「substrate selectivity」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

As the hard mask layer 12 is composed of a material which has high etching selectivity with respect to a substrate 11, the step of the second step portion 19 corresponding to the three-dimensional structural pattern can be formed so as to be smaller in depth than that of a desired three-dimensional structural pattern.例文帳に追加

また、ハードマスク層１２は基板１１に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応する２段目の段差部１９の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さく出来る。 - 特許庁

The use of multiple epitope fusion proteins also has the added advantages of decreasing masking problems, improving sensitivity in detecting antibodies by allowing a greater number of epitopes on a unit area of substrate, and improving selectivity.例文帳に追加

複数エピトープ融合タンパク質の使用はまた、マスキングの問題を低減し、基質単位面積当たりのより多数のエピトープを可能にすることによって、抗体の検出における感度を改善し、そして選択性を改善するというさらなる利点を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a SOI substrate through a pasting method, wherein the material having few crystal disorders is used for a stopper which has a selectivity with respect to crystalline silicon to effectively use the stopper for a device forming layer.例文帳に追加

単結晶シリコンに対し選択性を有するストッパとして結晶状態の乱れの少ないものを採用し、かつそのストッパをデバイス形成層に有効利用することが可能な、貼り合わせ法によるＳＯＩ基板の製造方法を実現する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid which is used for platinum group metals and capable of polishing a metal film at a low polishing pressure, at a high polishing speed and in good selectivity to a substrate when a CMP is applied to a film of the platinum group metal, and to provide a method for polishing with the polishing liquid.例文帳に追加

白金族金属膜にＣＭＰを適用した際、低研磨圧力で高い研磨速度と下地に対する選択的な金属膜研磨性を持った白金族金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

This diffraction grating formation method includes at least a process of forming stripe mask patterns 104 with a constant period and different coating widths on a substrate 100, and a process of transferring the mask patterns 104 onto the substrate 100 by an etching method having chemical anisotropic selectivity for a material constituting the substrate 100, in a method for forming diffraction gratings 106 (106a, 106b) with periodic irregularity.例文帳に追加

本発明に係る回折格子の形成方法は、周期的な凹凸を有する回折格子の形成方法において、基板上に周期が一定で被覆幅の異なるストライプ状のマスクパターンを形成する工程と、前記基板を構成する材料に対して化学的異方選択性を有するエッチング方法を用いて前記マスクパターンを該基板に転写する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a material of an antireflection film ensuring high etching selectivity to a resist, that is, a high etching speed to a resist, to provide a pattern forming method for forming an antireflection film layer on a substrate using this antireflection film material, and to also provide a pattern forming method using this antireflection film as a hard mask for substrate working.例文帳に追加

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ちレジストに対してエッチングスピードが速い反射防止膜の材料を提供し、且つこの反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法及び、この反射防止膜を基板加工のハードマスクとして用いるパターン形成方法も提供する。 - 特許庁

Since the case is united with the coaxial resonator into a single body, the number of components of the filter is small, a dielectric loss is not included in the loss of a resonator single body because there is no part where a dielectric part of the dielectric substrate comes into contact with the resonator, and a filter with high frequency selectivity can stably and easily be constructed on the dielectric substrate.例文帳に追加

ケースと同軸共振器とを一体化したため部品点数が少なく、誘電体基板の誘電体部分と共振器とが接する部位が存在しないため共振器単体の損失に誘電体損失が含まれることがなく、安定して誘電体基板上に高い周波数選択性のフィルタを簡単に構成できる。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a semiconductor, capable of always maintaining a process at a fixed etching rate and accurately processing with low micro loading effects, high selectivity, high reproducibility and a method for treating the surface of a substrate to be treated, by using the apparatus for manufacturing the semiconductor.例文帳に追加

常に一定のエッチングレートでプロセスを維持することができ、低マイクロローディング効果、高選択性、高再現性、高精度加工を可能とする半導体製造装置および該半導体製造装置を用いた被処理基板表面の処理方法の提供。 - 特許庁

To provide a substrate for an antenna capable of preventing damaged by vibration or impact and scattering of chips, and to provide excellent frequency characteristics for inductance value and Q value, shifting the peak of inductance value toward high frequency side for improved high frequency characteristics, with high selectivity in form.例文帳に追加

