1153万例文収録!

「third element」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > third elementに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

third elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1310



例文

By supplying the t1 signal to be turned ON only during the applying period of the reverse polarity superimposing voltage to a third reverse polarity switching element 153, the charging to a first capacitor 152 for reverse polarity can be started immediately after terminating the applying period of the reverse polarity superimposing voltage.例文帳に追加

逆極性重畳電圧印加期間のみONするt1信号を第3の逆極性用スイッチング素子153へ供給することにより、逆極性重畳電圧印加期間終了後、ただちに第1の逆極性用コンデンサ152への充電を開始させることができる。 - 特許庁

The n-type layer 11 of a light-emitting element 1 has a structure in which a first n-type layer 111, a second n-type layer 112, and a third n-type layer 113 are sequentially laminated on a sapphire substrate 10, and the n-electrode 16 composed of V/Al is formed on the second n-type layer 112.例文帳に追加

発光素子1のn型層11は、サファイア基板10上に第1n型層111、第2n型層112、第3n型層113の順に積層された構造であり、V/Alからなるn電極16は第2n型層112上に形成されている。 - 特許庁

The switching element SW1 is constituted so that the first terminal T1 and the second terminal T2 are electrically shut down and the second terminal T2 and the third terminal T3 are electrically connected when a cover 18 is opened, whereby charge accumulated in the capacitor C1 is discharged to the ground instantaneously.例文帳に追加

スイッチング素子SW1は、カバー18が開放されると、第1端子T1と第2端子T2とが電気的に遮断されるとともに、第2端子T2と第3端子T3とが電気的に接続され、コンデンサC1に蓄積された電荷がグランドに瞬時に放電されるようにした。 - 特許庁

In this organic active element, an organic semiconductor layer 6 is formed between independently formed first and second electrode layers (source and drain electrodes) 4 and 5, and the semiconductor layer 6 and a third electrode layer (gate electrode) 2 hold an organic electrical insulating layer 3 between them.例文帳に追加

独立して形成される第一の電極層(ソース電極)4と第二の電極層(ドレイン電極)5との間に有機半導体層6が形成され、そして、前記有機半導体層6及び第三の電極層(ゲート電極)2が有機電気絶縁層3を狭持してなるものとなっている。 - 特許庁

例文

The piezoelectric ceramic comprises a third compound containing Bi, Mg, at least one pentavalent metal element selected from the group consisting of Ta, Nb, and Sb, and O in addition to a first compound having a rhombohedral perovskite structure and a second compound having a tetragonal perovskite structure.例文帳に追加

菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第1の化合物および正方晶系ペロブスカイト構造を有する第2の化合物に加えて、Biと、Mgと、Ta,NbおよびSbからなる群のうちの少なくとも1種の五価金属元素と、Oとを含む第3の化合物を含有する。 - 特許庁


例文

The glow plug further includes pressure signal generation output means 205, 207, 209 generating and outputting a pressure signal Spp in response to an element pressure Ps on the basis of a third resistance value r3 of a first synthetic resistor 131 and a fourth resistance value r4 of a second synthetic resistor 212.例文帳に追加

また、第1合成抵抗131の第3抵抗値r3と、第2合成抵抗212の第4抵抗値r4とに基づいて、素子圧力Psに応じた圧力信号Sppを生成し出力する圧力信号生成出力手段205,207,209を備える。 - 特許庁

To provide a folding-type mobile wireless apparatus whose housing structure has rotating two axes to ensure a clearance between a first hinge which can also be used as an antenna element and a control line connecting a circuit board in a first housing and one in a third housing.例文帳に追加

筐体構造として回転2軸構造を持つ折畳み式の携帯無線機において、アンテナ素子としても用いる第1ヒンジと、第1筐体内の回路基板と第3筐体内の回路基板とを接続する制御線との間のクリアランスを確保することができる携帯無線機を提供する。 - 特許庁

