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third elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1310件
The array substrate has a substrate which has a display area and a peripheral area formed around the display area and a switching element which has a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, the gate electrode having a first metal film, a second metal film laminated on the first metal film, and a third metal film formed on the second metal film by nitriding the second metal film.例文帳に追加
表示領域及び該表示領域の周辺に形成される周辺領域を有する基板と、前記表示領域に形成され、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記ゲート電極は、第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、該第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜とを有するスイッチング素子とを有する。 - 特許庁
The temperature correcting part 4 includes a first correcting part 4a for calculating temperature variations in the monitored area at predetermined time intervals as necessary; a second correcting part 4b for correcting the temperature variations in accordance with the output voltage of the ceramic element 2; and a third correcting part 4c for calculating the corrected temperatures by adding the corrected temperature variations to the temperatures calculated by the temperature calculating part 3.例文帳に追加
温度補正部４は、必要に応じて、監視領域の所定時間毎の温度変化値を算定する第１の補正部４ａ、温度変化値に対してセラミック素子２の出力電圧に基づいて補正を行う第２の補正部４ｂ、及び、補正された温度変化値を温度算定部３にて算定された温度に加えることにより、補正後の温度を算定する第３の補正部４ｃを備える。 - 特許庁
A granular cathode active substance is composed of a compound metal oxide which can dope and dedope an M^1 ion (M^1 is an alkaline metal element) and an M_3 containing compound (M^3 is a third B group element) which is mounted on a surface of the oxide as particles or in a layer.例文帳に追加
Ｍ^1（Ｍ^1はアルカリ金属元素）イオンをドープ・脱ドープできる複合金属酸化物および該酸化物の表面に粒子として、または層状に載置されるＭ^3含有化合物（Ｍ^3は第３Ｂ族元素）からなる粒状の正極活物質であり、該正極活物質は、その表面に、Ｍ^1（Ｍ^1は前記）、Ｍ^2（Ｍ^2はＭｎ、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる）、Ｍ^3（Ｍ^3は前記）およびＯを有し、該表面におけるＭ^3原子数（モル）とＭ^2原子数（モル）のモル比（Ｍ^3／Ｍ^2）をＡとし、該正極活物質のＢＥＴ比表面積をＳ（ｍ^2／ｇ）としたとき、ＡおよびＳが以下の式（１）を満たす正極活物質を含有する正極と、 負極と、 セパレータと、 非水電解液と、を有する非水電解液二次電池。 - 特許庁
The method for processing a semiconductor substrate includes a first processing step for polishing the metal layer on a barrier layer, a second processing step for oxidizing the metal layer left on the insulating layer by supplying an oxidizing processing liquid after the first processing step, and a third processing step for polishing the oxidized metal layer with a chemical/mechanical water system dispersing element after the second processing step.例文帳に追加
本発明の半導体基板の処理方法は、バリア層上の金属層を研磨する第１の処理工程と、前記第１の処理工程後において、前記絶縁層の上に残留する金属層を、酸化性の処理液を供給することにより酸化させる第２の処理工程と、前記第２の処理工程後において、酸化処理された金属層を、化学機械研磨用水系分散体を用いて研磨する第３の処理工程と、を含む。 - 特許庁
It shall also be prohibited, save consent by the owner of the patent, to supply or offer to supply, on French territory, to a person other than a person entitled to work the patented invention, the means of implementing, on that territory, the invention with respect to an essential element thereof where the third party knows, or it is obvious from the circumstances, that such means are suited and intended for putting the invention into effect. 例文帳に追加
発明をその本質的要素に関してフランス領域内で実施する手段について，それが発明の実施に適しており，かつ，意図されていることを第三者が知っており，又はそのことが状況から明白である場合は，特許所有者の同意なしに，特許発明を実施する権原を有する者以外の者に，当該手段をフランス領域内で供給すること又は供給の申出をすることも禁止される。 - 特許庁
The electrochemical display element is characterized by having a first transparent electrode, an electrolyte layer containing a color developing material which develops color by a coloring means, electrochemical reduction and oxidation, and precipitation and dissolution accompanied with them, a second electrode having the electrolyte interposed between itself and the first transparent electrode, and a third electrode independent of the first transparent electrode and the second electrode.例文帳に追加
本発明に係る電気化学表示素子は、第１の透明電極と、着色手段及び電気化学的な還元・酸化とこれに伴う析出・溶解とによって発色する発色材料を含有した電解質層と、上記第１の透明電極との間に上記電解質層を挟んでなる第２電極と、上記第１の透明電極及び上記第２電極とは独立した第３電極とを有することを特徴とする。 - 特許庁
The electron emission element includes: a substrate; first electrodes spaced apart from one another along one direction on the substrate; second electrodes arranged along the direction between the first electrodes; a third electrode electrically insulated from the first and second electrodes and extending in a direction crossing the direction; and first and second electron emission portions that are formed on side surfaces of the first and second electrodes, respectively.例文帳に追加
基板と、基板上で一方向に沿って相互離隔されて位置する第１電極と、一方向に沿って第１電極の間に位置する第２電極と、第１電極及び第２電極と電気的に絶縁されるように配され、一方向と交差する方向に延設される第３電極と、第１電極及び第２電極の側面にそれぞれ形成される第１電子放出部及び第２電子放出部と、を備える電子放出素子である。 - 特許庁
The method for driving the electrophoretic display device in which an electrophoretic element is put between a pair of substrates, and which has a display section in which a plurality of pixels are arranged, has a composite image displaying step of displaying a third image including image components of both a first image and a second image in the display section when the display image of the display section is changed from the first image to the second image.例文帳に追加
本発明の電気泳動表示装置の駆動方法は、一対の基板間に電気泳動素子を挟持してなり、複数の画素が配列された表示部を備えた電気泳動表示装置の駆動方法であって、前記表示部の表示画像を第１の画像から第２の画像に変更するに際して、前記表示部に前記第１の画像と前記第２の画像の双方の画像成分を含む第３の画像を表示させる合成画像表示ステップを有することを特徴とする。 - 特許庁
This semiconductor element includes: a communication section 101 for communicating with the authentication device; memory 102 storing first memory registering in advance information about user's biological information as biological registration information, second memory registering identification information for identifying a radio communication device, and third memory for storing remaining trial times information showing the failure possible times of biometric authentication processing; and an arithmetic processing section 103 performing the biometric authentication processing.例文帳に追加
半導体素子は、認証装置との間で通信可能な通信部１０１と、利用者の生体情報に関する情報を生体登録情報として予め登録する第１のメモリと、無線通信装置を識別する識別情報を登録する第２のメモリと、生体認証処理の失敗可能回数を示す残り試行回数情報を記憶する第３のメモリを格納するメモリ１０２と、生体認証処理を行う演算処理部１０３とを備える。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a first substrate having a pixel region arranged with a plurality of first semiconductor elements formed of an amorphous semiconductor, a second substrate having a counter electrode corresponding to the pixel region, and a third substrate arranged with a plurality of second semiconductor elements formed of a crystalline semiconductor wherein the crystalline semiconductor has a grain boundary extending along the flow direction of electrons or holes in the second semiconductor element.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、非晶質半導体で形成する第１の半導体素子が複数個配置された画素領域を有する第１の基板と、前記画素領域に対応した対向電極が形成された第２の基板と、結晶質半導体で形成する第２の半導体素子が複数個配置された第３の基板とを有し、前記結晶質半導体は、前記第２の半導体素子における電子又は正孔が流れる方向に沿って、結晶粒界が延びていることを特徴とする。 - 特許庁
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