「third element」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing a polarized light diffractive cholesteric liquid crystal film contains the first step to form a cholesteric liquid crystal film on an alignment supporting substrate, the second step to transfer a diffraction pattern of a diffraction element substrate to the surface of the cholesteric liquid crystal film and to form a region exhibiting diffractiveness on a part of the film and the third step to release the alignment supporting substrate from the cholesteric liquid crystal film.例文帳に追加

配向支持基板上にコレステリック液晶フィルムを形成する第１工程、コレステリック液晶フィルム面に回折素子基板の回折パターンを転写し、フィルムの一部に回折能を示す領域を形成する第２工程、及びコレステリック液晶フィルムから配向支持基板を剥離する第３工程、を含む偏光回折性コレステリック液晶フィルムの製造方法である。 - 特許庁

The auxiliary element is constructed of a fourth linear conductor 37 having one end connected with the first linear conductor in the vicinity of the feeding point and extending downward vertically from the connected location thereof, and a fifth linear conductor 22 extending laterally in substantially parallel with the first and third linear conductors in an opposite direction to the second linear conductor from another end of the fourth linear conductor.例文帳に追加

補助素子は、第1の線状導体の給電点の近傍に一端が接続され、接続された位置から下方に縦方向に延びる第４の線状導体３７と、第４の線状導体の他端から第２の線状導体とは反対側の方向へ、第1および第３の線状導体と略平行に横方向に延びる第５の線状導体２２により構成される。 - 特許庁

This preparation method includes a first step S1 for dividing the semiconductor substrate into a plurality of regions, a second step S2 for generating a second impedance net model for a specified, arbitrary region, and a third step S3 for connecting the second impedance net model obtained for the entire region by a specific second connection impedance element, and for generating an optimum impedance net model.例文帳に追加

半導体基板を複数の領域に分割する第１ステップＳ１と、指定された任意の前記領域について、第２インピーダンス網モデルを生成する第２ステップＳ２と、全ての領域について求めたこの第２インピーダンス網モデルを、所定の第２接続インピーダンス要素で接続して最適化インピーダンス網モデルを生成する第３ステップＳ３とを含み、構成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical element including a non-isotropic magnetic resonator that is smaller than wavelength of the incident light includes: a first step of dispersing the magnetic resonator in a host medium; a second step of applying an external magnetic field to the host medium after the first step; and a third step of curing the host medium after the second step.例文帳に追加

入射光の波長より小さい、非等方性形状の磁気共振器を含む光学素子の製造方法であって、 前記磁気共振器を、ホスト媒質中に分散させる第１の工程と、 前記第１の工程の後に、前記ホスト媒質に外部磁場を印加する第２の工程と、 前記第２の工程の後に、前記ホスト媒質を硬化させる第３の工程と、 を有する構成とする。 - 特許庁

The feeding action of the rotation feeder unit 11 is adjusted by at least three continuous connecting steps, i.e., a first step of adjusting the penetration of the supported plate 2, a second step of adjusting the friction welding between the supporting plate 1 and the shaft part, and a third step of applying the axial force of the connecting element 5 to the supporting plate 1 to complete the friction welding process.例文帳に追加

回転フィーダ部１１の送り動作が、被支持板２を貫通するように調整する第１の段階と、支持板１とシャフト部との摩擦溶接を調整する第２の段階と、接合要素５の軸方向の力を支持板１に加える第３の段階の少なくとも３つの連続した接合段階によって調整されて摩擦溶接プロセスを完了させる。 - 特許庁

In a boost converter 1, a first resistor R1 is connected between a switching element Q1 and the low voltage side output terminal of a diode bridge DB, a second resistor R2 is connected between an output capacitor C1 and the low voltage side output terminal of the diode bridge DB, and a third resistor R3 is connected between the output terminal of the boost converter 1 and a load circuit 2.例文帳に追加

