「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thin film of a fluorescent substance providing excellent resolution and high brightness when used for a display device; and to provide a light emitting element using the thin film of the fluorescent substance as a light emitting layer.例文帳に追加

表示装置に用いたときに優れた解像度と高い輝度とを得ることができる蛍光体薄膜およびこの蛍光体薄膜を発光層として用いた発光素子を提供する。 - 特許庁

Between the first magnetic thin film 1 and the second magnetic thin film 2, an insulating layer 3 is formed to control (suppress) a current flowing the entire magnetic storage element 10.例文帳に追加

また、第１の磁性体薄膜１と第２の磁性体薄膜２との間には、磁気記憶素子１０全体を通じて流れる電流値を制御（抑制）するための絶縁層３が形成されている。 - 特許庁

To obtain a gas barrier composition, capable of forming a thin film excellent in transparency and adhesion and excellent in a gas barrier property, and to provide a resin molded article having the thin film layer on a surface or between layers.例文帳に追加

透明性および密着性に優れ、ガスバリア性に優れた薄膜を形成し得るガスバリア用組成物およびその薄膜層を表面または層間に有する樹脂成形体の提供。 - 特許庁

To provide a thin film transistor in which an insulating layer of a gate electrode is made superior in flexibility and it a has high dielectric ratio, and which is efficiently formed by a spin coating method, and also to provide a manufacturing method of the thin film transistor.例文帳に追加

ゲート電極の絶縁層をフレキシビリティに優れ、かつ、高誘電率にし、また、効率よくスピンコート法等による形成ができる薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

On an Si substrate 11 having a formed SiO2 film 12 on its top surface, a first ferromagnetic thin film 13, a tunnel barrier layer 14, and a second ferromagnetic thin film 15 are laminated in this order.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜１２が上面に形成されたＳｉ基板１１上には、第１強磁性薄膜１３、トンネル障壁層１４及び第２強磁性薄膜１５が、この順に積層されている。 - 特許庁

To provide an organic thin-film solar cell which further improves the energy conversion efficiency, by improving an exiton deactivation preventing layer to make a p-n junction type organic thin-film solar cell practical.例文帳に追加

ｐｎ接合型の有機薄膜太陽電池の実用化を図るべく、励起子失活防止層の改良により、エネルギー変換効率をより一層向上させた有機薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate in which a high-quality thin film having a different lattice constant from that of a substrate is formed industrially stably and inexpensively by using a buffer layer that is extremely thin compared to a conventional one.例文帳に追加

従来に比べ極めて薄いバッファ層を用いて、工業的に安定でかつ低コストで、基板と格子定数の異なる良質の薄膜を形成した半導体基板を提供すること。 - 特許庁

The raw material for chemical vapor deposition is suitable for a raw material for depositing a silicon-containing thin film, preferably, a silicon oxide- containing thin film by the chemical vapor deposition method, in particular, an ALD (Atomic Layer Deposition) method on a substrate.例文帳に追加

該化学気相成長用原料は、基体上に化学気相成長法、特にＡＬＤ法により、ケイ素含有薄膜、好ましくは酸化ケイ素薄膜を形成する原料として好適である。 - 特許庁

To provide a thin film transistor having light-shielding capacity equal to or greater than that of a thin film transistor surrounded by a light-shielding layer without causing increase of the number of processes, and to provide a display device using the same.例文帳に追加

工程数の増大を引き起こさずに、遮光層で囲まれた薄膜トランジスタと同等以上の遮光能力を有する薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供する。 - 特許庁

In order to control an oxygen amount contained in a superconductive layer 5 of the thin film superconductive wire rod 10 with high precision, the thin film superconductive wire material 10 is subjected to heat treatment in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

薄膜超電導線材１０の超電導層５に含まれる酸素の量を高精度に制御するために当該薄膜超電導線材１０を、酸素雰囲気中で熱処理を行なう。 - 特許庁

Consequently, the crack, the peeling, and the like of the PZT layer 13 are prevented so as to improve the reliability of the ferroelectric thin film 10, and resultantly, to improve the reliabilities of a micro-sensor and micro-actuator using the ferroelectric thin film 10.例文帳に追加

これによって、ＰＺＴ層１３の割れや剥離等を防止し、強誘電体薄膜１０、ひいては強誘電体薄膜１０を用いたマイクロセンサやマイクロアクチュエータの信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element capable of reducing read blotting at both ends of a free layer and suppressing the enlargement of an effective track width, a thin film magnetic head, a thin film magnetic head assembly and a storage device.例文帳に追加

