「substrate selectivity」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a thin-film transistor and the like having a high field-effect mobility and performing normally-off driving while increasing selectivity of a substrate.例文帳に追加

基板の選択性を広げつつ、電界効果移動度が高くノーマリーオフ駆動する薄膜トランジスタ等を得る。 - 特許庁

To provide a method of etching a film to be etched which is formed on a substrate wherein the roughness of substrate surface is restrained, selectivity is excellent, and cost is low.例文帳に追加

基板に形成された被エッチング膜のエッチング方法であって、基板表面の荒れを抑制し選択性に優れた安価なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The etching stopper film 2 is made of a material which has extremely high selectivity against the transparent substrate 1 under the etching conditions of the transparent substrate 1.例文帳に追加

エッチングストッパ膜２は、透明基板１のエッチング条件において、透明基板１に対して非常に選択性が高い材料で形成されている。 - 特許庁

And in using chlorine-substituted benzaldehyde as a substrate, the optical selectivity of the optically active cyanohydrin obtained from para-substituted substrate is high as compared to the meta-substituted substrate.例文帳に追加

また、クロロ置換ベンズアルデヒドを基質とした場合、該基質のメタ位置換体に比較して該基質のパラ位置換体から得られる光学活性シアノヒドリンの光学選択性の方が高い。 - 特許庁

To obtain a carboxylic acid in high selectivity and yield by efficiently oxidizing a corresponding organic substrate with molecular oxygen.例文帳に追加

有機基質を分子状酸素により効率よく酸化して、対応するカルボン酸を高い収率及び選択率で得る。 - 特許庁

The porous structure of the metal complex can be used as a catalyst having substrate selectivity and product selectivity by using the metallic ion having a vacant coordination position.例文帳に追加

本発明の金属錯体の細孔構造体は、前記金属イオンが空配位座を有する構成とすることにより、基質選択性及び生成物選択性が可能な触媒として用いることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an active matrix substrate having high transfer selectivity, the active matrix substrate which is manufactured by the method, and an intermediate transfer substrate used for the method.例文帳に追加

本発明は、転写選択性の高いアクティブマトリクス基板の製造方法と、この方法により製造されるアクティブマトリクス基板、この方法で用いる中間転写基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a gas-barrier film which has excellent gas-barrier properties, can be produced in a short time, and is excellent in substrate selectivity.例文帳に追加

優れたガスバリア性を有するとともに、製造時間が短く、基材の選択性に優れたガスバリア性フィルムを提供する。 - 特許庁

By wet etching, only a silicon bulk substrate is removed by etching at high selectivity without removing an embedded oxide film 33 in the lower layer of the silicon bulk substrate of the semiconductor chip 2.例文帳に追加

また、ウェットエッチングにより、半導体チップ２のシリコンバルク基板の下層にある埋込み酸化膜３３を除去せずに、シリコンバルク基板のみを高選択にエッチング除去する。 - 特許庁

To apply an adhesive at a prescribed positions of an implementing base substrate easily in a good selectivity so as to be able to perform a self- alignment easily in the position setting of electronic parts and the implementing base substrate.例文帳に追加

電子部品と実装基板との位置合わせにおいて容易にセルフアライメントできるように、接着剤を、実装基板表面の所定の部位に選択性良くかつ容易に塗布する。 - 特許庁

To provide a method for coating an orientation-controlled zeolite crystal on a substrate regardless of the type thereof, to provide the substrate having the particle layer of the zeolite crystal controlled in orientation, and also to provide a zeolite membrane with both selectivity and flux characteristic.例文帳に追加

基材の種類によらず、ゼオライト結晶を配向制御してコーティングできる方法を提供し、配向制御されたゼオライト結晶粒子層を有する基材を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an alcohol, capable of dimerizing a substrate alcohol in a high yield and a high selectivity even by using a less amount of a base.例文帳に追加

塩基量が少なくても高収率・高選択的に基質アルコールを二量化してアルコールを得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a particulate pattern by which a particulate pattern can be formed in a single layer with positional selectivity, and to provide a method of processing a substrate.例文帳に追加

微粒子パターンを単層で、かつ位置選択的に形成可能な微粒子パターンの形成方法および基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for forming a particle-deposited layer, which can make particles absorbed to an electrically charged part on a substrate surface with high selectivity.例文帳に追加

基板表面のうち帯電部に対して高い選択性で粒子を吸着させることが可能な粒子堆積層形成装置を提供すること。 - 特許庁

When the substrate material of the silicon oxide film does not contain any fluorocarbon-based side chain, the substrate material is not etched by the argon ions and the etch selectivity of the silicon oxide film containing the fluorocarbon-base side chain is remarkably improved.例文帳に追加