ブーストコンバータ１において、スイッチング素子Ｑ１とダイオードブリッジＤＢの低電圧側の出力端との間には第１抵抗Ｒ１が接続され、出力コンデンサＣ１とダイオードブリッジＤＢの低電圧側の出力端との間には第２抵抗Ｒ２が接続され、ブーストコンバータ１の出力端と負荷回路２との間には第３抵抗Ｒ３が接続されている。 - 特許庁

The optical element group includes a first, a second and a third optical elements sequentially arranged from a side of the light guide space, and the first and the second optical elements have a plurality of prism lenses of a columnar shape aligned having a triangular cross section, with lens faces opposed to the reflecting face of the reflecting member, and with a ridge line of the prism lenses in a crossing relation with the linear light source.例文帳に追加

光学素子群は、導光空間の側から順次配置された、第１、第２および第３の光学素子を含み、第１および第２の光学素子は、一方向に延在された、三角形状の断面を有する柱状体のプリズムレンズが多数配列し、レンズ面が反射部材の反射面と対向するとともに、プリズムレンズの稜線と、線状光源とが直交する関係にある。 - 特許庁

The element part 20 comprises: a light emitting layer 80 for generating light by electroluminescence; a first electrode 30a and a second electrode 30b for injecting charge into the light emitting layer 80; a third electrode 40a disposed via a first insulation layer 61 to the light emitting layer 80; and a fourth electrode 40b disposed via a second insulation layer 62 to the light emitting layer 80.例文帳に追加

発光素子部７０は、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層８０と、発光層８０に電荷を注入するための第１電極３０ａおよび第２電極３０ｂと、発光層８０に対して第１絶縁層６１を介して配置された第３電極４０ａと、発光層８０に対して第２絶縁層６２を介して配置された第４電極４０ｂとを含む。 - 特許庁

The electrochemical element comprises a negative electrode made of a composite material, in which the surface of a conductive material, is coated with a metal oxide or oxyhydroxide which belongs to the third to twelfth groups in the fourth to sixth periods of the periodic table, a positive electrode whose main component is a carbonaceous material, and an electrolyte in which lithium salt is dissolved in organic solvent.例文帳に追加

周期表の第４周期から第６周期で第３族から第１２族の範囲内に属する金属の酸化物またはオキシ水酸化物を導電性物質の表面に被覆してなる複合材料を用いた負極と、炭素質材料を主体とする正極と、リチウム塩を有機溶媒に溶解させた電解液とを具備することを特徴とする電気化学素子。 - 特許庁

The method for manufacturing the thermion emission element includes a first step in which a base plate is provided, a second step in which a first electrode and a second electrode are arranged on the base plate, and a third step in which a carbon nanotube structural body is arranged so that it covers one of surfaces of the first electrode and the second electrode, separated with a predetermined distance from the base plate.例文帳に追加

本発明の熱電子放出素子の製造方法は、基板を提供する第一ステップと、前記基板に第一電極及び第二電極を設置する第二ステップと、前記基板と所定の距離だけで分離させて、前記第一電極及び第二電極の一つの表面を被覆するように、カーボンナノチューブ構造体を設置する第三ステップと、を含む。 - 特許庁

The light emitting element part is composed of a light emitting layer 80 emitting light by electroluminescence, a first electrode 30 and a second electrode 50 for injecting electric charge into the light emitting layer 80, a third electrode 40 arranged to the light emitting layer 80 through a first insulation layer 64, and an optical member 88 transmitting the light generated at the light emitting layer 80 toward a prescribed direction.例文帳に追加

発光素子部は、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層８０と、発光層８０に電荷を注入するための第１電極３０および第２電極５０と、発光層８０に対して第１絶縁層６４を介して配置された第３電極４０と、発光層８０において発生した光を所定の方向へ伝播させるための光学部材８８とを含む。 - 特許庁

