「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(672ページ目) - Weblio英語例文検索

This substrate 1 for a semiconductor package is provided with a polyimide film 3, a plurality of patterns 7 for wiring and a plurality of patterns 13 for reinforcement formed through an adhesive layer 5 on one surface of the polyimide film 3.例文帳に追加

半導体パッケージ用基板１は、ポリイミドフィルム３、並びにポリイミドフィルム３の一表面に接着剤層５を介して形成された複数の配線用パターン７及び複数の補強用パターン１３を備えている。 - 特許庁

The substrate is provided with a heat-treated coating layer on one side containing a cobalt oxide, an iron oxide, a titanium oxide and/or a tantalum oxide.例文帳に追加

ガラス基板の一方の側に積層してなるコバルト酸化物と鉄酸化物とチタン酸化物および／またはタンタル酸化物とを含有する被膜とを備えるガラスを熱処理して得られる熱線反射着色膜被覆ガラス。 - 特許庁

This easily penetrable polypropylene-based resin film is characterized by having a substrate layer formed from a resin composition comprising a polypropylene-based resin, a thermoplastic resin, incompatible with the polypropylene-based resin, and a petroleum resin.例文帳に追加

ポリプロピレン系樹脂、該ポリプロピレン系樹脂と非相溶な熱可塑性樹脂、および石油樹脂からなる樹脂組成物で形成された基材層を有することを特徴とする易突き破り性ポリプロピレン系樹脂フィルム。 - 特許庁

The thin film transistor element for liquid crystal displays includes a gate electrode formed on a transparent insulating substrate, a gate insulating film formed with glass composite, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置用薄膜トランジスター素子は、透明絶縁基板上に形成されたゲート電極、ガラス組成物で形成されたゲート絶縁膜、半導体層及びソース電極とドレーン電極を含む。 - 特許庁

The present invention relates to a piezoelectric thin film resonator including a piezoelectric resonant stack 14 comprising a piezoelectric layer 2, an upper electrode 12 and a lower electrode 10, a gap 4 formed thereunder, and a substrate 8 supporting the piezoelectric resonant stack.例文帳に追加

圧電層２と上部電極１２及び下部電極１０とを有する圧電共振スタック１４と、その下に形成された空隙４と、圧電共振スタックを支持する基板８とを含んでなる薄膜圧電共振器。 - 特許庁

The MOSFET includes a gate insulating film 11 formed on the semiconductor substrate, a gate electrode 12 formed on the gate insulating film, and a source/drain diffusion layer 21 sandwiching a channel region below the gate electrode.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極１２と、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟むソース／ドレイン拡散層２１と、を含む。 - 特許庁

In addition, in the medium to be recorded provided with an ink receiving layer comprising a pigment and a binder on a substrate, it comprises the vaterite type crystalline form calcium carbonate/PVA copolymer as a pigment.例文帳に追加

また、顔料およびバインダーからなるインク受理層を基材上に設けた被記録媒体において、顔料としてバテライト型結晶系炭酸カルシウム／ＰＶＡ共重合体を含むことを特徴とする被記録媒体。 - 特許庁

The technique of growing the nanostructure of zinc oxide without using the metal catalyst by forming a seed layer of polycrystalline zinc oxide on the surface of a substrate is provided.例文帳に追加

本発明の方法においては、基板の表面の上に多結晶酸化亜鉛のシード層を形成することによって、金属触媒を使用することなく、酸化亜鉛のナノ構造を成長させる手法を提供する。 - 特許庁

On an alignment layer forming surface of one substrate, a repeated pattern of light transmissive pixel electrodes 58 are formed having a minimum separated breadth along the long axis of liquid crystal molecules charged between the substrates.例文帳に追加

一方の基板の配向膜形成面に、基板間に充填される液晶分子の長軸方向に沿って最小の離間幅を有する光透過性の画素電極５８の繰り返しパターンが形成されている。 - 特許庁

In the catalyst for treating the combustion exhaust gas containing nitrogen oxides, carried Ru and/or Ir of 50 wt% or more of the amount of carrying within depth of 150 μm from a substrate skin layer are contained.例文帳に追加

窒素酸化物を含む燃焼排ガスの処理用触媒において、担持されるＲｕ及び／又はＩｒが、基材表層より深さ１５０μｍ以内に、担持量の５０重量％以上が含まれることとした。 - 特許庁

In the multilayer wiring layer 35, wiring and a via contact are formed to electrically connect an electrode of a semiconductor chip 41, an electrode of the capacitor 25, and the electrodes formed on the support substrate 20.例文帳に追加

この多層配線層３５には、半導体チップ４１の電極とキャパシタ２５の電極及び支持基板２０に設けられた電極との間を電気的に接続する配線及びビアコンタクトが形成されている。 - 特許庁