下地材料にフルオロカーボン系の側鎖を含まなければ、下地材料はアルゴンイオンでエッチングされることはなく、フルオロカーボン系の側鎖を含むシリコン酸化膜のエッチング選択比が顕著に向上できる。 - 特許庁

The trenches with differences in trench depths can be easily formed by forming hard masks for etching the substrate by using the micro loading effect and by using an etching method in which the selectivity of the semiconductor substrate and etching is widely adopted.例文帳に追加

マイクロローディング効果によって基板をエッチングするためのハードマスクを形成し、半導体基板とエッチングの選択比が大きく取れるエッチング方法を用いて、容易に深さの異なるトレンチを形成することができる。 - 特許庁

A lower semiconductor layer 42 for preventing damage of an active layer when a glass substrate 41 is chemically etched is made of amorphous silicon having a large etching selectivity to hydrofluoric acid.例文帳に追加

ガラス基板41を化学エッチングするときの活性層へのダメージを防止する下部半導体層42を、フッ酸に対するエッチング選択比が大きなアモルファスシリコンで構成する。 - 特許庁

The etching selectivity of the contact layer to the active layer is high and hence in a channel etching process the thickness of the active layer can be made uniform in the substrate plane.例文帳に追加

さらに、コンタクト層と活性層のエッチング選択比が大きいため、チャネルエッチングプロセスにおいて、活性層の厚さを基板面内で均一にすることが可能となる。 - 特許庁

To provide methods for producing a porous substrate which has an enhanced protein binding capacity, a reaction rate and selectivity, and is suitable for chromatographic purification, and using the same.例文帳に追加

改良されたタンパク質結合容量、反応速度、及び選択性を有する、クロマトグラフ精製に適する多孔質基材の製造方法並びに使用方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a self-aligned ferroelectric gate transistor using a buffer layer with a large etching selectivity, which can achieve a higher degree of integration of the self-aligned ferroelectric gate transistor while preventing damage to a silicon substrate by forming a buffer layer with a large etching selectivity between the silicon substrate and a ferroelectric layer and then performing dry etching.例文帳に追加

シリコン基板と強誘電体層間に蝕刻選択比の高いバッファ層を形成して乾式蝕刻を遂行することで、シリコン基板の損傷を防止しながら自己整列強誘電体ゲートトランジスタの集積度を向上し得る蝕刻選択比の大きいバッファ層を利用した自己整列強誘電体ゲートトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provides a high barrier material removal rate with favorable selectivity over other materials on a substrate by using a chemical mechanical polishing composition for polishing a substrate comprising a barrier material in the presence of copper and a low-k dielectric material.例文帳に追加

銅およびｌｏｗ−ｋ絶縁材料の存在下でバリア材料を有する基材を研磨するケミカルメカニカル研磨組成物は、基材上の他の材料よりも有利な選択性で、高いバリア材料除去速度を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method of large etching selectivity of a high melting point metallic film to a silicon oxide film as a substrate without generating side etching in etching of a high melting point metallic film wherein a silicon compound film is a substrate film.例文帳に追加

ケイ素化合物膜を下地膜とした高融点金属膜をエッチングする場合において、サイドエッチングを生じさせずに下地の酸化ケイ素膜に対する高融点金属膜のエッチング選択比が大きいエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor laser comprises the steps of forming an AlGaAs semiconductor laser 29 on an N-type GaAs substrate 21, then etching the substrate, until an N-type AlGaAs clad layer 23 reaches the substrate from the surface, and then removing the layer 23 via an etchant having a selectivity to a GaAs by etching.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板２１上にＡlＧaＡs系半導体レーザ２９を形成した後、表面からｎ型ＡlＧaＡsクラッド層２３に届くまでエッチングを行ない、次にＧaＡsに対して選択性があるエッチャントによってｎ型ＡlＧaＡsクラッド層２３をエッチング除去する。 - 特許庁

A gate electrode is formed at the specified position of a semiconductor substrate, a protective film covering the semiconductor substrate and the gate electrode is formed in the memory region of the semiconductor substrate, and then the entire surface of the semiconductor device is covered with an insulating film having etching selectivity with respect to the protective film.例文帳に追加

半導体基板の所定の位置にゲート電極を形成し、当該半導体基板のメモリ領域において、半導体基板とゲート電極とを覆うプロテクション膜を形成し、その後、半導体装置全面を、プロテクション膜に対するエッチング選択比を有する絶縁膜で覆う。 - 特許庁