The light emitting element comprises a semiconductor layer containing a polymer having the repeated unit represented by a general formula (I); a structure which has a first electrode contacted with the semiconductor layer for injecting holes into the semiconductor layer, and has a second electrode contacted with the semiconductor layer for injecting electrons into the semiconductor layer; and a third electrode provided on the structure via an insulator.例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を有する重合体を含有する半導体層と、この半導体層に接し、半導体層へ正孔を注入するための第一の電極および半導体層へ電子を注入するための第二の電極を設けてなる構造体と、該構造体に絶縁体を介して設けた第三の電極とからなる。 - 特許庁

In configuring the lower electrode 13x of the non-linear element 10x and a tantalum wiring 13y thereof, a second tantalum layer 132x and an intermediate tantalum layer 132y which contain no nitrogen are laminated over a first tantalum layer 131x and a lower tantalum layer 131y which contain nitrogen, and a nitrogen-containing third tantalum layer 133x and a lower tantalum layer 133y are formed thereon.例文帳に追加

非線形素子１０ｘの下電極１３ｘおよびタンタル配線１３ｙを構成するにあたって、窒素含有の第１タンタル層１３１ｘおよび下層タンタル層１３１ｙの上層に、窒素を含有しない第２タンタル層１３２ｘおよび中間タンタル層１３２ｙを積層し、その上層に窒素含有の第３タンタル層１３３ｘおよび下層タンタル層１３３ｙを形成する。 - 特許庁

A specific inductive capacity of the insulating layer is more than three times a specific inductive capacity of the luminescent layer, a ratio of a thickness of the insulating layer to the luminescent layer is more than one-third, and a voltage applied to the luminescent layer is more than 80% of a voltage applied to an entire element.例文帳に追加

透明電極、発光層、絶縁層及び背面電極を有するエレクトロルミネッセンス素子において、該絶縁層の比誘電率が、該発光層の比誘電率の３倍以上であって、且つ絶縁層の発光層に対する厚みの比が1／３以上であり、該発光層へかかる電圧が、素子全体にかかる電圧の８０％以上であることを特徴とする分散型エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The manufacturing method of an electrode for the electrochemical element includes a first process of continuously installing active material layers for storing and releasing lithium on a conductive current collector, and forming a precursor of the electrode in a hoop state; a second process of forming a plurality of grooves in the active material layer; and a third process of membrane forming lithium on the active material layer.例文帳に追加

本発明の電気化学素子用電極の製造方法は、導電性を有する集電体の上にリチウムを吸蔵放出する活物質層を連続して設け、電極の前駆体をフープ状に形成する第１の工程と、活物質層に複数の溝を形成する第２の工程と、活物質層の上にリチウムを成膜する第３の工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The bias circuit 110 of the first drive IC 101(1) generates bias voltage meeting the reference current flowing to the resistance element 102 and the bias circuits 110 of the second and third drive ICs 101(2) and 101(3) each generate bias voltages meeting currents depending on a reference current outputted from the output terminal T 4 of the first drive IC 101(1).例文帳に追加

第１の駆動ＩＣ１０１（１）のバイアス回路１１０は、抵抗素子１０２に流れる基準電流に応じたバイアス電圧が発生し、第２及び第３の駆動ＩＣ１０１（２）、１０１（３）のバイアス回路１１０は、それぞれ、第１の駆動ＩＣ１０１（１）の出力端子Ｔ４から出力された、基準電流に依存する電流に応じたバイアス電圧を発生する。 - 特許庁

The system has a first process step of selectively exposing the adhesive layers changed in adhesive strength by photoirradiation, a second process step of bringing the selectively exposed adhesive layers into contact with a thin-film element array existing on a first substrate, and a third process step of selectively transferring portions of the thin-film elements from the first substrate to the selectively exposed adhesive layers according to exposure patterns.例文帳に追加

光照射により接着力が変化する接着層を選択的に露光する第１の工程と、前記選択露光した接着層を第１の基体上にある薄膜素子アレイに接触させる第２の工程と、前記薄膜素子の一部を前記第１の基体から前記選択露光した接着層上に露光パターンに応じて選択的に移す第３の工程を有している。 - 特許庁