The integrated circuit chip 7 forms a loop antenna 6 including the first conducting wire 8 and the second conducting wire 10 via a first terminal 7b and a fourth terminal 7g, and forms a resonance circuit including a capacitance element and the loop antenna 6 via a second terminal 7c and a third terminal 7f.例文帳に追加

集積回路チップ7は、第1の端子7bと第4の端子7gとを介して第1の導線8と第2の導線10を含むループアンテナ6を形成し、第2の端子7cと第3の端子7fとを介して静電容量素子及びループアンテナ6を含む共振回路を形成する。 - 特許庁

An eyepiece lens 3 for use in an optical apparatus such as a telescopic optical system TS includes, in order from an object side, a first lens group G1 having negative refractive power, a second lens group G2 having a lens element with a convex surface facing an observer side and a third lens group G3 having positive refractive power.例文帳に追加

望遠鏡光学系TS等の光学機器に用いられる接眼レンズ3は、物体側から順に、負の屈折力を有する第1レンズ群G1と、観察眼側に凸面を向けたレンズ成分を有する第2レンズ群G2と、正の屈折力を有する第3レンズ群G3と、を有する。 - 特許庁

例文

The shield structure 310 includes a second metal fitting 20 which has conductivity, is brought into contact with a casing 101 of the electronic device 300 having the electronic element 4 inside and is brought into contact with the ground pattern 5 and the first metal fitting 6, and a third metal fitting 30 installed on a back plate 21.例文帳に追加

シールド構造310は、さらに、導電性を有し、電子素子4を内部に備える電子装置300の筐体101と接触すると共に、接地パターン5及び第1金具6と接触する第2金具20、背面板21に装着される第3金具30を備える。 - 特許庁

例文

In the antenna device, an antenna element 4 is configured by first and second conductors 4a, 4b extending in parallel with each other from first and second electricity feeder points 3a, 3b and a third conductor 4c connecting the tip ends of the first and second conductors 4a, 4b.例文帳に追加

このアンテナ装置では、第1及び第2の給電点3a,3bから互いに平行に延びる第1及び第2の導体部4a,4bと、これら第1及び第2の導体部4a,4bの先端部をそれぞれ連結する第3の導体部4cとによってアンテナ素子4が構成されている。 - 特許庁

The standardization means of an arithmetic circuit calculates a reference value by dividing the amplitude of the third-order harmonic of a signal controlled by the phase-modulation-element driving circuit, by any one of the amplitudes of even-order harmonics of the second-order, fourth-order, and six-order harmonics, or the sum of the amplitudes of the second-order and fourth-order harmonics.例文帳に追加

演算回路の規格化手段は、前記位相変調子駆動回路により制御された信号の3次高調波の振幅を、2、4、6次の偶数次高調波の振幅のいずれか、又は2次と4次高調波の振幅の和で除算することで基準値を算出する。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display device consisting of a first polarization plate 11, a second optical retardation plate 13, a first optical retardation plate 12, an STN(supertwisted nematic) liquid crystal element 21 with an inherent transflective layer 9, a third optical retardation plate 18, a second polarization plate 17 and a backlight 16 is provided.例文帳に追加

第1の偏光板11と、第2の位相差板13と、第1の位相差板12と、半透過反射層9を内在したSTN液晶素子21と、第3の位相差板18と第2の偏光板17とバックライト16とからなる反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A ring-shaped second trench 6, penetrating the fourth semiconductor layer 4 and the third semiconductor layer 3 and reaching the second semiconductor layer 2, forms a first region having the element region therein and a second region surrounding the outer circumference of the first region.例文帳に追加

環状構造の第2のトレンチ6が、前記第4の半導体層4及び前記第3の半導体層3を貫通して前記第2の半導体層2に達して、素子領域を内側に有する第1の領域と、前記第1の領域を外側で取り囲む第2の領域とを形成する。 - 特許庁