フリー層の両端部分における読みにじみを低減して、実効トラック幅の拡大を抑制可能な磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド組立体及び記憶装置を提供する。 - 特許庁

The normal temperature magnetic ferroelectric superlattice is constituted by layering at least two kinds of ferroelectric oxide thin films on a substrate, wherein the oxide thin film of each layer is composed of an odd number of atomic layers.例文帳に追加

基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。 - 特許庁

To provide a thin film laminate wherein a high quality epitaxial growth layer is formed on a substrate on which an epitaxial thin film does not grow usually due to a difference of lattice constants, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

格子定数の相違によって通常はエピタキシャル薄膜が成長しないような基板上に高品質のエピタキシャル成長層を形成した薄膜積層体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the ink is applied or printed to be heated, the compound semiconductor thin film can be formed, and the solar cell having the compound semiconductor thin film as a light absorption layer is constructed.例文帳に追加

このインクを塗布又は印刷し、熱処理することにより化合物半導体薄膜を形成することが出来、この化合物半導体薄膜を光吸収層として具備する太陽電池が構成される。 - 特許庁

An amorphous silicon thin film 104 being used in a semiconductor layer region is changed into polycrystal by an excimer laser beam 105, thus forming a thin-film transistor with a mobility of approximately 2-10 cm2/V.s.例文帳に追加

半導体層領域に用いている非晶質シリコン薄膜１０４をエキシマレーザー光１０５により多結晶化することにより、移動度が２〜１０ｃｍ^2／Ｖ・ｓ程度の薄膜トランジスタを実現する。 - 特許庁

This protective filter 120 contains includes a heat shielding layer composed of a transparent base material 130, and a metallic compound thin film and a transparent metallic thin film formed alternately on the transparent base material 130.例文帳に追加

透明基材130と該透明基材上に交互に形成された金属化合物薄膜及び透明金属薄膜とからなる熱遮断膜を含む液晶表示装置用保護フィルタ120を提供する。 - 特許庁

Before a thin piezoelectric film depositing process (S5), an etching stopper layer 2 is formed on a silicon substrate (S1) and, after a thin piezoelectric film 7 is deposited (S5), a prescribed spot of the silicon substrate 1 is etched (S7).例文帳に追加

圧電薄膜の堆積工程（Ｓ５）より前に、シリコン基板１上にエッチングストッパ層２を形成し（Ｓ１）、圧電薄膜７の堆積工程（Ｓ５）以降に、シリコン基板１の所定箇所をエッチングする（Ｓ７）。 - 特許庁

In the vessel having the ceramic thin film on the surface of the resin vessel body, a resin layer contains at least acid-modified resin in the surface of the vessel body with the ceramic thin film formed thereon.例文帳に追加

樹脂からなる容器本体の表面にセラミック薄膜を形成した容器において、セラミック薄膜が形成してある容器本体の表面を酸変性された樹脂を少なくとも含む樹脂層とする。 - 特許庁

A piezoelectric thin film resonator 1 has such a structure as an adhesive layer 12, a lower surface electrode 13, a piezoelectric thin film 14 and an upper surface electrode 15 are laminated in this order on a supporting substrate 11.例文帳に追加

圧電薄膜共振子１は、支持基板１１の上に、接着層１２、下面電極１３、圧電体薄膜１４及び上面電極１５をこの順序で積層した構造を有している。 - 特許庁

The thin-film bulk acoustic resonators 38a to 38g are made of a single common lower conductive layer to have respective bottom electrodes of the thin-film bulk acoustic resonators.例文帳に追加

薄膜バルク音響共鳴器３８ａ〜３８ｇのそれぞれは、各薄膜バルク音響共鳴器の底部電極を形成するように定められている１つの共通の下部導電層から形成されている。 - 特許庁

The laminated body 1 is provided with a substrate sheet 11 comprising a bendable thin film and a thermoplastic elastomer layer 12 formed in an almost thin film form on a whole surface 11A of the substrate sheet 11.例文帳に追加

積層体１は、折曲可能な薄膜状の基材シート１１と、この基材シート１１の表面１１Ａ全体に略薄膜状に形成された熱可塑性エラストマー層１２と、を備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor having excellent ohmic contact between a source electrode and a drain electrode, and an oxide semiconductor layer as a bottom gate type thin film transistor using an oxide semiconductor.例文帳に追加

