「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(671ページ目) - Weblio英語例文検索

A multilayer gate of different kinds of grain is formed by forming the gate insulation film 22 on the semiconductor substrate 21, and then forming the lower polysilicon germanium layer 23 having a columnar crystal structure on the gate insulation film 22.例文帳に追加

異種結晶粒積層ゲートを形成する方法は、半導体基板２１上にゲート絶縁膜２２を形成し、ゲート絶縁膜２２上に柱状結晶構造を有する下部ポリシリコンゲルマニウム層２３を形成する。 - 特許庁

A resin layer 14 is formed of resin containing an aromatic compound on the face formed with an electrode 10 of a semiconductor substrate 2 having the electrode 10, so that at least a part of the electrode 10 can be prevented.例文帳に追加

電極１０パッドを有する半導体基板２の電極１０が形成された面に、芳香族化合物を含む樹脂によって、電極１０の少なくとも一部を避けて樹脂層１４を形成する。 - 特許庁

The gas adsorptive sheet is obtained by forming a gas adsorptive layer containing a metal oxide, a slightly soluble flame retardant and an organic binder on at least one face of a sheet substrate comprising organic fibers.例文帳に追加

本発明のガス吸着シートは、金属酸化物、難溶性難燃剤および有機結合剤を含んでなるガス吸着層が、有機繊維からなるシート基材の少なくとも片面に形成してなるシートである。 - 特許庁

To suppress interference light from an adjacent layer of a multilayer optical recording medium having a plurality of information recording surfaces by forming satisfactory spots on a plurality of optical recording media with different substrate thicknesses with a single objective lens.例文帳に追加

単一の対物レンズで、異なる基板厚さの複数の光記録媒体に良好なスポットを形成し、複数の情報記録面を持つ多層光記録媒体の隣接層からの干渉光を抑制する。 - 特許庁

In this method of manufacturing the semiconductor optical device, a mask pattern 46 formed on an imprint resin layer 42 by a nano-stamper 43 is transferred to the other surface side of a semiconductor substrate 21 to form the monolithic semiconductor lens 23.例文帳に追加

この半導体光デバイスの製造方法では、ナノスタンパ４３によってインプリント樹脂層４２に形成したマスクパターン４６を半導体基板２１の他面側に転写してモノリシック半導体レンズ２３を形成する。 - 特許庁

In the display pixel areas and viewing-angle control pixel area of the element substrate, pixel electrodes and a common electrode are provided which are independently drive in the respective areas and arranged opposite each other with a dielectric layer interposed.例文帳に追加

素子基板の表示画素領域及び視角制御画素領域には夫々の領域にて独立駆動されると共に誘電体層を挟んで対向配置された画素電極及び共通電極を有する。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17a having a relatively shallow junction while both sides are held by p-type source/drain regions 16a is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15a.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ａ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ａに挟まれ、相対的に接合深さの浅いＮ型しきい値制御拡散層１７ａが形成されている。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step of forming a pixel electrode (13) on a substrate, a step of cleaning a surface of the pixel electrode, and a step of forming a first hole injection layer (181a) to cover the pixel electrode.例文帳に追加

本発明は、基板上に画素電極（１３）を形成する工程と、この画素電極の表面を洗浄する工程と、この画素電極を覆うように第１正孔注入層（１８１ａ）を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

Floating gate electrodes 16 formed of n-type polysilicon are formed respectively between side wall films 13 on device separating films 12 on a substrate 11 of p-type silicon and on first-layer gate oxide films 15.例文帳に追加

Ｐ型シリコンからなる基板１１上の素子分離膜１２に設けられたサイドウォール膜１３同士の間で且つ第１層ゲート酸化膜１５の上には、ｎ型ポリシリコンからなるフローティングゲート電極１６が形成されている。 - 特許庁

At the time of manufacturing a semiconductor device including an embedded layer 1132, a semiconductor substrate 1131 of crystal structure having a main surface is prepared, and a shielding film 1133 including an aperture is formed on the main surface.例文帳に追加

埋め込み層１１３２を有する半導体装置を製造する際、主面を有する結晶質の半導体基板１１３１を準備し、その主面上に、開口部を有する遮蔽膜１１３３を形成する。 - 特許庁

The substrate 3 to be treated is placed on a vacuum chuck plate 5 in which an alumina layer 52 less damaged by the laser beam L for treatment than granite is formed on a plate main body 51 composed of granite.例文帳に追加

被処理基板３を、御影石からなるプレート本体５１の表面に、処理用レーザ光Ｌの照射によって御影石よりも損傷を受けにくいアルミナからなる層５２を形成した真空チャックプレート５上に載置する。 - 特許庁