The light emitting element part includes a light emitting layer 80 emitting light by electroluminescence, a plurality of first electrodes 30 and second electrodes 50 for injecting electron into the light emitting layer 80, and a third electrode 40 arranged to the light emitting layer 80 through insulation layers 60.例文帳に追加

発光素子部は、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層80と、発光層80に電荷を注入するための複数の第1電極30および第2電極50と、発光層80に対して絶縁層60を介して配置された第3電極40と、を含む。 - 特許庁

The optical element has one incident end face where the light from the light source enters, and first, second and third wavelength selective reflection faces to separate the light into three color rays, and three exit faces to allow the respective color rays separated by the wavelength selective reflection faces to exit.例文帳に追加

光学素子は、光源からの光を入射する1つの入射端面と、その光を3つの色光に分離する第1、第2、第3波長選択反射面と、前記各波長選択反射面により分離された各色光をそれぞれ出射する3つの出射端面とを有する。 - 特許庁

The piezoelectric ceramic contains a third compound containing Bi, Fe, at least one kind of pentavalent metal element selected from the group consisting of Ta, Nb, and Sb, and oxygen in addition to a first compound having a rhombohedral perovskite-structure and a second compound having a tetragonal perovskite-structure.例文帳に追加

菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第1の化合物および正方晶系ペロブスカイト構造を有する第2の化合物に加えて、Biと、Feと、Ta,NbおよびSbからなる群のうちの少なくとも1種の五価金属元素と、Oとを含む第3の化合物を含有する。 - 特許庁

This copper alloy contains 2.0-4.0 mass% Ti, and 0.01-0.50 mass% one or more elements of Fe, Co, Ni, Cr, V, Zr, B and P as the third element group; and makes 50% or more of the content of the elements exist as second phase particles.例文帳に追加

Tiを2.0〜4.0質量%含有し、第3元素群としてFe、Co、Ni、Cr、V、Zr、BおよびPの中から1種以上を0.01〜0.50質量%含有し、これらの元素の含有量の50%以上を第2相粒子として存在させる。 - 特許庁

The semiconductor element is represented by a structure in which a third n-type GaN-type semiconductor layer 3, a first n-type GaN-based semiconductor layer 4, an i-type GaN-based semiconductor layer 5, a p-type GaN-based semiconductor layer 6, and a second n-type GaN-based semiconductor layer 7 are laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板1の上に第3n型GaN系半導体層3、第1n型GaN系半導体層4、i型GaN系半導体層5、p型GaN系半導体層6、第2n型GaN系半導体層7が積層された積層構造で表される。 - 特許庁

A light emitting element includes: an anode 71 as one example of a first electrode, a cathode 73 as one example of a second electrode paired with the anode 71, a third electrode 79 not contributing to the light emission of a light emitting layer 72, and the light emitting layer 72 disposed between the anode 71 and the cathode 73.例文帳に追加

第1電極の一例としての陽極71と、陽極71と対をなす第2電極の一例としての陰極73と、発光層72の発光には寄与しない第3電極79と、陽極71と陰極73との間に配置された発光層72と、を備える。 - 特許庁

In the photographing apparatus, a fundus camera switches modes among: a first mode for forming on a photographing element 5 the image of the anterior ocular segment of the eye to be inspected E, a second mode of performing at least one of observation and photographing of the fundus of the eye to be inspected E, and a third mode of performing photographing of the anterior ocular segment.例文帳に追加

眼底カメラは、被検眼Eの前眼部を撮像素子5に結像させるための第1のモードと、被検眼Eの眼底の観察及び撮影のうちの少なくとも何れか一方を行う第2のモードと、前眼部Eの撮影を行う第3のモードとの間でモードの切り替えを行う。 - 特許庁

Further, the first conductive layer and the second conductive layer are electrically connected to form a coil shape, and the first conductive layer, the second conductive layer and/or the first magnetic element are electrically connected to the outside through through-holes 16, 17 having opening parts to the external surface of the third insulating layer.例文帳に追加