振動あるいは衝撃で破損し、その欠片が飛散することを防止でき、インダクタンス値及びＱ値に関して、優れた周波数特性が得られ、インダクタンス値のピークを高周波側に移行させ、高周波特性を改善でき、しかも、形状選択性に富むアンテナ用基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a long-length wire rod by which particles from a target can easily arrive at a substrate by preventing the clogging of the particles, the selectivity of the particles can easily be improved, and a uniform thin film can easily be formed on a long-length material, and to provide a production system therefor.例文帳に追加

粒子の目詰まりを防止することにより、ターゲットからの粒子が容易に基板に到達でき、粒子の選択性を容易に向上でき、かつ長尺材への均一な薄膜の形成が可能な長尺の薄膜線材の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

The method of providing a solar cell electrode by the electroless-plating has high selectivity between a silicon nitride 3 and silicon 23, a large working window, and is steady, easily to be controlled, and therefore is suitable for being used in the manufacturing the electrode of the solar cell substrate.例文帳に追加

本発明の無電解めっきによって太陽電池電極を提供する方法は窒化ケイ素３及びシリコン２３の間の高い選択性及び大きな運転条件範囲を有し、そして安定で制御され易いため、太陽電池基板の電極の製作において使用されるのに適している。 - 特許庁

To provide a surface treatment method where surface treatment is performed to a substrate made of resin or the like, by which the selectivity of the substrates to be treated is wide, and further, which is preferable in respect of efficiency and cost, and to provide a surface treatment device used for the surface treatment.例文帳に追加

本発明は、樹脂製基板等の表面処理を行う方法であって、処理される基板の選択性が広く、また効率面やコスト面でも好ましい表面処理方法、およびその表面処理に用いられる表面処理装置を提供することを主目的としている。 - 特許庁

Two kinds of different materials obtained, by adding impurities to iron silicide are formed on an insulating substrate 14, and a Pt catalyst film 18, having the selectivity of a hydrogen gas, is laminated on one end part of each of the respective materials, while an electrode 20 is formed to the other end part of the respective materials.例文帳に追加

ケイ化鉄に不純物を添加して成る２種類の異なる材料を絶縁性の基板１４上に形成し、各材料の一方の端部には水素ガス選択性を持たせたＰｔ触媒膜１８を積層し、他方の端部には電極２０を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of coating a semiconductor substrate, having a wiring pattern formed, with an oxide film; a step of covering the oxide film with the film to be etched made of a conductive material; and a step of patterning the film to be etched through plasma etching while giving selectivity to the oxide film by adding a compound containing no carbon and containing sulfur.例文帳に追加

配線パターンが形成された半導体基板上に酸化膜を被覆する工程と、酸化膜上に導電材料の被エッチング膜を被覆する工程と、炭素を含まず硫黄を含む化合物を添加して、被エッチング膜を酸化膜に対して選択性を持たせつつプラズマエッチングしてパターニングする工程とを含む。 - 特許庁

To provide a hardmask composition for a resist underlayer film that has high etching selectivity, sufficient resistance to multiple etchings, and an antireflective property to minimize the reflectivity between the resist and a lower layer, and a method of patterning a backside material layer on a substrate using the hardmask composition.例文帳に追加

エッチング選択性が高く、 多重エッチングに対する耐性が十分であり、レジストと下部層間の反射性を最小化する反射防止能を有するレジスト下層膜用ハードマスク組成物を提供すること、および該ハードマスク組成物を用いて、基板上の裏面材料層をパターン化させる方法を提供すること。 - 特許庁

Bonding regions composed of different materials are arranged to a plurality of the respective reaction regions provided on the substrate and a plurality of molecules parcipitated in different reactions are bonded at every reaction region by utilizing the bonding selectivity to the bonding regions arranged to the reaction regions of the boding domains of them.例文帳に追加

基体に設けた複数の反応領域のそれぞれに異なる材料からなる結合部位を配置し、異なる反応に関与する複数の反応関与分子をその結合ドメインの反応領域に配置した結合部位に対する結合選択性を利用して各反応領域毎に結合させて反応素子を形成する。 - 特許庁

An underlayer with etching selectivity with respect to the interlayer insulating layer is formed, and a portion of the interlayer insulating layer containing impurities in contact with the wiring layer has been removed at the edge of the semiconductor substrate.例文帳に追加

