「surface films」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thereafter, the PBS films are formed on the inclined surface 13, the bar is cut along the surface D to obtain the prism.例文帳に追加

その後、斜面(13)にＰＢＳ膜を形成し、面(D)で切断して、プリズムとする。 - 特許庁

The silicon oxide films 9 do not have shapes where the surfaces of the films 9 become smaller in height from the main surface 1S of the substrate 1.例文帳に追加

シリコン酸化膜９は基板１の主面１Ｓよりも落ち込んだ形状を有さない。 - 特許庁

On the surfaces of the electrodes 5, plated surface films composed of plated nickel films having thicknesses of ≥0.5 μm are formed.例文帳に追加

電極にはニッケルメッキ膜からなる表面メッキ膜が０．５μｍ以上の厚さに形成されている。 - 特許庁

The molds 1 and 2 for forming glass for information recording disks have protective films formed on the surface of the base materials of the molds, where release films are formed on the surface of the protective films and the release films carry out reducing action on the protective films in the nitrogen atmosphere.例文帳に追加

金型母材の表面に保護膜が形成された情報記録ディスク用ガラス成型用金型１，２であって、前記保護膜の表面に当該保護膜に対して窒素雰囲気中で還元作用を行う離型膜が形成されている。 - 特許庁

Further, the protection films comprise etching preventing protection films 51, 53 for covering the upper surface of the electrode films, and an electromigration preventing protection film 55 for covering the upper surface of the etching preventing protection films, the side surfaces 47a, 49a of the electrode films and the upper surface of the magnetic resistance effect film.例文帳に追加

また、保護膜は、電極膜の上面を被覆するエッチング防止用保護膜５１、５３と、エッチング防止用保護膜の上面、電極膜の側面４７ａ、４９ａ及び磁気抵抗効果膜の上面を被覆するエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５とを含む。 - 特許庁

Also, equally good alternative is to alternately stack unmodified films not subjected to surface modification and to alternately stack the unmodified films and the modified films.例文帳に追加

また、表面修飾をしない無修飾の膜を交互に積み重ねても、未修飾の膜と修飾の膜を交互に積み重ねてもよい。 - 特許庁

First insulating films 12 and 14 are arranged on the inner surface of the trench.例文帳に追加

第１絶縁膜１２、１４はトレンチの内面上に配設される。 - 特許庁

Here, the surface films 29 and 30 are formed by the following manner.例文帳に追加

ここで、表面膜２９，３０は、以下の方法により形成する。 - 特許庁

Titanium oxide thin films 31 are made to exist at intervals on the surface of a barrier thin film 12, hydrophilic thin films 41 are formed between the titanium thin films to constitute a functional thin film 3.例文帳に追加

バリア薄膜１２表面に酸化チタン薄膜３１を点在させ、その間に親水性薄膜４１を形成し、機能性薄膜３を構成させる。 - 特許庁

Protrusions are formed on the upper surface of the base plate, the protrusions have insulating films 11 formed on the upper surface of the base plate, and the second metal films are formed on the upper surfaces of the insulating films 11.例文帳に追加

基板の上面に凸部が形成され、凸部は、基板の上面に設けられた絶縁膜１１を有し、第２の金属膜は、絶縁膜１１の上面に設けられている。 - 特許庁

Surface mineralization films 7, 8 are formed onto the upper/lower surfaces of a substrate 2.例文帳に追加

基板２の上下の表面に表面無機化膜７，８を形成する。 - 特許庁

The metal films 11 are formed on the first principal surface 10a.例文帳に追加

金属膜１１は、第１の主面１０ａの上に形成されている。 - 特許庁

Next, sidewall oxide films 20, 21 are formed on the side surface of the poly-silicon films 3, 9 in the first and second region, respectively.例文帳に追加

次に、第１及び第２領域のポリシリコン膜３，９の側面に側壁酸化膜２０，２１をそれぞれ形成する。 - 特許庁

A surface protection film 43 is divided into two partial films including first and second partial films 43a, 43b in a depthwise direction.例文帳に追加

表面保護膜４３は、深さ方向に関して２分割されており、第１及び第２部分膜４３ａ，４３ｂを含む。 - 特許庁

A field oxide films 20, 22, 24 and gate oxide films 26, 28 are formed on a surface of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０上の表面には、フィールド酸化膜２０、２２、２４とゲート酸化膜２６、２８とが形成されている。 - 特許庁