また、第一導電層と第二導電層が電気的に接続されてコイル形状をなし、第一導電層、第二導電層及び/又は第一磁性体素子が、第三絶縁層の外面へ開口部を有する貫通孔16,17を通じて外部と電気的に接続される構造を備える。 - 特許庁

A rear chamber 22 is defined by an inner wall face of the valve body 2, the pair of seat rings 16a, 16b and a back face of the valve element 3, and is provided with a fluid channel by connecting the valve shaft chamber 21 and the third channel hole 13.例文帳に追加

弁本体2の内壁面と一対のシートリング16a,16bと弁体3の背面との間には裏側室22が形成されており、この裏側室22は前記弁軸室21と前記第3の流路孔13を連通することにより流体の流路を形成する。 - 特許庁

Each of the pair of impurity regions of the fist semiconductor element shows a conductive type which is opposite to the second impurity section of the impurity region, while comprising a third impurity section which suppresses the second impurity section of the impurity region.例文帳に追加

さらに、第1の半導体素子の前記一対の不純物領域のそれぞれは、該不純物領域の前記第2の不純物区域の導電型と逆の導電型を示しかつ当該不純物領域の前記第2の不純物区域を抑制する第3の不純物区域を有する。 - 特許庁

For avoiding the selection and storage of the PTC heating elements with different departures, according to this invention, additional tolerance PTC heating device elements are held ready which uniformly have a lower rated heating power, preferably one half or third, compared to the standard PTC heating element.例文帳に追加

乖離の異なるPTC加熱エレメントを選択し保管することを避けるため、本発明により、標準PTC加熱エレメントに比べ定格暖房能力が一様により低く、半分あるいは三分の一であることが好ましい追加の裕度PTC暖房装置素子を調製しておく。 - 特許庁

In the second optical semiconductor element 20, the second cladding layer 24 is disposed in the recess 16 and is thermally connected to the semiconductor substrate 11, the third cladding layer 27 is disposed on the first optical waveguide layer 15, and second optical waveguide layer 22 is optically connected to the first optical waveguide layer 15.例文帳に追加

第2光半導体素子20は、第2クラッド層24が凹部16に配置されて、半導体基板11と熱的に接続され、且つ、第3クラッド層27が第1光導波路層15上に配置されて、第2光導波路層22が第1光導波路層15と光学的に接続される。 - 特許庁

In a production step, respective first contact areas 420 of a first conductor path 42 are simultaneously or sequentially cohesively connected to at least one second contact area 200 of the power semiconductor component 20 and at least one third contact area 500 of the load terminal element.例文帳に追加

製造ステップは、同時に又は順次に第1の導体パス42のそれぞれの第1の接触領域420を、パワー半導体コンポーネント20の少なくとも1つの第2の接触領域200と、負荷端子要素の少なくとも1つの第3の接触領域500とに接着接続する。 - 特許庁

This concerns with a lighting system 20 which is used for automatic optical detection and illuminates an object 80 as a detection object and includes a first light source 21, a second light source 22, a third light source 23, a first optical element 24, and at least three second optical elements 25.例文帳に追加

本発明は、第1の光源21、第2の光源22、第3の光源23、第1の光学素子24および少なくとも3つの第2の光学素子25を含む、自動光学検出に用いられ検出対象の物体80を照明する照明システム20に係わる。 - 特許庁

The second switch network 20 is started in the delayed state for as long as a prescribed time from start of the first period, and supplies a detection signal, generated between terminals X1, X2 of the Hall element HAL to the error amplifier AMP1, during the third period finished simultaneously with the first period.例文帳に追加

第2のスイッチ回路網20は、第1の期間の開始から所定時間だけ遅延して開始し、第1の期間と同時に終了する第3の期間の間、ホール素子HALの端子X1−X2間に生じた検出信号を誤差増幅器AMP1に供給する。 - 特許庁

In the VSV 80, volume of wax in a temperature sensitive case 90 expands as temperature of cooling water of the engine is high and a valve element 87 changes a state connecting the first passage 62 and the second passage 63 to a state connecting the first passage 62 to the third passage 64.例文帳に追加