To provide a monolith catalyst wherein the adhesion of a catalytic metal to a monolith substrate is improved, and which exhibits improved catalytic activity and selectivity and prolonged life when it is used.例文帳に追加

モノリス基体への触媒金属の改良された付着、ならびに作動時に、改良された触媒活性、選択性および延長された寿命、を示すモノリス触媒を提供する。 - 特許庁

To provide an industrially practicable method for iodinating a substrate by which the yield and selectivity are high and process is simple and efficient with excellent general-purpose properties as compared with those of conventional techniques.例文帳に追加

収率及び選択性が高く、且つプロセスが簡略で効率的な、従来技術よりも汎用性に優れた、工業的に実施可能な基質のヨウ素化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal polishing solution which has a high polishing speed and a good copper/tantalum polishing selectivity, dishes a work little, and is capable of improving a substrate in planarity.例文帳に追加

本発明は、迅速な研磨速度、および、良好な銅／タンタル研磨選択性を有し、ディッシングが少なく、基板の平坦性を向上させることが可能な金属用研磨液を提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst for a hydrogenolysis reaction which has high activity even to a substrate composed of an organic compound of an intricate or bulky structure, is free of a side reaction and has high selectivity, and to provide a hydrogenolysis method for the substrate using the same.例文帳に追加

複雑な或いは嵩高い構造の有機化合物からなる基質に対しても高活性で且つ副反応が無く選択性の高い水素化分解反応用触媒、およびそれを使用する該基質の水素化分解方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for etching an oxide film which can suitably etch the oxide film on a substrate with a high selectivity ratio and can make vertical via holes in the oxide film.例文帳に追加

基板上の酸化膜を高い選択比で良好にエッチングすることができ、酸化膜に垂直形状のビアホールを形成することができる酸化膜のエッチング方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift photomask and blanks for the photomask having an enhanced etching selectivity ratio of a tantalum silicide- base material to a quartz substrate while retaining superior working characteristics of the tantalum silicide-base material and superior chemical stability after working.例文帳に追加

タンタルシリサイド系材料の優れた加工特性、加工後の化学的安定性等を維持しつつ、石英基板とのエッチング選択比を向上したハーフトーン位相シフトフォトマスク及びブランクス。 - 特許庁

A concave part 10a is formed by using etching liquid which has a large etching selectivity ratio of the silicon oxide layer and silicon and hardly etches the silicon oxide layer on a silicon substrate 1 having a mask 13 of the silicon oxide layer.例文帳に追加

酸化シリコン層のマスク１３を有するシリコン基板１に、酸化シリコンとシリコンとのエッチング選択比が大きく、酸化シリコン層をエッチングしにくいエッチング液を用いて凹部１０ａを設ける。 - 特許庁

To provide a composition for a resist underlay film having excellent etching selectivity and preferable antireflection ability against short wavelengths and to provide a resist underlay film and a method for forming a pattern on a substrate both using the above composition.例文帳に追加

優れたエッチング選択性を有し、かつ、短波長に対する反射防止能が良好なレジスト下層膜用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜及び基板のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Multilayer spacers 306 and 307 are provided with a low k material layer 306 for reducing floating capacitance, and a material layer 307 for indicating etching selectivity for a substrate and an insulation oxide.例文帳に追加

本発明によれば多層スペーサー３０６、３０７は、浮遊キャパシタンスを低下させる低ｋ材料層３０６と基板と絶縁酸化物に対しエッチング選択性を示す材料の層３０７を有する。 - 特許庁

To provide a polishing method useful for polishing a substrate containing a chalcogenide phase change alloy, and having a high removal rate of a chalcogenide phase change alloy with a selectivity advantageous for an additional material on the substrate, and low total defects and low Te residuum defects.例文帳に追加

カルコゲナイド相変化合金を含む基板の研磨に有用な、基板上の追加の材料に対して有利な選択性で、かつ低総欠陥及び低Ｔｅ残渣欠陥にて、カルコゲナイド相変化合金の高い除去速度を有する研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of etching a thin-film circuit in a quite efficient manner while ensuring etching selectivity when the thin-film circuit is formed on a semiconductor substrate, without causing any corrosion on a switching element or a wiring material which are used for the semiconductor substrate and the thin-film circuit.例文帳に追加

半導体基板上に薄膜回路を形成する際のエッチング選択性、さらに、半導体基板や薄膜回路に使用されるスイッチング素子や配線材料を全く腐食することなく、極めて効率よく薄膜回路をエッチングする方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate production method, a method for producing a photonic crystal element and a method for producing a photonic crystal structure, excellent in productivity, material selectivity, latitude of designing a rugged surface, cost and wavelength selectivity, and to improve optical characteristics of a photonic crystal structure and to minimize the size.例文帳に追加