The nonvolatile memory cell is built by using a variable resistance element which is composed of a variable resistance layer 11 changing its resistance by the applied voltage and a first electrode 104 and a second electrode 102 sandwiching the variable resistance layer 11; and a capacitor 12 which has an insulator layer 105 between the first electrode 104 or the second electrode 102 and the third electrode 106.例文帳に追加

印加される電圧パルスに従って抵抗値が変化する抵抗変化層１１と、抵抗変化層１１を挟む第１の電極１０４および第２の電極１０２と、を備える抵抗変化型素子と、第１の電極１０４または第２の電極１０２が第３の電極１０６の間に絶縁膜１０５を備えるキャパシタ１２から形成される不揮発性メモリセルである。 - 特許庁

The thin-film transistor forming method includes a first process of forming a source electrode and a drain electrode on an element-side substrate, a second process of forming a semiconductor layer for covering the source electrode and the drain electrode, a third process of forming a gate insulation layer overlapping the semiconductor layer, and a fourth process of forming a gate electrode on the semiconductor layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極を覆う半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

The manufacturing method of the electron emitting element comprises a first process of preparing a substrate on the surface of which, a first conductive film and a second conductive film are arranged with a certain distance, a second process applying an termination treatment to the first conductive film and the second conductive film by hydrogen through carbon, and a third process removing hydrogen terminating the second conductive film.例文帳に追加

電子放出素子の製造方法であって、第１導電膜と第２導電膜とが、その表面上に間隔を置いて配置された基板を用意する第１工程と、前記第１導電膜および第２導電膜に、炭素を介した水素による終端処理を行う第２工程と、前記第２の導電膜を終端する水素を除く第３工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

An upper electrode 313 of a capacitance element 321 formed on a semiconductor substrate 300 is electrically connected to an upper wiring 318 formed above through a first conductive film 315 of a connection structure 331, a first contact plug 306, a second impurity diffused layer 303, and a third contact plug 317, which are formed on the semiconductor substrate 300 similarly.例文帳に追加

半導体基板３００の上に形成された容量素子３２１の上部電極３１３が、同じく半導体基板３００の上に形成された接合構造体３３１の第１導電膜３１５、第１コンタクトプラグ３０６、第２不純物拡散層３０３及び第３コンタクトプラグ３１７を介して、上方に形成された上部配線３１８と電気的に接続している。 - 特許庁

A vacuum dust removing device 17 constituting a third purification region comprises a transport pipe 18 with flow disturbing elements, a rotational sieve 19 having a grid of a mesh size suitable for suction of volatile impurities, a flow guide means 23 adjacent the sieve 19 for constituting a flow disturbing element, and a rotary chamber valve 20 positioned below the rotational sieve 19.例文帳に追加

第３の浄化領域を構成する真空塵埃除去装置１７は、流れ攪乱要素付き輸送パイプ１８と、揮発性不純物を吸引可能な網目の格子状構造体を有する回転式篩１９と、回転式篩に隣接して流れ攪乱要素を構成する流れ案内手段２３と、回転式篩下方の回転式チャンババルブ２０とを備える。 - 特許庁

The liquid crystal device 15 is so constituted that distribution is incorporated in the change of an attitude of a liquid crystal element which constitutes a liquid crystal layer 16 along second and third surfaces 1204 and 1802 by applying driving voltage to first and second electrodes 2602 and 2604 and the focal length of the lens 14 can be adjusted by changing the voltage.例文帳に追加

液晶装置１５は、第１電極２６０２と第２電極２６０４に駆動電圧が印加されることにより、第２面１２０４および第３面１８０２の面に沿って液晶層１６を構成する液晶素子の姿勢の変化に分布を持たせるとともに、前記電圧を変化させることによってレンズ１４の焦点距離の調節が可能となるように構成されている。 - 特許庁