VSV80は、機関の冷却水温が高いほど感温ケース90内のワックスが体積膨張し、弁体87が第1の通路62と第2の通路63とを接続する状態から第1の通路62と第3の通路64とを接続する状態へと変更する。 - 特許庁

On the surface of a chip thermistor element 2, a first terminal electrode 3, a second terminal electrode 4, and a third terminal electrode 5 formed in high resistance state as compared with the first terminal electrode 3 and the second terminal electrode 4 and capable of being bonded to solder material are provided directly.例文帳に追加

チップ状のサーミスタ素体2の表面に、第1の端子電極3と、第2の端子電極4と、第1の端子電極3及び第2の端子電極4よりも高抵抗状態で形成されかつハンダ材と接合可能な第3の端子電極5と、が直接設けられている。 - 特許庁

The terminal electrode 1 for signal is disposed on a first lateral side L1a of the capacitor element body L1, the terminal electrode 2 for signal is disposed on a second lateral side L1b, the terminal electrode 3 for ground is disposed on a third lateral side L1c, and the terminal electrode 4 for ground is disposed on a fourth lateral side L1d.例文帳に追加

信号用端子電極1はコンデンサ素体L1の第1の側面L1aに、信号用端子電極2は第2の側面L1bに、接地用端子電極3は第3の側面L1cに、接地用端子電極4は第4の側面L1dに配置される。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element according to an embodiment comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, a first electrode layer, a luminescent layer, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a third semiconductor layer of the second conductivity type and a second electrode layer connected to the first semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体発光素子は、第1導電形の第1半導体層と、第1電極層と、発光層と、第2導電形の第2半導体層と、第2導電形の第3半導体層と、第1半導体層に接続される第2電極層と、を備える。 - 特許庁

The polarized phase correcting element 70 acts to correct its spherical aberration for the second and the third laser light beams L_2 and L_3, does not act for the first laser light beams L_1 and the characteristic is optimized to minimize its spherical aberration for the second laser light beams L_2.例文帳に追加

偏光性位相補正素子70は、第2レーザー光L_2および第3レーザー光L_3に対しては球面収差を補正するよう作用し第1レーザー光L_1に対しては作用しないとともに、第2レーザー光L_2の球面収差を最小とするように特性が最適化されている。 - 特許庁

In a three-beam optical head, the diffraction element 12 is divided in a radial direction of the optical disk into a first area 31, a second area 32, and a third area 33, wherein the second area 32 is further divided into a fourth area 321 and a fifth area 322.例文帳に追加

3ビーム方式の光学ヘッドにおいて、回折素子12は、光ディスクの径方向で、第1の領域31と、第2の領域32と、第3の領域33とに分割され、第2の領域32はさらに、第4の領域321と第5の領域322とに分割されている。 - 特許庁

The magnetic memory element 10 is provided with wires connected to the first, second, and third magnetic layers 1, 2, 3, respectively, and the magnetic memory elements 10 are arranged near the intersections of the wires to form the magnetic storage device.例文帳に追加

また、この磁気記憶素子10と、第1の磁性層1側に接続された配線と、第2の磁性層2側に接続された配線と、第3の磁性層3側に接続された配線とを有し、これら配線の交差点付近に磁気記憶素子10が配置された磁気記憶装置を構成する。 - 特許庁

The first and the second vane elements are formed, by being projected radially outward from the vane support part, while being connected by the third vane element, which enables suppression of damage to the vane 21 sustained when receiving force from outside, etc., thus enhancing the durability of the vane 21.例文帳に追加

第1、第2の翼素は、翼支持部から径方向外方に向けて突出させて形成され、第3の翼素によって連結されるので、外力を受けたとき等に翼21が破損するのを抑制することができ、翼21の耐久性を向上させることができる。 - 特許庁

