such as sputter etching in an argon ambient atmosphere, to form surface roughness in a nano-scale and to grow the recording layer (RL) on it.例文帳に追加

そのようにして得られた比較的平滑な中間層(IL)の表面をアルゴン雰囲気中でのスパッタエッチング等のイオン照射により変性し、ナノスケールの粗さとし、その上に記録層(RL)を成長させる。 - 特許庁

Prior to cladding metal with a high melt point, a natural silicon oxide film that is formed on a polycrystalline silicon layer is removed by sputter etching of an argon gas ion with low energy of 5 to 50 eV.例文帳に追加

高融点金属の被着に先立ち、多結晶シリコン層上に形成された自然のシリコン酸化膜の除去を、５〜５０ｅＶの範囲のエネルギを持った低エネルギーのアルゴンガスイオンのスパッタエッチングにより行う。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the insulating film is irradiated with reactive plasma having an action of chemically etching the insulating film, and the surface of the insulating film irradiated with the plasma is irradiated with inert gas ion for sputter etching to process a cross section of the connection hole into a forward tapered shape.例文帳に追加

その後、絶縁膜の表面に、絶縁膜を化学的にエッチングする作用を有する反応性プラズマを照射し、プラズマが照射された絶縁膜の表面に不活性ガスのイオンを照射してスパッタエッチングすることにより、接続孔の断面を順テーパーに加工する。 - 特許庁

Furthermore, while in addition to the argon gas, water or hydrogen is introduced into the chamber, the plasma is successively generated in the chamber by outputting the high frequency electric power, to perform the sputter etching on the surface of the metal material (step S4).例文帳に追加

さらに、アルゴンガスに加えて、水或いは水素をチャンバ内に導入しながら、引き続き、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、金属材料の表面のスパッタエッチングを行う（ステップＳ４）。 - 特許庁

While an inert gas such as argon gas is introduced into a chamber, a plasma is generated in the chamber by outputting a high frequency electric power, to perform a sputter etching on the surface of the metal material installed in the chamber (step S3).例文帳に追加

アルゴンガス等の不活性ガスをチャンバ内に導入しながら、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、チャンバ内に設置された金属材料の表面のスパッタエッチングを行う（ステップＳ３）。 - 特許庁

Generation of a large amount of defective products based on abnormal discharge can be prevented through interlocking by turning off the switch of a high frequency power supply to stop the operation of a sputter etching apparatus 100 based on detection of such abnormal discharge.例文帳に追加

かかる異常放電の検知に基づき、高周波電源のスイッチをオフにする等してインターロックをかけ、スパッタエッチング装置１００の停止を行い、異常放電に基づく不良の大量作り込みを防止する。 - 特許庁

To prevent a film from being formed on an inner surface of a sidewall part 14 of a dielectric wall vessel 11 by a scattering substance associated with sputter etching to hinder supply of high-frequency power, in an inductively-coupled plasma processing device.例文帳に追加

誘導結合形プラズマ処理装置において、スパッタエッチングに伴う飛散物によって誘電体壁容器１１の側壁部１４内面へ膜が形成され、高周波電力の供給が阻害されることを防止する。 - 特許庁

The method has first and second thin film forming processes by sputter deposition and a simultaneous etching process for the first and second thin films and manufactures the thin films under the conditions to make the reflectivity of the second thin film higher than the reflectivity of the first thin film and to lower the resistance.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

A magnetron cathode 3 with a target T mounted thereon and an electrode 4 with the substrate 2 mounted thereon are provided in a same chamber 1 to selectively achieve the sputter etching of the surface of the substrate 2 and the magnetron sputtering film deposition on the substrate.例文帳に追加

ターゲットＴが装着されるマグネトロンカソード３と、基板２が装着される電極４とを同一チャンバ１内に設け、基板２の表面のスパッタエッチングおよび基板２上へのマグネトロンスパッタ成膜を選択的に行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a sputter target by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.例文帳に追加

ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputter target manufacturing method by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.例文帳に追加

ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