The hetero-junction bipolar transistor (HBT) comprising a collector formed on a substrate, a base formed on the collector, an emitter formed on the base and a tunneling suppression layer between the collector and the base is obtained.例文帳に追加

本発明によれば、基板上に形成されたコレクタと、コレクタ上に形成されたベースと、ベース上に形成されたエミッタと、コレクタとベースの間のトンネリング抑制層を含む、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）が得られる。 - 特許庁

After forming a separated insulating area 24 in the trench, As and P are diffused into the semiconductor substrate 11 by heat treatment and the storage node electrode is connected to the diffusion layer of the transfer gate transistor.例文帳に追加

次に、トレンチに分離絶縁領域２４を形成した後、熱処理によりＡｓとＰを半導体基板１１内に拡散させて、前記ストレージノード電極と前記トランスファーゲートトランジスタの拡散層とを接続する。 - 特許庁

An active layer 300 comprising polycrystalline silicon that is formed on an insulating substrate is formed of a first MILC crystallization region and a second MILC crystallization region by carrying out an MILC method with different temperatures.例文帳に追加

絶縁基板上に形成される多結晶シリコンからなる活性層３００を、異なる温度のＭＩＬＣ法を実行することで第１ＭＩＬＣ結晶化領域及び第２ＭＩＬＣ結晶化領域により形成する。 - 特許庁

In a laminate, cellulose fibers of 2-200 nm in an average diameter, an inorganic layer-like compound, and a resin are contained in one or more layers and formed on a resin substrate.例文帳に追加

樹脂基材上に、平均繊維径が２ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるセルロース繊維、無機層状化合物、および樹脂を、一層で、または複数の層に分け含有され形成されたことを特徴とする積層体。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting apparatus which can reduce the forward voltage between a conductive substrate and a semiconductor layer having light emitting function which is arranged on its surface and can improve emission efficiency.例文帳に追加

導電性基板とその表面上に配設された半導体発光機能層との間の順方向電圧を減少することができ、かつ発光効率を向上することができる半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film semiconductor epitaxial substrate and its manufacturing method by which an influence of the carrier concentration of a subcollector layer on a current amplification factor can be prevented and a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

サブコレクタ層のキャリア濃度による電流増幅率への影響を抑え、信頼性の高い半導体デバイスの製作を可能にする薄膜半導体エピタキシャル基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The bipolar transistor may include a collector located in the semiconductor wafer substrate, a base located in the collector, and an emitter located on the base and in contact with at least a portion of the base, wherein the emitter has a low K layer therein.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは半導体ウエハ基板中に配置されたコレクタ、コレクタ中に配置されたベース、ベース上に配置され、ベースの少くとも一部と接触するエミッタを含んでよく、エミッタはその中に低Ｋ層を有する。 - 特許庁

To provide a magnetic semiconductor device that is lattice-matched with a substrate and forms a quantum well layer or a ferromagnetic electrode constituted from II-IV-V_2 group compound magnetic semiconductor material whose Curie temperature Tc is the room temperature.例文帳に追加

基板と格子整合し、キュリー温度Ｔｃが室温であるＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族化合物磁性半導体材料で量子井戸層あるいは強磁性電極を構成した磁性半導体素子を提供する。 - 特許庁

In the region of semiconductor substrate 1, a source electrode 7 and an LDD region 5b are formed on one side, while a drain electrode 6 and an LDD layer 5a are formed on the other side, with a gate electrode 4 therebetween.例文帳に追加

半導体基板１の領域には、ゲート電極４を挟んで一方にソース電極７およびＬＤＤ領域５ｂが形成され、他方にドレイン電極６およびＬＤＤ層５ａが形成されている。 - 特許庁

By dividing the substrate component 11 having such a layer structure in a horizontal direction into two components 11a and 11b as shown in Figure, a bimetal effect which causes the warping is also divided in a horizontal direction.例文帳に追加

このような層構成を有する基板部品１１を、たとえば図の左右方向に２つの部品１１ａ，１１ｂに分割することによって、反り現象を発生させるバイメタル効果も左右に分割されるようにしている。 - 特許庁

The antireflection film 7 is removed by this way, and the time of subsequent wet etching is shortened and the spread to a substrate plane direction is suppressed by film thinning of the first insulating layer 2 by dry etching.例文帳に追加

これにより反射防止膜７を除去すると共に第１の絶縁膜２をドライエッチングにより薄膜化することによってその後のウェットエッチングの時間を短くして基板面方向への広がりを抑制する。 - 特許庁

The transparent conductive film 7 is formed as an opposite electrode 6 on the substrate 1', and a material that vapor-deposits platinum 8 thereon is used, and then the electrolyte 5 is filled between both electrodes to form an electrolyte layer.例文帳に追加