The thin-film transistor manufactured by the method employs an oxide semiconductor as a semiconductor active layer, thereby realizing electron mobility which is higher than that of conventional organic semiconductors formed on a flexible substrate.例文帳に追加

本発明方法で製造される薄膜トランジスタは、半導体活性層として酸化物半導体を用いることで、従来フレキシブル基板上に形成されてきた有機半導体より高い電子移動度を実現する。 - 特許庁

The dicing film has an adhesive layer at least on one side of a substrate film which contains a copolymer (A) of at least two kinds of (meta)acrylic acid alkyl and styrene, and a styrene based elastomer (B).例文帳に追加

本発明のダイシングフィルムは、基材フィルムの少なくとも一の面に粘着層を有し、前記基材フィルムが(メタ)アクリル酸アルキルの少なくとも２種とスチレンとの共重合物（Ａ）、および、スチレン系エラストマー（Ｂ）とを含む。 - 特許庁

The living body implant includes a surface layer comprising one or more metal oxides of which isoelectric point is less than 7 and an antibacterial inorganic material at least on part of a substrate comprising metal, ceramic, or plastic.例文帳に追加

本発明の生体インプラントは、金属、セラミックス又はプラスチックからなる基体上の少なくとも一部に、等電点が７より小さい１種以上の金属酸化物と、抗菌性無機材料とを含む表面層を有する。 - 特許庁

The toner leakage preventing material 15 has a substrate 16 with a polyethylene foam layer 16a having plural closed cells obtained through an electronic crosslinking step.例文帳に追加

トナー漏洩防止材１５は、ポリエチレン発泡体からなるポリエチレン発泡層１６ａを有して構成される基材１６を有し、ポリエチレン発泡層１６ａは、電子架橋工程を施して得られる複数の独泡を有している。 - 特許庁

To obtain a multilayer substrate including a structure which realizes impedance matching between a longitudinal signal transmission path between an external terminal and a signaling wiring conductor formed on each layer and a ground surrounding it.例文帳に追加

外部接続端子と各層に設けられる信号用配線導体との間の縦方向信号伝達経路とその周囲を囲むグランドとの間のインピーダンス整合を図る構造を備えた多層基板を得ること。 - 特許庁

Then voltage is applied between the transparent electrode 8 of the substrate and the stainless steel bottom 4 of the electrode position tank to cause electrolytic reaction to form a dyestuff layer as a color filter on the transparent electrode 8.例文帳に追加

そして、基板の透明電極８と電着槽のステンレス基底部４との間に電圧を印加することにより電解反応を生じさせて、透明電極８上にカラーフィルターとしての色素層を形成する。 - 特許庁

Especially, in the light-emitting diode of α-alumina substrate, Cr that absorbs visible rays being emitted from the nitride gallium-family compound semiconductor light-emitting layer and discharges visible rays with a long wavelength.例文帳に追加

特に、基板は窒化ガリウム系化合物半導体発光層から放出される可視光を吸収して、より長波長の可視光を放出するＣｒが含有されたα−アルミナ基板の発光ダイオードである。 - 特許庁

A Fe-doped GaN layer 14 of a GaN substrate 1 comprises group III nitride semiconductor crystals with Fe atoms as transition metal atoms added, and Ga atom vacancy density is 1×10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

ＧａＮ基板１のＦｅドープＧａＮ層１４は、遷移金属原子であるＦｅ原子が添加されたIII族窒化物半導体結晶であって、Ｇａ原子空孔密度が１×１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

Semiconductor configuration each having re-wiring and columnar electrodes on a silicon substrate 24 are bonded spaced from each other on an adhesive layer 91 on a base plate 92 having a size corresponding to a plurality of semiconductor devices.例文帳に追加

複数の半導体装置に対応するサイズのベース板９２上の接着層９１上に、シリコン基板２４上に再配線および柱状電極を有する半導体構成体を相互に離間して接着する。 - 特許庁

To provide an adhesion method which enables adhesion to cured addition curing type silicone rubber and a silicone rubber molding in which a silicone rubber layer and a substrate is adhered to cured silicone rubber containing a platinum catalyst.例文帳に追加

付加硬化型シリコーンゴム硬化物に対して接着することが可能な接着方法、及び白金系触媒を含むシリコーンゴム硬化物にシリコーンゴム層や被着体を接着したシリコーンゴム成形品を提供する。 - 特許庁

To give a semiconductor device having at least two layers of wiring layers a structure, where the connection of an upper wiring layer with a semiconductor substrate can be reliably made.例文帳に追加

少なくとも２層の配線層を有する半導体装置であって、上層配線層と半導体基板との接続を確実に行なうことの可能な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In another exemplary embodiment, when growth of at least one zinc-oxide nanostructure is induced, each zinc-oxide nanostructure grows substantially over an etched silicon substrate layer.例文帳に追加