Moreover, the surface of the extension part 19 (the second conductive layer 18 within the element isolation region 16) is exposed, and a third conductive layer 21 is made through a second insulating film 20 on the second conductive layer 18, and a contact 23 is connected to the extension part 19.例文帳に追加

また、延在部分19(素子分離領域16内の第2の導電層18)の表面を露出して、第2の導電層18上に第2の絶縁膜20を介して第3の導電層21が形成され、延在部分19にコンタクト23が接続されている。 - 特許庁

To provide a battery which is not in danger of damaging a third class generating element or the like even if an impact is given on the bottom face 1a of a battery can 1 in a falling or the like, as porous metal sintering materials 9 are dented while squeezing numerous minute bubbles.例文帳に追加

落下等により電池缶1の底面1aに衝撃を受けても、多孔性金属焼結材9が多数の微細な気泡を潰しながら窪んでこの衝撃を吸収することにより、発電要素3等に損傷を与えるおそれの生じない電池を提供する。 - 特許庁

A first adhesive S1 is mounted on a wiring substrate 16 on which a light emitting element 11 is mounted, a second adhesive S2 is mounted on an actuator base 2, a third adhesive S3 is mounted on a diffraction grating 13 as optical components and a fourth adhesive S4 is mounted on a cover 4.例文帳に追加

発光素子11を搭載した配線基板16に第1接着剤S1をマウントし、アクチュエータベース2に第2接着剤S2をマウントし、光学部品としての回折格子13に第3接着剤S3をマウントし、カバー4に第4接着剤S4をマウントする。 - 特許庁

The first substrate 101 and the second substrate 106 are bonded together so that each first concave part 111 contain the optical element 110 and each second concave part 113 contain the lead terminal 108 to form a multi-panel equipped with a plurality of optical panel-forming regions with the third concave parts 117 as boundaries.例文帳に追加

第1の凹部111が光学素子110を、第2の凹部113がリード端子108を収容するように第1の基板101と第2の基板106とを貼り合わせ、第3の凹部117を境界とする複数の光学パネル形成領域を備えたマルチパネルを形成する。 - 特許庁

In the capacitor element body L1 where a plurality of dielectric layers 10-18 are laminated, a first group of electrodes 20 including first and second internal electrodes 21, 22, 25, 26, and a second group of electrodes 30 including third and fourth internal electrodes 31, 32, 35, 36 are placed side by side.例文帳に追加

複数の誘電体層10〜18が積層されたコンデンサ素体L1には、第1及び第2の内部電極21、22、25、26を含む第1の電極群20と、第3及び第4の内部電極31、32、35、36を含む第2の電極群30とが併置されている。 - 特許庁

The optical recording/reproducing device 1 is provided with a light source 5, a floating type optical head 4 for concentrating the laser light emitted from the light source 5 on the magneto-optical disk 16, and a third reflected light receiving element 12 for receiving the laser light reflected by the magneto-optical disk 16.例文帳に追加

本発明の光記録再生装置1は、光源5と、光源5から出射されたレーザ光を光磁気ディスク16に集光する浮上型光学ヘッド4と、光磁気ディスク16にて反射された反射レーザ光を受光する第3反射光受光素子12とを備えている。 - 特許庁

The organic EL panel 1 includes an organic EL element 3 which is formed on a substrate 2 and is such that at least several kinds of organic layers (first to third organic layers) 7a-7c which emit different color lights are formed between a plurality of pairs of electrodes (positive electrode and negative electrode) 4 and 8.例文帳に追加

有機ELパネル1は、基板2上に設けられ複数形成された一対の電極(陽極,陰極)4,8間に少なくとも異なる発光色を示す複数種類の有機層(第一〜第三の有機層)7a〜7cを形成してなる有機EL素子3を備える。 - 特許庁

Each reflection type optical modulation element 16 has a bias bus 18 and yoke address electrodes 20 and 22 as a first metallic layer, has a torsion hinge 24, hinge supporting parts 26 and 28, a yoke 30, and mirror address electrodes 32 and 34 as a second metallic layer, and has a mirror 36 as a third metallic layer.例文帳に追加