対向電極６としては、基板１′上に透明導電膜７が形成され、その上に白金８を蒸着したものが用いられ、両極間には電解質５が充填され電解質層が形成される。 - 特許庁

A base film consisting of an alloy of titanium (Ti) and tungsten (W), intermediate layer having a hexagonal close-packed structure, magnetic film essentially comprising cobalt (Co), protective film and lubricant are successively formed on a resin substrate.例文帳に追加

樹脂製基板上に、チタン（Ｔｉ）およびタングステン（Ｗ）の合金からなる下地膜、六方最密構造を有する中間層、コバルト（Ｃｏ）を主成分とする磁性膜、保護膜および潤滑剤を順次形成する。 - 特許庁

A lithium secondary battery comprises a noaqueous electrolyte and an electrode body 1 obtained by winding positive and negative electrode plates 2, 3 formed by coating an electrode active material layer on each collector-substrate surface, via a separator 4.例文帳に追加

集電基板表面に電極活物質層を形成してなる正負各電極板２・３をセパレータ４を介して捲回してなる電極体１を備え、非水電解液を用いたリチウム二次電池である。 - 特許庁

Alternatively, carbon nanotubes grown up with catalytic particles on a substrate as nuclei are integrated with the etching foil via the irregularities formed on the surface of the etching foil to prepare the electrode for the electric double-layer capacitor.例文帳に追加

あるいは、基板上の触媒粒子を核として成長させたカーボンナノチューブを、エッチング箔の表面に形成された凹凸部を介してエッチング箔と一体化して、電気二重層キャパシタ用電極を作成する。 - 特許庁

A sheet polishing tape 20 is produced which has a polishing layer 22 mainly containing diamond, cerium oxide, aluminum oxide, etc., formed on a predetermined width and length of film substrate 21 formed of a polyester film, etc.例文帳に追加

まず、ポリエステルフィルム等からなる所定幅、所定長さのフィルム基材２１上にダイヤモンド、酸化セリウム、酸化アルミニウム等を主成分とする研磨層２２が形成されたシート状の研磨テープ２０を作製する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film semiconductor substrate comprising an epitaxial layer using single crystal silicon or polycrystal silicon, at a low cost with less cracking.例文帳に追加

単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いたエピタキシャル層を有する薄膜半導体基板を、割れを少なく低コストで製造することができる薄膜半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The member has the particle adsorbed layer formed by adsorbing particles having such physical properties that allow the particles to be coupled with ionic polar groups on the substrate having grafted polymer chains having the ionic polar groups.例文帳に追加

イオン性極性基を有するグラフトポリマー鎖が存在する基板上に、該イオン性極性基と結合しうる物性を有する微粒子を吸着させてなる微粒子吸着層を有することを特徴とする。 - 特許庁

This waterproof adhesive tape obtained by disposing an acrylic adhesive layer on at least one side of a synthetic resin film substrate having specific initial tensile strength, a specific residual tensile strength and a specific tensile breaking strength.例文帳に追加

【解決手段】 特定の初期抗張力と残存抗張力及び引張破壊強さを有する合成樹脂フィルム基材の少なくとも片面にアクリル系粘着剤層が設けられてなる防水用粘着テープとする。 - 特許庁

The method for determining the layout structure of an electrode in manufacturing the piezo-component includes a step that uses a substrate of multilayered structure having at least one piezo-ceramic layer and at least two electrodes.例文帳に追加

圧電構成部品の製造において電極の配列構造を決定する方法は、少なくとも１つの圧電セラミック層と少なくとも２つの電極とを含む多層構造の基体を用いるステップを含んでいる。 - 特許庁

The optical element has multilayer film configuration in which crystalline substrate and its first layer are amorphous films having optical film thickness of 0.480 to 0.520λ0 when the λ0 is defined as the center wavelength of design.例文帳に追加

結晶質基板とその第一層目がλ０を設計中心波長とすると０．４８０〜０．５２０λ０の光学的膜厚の非晶質膜である多層膜構成を特徴とする光学素子を提供する。 - 特許庁

After an antireflection film is formed on a substrate surface by vacuum vapor deposition, oxygen or argon is introduced to carry out plasma treatment, and then a stain proof layer is formed by vacuum vapor deposition of a fluorine-containing organic silicon compound.例文帳に追加

真空蒸着によって基板表面に反射防止膜を形成後、酸素もしくはアルゴンを導入してプラズマ処理を行い、その後、フッ素含有有機ケイ素化合物を真空蒸着して防汚層を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an MOCVD device or a semiconductor layer, capable of preventing the depositing of reaction products on a region except a substrate and capable of growing a semiconductor with excellent reproducibility.例文帳に追加