The electron emitting element is manufactured through a first process forming a cathode electrode and an emitter layer 4 on a cathode substrate 1, a second process forming an insulation layer, a gate electrode, and gate holes 12 on a supporting substrate 5 different from the cathode substrate 1, and a third process sticking the supporting substrate 5 on the cathode substrate 1 in a state of positioning the gate holes 12 on the emitter layer 4.例文帳に追加

カソード基板１上にカソード電極及びエミッタ層４を形成する第１の工程と、カソード基板１と異なる支持基板５上に絶縁層、ゲート電極及びゲートホール１２を形成する第２の工程と、エミッタ層４上にゲートホール１２を位置合わせした状態でカソード基板１と支持基板５とを貼り合わせる第３の工程とによって電子放出素子を製造する。 - 特許庁

An opinion element storage means 3 registers a first notation assembly capable of showing the object, a second notation assembly capable of showing the viewpoint of the evaluation for the object, a third notation assembly capable of showing the property of the object for the viewpoint, and a fourth notation assembly capable of showing the positive, negative or neutral evaluation for the object.例文帳に追加

意見要素記憶手段３は、対象物を示し得る第１の表記の集合と、対象物に関する評価の着眼点を示し得る第２の表記の集合と、着眼点に関する対象物の性質を示し得る第３の表記の集合と、対象物に関する肯定または否定または中立の評価を示し得る第４の表記の集合とが登録されている。 - 特許庁

An organic light emitting element includes: a substrate; a first electrode; a second electrode; and an organic layer including an emission layer between the first electrode and the second electrode, and includes: a first intermediate layer including a first host and a first dopant; a second intermediate layer including the first dopant; and a third intermediate layer including a second host and the first dopant interposed between the first electrode and the emission layer.例文帳に追加

基板と、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に備えられ、発光層を備える有機層と、を備え、第１電極と発光層との間に第１ホストと第１ドーパントとを備える第１中間層、第１ドーパントを備える第２中間層、及び第２ホストと第１ドーパントとを備える第３中間層が介在された有機発光素子である。 - 特許庁

A method for changing the refractive index of a Bragg fiber grating includes a step of exposing an element made of germanium silicate glass to a laser radiation; and the laser radiation is selected from a group of a radiation that an argon laser emits, a third higher harmonic of a radiation of a neodymium laser, a radiation of a nitrogen laser, a radiation of a Krypton laser, and a helium laser and has a wavelength from 333 to 364 nm.例文帳に追加

ブラッグファイバー格子の屈折率変更方法は、ケイ酸ゲルマニウムガラスから形成した素子をレーザー放射にさらす工程を含み、当該レーザー放射を、アルゴンレーザーが発する放射、ネオジムレーザーの放射の第３高調波、窒素レーザーの放射、クリプトンレーザーの放射、及びヘリウム−カドミウムレーザーの放射からなる群より選び、当該放射の波長を３３３〜３６４ｎｍの範囲とする。 - 特許庁

The semiconductor element part 10 has an auxiliary capacitor 12, 13 formed on a substrate 11, a first insulating layer 15, a semiconductor layer 16, a gate insulating layer 17, a gate electrode 18, a second insulating layer 19, first light shielding layer 21a, 21b, third insulating layer 22, source electrode 24a and drain electrode 24b, fourth insulating layer 27, and pixel electrode 29.例文帳に追加

半導体素子部１０は、基板１１上に形成された補助容量１２、１４と、第１絶縁層１５と、半導体層１６と、ゲート絶縁層１７と、ゲート電極１８と、第２絶縁層１９と、第１遮光層２１ａ、２１ｂと、第３絶縁層２２と、ソース電極２４ａおよびドレイン電極２４ｂと、第４絶縁層２７と、画素電極２９とを備える。 - 特許庁

A slider 13 is moved rectilinearly by a drive mechanism 30 to press a first pressing element 14 against the outer periphery of the disc 1 and a pair of right and left arms 15 and 16 are rotated via respective links 21 and 22 as the slider 13 moves, to press second and third pressing elements 19 and 20 against the outer periphery of the disc 1 whereby the disc 1 is centered.例文帳に追加