酸化物半導体を用いたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、ソース電極、ドレイン電極と酸化物半導体層のオーミックコンタクトが良好な薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask for thin film deposition used in forming an organic thin film or a conductive layer in an organic electroluminescent element or the like, and to provide a method of manufacturing an organic electroluminescent element using the mask.例文帳に追加

有機電界発光素子などに有機薄膜や導電層を形成するために用いられる薄膜蒸着用マスク及びこれを用いた有機電界発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this thin chromatographic separating material having a thin film containing silica gel fine particles, which is formed on a support base as a separating layer, leaf silica secondary particle and colloidal silica particle are used as binder.例文帳に追加

支持基材上にシリカゲル微粒子を含む薄層を分離層として形成してなる薄層クロマトグラフィ用分離材料において、結着剤として、葉状シリカ２次粒子及びコロイダルシリカ粒子を用いる。 - 特許庁

To provide a thin film treatment device where, even if a growing method in which raw materials are alternatively made to flow for growing a thin film having a satisfactory step coverage is performed, the time for performing the growth of one atomic layer can be reduced.例文帳に追加

段差被覆性の良い薄膜を成長するため原料を交互に流す成長法を行っても１原子層の成長を行う時間を短縮できる薄膜処理装置を提供する。 - 特許庁

Continuously, a polycrystal silicon thin film is formed thereon and patterned self-adjustably by exposure of a back face, and the polycrystal silicon thin film is left behind in the recess part 25 to form a semiconductor active layer 30.例文帳に追加

続いて、この上に多結晶シリコン薄膜２７を形成し、裏面露光により自己整合的にパターニングして、凹部２５に多結晶シリコン薄膜２７を残存させて、半導体活性層３０を形成する。 - 特許庁

The first area 70a and the second area is a laminated layer which includes a thin-film piezo-electric body 73 and a first and second electrode films 75a, 75b located to sandwich the thin-film piezo-electric body 73.例文帳に追加

第１領域７０ａ及び第２領域は、薄膜圧電体７３と、当該薄膜圧電体７３を挟むように配置される第１及び第２の電極膜７５ａ，７５ｂとを含む積層体である。 - 特許庁

To provide a plated material for a terminal or a connector, which is superior in corrosion resistance even when an Au plating layer formed on the surface of a stainless steel thin plate is thin, and has high productivity, and to provide a method for manufacturing the plated material.例文帳に追加

ステンレス鋼薄板表面に形成するＡｕめっき層の厚みが薄くても耐食性に優れ、生産性も高い端子又はコネクタ用めっき材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The outer skin layer 80 in the curved part 42 is constituted of a thin-walled section 60 of a thin-walled structure and a softness (rigidity) not hindering the curving operation of the curved part 42 is secured.例文帳に追加

また湾曲部４２における外皮層８０は薄肉構造の薄肉セクション６０により構成されており、湾曲部４２の湾曲動作を阻害しない柔軟性（剛性）が確保されている。 - 特許庁

During crystallization by the melt heating, a buffer layer 3 buffering the volume change of the amorphous thin film 4 when crystallized by being melt at least its surface side and solidified is provided below the thin film 4.例文帳に追加

アモルファス薄膜４の下層に、溶融結晶化に際し、少なくとも表層側が溶融してアモルファス薄膜４が結晶化されて凝固する際の体積変化を緩和するバッファ層３を設ける。 - 特許庁

A thin film transistor is fabricated on a glass substrate 101, and a resin substrate 120 which is translucent and flexible is bonded to the thin film transistors through the intermediary of a sealing layer 119 formed of acrylic resin or the like.例文帳に追加

ガラス基板１０１上に薄膜トランジスタを形成し、アクリル樹脂等でなる封止層１１９を介して透光性を有し、かつ可撓性を有する樹脂基板１２０を接着する。 - 特許庁

To provide a method for growing oxy-chalcogenide based thin film excellent in mass productivity in which a p-type layer can be obtained and an oxy-chalcogenide based thin film can be grown uniformly over a large area.例文帳に追加

ｐ型層を得ることができ、しかも大面積にわたって均一にオキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができ、量産性に優れているオキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。 - 特許庁