別の例示的な実施形態において、少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長が引き起こされるときにおいて、各亜鉛酸化物のナノ構造は、実質的に、エッチングされたシリコン基板層の上において、成長する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device is provided with the digital circuit 2 and analog circuit 3 formed on the surface of the same semiconductor substrate 1 and a dummy polysilicon layer 4 constituting the gate of a transistor between the circuits 2 and 3.例文帳に追加

同一半導体基板１の表面に形成されたデジタル回路部２とアナログ回路部３と、デジタル回路部２とアナログ回路部３との間に、トランジスタのゲートを構成するポリシリコンのダミーレイヤ４を配置する。 - 特許庁

Pixel electrodes 105 and 106 are formed on a substrate, an insulating layer 110 is formed on the pixel electrodes and respective boundary parts of the pixel electrodes are embedded in insulating layers 111 and 112 in a flattening step.例文帳に追加

基板上に画素電極１０５，１０６を形成し、画素電極上に絶縁層１１０を形成し、平坦化工程により画素電極の各境界部が絶縁層１１１，１１２で埋め込まれた状態とする。 - 特許庁

After a necessary process is carried out, the hydrogen H is supplied to the SOI substrate 1 from the hydrogen supplying channel A through the element isolating region 5 and the oxide film layer 3 connected to it by carrying out a heat treatment.例文帳に追加

その後、必要な工程を行った後、熱処理を行うことにより水素供給路Ａから素子分離領域５、およびこれに接続された酸化膜層３を介してＳＯＩ基板１に水素Ｈを供給する。 - 特許庁

In this way, the silicon germanium layer 15 causing contamination can be prevented from remaining on the silicon substrate 11 in subsequent processes, and thus, the germanium can be prevented from spreading in a furnace for processing.例文帳に追加

これにより、引き続く工程において、シリコン基板１１上に汚染の原因であるシリコンゲルマニウム層１５が残ることを少なくすることができ、処理を行う炉の中にゲルマニウムが広がることを抑えることが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, of good forward characteristics and reverse characteristics which operates as a Schottky barrier diode, with a wide band gap semiconductor layer formed on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にワイドバンドギャップ半導体層を形成しつつ、順方向特性と逆方向特性がいずれも良好なショットキーバリアダイオードとして動作する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An amorphous semiconductor film 3 containing silicon is formed on a substrate 1; and a metal containing layer 4 is formed by adding, to the amorphous semiconductor film 3, a metal element which promotes crystallization of the amorphous semiconductor film 3.例文帳に追加

基板１上に珪素を含む非晶質半導体膜３を形成し、非晶質半導体膜３に該非晶質半導体膜３の結晶化を促進する金属元素を添加して金属含有層４を形成する。 - 特許庁

A prepreg and a metal foil are laid sequentially from the inside on the opposite sides of a core board substrate where printed circuits are formed to obtain a multilayer component 1 for forming a multilayer metal foil clad plate having an inner layer circuit.例文帳に追加

両面にプリント回路を形成したコア基板の両側に、プリプレグと金属箔をこの順に内側から外側へ重ね、内層回路入り多層金属箔張り積層板を成形するための積層構成体１とする。 - 特許庁

According to the electrostatic actuator, driving voltage to the movable electrodes 110 of an actuator substrate 100 is supplied from a movable electrode pad 118 arranged on a first insulation layer via an aluminum conductor 118a to respective separated sections 113.例文帳に追加

アクチュエータ基板１００の可動電極１１０への駆動電圧は、第１の絶縁層上に設けられた可動電極用パッド１１８からアルミニウムの導線１１８ａを介して各分離部１１３に供給する。 - 特許庁

(A-1) is an ethylenic resin single layer film substrate wherein the ethylenic resin contains a modified olefinic polymer prepared by modifying an olefinic polymer having a stereo block structure containing an isotactic block with an unsaturated carboxylic acid or its derivative.例文帳に追加

（Ａ−１）エチレン系樹脂が、アイソタクチックブロックを含むステレオブロック構造を有するオレフィン系重合体の不飽和カルボン酸又はその誘導体変性オレフィン系重合体を含有するエチレン系樹脂単層フィルム基材。 - 特許庁

In the laminated board, where a prepreg layer impregnated with a thermosetting resin is hot-pressed onto a sheet-like glass fiber substrate, the thermosetting resin contains titanium oxide and alumina as color pigments.例文帳に追加

シート状ガラス繊維基材に、熱硬化性樹脂を含浸したプリプレグの層を加熱加圧成形した積層板において、上記熱硬化性樹脂に、着色顔料として酸化チタン及びアルミナを含有させるようにした。 - 特許庁