駆動機構３０によってスライダー１３が直線移動されて第１の当て駒１４が円盤１の外周に押し当てられると共に、スライダー１３に連動してリンク２１，２２を介して左右一対のアーム１５，１６が回動されることで第２、第３の当て駒１９，２０が円盤１の外周に押し当てられることにより円盤１のセンタリングが行なわれる構造とする。 - 特許庁

The number of element increasing part converts a first signal with predetermined components following the first image format into a second signal with the predetermined components following a second image format with the large number of pixels, and the component quality improving part acquires a third signal with predetermined components whose component quality is improved by operating inter-image compensation processing to the second signa with predetermined components relating to continuous images.例文帳に追加

要素数増大部は、第１の画像フォーマットに従う所定成分の第１の信号を、要素数が多い第２の画像フォーマットに従う所定成分の第２の信号に変換し、成分品質向上部は、連続する画像に係る所定成分の第２の信号に対する画像間補間処理により、成分品質を向上させた所定成分の第３の信号を得る。 - 特許庁

To surely perform cleaving in a short time as a first purpose, to prevent cracking and chipping due to cleavage as a second purpose, to reduce the defects of a bar shape and a chip shape after the cleavage as a third purpose, and to make a chip without damaging an optical conductor laser element as a fourth purpose.例文帳に追加

第１の目的はへき開を短時間に、かつ確実に行なうことが可能であり、第２の目的はへき開によるワレ、カケの発生を防止することが可能であり、第３の目的はへき開後のバー形状及びチップ形状の不良発生を軽減することが可能であり、第４の目的は光半導体レーザー素子にダメージを与えることなくチップ化することが可能である。 - 特許庁

Moreover, the dielectric layer 2 includes a first buried oxide film 10 formed on the surface of the silicon substrate 1, a shield layer 11 formed under the first buried oxide film 10 oppositely to the element region, a second buried oxide film 12 formed in the periphery of the shield layer 11, and a third buried oxide film 13 formed below the shield layer 11 and the second buried oxide film 12.例文帳に追加

誘電体層２は、シリコン基板１の表面に形成された第１の埋込酸化膜１０と、素子領域に対向して第１の埋込酸化膜１０の下に形成されたシールド層１１と、シールド層１１の周りに形成された第２の埋込酸化膜１２と、シールド層１１および第２の埋込酸化膜１２の下に形成された第３の埋込酸化膜１３とを含む。 - 特許庁

The upper shield layer includes a first part 3a arranged in an area including an area opposite to the thin film coil 5, a second part 3b connected to a face of the first part 3a at the side of the thin film coil 5, and a third part 3c opposite to the lower shield layer 6 via the MR element 9 and connected to the second part 3b.例文帳に追加

上部シールド層は、薄膜コイル５に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分３ａと、下部シールド層６の側方に配置され、第１の部分３ａにおける薄膜コイル５側の面に接続された第２の部分３ｂと、ＭＲ素子９を挟んで下部シールド層６と対向すると共に第２の部分３ｂに接続された第３の部分３ｃを有している。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus designed so that a control section is capable of reading information from a storage element by surely electrically connecting first, second, and third terminals without obstructing the firm contact of a developer carrier with a photoreceptor by means of a simple structure, and to provide a photoreceptor unit incorporated in the image forming apparatus, and a developing cartridge incorporated in the photoreceptor unit.例文帳に追加

簡易な構成により、現像剤担持体の感光体に対する圧接を阻害することなく、第１端子、第２端子および第３端子を確実に電気的に接続して、記憶素子からの情報を制御部によって読み取ることのできる、画像形成装置、その画像形成装置に装備される感光体ユニット、および、その感光体ユニットに装備される現像カートリッジを提供すること。 - 特許庁