Thinely formed thin-walled parts 211 and 212 are provided to both ends of the first surface layer 21 and thickly formed thick-walled part 213 is provided so as to be held between the thin-walled parts 211 and 212.例文帳に追加

第一の表面層２１の両端には、薄く形成された薄肉部２１１および２１２を備え、薄肉部２１１と２１２に挟まれて厚く形成された厚肉部２１３を備えている。 - 特許庁

To provide a dielectric thin-film capacitor manufacturing method with which a dielectric thin-film capacitor can be manufactured through simple manufacturing steps, without the risk of a protective layer covering a capacitor portion cracking.例文帳に追加

キャパシタ部分を覆う保護層にクラックが生ずるおそれのない誘電体薄膜キャパシタを簡便な製造工程で製造することができる誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film semiconductor device which can form a semiconductor layer having high shape accuracy and thereby can obtain a thin film semiconductor device having excellent characteristics.例文帳に追加

形状精度の良好な半導体層を形成することが可能であり、これによって特性の良好な薄膜半導体装置を得ることが可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a GaN-based HEMT includes a step of growing at least one GaN-based semiconductor layer 30 onto the GaN thin film 10a of the GaN thin film bonded substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ系ＨＥＭＴの製造方法は、上記ＧａＮ薄膜貼り合わせ基板１のＧａＮ薄膜１０ａ上への少なくとも１層のＧａＮ系半導体層３０の成長工程を含む。 - 特許庁

The plurality of metallic thin films 3 on the multilayer tube 4 are covered with a thin conductive plating layer 6, after which the multilayer tube 4 is cut at predetermined axial intervals to manufacture an electric connector.例文帳に追加

そして、多層チューブ４の複数の金属薄膜３を薄い導電めっき層６でそれぞれ被覆し、その後、多層チューブ４を軸方向に所定の間隔で切断して電気コネクタを製造する。 - 特許庁

To enable accurate voltage shift in gate electrode-drain current characteristics by controlling the dopant concentration of the active layer of a thin-film transistor in the thin-film transistor that is formed on an insulation substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにおいて、該薄膜トランジスタの活性層のドーパント濃度を制御することにより、ゲート電極−ドレイン電流特性の正確な電圧シフトを可能とする。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a thin-film transistor, by which the offset of the thin-film transistor and an LDD region can be simply formed by a polymer layer evaporated by an electrochemical polymerization method.例文帳に追加

本発明は電気化学重合法によって蒸着されたポリマー層によって薄膜トランジスターのオフセット、及びＬＤＤ領域を簡単に形成できる薄膜トランジスターの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film structure in which an inorganic thin film layer formed on a front face is hardly peelable and the wear resistance and environmental resistance of the optical components to be manufactured can be improved.例文帳に追加

表面に形成される無機薄膜層が剥離しにくく、製造される光学物品の耐摩耗性、耐環境性を向上させることが可能な薄膜構造体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Disclosed is the compound magnetic body formed by laminating a plurality of magnetic thin bodies with insulating layers interposed, and the content of pores of at least one layer of a magnetic thin body is 3 to 50 vol%.例文帳に追加

絶縁層を介して複数の磁性薄体を積層した複合磁性体であって、前記磁性薄体の少なくとも一層の磁性薄体の気孔の含有率を３〜５０ｖｏｌ％とする。 - 特許庁

To provide a method which is capable of manufacturing a device forming substrate that is provided with a very thin distorted Ge thin film layer formed on an insulating film and conducive to the realization of a fully-depleted high-mobility field effect transistor.例文帳に追加

絶縁膜上に極めて膜厚の薄い歪みＧｅ薄膜層を有する素子形成用基板を製造することができ、完全空乏型かつ高移動度の電界効果トランジスタの実現に寄与する。 - 特許庁

A thin film made of an Si_0.9M_0.1C compound crystal doped with Al (M represents at least one of Ge, Sn, and Pb) or a thin line of an SiMC layer 14 doped with Al is formed on an SiC substrate 11.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１上に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設けられている。 - 特許庁

This thin magnetic core comprises a wound body, formed by winding a thin band 2 of a soft magnetic alloy having a width of 5 mm or smaller into a toroidal shape and a resin-coating layer formed on the outer surface of the wound body by coating.例文帳に追加

幅5mm以下の軟磁性合金薄帯２をトロイダル形状に巻回してなる巻回体と、巻回体の外周面に被覆形成された樹脂コーティング層とを具備する薄型磁性コアである。 - 特許庁