素子領域の形成された半導体基板表面に、層間絶縁膜と外部取り出し用の配線層とを備えた半導体装置であって、前記半導体基板端縁部で、前記配線層下に、前記層間絶縁膜に対してエッチング選択性のある下地層が形成され、不純物を含む層間絶縁膜が選択的に除去されている。 - 特許庁

The blank photomask comprises: a chromium light shielding layer formed on a light-transmissive substrate; a hard mask layer comprising a conductive substance formed thereon with an etching selectivity of at least 3:1 or higher with respect to the chromium light shielding layer against an etching gas mixture containing chlorine gas and oxygen gas; and a resist layer formed on the hard mask layer.例文帳に追加

投光基板上にクロム遮光層が形成され、その上にクロラインガス及び酸素ガスを含むエッチングガスに対して前記クロム遮光層とのエッチング選択比が少なくとも３：１以上になる導電性物質よりなるハードマスク層が形成され、その上にレジスト層が形成されるブランクフォトマスクである。 - 特許庁

Further, the zeolite membrane having both selectivity and flux characteristic can be obtained by using the above substrate.例文帳に追加

上記目的を達成するために、鋭意検討した結果、（１）ｐＨ１１以上のゼオライト結晶分散液を用いる、（２）３０℃以上の環境におく、（３）超音波振動を与える、といった操作により、配向制御されたゼオライト結晶粒子層を有する基材を得ることができ、さらに本基材を用いることによって選択性とフラックス性を併せ持つゼオライト膜を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a hydroxyalkyl (meth)acrylate by reacting (meth)acrylic acid with an alkylene oxide in the presence of a catalyst, wherein the catalyst gives such a high reaction rate as that of a conventional homogeneous catalyst, enhances the conversion rate of a reaction substrate, can easily be separated similarly to a case of a conventional heterogeneous catalyst, and gives high reaction selectivity.例文帳に追加

触媒の存在下で（メタ）アクリル酸とアルキレンオキシドとを反応させてヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを製造する方法において、従来の均一系触媒のように反応速度が速く、反応基質の転化率が高く、且つ、従来の不均一系触媒のように触媒の分離操作が容易であり、反応選択率が高い触媒を提供する。 - 特許庁

To provide a transversal type filter in which at least one of electrode fingers of an input side IDT (Inter Digital Transducer) electrode and an output side IDT electrode provided on a piezoelectric substrate is weighted, the transversal type filter having a wide bandwidth, high flatness and high selectivity by suppressing diffraction of elastic waves to be output from an end surface of the weighted IDT electrode.例文帳に追加

圧電基板上に設けた入力側ＩＤＴ電極及び出力側ＩＤＴ電極の少なくとも一方の電極指に重み付けを行ったトランスバーサル型フィルタにおいて、この重み付けを行ったＩＤＴ電極の端面から出力される弾性波の回折を抑えて、広帯域幅、高平坦性及び高選択性のトランスバーサル型フィルタを提供すること。 - 特許庁

To provide an industrially suitable method for producing an optically active (R or S)-3-aminoglutaric acid monoester compound having high optical purity in high yield and high selectivity from a 3-aminoglutaric acid diester compound by a simple operation using an easily available hydrolase in a short reaction time at a decreased enzyme/substrate ratio.例文帳に追加

本発明の課題は、入手容易な加水分解酵素を用いて、基質に対し少ない酵素量で、反応時間が短く、簡便な操作法によって、３−アミノグルタル酸ジエステル化合物から、高収率、高選択的に光学的に純粋な３−アミノグルタル酸モノエステル化合物を得る、工業的に好適な光学活性（Ｒ又はＳ）−３−アミノグルタル酸モノエステル化合物の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide an industrially suitable method for producing an optically active (R or S)-3-aminoglutaric acid monoester compound having high optical purity in high yield and selectivity from a 3-aminoglutaric acid diester compound by a simple operation using an easily available hydrolase in a short reaction time at a decreased enzyme/substrate ratio.例文帳に追加

本発明の課題は、入手容易な加水分解酵素を用いて、基質に対し少ない酵素量で、反応時間が短く、簡便な操作法によって、３−アミノグルタル酸ジエステル化合物から、高収率、高選択的に光学的に純粋な３−アミノグルタル酸モノエステル化合物を得る、工業的に好適な光学活性（Ｒ又はＳ）−３−アミノグルタル酸モノエステル化合物の製造方法を提供することである。 - 特許庁