生産性、材料選択性、凹凸面の設計の自由度、コストおよび波長選択性に優れた基板生成方法、フォトニック結晶素子の生成方法、フォトニック結晶構造の生成方法を提供することを課題とし、さらには、フォトニック結晶構造の光学特性の向上および形状の小型化を図ることを課題とする。 - 特許庁

Over the entire surface of a semiconductor substrate 11, a substrate protective film 13 which, for example, comprises HDP-NSG of film- thickness 50 nm with an etching selectivity to a silicon, and a first mask film 14 comprising BPSG of film-thickness 200 nm, are sequentially deposited.例文帳に追加

まず、半導体基板１１上の全面にわたって、例えば、それぞれが、シリコンに対してエッチング選択性を有する、膜厚が５０ｎｍのＨＤＰ−ＮＳＧからなる基板保護膜１３と、膜厚が２００ｎｍのＢＰＳＧからなる第１のマスク膜１４とを順次堆積する。 - 特許庁

After forming a side wall 9 with a CVD oxide film (TEOS film 8) on the side of a gate electrode 7 on a silicon substrate 1, this substrate 1 is cleaned with the side wall 9 exposed, until the etching selectivity of the CVD film to a thermal oxidation film is 5 or less.例文帳に追加

シリコン基板１上のゲート電極７の側面にＣＶＤ酸化膜（ＴＥＯＳ膜８）からなるサイドウォール９を形成した後に、サイドウォール９が露出した状態で、ＣＶＤ酸化膜の熱酸化膜に対するエッチング選択比が５以下になるようにシリコン基板１に対して洗浄を行なう。 - 特許庁

To provide a polishing solution for a metal capable of polishing the metal at high polishing speed, having good copper/tantalum polishing selectivity, scarcely giving rise to dishing, and capable of giving a substrate excellent in planarity.例文帳に追加

迅速な研磨速度で金属を研磨することができ、良好な銅／タンタル研磨選択性を有し、ディッシングを発生させることが少なく、平坦性に優れる基板を与えうる金属用研磨液の提供。 - 特許庁

To provide a thin film treatment system by which metal thin film wiring composed of copper or an alloy essentially consisting of copper is formed on a substrate with high selectivity, to provide a thin film treatment method, to provide a thin film transistor, and to provide a display device.例文帳に追加

銅もしくは銅を主成分とする合金からなる金属薄膜配線を基板上に選択性良く形成する薄膜処理装置、薄膜処理方法、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resistance element and its manufacturing method which is manufactured by a simple process at a low cost with a high substrate selectivity, operable at a higher temperature than room temperature, and strong against the noise.例文帳に追加

簡単なプロセスにより低コストで製造することができ、基板選択性も高く、常温を含むより高温で動作可能でしかもノイズにも強い負性抵抗素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an antireflection film material having a high etching selectivity ratio to a resist, that is, a high etching speed and to provide a pattern forming method by which an antireflection film layer is formed on a substrate using the antireflection film material.例文帳に追加

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ち、エッチングスピードが速い反射防止膜材料及び、この反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法。 - 特許庁

To provide an etchant composition which prevents the problems of generation of odor and deterioration of an etched substrate, or the like, due to corrosion and exhibits sufficient etching rate and etching selectivity especially for an indium oxide based film.例文帳に追加

臭気の発生及び装置や被エッチング基材等の腐食劣化の問題が抑制された、特に酸化インジウム系被膜に対し、充分なエッチング速度とエッチングの選択性を示すエッチング液組成物を提供すること。 - 特許庁

This nitrogen-implanted C60 fullerene thin film is suitable for use as a negative resist for electron beam lithography because difference of etching rate is remarkable before and after electron beam exposure and etching selectivity to the substrate is high.例文帳に追加

この一様に窒素イオンを分布した窒素注入C60フラーレン薄膜は電子線露光前後のエッチングレートの差、基板に対する選択比がが著しく高いので、電子線リソグラフィー用ネガレジストに適している。 - 特許庁

A resist material having etching selectivity in the etching of a silicon nitride film is applied to a semiconductor substrate 1 so as to cover a gate electrode 100 including a sidewall nitride film 52 and exposure treatment and development treatment are performed.例文帳に追加

サイドウォール窒化膜５２を含めてゲート電極１００を覆うように、半導体基板１上に、シリコン窒化膜のエッチングに対してエッチング選択性を有するレジスト材を塗布し、露光処理および現像処理を行う。 - 特許庁