And, the antisticking films are formed at the four corners of the front surface electrode.例文帳に追加

そして、付着防止膜は、表面電極の四隅に形成されている。 - 特許庁

Then, the surface films are polished to remove very small projections on the surfaces.例文帳に追加

つぎに、この表面膜を研磨し、表面の微少な凸部を削り落とす。 - 特許庁

On the main surface of a semiconductor substrate 11, insulating films 12 and 13 are formed.例文帳に追加

半導体基板１１の主面に絶縁膜１２,１３が形成される。 - 特許庁

Internal conductive films 7a, 7b are formed on an inner surface of the funnel 6 while external conductive films 8a, 8b are formed on an outer surface of the funnel 6.例文帳に追加

ファンネル６の内面上には内部導電膜７ａ，７ｂが形成されており、ファンネル６の外面上には外部導電膜８ａ，８ｂが形成されている。 - 特許庁

After forming a field insulating film 12 on one main front surface of a semiconductor substrate 10, sacrificial oxide films or the gate oxide films are formed as oxide films 14a, 14b.例文帳に追加

半導体基板１０の一方の主表面にフィールド絶縁膜１２を形成した後、酸化膜１４ａ，１４ｂとして犠牲酸化膜又はゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

The metal films of the same kind or different kinds are formed of thin metal films so that irregularity of the surface of the uppermost layer of the metal films that constitute the wiring structure can be reduced.例文帳に追加

その同種又は異種の金属膜は、配線構造を構成する最上層の金属膜表面の凹凸を低減するように、薄膜の金属膜で形成される。 - 特許庁

Solder metal films 91, 92 are deposited on the surfaces of the metal films 51-71, 52-72 to make the almost the whole surface a flat surface nearly parallel to the mounting surface of the substrate 1.例文帳に追加

はんだ金属膜９１、９２は、金属膜（５１〜７１）、（５２〜７２）の表面に付着され、表面のほぼ全面が基板１の搭載面に対してほぼ平行な平坦面となっている。 - 特許庁

Adhesion-improving films 14a, 14b and 14c are provided on a side surface or an upper surface of the semiconductor configuration 2 and on the upper surface of the base plate 1, wherein the adhesion-improving films includes a silane coupling agent.例文帳に追加

半導体構成体２の側面と上面およびベース板１の上面にはシランカップリング剤からなる密着力向上膜１４ａ、１４ｂ、１４ｃが設けられている。 - 特許庁

Polarizing films 7 are formed on an incidence surface 15a and a projection surface 15b of the liquid crystal panel 15.例文帳に追加

液晶パネル１５の入射面１５ａと射出面１５ｂには偏光膜７が形成されている。 - 特許庁

The resin surface is etched using the polysiloxane films as an etching mask to roughen the resin surface.例文帳に追加

ポリシロキサン膜をエッチングマスクとして、樹脂表面をエッチングすることにより、樹脂表面を粗面化する。 - 特許庁

A wall surface of a passage of the gas diffusion member and an outer surface of the separator are formed with a hydrophilic films.例文帳に追加

ガス拡散部材の流路壁面とセパレータの外表面とは親水被膜によって構成されている。 - 特許庁

A plurality of surface metal films 23 of a wiring circuit 24 are formed on the surface 22 of an insulating substrate 21.例文帳に追加

絶縁基板２１の表面２２に配線回路２４の複数の表面金属膜２３を形成する。 - 特許庁

The plastic films (2 and 2') are laminated and stuck on the surface of the molded article by heat-melting the films while they are closely stuck thereon.例文帳に追加

成型品１の表面にプラスチックフィルム（２、２’）を密着させながら加熱溶融することにより積層固着させる。 - 特許庁

The resistor 4 and top surface electrodes 2 and 3 can be formed of thick films or thin films.例文帳に追加

この抵抗体４や上面電極２、３は厚膜により形成することもできるし、薄膜により形成することもできる。 - 特許庁

These films are not formed on the surface of the second translucent member 322.例文帳に追加