The surface acoustic wave element provided with projection portions alternately from a first electrode and a second electrode on an annular surface acoustic wave path on a piezoelectric crystal sphere or a sphere having a piezoelectric material film formed on its surface is characterized in that a third electrode is provided between a projection section of each first electrode and a projection portion of each second electrode.例文帳に追加

圧電結晶球、あるいは圧電材料膜を表面に形成した球上の円環状弾性表面波経路上に第１の電極と第２の電極から交互に突出部を設けた球状表面弾性波(Surface Acoustic Wave)素子において、各第１の電極の突出部と第２の電極の突出部との間に第３の電極を設けたことを特徴とする球状表面弾性波素子を提供するものである。 - 特許庁

An optical filter which transmits the light of the first wavelength region and cuts light at a shorter wavelength side of the first wavelength region and which has 80% average transmittance or less of the third wavelength region is formed in an optical path between the first wavelength separating element and a first optical modulator corresponding to the light of the first wavelength region.例文帳に追加

第１の波長分離素子と、第１波長領域の光に対応する第１の光変調装置との間の光路中には、第１波長領域の光を透過するとともに、第１波長領域より短波長側の光を遮光するための光フィルタであって、少なくとも第３波長領域の光の平均透過率が約８０％以下となるような特性を有するように設定された光フィルタが設けられている。 - 特許庁

The problem provided above is solved by a constitution in which the joint element has multilateral symmetric collar-shaped base body with two opposite corner regions, namely a first corner region and a second corner region, notched, and a contact holder for at least one electric signaling contact pointing toward the center of the base body is prepared within the base body in a third corner region between the two notches.例文帳に追加

前記課題は、接続エレメントが、多面体形かつ対称的であるカラー形のボディを有し、該ボディの２つの対向するコーナ領域である第１のコーナ領域と第２のコーナ領域とにノッチが設けられており、該ボディ内部において両ノッチの間の第３の領域に、該ボディの中心を向いている少なくとも１つの電気的な信号コンタクトに対するコンタクトホルダが設けられている構成によって解決される。 - 特許庁

In the light-emitting element having an EL layer between an anode and a cathode, a first layer in which carriers are generated is formed between the cathode and the EL layer and in contact with the cathode, a second layer that transfers electrons generated in the first layer is formed in contact with the first layer, and a third layer that injects the electrons received from the second layer into the EL layer is formed in contact with the second layer.例文帳に追加

陽極と陰極との間にＥＬ層を有する発光素子において、陰極とＥＬ層との間にキャリアの発生が可能である第１の層を陰極と接して形成し、第１の層で生じた電子の受け渡しを行う第２の層を第１の層と接して形成し、第２の層から渡された電子をＥＬ層に注入する第３の層を第２の層と接して形成する。 - 特許庁

The laminated impedance element 1 is provided with a high permeability coil 35 having a first winding L1 and a third winding L3 which are constituted by stacking magnetic substance sheets of relatively high permeability, a low permeability coil 36 having a second winding L2 constituted by stacking magnetic substance sheets of relatively low permeability, and an intermediate layer 37 constituted of an intermediate sheet.例文帳に追加

積層型インピーダンス素子１は、相対的に高透磁率の磁性体シートを積み重ねて構成した第１の巻回部Ｌ１及び第３の巻回部Ｌ３を有している高透磁率コイル部３５と、相対的に低透磁率の磁性体シートを積み重ねて構成した第２の巻回部Ｌ２を有している低透磁率コイル部３６と、中間シートにて構成した中間層３７とが積層されたものである。 - 特許庁

The second diffraction element 14a diffracts reflected light from a recording medium by a laser beam of intermediate wavelength of the second light source 2 set in the polarization direction being orthogonal to the polarization direction of the laser beam of shortwave length, and reflected light from a recording medium by a laser beam of long wavelength of the third light source 3 set in the polarization direction being orthogonal to the polarization direction of the laser beam of short wavelength.例文帳に追加