反応生成物が基板以外の領域に堆積することを防止すると共に、再現性良く半導体を成長させることができるＭＯＣＶＤ装置又は半導体層の製造方法を提供する。 - 特許庁

A front substrate 11 constituting this image display device has a metal back layer 20 formed by being stacked on a phosphor screen and composed of a plurality of divided electrodes 30 divided into island-like forms.例文帳に追加

画像表示装置を構成する前面基板１１は、蛍光体スクリーンに重ねて設けられているとともに島状に分割された複数の分割電極３０によって構成されたメタルバック層２０を有している。 - 特許庁

A front substrate 11 constituting this image display device has a metal back layer 20 formed by being stacked on a phosphor screen 15 and composed of a plurality of divided electrodes divided into island-like forms.例文帳に追加

画像表示装置を構成する前面基板１１は、蛍光体スクリーン１５に重ねて設けられているとともに島状に分割された複数の分割電極によって構成されたメタルバック層２０を有している。 - 特許庁

This filter comprises a fabric-like or felt-like substrate material coated with a fluororesin layer containing at least 20 wt.% anatase titanium oxide in a coating weight of 10 g/m2 or higher.例文帳に追加

織布状またはフェルト状の耐熱性基材の表面に、アナターゼ型酸化チタンを２０ｗｔ％以上含有するフッ素樹脂層が、付着量１０ｇ／ｍ^2 以上で形成されている焼却炉排ガス処理フィルター。 - 特許庁

The reflection layer 3 is provided with a second reflection film 3a formed on the substrate 2 and subjected to nitriding treatment and a first reflection film 3b formed on the second reflection film 3a and subjected to no nitriding treatment.例文帳に追加

反射層３は、基板２上に形成され、窒化処理が施されている第二の反射膜３ａと、第二の反射膜２ａ上に形成され、窒化処理の施されていない第一の反射膜３ｂとを備えている。 - 特許庁

In a semiconductor layer of an SOI substrate 1, a plurality of completely electrically isolated unit bipolar transistors Qu from each other are connected in parallel to constitute the bipolar transistors needing a large current capacity.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１の半導体層において、互いに完全に電気的に分離された複数の単位バイポーラトランジスタＱｕを並列接続することにより、大電流容量を必要とするバイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a plurality of semiconductor chips 2 and 3 stacked on a substrate 1, where a wiring layer 7 for interconnecting bonding wires is provided between the semiconductor chips 2 and 3.例文帳に追加

基板１上に複数の半導体チップ２、３を積層した半導体装置において、前記半導体チップ２、３間に、ワイヤーボンディング用のワイヤーを中継配線するための配線層７を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a transparent polypropylene film having sufficient oxygen and water vapor-barrier properties, high adhesive strength between a metal oxide layer and a substrate film, and excellent gas-barrier properties in packaging applications.例文帳に追加

十分な酸素バリア性及び水蒸気バリア性を持ち、同時に高い金属酸化物層と基材フィルムの密着強度を持ち、包装用途として優れたガスバリア性を有する透明ポリオレフィンフィルムを提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method of the organic EL display having at least a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode on a support substrate, the pixel separating film and the second electrode separating barrier plate are formed by a silicon compound.例文帳に追加

支持基板上に、少なくとも第一電極、有機ＥＬ層、第二電極を有する有機ＥＬディスプレイの製造方法において、画素分離膜と第二電極分離隔壁を無機のケイ素化合物により形成する。 - 特許庁

Transparent electrode 9 having a prescribed pattern shape is formed on a front-face substrate 2, and a base electroconductive layer 20 having a width narrower than the transparent electrode 9 and resistivity lower than the transparent electrode 9 is formed on the transparent electrode 9.例文帳に追加

前面基板２上に所定のパターン形状の透明電極９を形成し、その透明電極９上に透明電極９よりも幅が狭くかつ比抵抗が低い下地導電層２０を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate grinding machine that performs constant-speed grinding processing and constant-pressure grinding processing in a series of operations, makes a processed alteration layer thin, and improves processing efficiency.例文帳に追加

一定速度での研削加工と一定圧力での研削加工を一連の動作で行うことを可能とし、加工変質層を薄くし、かつ加工能率の向上を図った半導体基板研削機を提供する。 - 特許庁

A gate insulation film 6, a gate electrode 9, a source electrode 8 and a drain electrode 7 are formed such that the first region Re1 of the Si substrate 1 and the n-epitaxial layer 3 becomes an operating region.例文帳に追加

そして、ＳｉＣ基板１およびｎ−エピタキシャル層３のうち第１領域Ｒｅ１が動作領域となるように、ゲート絶縁膜６，ゲート電極９，ソース電極８およびドレイン電極７を形成する。 - 特許庁