第２の透光性部材３２２の表面にはこれらの膜は形成されていない。 - 特許庁

Protection films 15 are arranged on the whole of the second surface 141b and 142b.例文帳に追加

第２面１４１ｂ及び１４２ｂ上全体に保護膜１５を配置されている。 - 特許庁

The surface films 29 and 30 are made of compositions mainly containing fluorinated resins.例文帳に追加

表面膜２９，３０は、フッ素樹脂を主成分とする組成物からなっている。 - 特許庁

The optical member is provided with: a rectangular substrate having a main surface; and one or more included optical films and optical films, which are stacked on the main surface of the substrate.例文帳に追加

光学部材は、主面を有する矩形状の基体と、基体の主面上に積層された１または複数の内包光学フィルムおよび光学フィルムとを備える。 - 特許庁

Metal films 15a and 15b are formed on a surface of the ceramic body 14a.例文帳に追加

セラミックス体１４ａの表面に金属膜１５ａ、１５ｂが形成されている。 - 特許庁

The thermoplastic resin films 2 are pasted so as to cover the entire surface of the board 1.例文帳に追加

そして，基板１の全面を被うように熱可塑性樹脂フィルム２を貼着する。 - 特許庁

On these substrate chips 81a to 81c, the supporting films 24a to 24c are allocated on the single surface, while thermosetting films 19a to 19c are allocated on the other surface.例文帳に追加

本発明の基板素片８１ａ〜８１ｃは、片面に支持フィルム２４ａ〜２４ｃが配置され、他方の面に熱可塑性の被膜１９ａ〜１９ｃが配置されている。 - 特許庁

Insulation films 18a, 18b are formed on a side surface of the electrode layer 14a by a thermal oxidation method, and insulation films 18A, 18B are formed on a surface of a substrate.例文帳に追加

熱酸化法により電極層１４ａの側面に絶縁膜１８ａ，１８ｂを形成すると共に基板表面に絶縁膜１８Ａ，１８Ｂを形成する。 - 特許庁

Films of drain electrode 4 and source electrode 5 are formed on the upper surface of TFT.例文帳に追加

ＴＦＴの上面に、ドレイン電極４とソース電極５の膜を形成する。 - 特許庁

The surface metal films 23 are formed with a clearance 28 as an equal interval to secure the insulation distance between the adjacent surface metal films 23 in the surrounding.例文帳に追加

表面金属膜２３は、周囲に隣り合う表面金属膜２３との間に絶縁距離を確保しうる間隔のみでかつ等しい間隔の隙間２８をあけて形成する。 - 特許庁

The films are not formed on the surface of the second translucent member 322.例文帳に追加

第２の透光性部材３２２の表面にはこれらの膜は形成されていない。 - 特許庁

Protective films 12-13 are attached to the mounting surface of the substrate 1 to bury a space produced around the metal films 51-71, 52-72.例文帳に追加

保護膜１２〜１３は、基板１の搭載面上に付着され、金属膜（５１〜７１）、（５２〜７２）の周囲に生じるスペースを埋めている。 - 特許庁

Thereafter, the first and second insulating films are removed until the upper surface of the substrate is exposed to form built-in insulating films on recessed parts.例文帳に追加

その後、第１絶縁膜および第２絶縁膜を、基板の上面が露出するまで除去し、凹部に埋め込み絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The conductive films 12, 12 are conductive polymer films composed of a conductive polymer containing polystyrene sulfonic acid, and a hydrophobic material 13 contactss the surface of the conductive films 12.例文帳に追加

導電膜１２、１２は、ポリスチレンスルホン酸を含む導電性高分子からなる導電性高分子膜であり、導電膜１２の表面には、疎水性材料１３が接している。 - 特許庁

When the thin films having such periodic structure are homogeneously formed over the entire surface of the thin films, the lens eventually has the same imaging characteristics even by using any portion of the thin films.例文帳に追加

このような周期構造を有する薄膜が薄膜全面に渡って均質に形成されている場合、薄膜のどの部分を用いても同じ結像特性を有することになる。 - 特許庁

For example, light absorbing films 5a, 5b which are made discontinuous relative to an upper surface U and a lower surface D are formed.例文帳に追加

例えば、上面Ｕ及び下面Ｄに対して不連続となる光吸収膜５ａ、５ｂを形成する。 - 特許庁