第２の回折素子１４ａは、短波長のレーザ光の偏光方向と直交する偏光方向に設定された第２の光源２の中間波長のレーザ光による記録媒体からの反射光、および、短波長のレーザ光の偏光方向と直交する偏光方向に設定された第３の光源３の長波長のレーザ光による記録媒体からの反射光を回折する。 - 特許庁

In a field effect transistor having a gate recess structure, a plurality of recess layers are formed between a barrier layer and a contact layer, and the carrier concentration of the lowermost recess layer among the recess layers is set to one third to three times those of other recess layers, thus obtaining a heterojunction field effect transistor, that is high in element breakdown strength and low in series resistance during operation.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有している電界効果トランジスタにおいて、障壁層とコンタクト層との間に複数の層からなる目空き層を形成し、目空き層の最下層である目空き層下層のキャリア濃度に対して、目空き層の他の層のキャリア濃度を１／３倍から３倍の範囲にすることにより、高い素子耐圧を有し、かつ、動作時の直列抵抗を小さいヘテロ接合電界効果トランジスタを実現した。 - 特許庁

In an apparatus for driving first and second movable lenses 23a, 23b of variable power for making observation power variable by a linear transmission member 39 arranged from an operation part, a third movable lens 23c for focusing is arranged independently of the movable lenses 23a, 23b and the movable lens 23c is moved by an actuator 42 using a piezoelectric element arranged on the tip part 20 to control autofocusing.例文帳に追加

観察倍率を可変にするための変倍用の第１可動レンズ２３ａ及び第２可動レンズ２３ｂを、操作部から配設された線状伝達部材３９で駆動する装置において、上記可動レンズ２３ａ，２３ｂとは別個に、フォーカス用の第３可動レンズ２３ｃを設け、この可動レンズ２３ｃを、先端部２０内に配置した圧電素子を用いたアクチュエータ４２で移動させ、オートフォーカス制御する。 - 特許庁

A method of forming the hard mask pattern of a semiconductor element includes the stages of: forming second hard mask patterns 107a on a semiconductor substrate; forming a third hard mask pattern including a first pattern 115a crossing the second hard mask patterns 107a and a second pattern 115b disposed between the second hard mask patterns 107a; and forming a fourth hard mask pattern 123a between first patterns 115a.例文帳に追加

半導体基板上に第２のハードマスクパターン１０７ａを形成する段階と、第２のハードマスクパターン１０７ａと交差する第１のパターン１１５ａと第２のハードマスクパターン１０７ａ間に位置する第２のパターン１１５ｂを含む第３のハードマスクパターンを形成する段階と、第１のパターン１１５ａ間に第４のハードマスクパターン１２３ａを形成する段階と、を含む半導体素子のハードマスクパターン形成方法。 - 特許庁

The switching element consists of a first electrode and a second electrode, which are arranged with an interval so that discharge current runs between the two electrodes, and a third electrode, which is comprised so that the electric potential difference is variable with at least one of the first electrode and the second electrode, capable of controlling the discharge current running between the first electrode and the second electrode by changing the electric potential difference.例文帳に追加

互いの間に放電電流が流れるように間隔をおいて設けられた第１電極および第２電極と、第１電極および第２電極の少なくとも一方との電位差が可変であり、且つ、この電位差を変化させることによって第１電極と第２電極との間を流れる放電電流の大きさを制御するように構成された第３電極とを有する。 - 特許庁

Input layout data are verified with a layout symmetry constraint by a first verification step of verifying, among others, whether a symmetric element pair match in shape, a second verification step of verifying whether a relative positional relation between the elements conforms to the layout symmetry constraint, and a third verification step of graphically verifying whether the placement of the elements satisfies the layout symmetry constraint.例文帳に追加

入力されたレイアウトデータに対して、対称素子ペアの形状の一致等を検証する第１の検証ステップと、素子の相対位置関係がレイアウト対称制約と矛盾していないかを検証する第２の検証ステップと、素子の配置がレイアウト対称制約を満たしているかどうかを図形的に検証する第３の検証ステップとにより、レイアウト対称制約の検証が行われる。 - 特許庁