「sputtering technique」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering target which can be used for forming a multilayer film having no mutual diffusion or a mutual reaction in an interface between films formed from two different materials through an ion beam sputtering or magnetron sputtering technique.例文帳に追加

イオンビームスパッタやマグネトロンスパッタ法で形成された、異なる２種類の膜材料界面で相互拡散や相互反応のない多層膜が形成可能なスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

To provide a technique of sputtering film deposition which satisfies various film properties at the same time.例文帳に追加

スパッタ成膜において、あらゆる膜特性を同時に満足させる手法を提供すること。 - 特許庁

To provide a technique for high temperature reflow sputtering technique capable of sufficiently filling a metallic material into a hole even in the case a substrate is heated at a lower temperature.例文帳に追加

より低い温度で基板を加熱した場合でも金属材料を十分にホールに埋め込むことができる高温リフロースパッタリングの技術を提供する。 - 特許庁

The seed layer can alternatively be formed by using a spin-on technique (such as a metal organic deposition technique, a spray pyrolysis technique, an RF sputtering technique) or by the oxidation of a zinc thin film layer formed on the substrate.例文帳に追加

もしくは、スピンオン法（例えば、有機金属物堆積法、噴霧熱分解法、ＲＦスパッタリング法）を用いることによって、または基板の上に形成された亜鉛の薄膜層を酸化することによって、シード層が形成され得る。 - 特許庁

The sputtering apparatus is directed at forming a film on a substrate (W) by using a reactive sputtering technique after having introduced a sputtering gas (Ar) and a reactive gas (O_2) into a decompressed film-forming chamber 10.例文帳に追加

減圧した成膜室１０にスパッタリングガス（Ａｒ）および反応性ガス（Ｏ_2 ）を導入し、反応性スパッタリングによって基板Ｗに成膜を行うスパッタ装置において、まず、スパッタリングガスのみを用いたメタルモード放電を行う。 - 特許庁

To provide an indium-oxide-based sputtering target with which a transparent electroconductive oxide film having low resistance and a high refractive index can be industrially produced by a direct-current sputtering technique.例文帳に追加

低抵抗かつ高屈折率の透明導電酸化物膜を直流スパッタリング法により工業的に生産可能な酸化インジウムスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A conductor 10 is formed on the inner surface of a through hole 8 bored in a circuit board 1 by such a film forming technique as a printing, plating, and sputtering methods similarly to a conventional technique.例文帳に追加

回路基板１に穿設したスルーホール８の内面に従来技術と同様に導電体１０を印刷法、メッキ法、スパッタリング等の製膜技術により形成する。 - 特許庁

To establish a technique which is capable of turning cobalt or the like to silicide or salicide at mass production level, through high-temperature sputtering method.例文帳に追加

高温スパッタリング法を用いたコバルト等のシリサイド化あるいはサリサイド化技術の量産レベルでの確立を図る。 - 特許庁

To provide a technique which can suppress the generation of particles including Ni-Mo due to an increase in sputtering time in sputtering using an Ni-Mo based alloy target plate.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｍｏ系合金ターゲット板を用いたスパッタリングにおいて、スパッタリング時間の増加に伴うＮｉ−Ｍｏを含んだパーティクルの発生を抑制することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming method which can efficiently form a film on many substrates by using a gas-flow sputtering technique, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

ガスフロースパッタリング法によって多数の基材に効率よく成膜することができる成膜方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a transparent thin-film superior in electroconductivity on a glass substrate with a plasma sputtering vapor-deposition technique.例文帳に追加

プラズマスパッタ蒸着による、ガラス基板上への透明なかつ導電性に優れた薄膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce damage of the surface to be deposited, which is caused by a collision of charged particles produced when a film is formed by a magnetron sputtering technique.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング法により成膜を行った場合に荷電粒子の衝突に起因して被堆積面が受けるダメージを小さくする。 - 特許庁

The (a) layer is made of an oxide of indium and tin, and these thin film layers are formed by a technique of vacuum deposition, ion plating, sputtering or the like.例文帳に追加

前記（ａ）層はインジウムとスズとの酸化物からなり、これらの薄膜層は真空蒸着、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の手法による。 - 特許庁

To provide a sputtering target material of a Co-Cr based alloy, which can reduce the irregularity of a Co-Cr based alloy film that is formed with a sputtering technique and is used for an intermediate layer of a perpendicular magnetic recording medium.例文帳に追加

スパッタリングによって成膜される垂直磁気記録媒体の中間層用Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜のバラツキを抑制することが可能なＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming method which can efficiently form a film on a flexible substrate that is continuously sent, by using a gas-flow sputtering technique, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

ガスフロースパッタリング法によって、連続的に送られるフレキシブル基板に効率よく成膜することができる成膜方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for high-temperature reflow sputtering capable of thoroughly embedding metal material in a hole even when the substrate is heated at a lower temperature.例文帳に追加

より低い温度で基板を加熱した場合でも金属材料を十分にホールに埋め込むことができる高温リフロースパッタリングの技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for uniformly covering a particle surface with a thin film by using a sputtering or vapor deposition technique, and to provide an apparatus to be used therefor.例文帳に追加

スパッタリング又は蒸着により粒子表面に薄膜を均一にコーティングすることができる方法及びこの方法に用いる装置を提供する。 - 特許庁

Namely, the thinning of the dielectric laminate which has been difficult in a production method using a green sheet can be achieved, e.g., by utilizing a film deposition technique such as sputtering.例文帳に追加

つまり、グリーンシートを用いた製法では困難であった誘電積層体の薄型化は、例えば、スパッタリング等の成膜技術を利用することによって実現される。 - 特許庁

To provide a sputtering technique carrying out film deposition having excellent uniformity of in-plane distribution and easily manufacturing an electronic device with excellent performances.例文帳に追加

面内分布の均一性に優れた膜を成膜することができるようにし、優れた性能の電子デバイスを容易に製造することができるようにするスパッタリング技術の実現。 - 特許庁

To provide a technique where splashes generated upon film deposition using an Al-Ni-La system Al-based alloy sputtering target comprising Ni and La can be reduced.例文帳に追加

Ｎｉ及びＬａを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。 - 特許庁

This method for forming the thin film of silicon nitride on the substrate comprises: using dual magnetron sputtering (DMS) technique; and applying sinusoidal voltage with a frequency of 25 kHz or less to the magnetron cathodes.例文帳に追加

デュアル・マグネトロンスパッタリング（ＤＭＳ）を用い、そのマグネトロンカソードに周波数２５ｋＨｚ以下の正弦波電圧を印加して、基材上に窒化シリコンの薄膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a welding technique by which, in MIG welding of Ti, wire feedability is good, thus, arc is made stable, further, sputtering is little, and a good bead can be given.例文帳に追加

ＴｉのＭＩＧ溶接において、ワイヤ送給性がよく、したがってアークが安定し、スパッタリングも少なく、良好なビードを与える溶接技術を提供する。 - 特許庁

This film-forming method includes: using a sputtering target containing 3-40 mol% TiO_2 and 60-97 mol% ZnO; and forming the oxide film with a sputtering technique on the surface of a substrate, or on the surface of a layered film which has been prepared by alternately layering the oxide film and the electroconductive film, on the surface of the substrate.例文帳に追加

ＴｉＯ_2 を３〜４０モル％、ＺｎＯを６０〜９７モル％含むスパッタリングターゲットを用い、スパッタリング法により基材表面、または該基材上に酸化物膜と導電膜とが交互に積層された積層膜表面に、酸化物膜を形成する。 - 特許庁

To provide a technique capable of decreasing a generation of splashing upon depositing by using an Al-Ni-La-Cu-based Al alloy sputtering target containing Ni, La, and Cu.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｌａ、およびＣｕを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。 - 特許庁

To provide a mask holder which is superior in workability when a product such as an automotive part is coated by a technique such as vacuum deposition, sputtering and painting, and can be inexpensively manufactured.例文帳に追加

自動車部品等の製品に対する真空蒸着、スパッタリング、塗装等の手法による被覆において、作業性に優れ、かつ、安価に製造することができるマスク取付具を提供する。 - 特許庁

To provide a nano crystal grain dispersion solution for providing the quality equal to that of an electronic device using the conventional sputtering process, vacuum deposition, and the like even in application or a dry technique.例文帳に追加

塗布、乾燥手法によっても、従来のスパッタリング法、蒸着法等を用いた電子デバイスと同様な品質を有することが可能なナノ結晶粒子の分散液を提供する。 - 特許庁

The method for producing the transparent electroconductive film of an oxide containing indium and zinc by using a sputtering technique includes sputtering the target containing indium oxide and zinc oxide as main components while keeping the magnetic field in parallel to the target surface in a strength lower than 400 Oe (oersted).例文帳に追加

スパッタリング法によるインジウムと亜鉛を含む酸化物の透明導電膜の製造方法であって、酸化インジウムと酸化亜鉛を主成分とするターゲットの表面の平行磁場強度を４００Ｏｅ（エルステッド）未満に保持してスパッタすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a batch-feeding type film-forming apparatus for forming a film on a plurality of non-electroconductive substrates with a bias sputtering technique, which can adequately apply a DC-bias while keeping the productivity.例文帳に追加

複数枚の非導電性の基板に対してバイアススパッタによる成膜を行う枚葉式の成膜装置において、生産性を維持したままで、良好にＤＣバイアスを印加することができるようにする。 - 特許庁

To provide a bipolar pulse sputtering film deposition technique where a film composed of a high melting point material such as metal oxide, nitride and carbonitride can be deposited even to a substrate having low heat resistance.例文帳に追加

耐熱性の低い基体に対しても、金属酸化物、窒化物、炭窒化物等のような高融点材料からなる成膜を形成することができる、バイポーラパルススパッタリング成膜技術を提供する。 - 特許庁

To provide a new technique capable of easily adjusting a resistance value of a heating element in a thin-film thermal print head formed by CVD or sputtering after forming the heating element.例文帳に追加

ＣＶＤまたはスパッタリングによって形成される薄膜型サーマルプリントヘッドおける発熱体の抵抗値を、上記発熱体の形成後に容易に調整することができる新たな技術を提供する。 - 特許庁

After that, a carbon nitride 110 is formed at the front of the substrate by using the sputtering technique, benzocyclobutene is formed onto the carbon nitride through spin coating, and then, a flattened interlayer insulation film 111 is formed through thermal treatment.例文帳に追加

次に、基板の前面にスパッタ法を用いて窒化炭素１１０を形成し、窒化炭素１１０上にスピンコートによりベンゾシクロブテンを形成した後、熱処理により平坦化された層間絶縁膜１１１を形成する。 - 特許庁

This composite material has the Cu layer formed on the resin substrate by a sputtering technique with the use of Ar gas, wherein the Cu layer comprises crystals with an average grain size of 37 nm or larger in the surface parallel to the resin substrate.例文帳に追加

樹脂基材上に、Ａｒガスを用いたスパッタによってＣｕ層を設けた複合材料であり、Ｃｕ層の、樹脂基材に対して平行な面での平均結晶粒径を３７ｎｍ以上としたものである。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of improving the electrical properties and quality of an Nb film as a liner material for an Al film at the time of forming an Al wiring film by the application of a DD wiring technique or the like.例文帳に追加

ＤＤ配線技術などを適用してＡｌ配線膜を形成する際に、Ａｌ膜のライナー材としてのＮｂ膜の電気特性や品質を高めることを可能にしたスパッタターゲットが求められている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sintered compact having lower resistivity while maintaining a density equivalent to sintered compact of zinc oxide and aluminum oxide obtained with a conventional technique and to provide a sputtering target composed of the sintered compact.例文帳に追加

従来技術で得られた酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの焼結体と同等の密度を維持しながら、より抵抗率の低い焼結体を製造する方法及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sintered body which has resistivity lower than that of such sintered body of zinc oxide and aluminum oxide as is obtained by the conventional technique and which however has a density equal to that of such sintered body and to provide a sputtering target composed of the sintered body.例文帳に追加

従来技術で得られた酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの焼結体と同等の密度を維持しながら、より抵抗率の低い焼結体を製造する方法及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

To provide a technique for reducing the generation of splashes, particularly, initial splashes in the case an Al-(Ni, Co)-(La, Nd) based alloy or an Al-(Ni, Co)-(La, Nd)-(Cu, Ge) based alloy is used as a sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングターゲットとしてＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）系合金またはＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）系合金を用いた場合にスプラッシュ、特に初期スプラッシュの発生を低減し得る技術を提供する。 - 特許庁

A fine hole or a continuous slot or groove is formed to a base material 101 by an etching technique or the like and a wedge 103 is formed so as to obtain such a structure that the membrane 102 enters the fine hole or the slot at the time of sputtering.例文帳に追加

基材１０１に微小な穴もしくは連続した長穴もしくは溝をエッチング等の手法で形成し、スパッタ時に膜１０２が微小な穴もしくは長穴に入り込む構造とする楔１０３を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering technique which can greatly reduce the period of time for switching the type of the film, and effectively and stably secure the film of high quality, when forming films including a plurality of types only by switching ON/OFF of a reactive gas with a small number of targets.例文帳に追加

少数のターゲットにて反応性ガスをＯＮ／ＯＦＦするだけで複数の膜種を成膜する際に、膜の種類の切替え時間を大幅に短縮し、高品質の膜を効率的に安定して確保できるスパッタリング技術を提供する。 - 特許庁

To manufacture a sputtering target consisting of titanium dioxide, which is suitable for direct current voltage sputtering, that is, has an electrical resistivity of less than 5 Ωcm, (preferably, less than 1 Ωcm), and which can be manufactured by a particularly inexpensive method to be simply operated with an easy handling technique, so as to be produced with a large number of fragmentations.例文帳に追加

二酸化チタンからなるスパッタリングターゲットを、直流電圧スパッタリングに適している、即ち比電気抵抗が５Ωｃｍ未満である（が、しかし、好ましくは１Ωｃｍ未満である）ように製造し、その際スパッタリングターゲットは、特に安価である、簡単で処理技術的に容易に操作することができる方法によって、大きな断片数で製造されることができなければならない。 - 特許庁

A measuring cell is constituted by bonding glass substrates 1, 2 and a flow channel groove 6 is formed in the bonding surface of the glass substrate 1 by photofabrication technique and wet etching technique and through- holes 9, 10 for introducing and discharging a liquid sample are formed in the glass substrate 2 and an optically opaque Si film 3 is formed in the bonding surface as a slit by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板１、２を接合して構成され、ガラス基板１の接合面にはフォトファブリケーション技術およびウェットエッチング技術により流路溝６が形成されるとともに、ガラス基板２には液体試料導入および排出のための貫通孔９、１０が形成され、接合面にスパッタ法等により光学的に不透明なＳｉ膜３をスリットとして形成する。 - 特許庁

To provide a method and equipment, capable of preventing the occurrence of abnormal electric discharge due to the entering of reactive gas such as oxygen into the sputter zone of a target in a sputtering technique for obtaining a thin film of metallic compound and capable of providing a dense thin film increased in high film performance.例文帳に追加

本発明の目的は、金属化合物薄膜を得るスパッタリング技術において、酸素等の反応性ガスがターゲットのスパッタゾーンに入り込むことに起因する異常放電を防止し、緻密で膜性能の高い薄膜を得ることができる装置及び方法を提供することにある。 - 特許庁

Then a gas barrier type transparent thin film layer which has a refractive index smaller than the refractive index of the compound semiconductor element and larger than the refractive index of the light-transmissive sealing material is formed on the compound semiconductor element and electrode by using vacuum thin-film formation technique such as sputtering, CVD, etc.例文帳に追加

その後、化合物半導体素子及び電極上に化合物半導体素子の屈折率の値より小さく、透光性封止材料の屈折率の値より大きい値の屈折率を持つガスバリア性の透明薄膜層を、スパッタリング法やCVD法等の真空薄膜作成技術を用いて成膜する。 - 特許庁

The filter is manufactured, such that a high-purity ZnO target is epitaxially grown on a sapphire substrate, using the sputtering method to obtain a high-resistance ZnO film, which is further grown by doping As using the ion implantation technique or using a dopant-mixed target to obtain a low-resistance P-type 2-6 group compound semiconductor film.例文帳に追加

高純度ＺｎＯターゲットをスパッタリング法によりサファイア基板上にエピタキシャル成長させ高抵抗のＺｎＯ膜を得、さらにＡｓをイオン注入法でドーピング、または、ドーパントを混ぜたターゲットを用いて成長させる低抵抗のＰ型２−６族化合物半導体膜を得る。 - 特許庁

The conductive layers include conductive materials, such as metals, metal oxides or carbon, formed on the film by a technique, such as vapor deposition or ion sputtering and the conductive resins, such as resins containing the conductive materials and conductive high polymers, formed as multilayers.例文帳に追加

また導電層としては、金属や金属酸化物あるいはカーボンなどの導電性材料を蒸着、イオンスパッタリングなどの手法によりフィルム上に形成したもの、導電性材料を含有する樹脂、導電性高分子などの導電性樹脂を多層化したものなどが挙げられる。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film, which can inhibit a magnetic layer from being oxidized even when an oxide is formed on the magnetic layer that includes nonoxide with a sputtering technique suitable for a high-volume production; and to provide an apparatus for forming the thin film, and a laminated film having thereby controlled low RA value.例文帳に追加

量産に適したスパッタ法において非酸化物からなる磁性層上に酸化物をスパッタ成膜する場合でも、磁性層が酸化されることを抑制することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置を提供するとともに、それによって、ＲＡ値が低く抑えられた積層膜を提供する。 - 特許庁