The optical semiconductor element 10 is also provided on the semiconductor substrate 11 with an electrostatic breakdown voltage element 40 having a layer structure identical to that of the photodetector 30 and protecting the surface emission semiconductor laser 20 against electrostatic breakdown.例文帳に追加

また、光半導体素子１０は、光検出素子３０と同一の層構造を有し、面発光型半導体レーザ２０を静電破壊から保護する静電耐圧素子４０を半導体基板１１上に備える。 - 特許庁

To provide a cell culture substrate which contains a fluororesin layer having characteristics excellent in chemical resistance, hygiene and biological stability, and is excellent in cell-culturing ability.例文帳に追加

耐薬剤品、衛生性に優れ、また生体内安定性に優れている特性を有するフッ素樹脂層を含む細胞培養基材において、細胞培養性に優れた細胞培養基材を提供することを課題とする。 - 特許庁

Also, this organic electroluminescent display device includes: a protection film positioned on the whole surface of the substrate; and a first electrode, organic film layer and second electrode positioned on the protection film and electrically connected to the source/drain electrodes.例文帳に追加

また、基板全面にかけて位置する保護膜；及び保護膜上に位置し、ソース／ドレイン電極と電気的に連結される第１電極、有機膜層及び第２電極を含む有機電界発光表示装置に関する。 - 特許庁

The electrolyte membrane for fuel cell has a catalyst electrode layer formed on a surface of a polymer electrolyte film substrate in which a concavo-convex structure is formed on the surface by carrying out ion irradiation and by etching the damaged region.例文帳に追加

イオン照射し、損傷領域をエッチングすることによって表面に凹凸構造を生じさせた高分子電解質フィルム基材表面に触媒電極層が形成された燃料電池用電解質膜。 - 特許庁

Stress can be relieved which is generated due to the difference in the thermal expansion coefficients between the side of the silicon substrate 4 and the insulating layer 21 covering the side.例文帳に追加

したがって、樹脂のみからなる絶縁層を設ける場合と比較して、シリコン基板４の側面と該側面を覆っている絶縁層２１との間にその熱膨張係数差に起因して生じる応力を緩和することができる。 - 特許庁

To provide a pure-metal or alloy plating layer having a biaxial texture and formed by electroplating on the surface of a metal substrate having single crystal or quasi-single crystal orientation and provide its manufacturing method.例文帳に追加

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属基板の表面に電気鍍金により形成された二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The obtained agglomerated slurry, arranged on a carbon paper, is sucked at its back, filtered and subjected to pure water cleaning and drying to obtain a fuel cell electrode having an electrode catalyst layer formed on a porous substrate.例文帳に追加

得られた凝集スラリーをカーボンペーパー上に配して背面より吸引して濾過し、純水洗浄、さらに乾燥を行うことにより多孔質基板上に電極触媒層が作製された燃料電池電極を得る。 - 特許庁

A stacked semiconductor device 1 includes a first semiconductor element 5 mounted to a circuit substrate 2, and a second semiconductor element 11 stacked on the first semiconductor element 5 via a spacer layer 12.例文帳に追加

積層型半導体装置１は、回路基材２上に搭載された第１の半導体素子５と、第１の半導体素子５上にスペーサ層１２を介して積層された第２の半導体素子１１とを具備する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride chemical semiconductor substrate which requires no device process, such as a lateral growth when growing a gallium nitride chemical semiconductor layer thereon, and which has a uniform low defect region.例文帳に追加

基板への窒化ガリウム系化合物半導体層の成長において、横方向成長等のデバイス工程を無くし、さらに低欠陥領域を均一に有する窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

The optical semiconductor element 10 is also provided on the semiconductor substrate 11 with an electrostatic breakdown voltage element 40 having a layer structure different from that of the photodetector 30 and protecting the surface emission semiconductor laser 20 against electrostatic breakdown.例文帳に追加

また、光半導体素子１０は、光検出素子３０とは異なる層構造を有し、面発光型半導体レーザ２０を静電破壊から保護する静電耐圧素子４０を半導体基板１１上に備える。 - 特許庁

In crystal molding, since a seed crystal already exists between the substrate and a molten polycrystalline silicon, the polycrystalline silicon layer under coagulation crystallizes transversely from both sides of the seed toward an outside.例文帳に追加

結晶成形に際して、種晶が既に基板と溶融状の多結晶シリコンとの間に存在しているため、凝結中の多結晶シリコン層は、種晶両側から外側へ向かって横方向にて結晶する。 - 特許庁

To provide a photomask with higher resolution and higher process capability of circuit implementation by forming a silicone-coating layer on one surface or both surfaces of a glass substrate to reduce the reflectance and increase the transmittance.例文帳に追加

ガラス基板の一面または両面にシリコーンコーティング層を形成させることにより、反射率を低めるとともに透過率を増加させ、解像度及び回路具現の工程能力が向上されたフォトマスクを提供する。 - 特許庁