各反射型光変調素子16は、第1金属層としてバイアス・バス18およびヨークアドレス電極20,22を有し、第2金属層としてねじれヒンジ24、ヒンジ支持部26,28、ヨーク30およびミラーアドレス電極32,34を有し、第3金属層としてミラー36を有している。 - 特許庁

Similarly, by supplying the t2 signal to be turned ON only during the applying period of the positive polarity superimposing voltage to a third positive polarity switching element 163, the charging to a first capacitor 162 for positive polarity can be started immediately after terminating the applying period of the positive polarity superimposing voltage.例文帳に追加

同様に、正極性重畳電圧印加期間のみONするt2信号を第3の正極性用スイッチング素子163へ供給することにより、正極性重畳電圧印加期間終了後ただちに第1の正極性用コンデンサ162への充電を開始させることができる。 - 特許庁

Disclosed is the EMI absorbing component having an electronic circuit composed of a first means of absorbing electromagnetic energy, a second means of transmitting the electromagnetic energy absorbed by the first means, and a third means of converting the electromagnetic energy absorbed by the first means into other energy, at least two or more of the first means, second means and third means being constituted in the same element.例文帳に追加

電磁エネルギーを吸収する第1の手段と、前記第1の手段で吸収した電磁エネルギーを伝送する第2の手段と、前記第1の手段で吸収した電磁エネルギーを他のエネルギーに変換する第3の手段とで構成される電子回路を有するEMI吸収部品であって、前記第1の手段、前記第2の手段、および前記第3の手段のうち、少なくとも2つ以上の手段が同一の構成要素内に構成されている。 - 特許庁

The game information is transmitted via visible light communication to a cellular phone of the player by determining which of the first-third information the game stand information is, selecting one of the first-third light emitting elements based on the result of determination, converting the game stand information to blinking signals, and blinking the selected light emitting element based on the blinking signals.例文帳に追加

遊技台情報を受けて前記第1の情報〜前記第3の情報のいずれであるか判断し、判断の結果に基づき前記第1発光素子〜第3発光素子のいずれかを選択し、前記遊技台情報を点滅信号に変換し、当該点滅信号に基づき前記第1発光素子〜第3発光素子のうち選択されたものを点滅させることにより、可視光通信で遊技者の携帯端末へ遊技情報を送信する。 - 特許庁

When first and second read requests for the first bank and a third read request for the second bank are continuously generated, the memory controller applies first additive latency to the first and second read requests for the first bank and second additive latency to the third read request for the second bank to control the read request scheduling queue so that data is seamlessly output from the memory element.例文帳に追加

メモリコントローラでは第1バンクに対する第1及び第2リード要請と第2バンクに対する第3リード要請が連続的に発生するとき、第1バンクに対する第1及び第2リード要請には第1アディティブレイテンシを適用し、第2バンクに対する第3リード要請に対しては第2アディティブレイテンシを適用して前記メモリ素子から出力されるデータが切れ目なしに出力されるように前記リード要請スケジュ−リングキューを制御する。 - 特許庁

例文

In one booster circuit 210 included in a gate booster circuit of the liquid crystal display device, a delay signal generating circuit 213 and a logic inverting circuit 214 turn on and off first to third analog switches 211a to 211c in proper timing with first to third switch control signals Sa to Sc to perform what is called charge pump operation for a capacity element 212 connected to a scanning signal line GL1.例文帳に追加

本液晶表示装置のゲート昇圧回路に含まれる1つの昇圧回路210において、遅延信号生成回路213および論理反転回路214は、第1から第3までのスイッチ制御信号Sa〜Scにより、第1から第3までのアナログスイッチ211a〜211cを適宜のタイミングでオンまたはオフすることにより、走査信号線GL1に繋がる容量素子212に対していわゆるチャージポンプ動作を行う。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS