「third element」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The patent shall also confer on its owner the right to prevent all third parties not having his consent from supplying or offering to supply on Belgian territory a person other than parties entitled to exploit the patented invention with means, relating to an essential element of that invention, for putting it into effect, when the third party knows, or it is obvious in the circumstances, that those means are suitable and intended for putting that invention into effect. 例文帳に追加

特許はまたその所有者に対し，その同意を得ていない第三者が特許発明を実施する正当な権利を有する者以外の者に当該発明の不可欠の要素に係わる手段を，それが当該発明を実施するのに適切であり，かつ，その用途に供されるものであることを当該第三者が知り又は当該事情の下において明白である場合に，ベルギーの領域での実施のために供給し又は供給の申込をすることを阻止する権利を与える。 - 特許庁

A light-emitting element array is configured by forming a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer sequentially on a semi-insulating substrate, forming an anode electrode on the first semiconductor layer, and forming a cathode electrode on the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層上にカソード電極が形成されて構成される。 - 特許庁

The light emitting element part includes a light emitting layer 80 arranged to a concave part 20 on the substrate 10 emitting light by electroluminescence, first electrodes 30 and second electrodes 50 for injecting electron into the light emitting layer 80, and a third electrode 40 arranged to the light emitting layer 80 through insulation layers 60.例文帳に追加

発光素子部は、基板１０に設けられた凹部２０に配置され、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層８０と、発光層８０に電荷を注入するための第１電極３０および第２電極５０と、発光層８０に対して第１絶縁層６０を介して配置された第３電極４０と、を含む。 - 特許庁

An NMR probe multiple tuning circuit 21 has circuit constitution such that an HF input/output port 22 and first and third reactance elements 35 and 42 are connected to one terminal of an independent sample coil LS and an LF input/output port 26 and a second reactance element 38 are connected to the other terminal of the sample coil LS.例文帳に追加

ＮＭＲプローブ多重同調回路２１は、単独のサンプルコイルＬ_Sの一端側にＨＦ入出力ポート２２、第１および第３リアクタンスエレメント３５,４２が接続されるとともに、サンプルコイルＬ_Sの他端側にＬＦ入出力ポート２６、第２リアクタンスエレメント３８が接続される回路構成となっている。 - 特許庁

This element selectively reflects the electromagnetic wave of the first wavelength λ1 corresponding to the first period structure, and the electromagnetic waves of a second wavelength λ2 and a third wavelength λ3 being two side bands occurring on the long wavelength side and the short wavelength side of the first wavelength λ1 as the result that the first period structure is modulated by the second period structure.例文帳に追加

第１周期構造に対応する第１波長λ_1の電磁波と、第１周期構造が第２周期構造によって変調された結果第１波長λ_1の長波長側と短波長側とに生じる２つのサイドバンドである第２波長λ_2および第３波長λ_3の電磁波とを選択的に反射する。 - 特許庁

The optical module 10 includes: first electrodes 18 for connecting electric core wires 24 from the second principal surface 11B side; second electrodes 14 connected to the optical element 21 formed on the first principal surface 11A side; and third electrodes 15 electrically connected to the second electrodes 14 provided on a side face 11C of the substrate 11.例文帳に追加

光モジュール１０は、第２主面１１Ｂ側から電気芯線２４を接続するための第１電極１８と、第１主面１１Ａ側に形成される光素子２１と接続する第２電極１４と、基板１１の側面１１Ｃに設けられる第２電極１４と電気的に接続する第３電極１５とを備える。 - 特許庁

The supporting stand comprises one or more H-shaped steel supporting the optical axis path between the main device and an accessory device of the exposure device, a supporting element provided to a first position of the H-shaped steel, a signal emitter provided to a second position of the H-shaped steel and a signal receiver provided to a third position of the H-shaped steel.例文帳に追加

支持スタンドは、露光装置の主要装置と付属装置との間の光軸経路を支持する１個以上のＨ型鋼と、Ｈ型鋼の第一位置に設けられる支持素子と、Ｈ型鋼の第二位置に設けられる信号エミッターと、Ｈ型鋼の第三位置に設けられる信号レシーバーとを含む。 - 特許庁

Thereafter, a variable resistive element 104 is formed in the first opening 128 and a via hole to connect to the third metal wiring (bit line) 120, in the second opening 129, at the same time, by performing back-etching until a surface of the second metal wiring 121 is exposed at the bottom of the second opening.例文帳に追加

その後、第２の開口部の底部に第２の金属配線１２１の表面が露出するまでエッチバックを行うことで、第１の開口部１２８内に可変抵抗素子１０４を、第２の開口部１２９内に第３の金属配線（ビット線）１２０と接続するための導通孔を、同時に形成する。 - 特許庁

Upon receiving a start-up signal from an operation switch 4, a control unit 13 outputs an initial drive signal for conducting a main switch element 11a to a main opening-closing unit 11 before a power supply for supplying power to a first power supply unit 14 is switched from a second power supply unit 15 to a third power supply unit 16.例文帳に追加

操作スイッチ４から起動信号を受信したときに、制御部１３は、第１電源部１４への電力を供給する電源が第２電源部１５から第３電源部１６に切り替わる前に、主開閉部１１に対して主スイッチ素子１１ａを導通させるための初期駆動信号を出力する。 - 特許庁

Further, on the second and the third connecting elements 1b, 1c arranged facing each other and in between which the first and the fourth connecting elements are placed, junction faces 3b, 3c having positive and negative slopes, which air-tightly join the junction faces 3a, 3d of the first and the fourth connecting element 1a, 1d, are formed along the circumference direction.例文帳に追加

また、これら第一と第四の連結要素１ａ、１ｄを挟んで対向して配置される第二と第三の連結要素１ｂ、１ｃは、前記第一と第四の連結要素１ａ、１ｄの接合面３ａ、３ｄに気密に接合する正負の勾配の接合面３ｂ、３ｃが周方向にわたって形成されている。 - 特許庁

The inspection object 50 is connected to the first branch of an impedance bridge 41, a circuit element comprising a resistance component and a reactance component is arranged in the second branch, pure resistance is arranged in each of the third and fourth branches opposed respectively to the first and second branches, and a high-frequency signal is impressed to the impedance bridge.例文帳に追加

インピーダンスブリッジ４１の第１の枝に検査対象５０を接続し、第２の枝に抵抗成分とリアクタンス成分とからなる回路素子を配し、第１および第２の枝それぞれに対向する第３および第４の枝各々に純抵抗を配して、そのインピーダンスブリッジへ高周波信号を印加する。 - 特許庁

The light emitting element array has a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer formed in order on a semi-insulating substrate, and also has an anode electrode formed on the first semiconductor layer and a cathode electrode 30 formed on the fourth semiconductor layer 28.例文帳に追加

発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層２８上にカソード電極３０が形成されて構成される。 - 特許庁

The first and second memory element include respectively insulating layers 20 and 120, floating gates 22 and 122, third impurity diffused regions 15 and 25, and a common intermediate insulating layer 26, and a common control gate 28 connected to the first and second impurity diffused layers in common.例文帳に追加

第１および第２記憶素子１００はそれぞれ、ゲート絶縁層２０，１２０、フローティングゲート２２，１２２、選択酸化絶縁層２４，１２４、および第３不純物拡散層１５，２５を含み、かつ、共通の中間絶縁層２６、共通のコントロールゲート２８を有し、共通の第１および第２不純物拡散層１６，１４に接続されている。 - 特許庁

In an organic layer 21 of this white organic EL element 20, a blue luminescent layer 13, a first hole blocking layer 15a, a Dye layer 14, a second hole blocking layer 15b, a first green luminescent layer 16a, a third hole blocking layer 15c and a second green luminescent layer 16b are stacked from the side of a positive electrode.例文帳に追加

白色有機ＥＬ素子２０の有機層２１には、陽極側から青色発光層１３、第１のホールブロッキング層１５ａ、Ｄｙｅ層１４、第２のホールブロッキング層１５ｂ、第１の緑色発光層１６ａ、第３のホールブロッキング層１５ｃ、および第２の緑色発光層１６ｂを積層する。 - 特許庁

A gas sensor device 3 in an air-fuel ratio detection system 1 includes: the gas sensor element 4 for outputting a detection signal according to an air-fuel ratio; and a gas-sensor control circuit 2 comprising a detection part 20 for outputting first, second, and third output signals VIP1, VIP2, and VIP3 according to the detection signal.例文帳に追加

空燃比検出システム１におけるガスセンサ装置３は、空燃比に応じた検知信号を出力するガスセンサ素子４と、検知信号に応じて第一出力信号ＶＩＰ１、第二出力信号ＶＩＰ２及び第三出力信号ＶＩＰ３を出力する検出部２０を含むガスセンサ制御回路２を含んでいる。 - 特許庁

The light-emitting element part comprises a luminous layer 80 that emits light by electroluminescence, a first electrode 30 and a second electrode 50 for injecting charges into the luminous layer 80, and a third electrode 40 that is arranged for the luminous layer 80 through a first insulating layer 60a and functions as a mirror.例文帳に追加

発光素子部は、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層８０と、発光層８０に電荷を注入するための第１電極３０および第２電極５０と、発光層８０に対して第１絶縁層６０ａを介して配置され、かつミラーとして機能する第３電極４０と、を含む。 - 特許庁

In an element manufactured in a third crystal growing stage, a dopant is diffused from the p-type cap layer 109 to the p-side clad layer 105, resulting in a clad layer 114 forming a part of the p-side clad layer 105 directly under a mesa clad layer 107 is a p-type one and the clad layer 105 locating around it forms an undoped structure.例文帳に追加

３回の結晶成長により作製された素子は、ｐ型キャップ層１０９からのドーパントの拡散により、ｐ側のクラッド層１０５において、メサ部クラッド層１０７の直下に位置するクラッド層１０５の一部であるクラッド層１１４がｐ型で、その周辺に位置するクラッド層１０５がアンドープの構造となる。 - 特許庁

The light emitting module is manufactured by laminating at least a solar cell part 1, a first adhesive layer 16, a second translucent insulating substrate (transparent PET) 17, a second metal layer (circuit pattern) 18, a light emitting part 2 consisting of a light emitting element (chip LED) 19, a second adhesive layer 20, and a third substrate 21 sequentially.例文帳に追加

発光モジュールは少なくとも、太陽電池部１と、第１の接着層１６と、第２の透光性絶縁基板（透明ＰＥＴ）１７と、第２の金属層（回路パターン）１８と、発光素子（チップＬＥＤ）１９からなる発光部２と、第２の接着層２０と、第３の基板２１とが、順次積層されてなる。 - 特許庁

An electrolyte holding material of a fused carbonate fuel cell is made so as to contain one or more than two kinds of metallic oxides, specifically transition metals of the third to eleventh groups of the element periodic table, i.e., zinc, lead, and rare-earth metals.例文帳に追加

溶融炭酸塩型燃料電池の電解質保持材中に、電解質中の還元剤濃度を低減させることのできる金属酸化物、具体的には、周期表第３族〜第１１族の遷移金属、亜鉛、鉛及び希土類金属から選択される１種あるいは２種以上の金属の酸化物を含有するようにする。 - 特許庁

This inkjet recording head has a third nozzle array 10 in the non-opening part other than the region where an ink supply port 9 is formed, of the supply port region 9 in a region reduced in thickness because of a dented ink supply common part 6b formed on the rear surface side of the element substrate.例文帳に追加

本発明のインクジェット記録ヘッドは、素子基板の裏面側に窪み状のインク供給共通部６ｂが形成されることで厚みが薄くなった領域内の供給口領域９のうち、インク供給口９が形成されている領域以外の非開口部に第３のノズル列１０を有する。 - 特許庁

Favorably the first casing 11 for the motor 3 and the second casing 12 for the drive gear 4 are formed as one casing unit 1, and the third casing 21 for the striking mechanism 5 is formed as a guide cylinder 22 in which at least one transmitting element 6 and/or driving piston 7 of the striking mechanism 5 is installed movably.例文帳に追加

好適には、モータ３のための第１ケーシング１１および伝動装置４のための第２ケーシング１２を、ケーシングユニット１３として構成し、また打撃機構５のための第３ケーシング２１を、打撃機構５の少なくとも１個の伝達体６および／または励起ピストン７を移動自在に配置する案内筒２２として構成する。 - 特許庁

In the electromagnetic induction heater, on/off control of a third switching element serially connected to a snubber capacitor 7 is carried out in interlock with on/off of first and second switching elements 1, 2 so as to prevent a short circuit current to the snubber capacitor 7 from the first and second switching elements 1, 2 at predetermined time points during low output heating.例文帳に追加

本発明の電磁誘導加熱装置は、低出力の加熱時における所定時点に、第１、第２スイッチング素子１、２からスナバコンデンサ７への短絡電流を防止するように、第１、第２スイッチング素子１、２のオンオフと連動してスナバコンデンサ７に直列に接続された第３スイッチング素子３をオンオフ制御する。 - 特許庁

The liquid immersion microscope objective lens has cemented lenses consisting of a positive first lens group, a positive second lens group and a negative third lens group and having cementing surfaces convex to an image side and has the three-element cemented lenses having the second lens group consisting of the negative lens, the positive lens and the negative lens and having the cementing surface nearest the object side convex to the object side.例文帳に追加

正の第１レンズ群と、正の第２レンズ群と、負の第３レンズ群とよりなり、接合面が像側に凸である接合レンズを有し、第２レンズ群が負レンズ、正レンズ、負レンズからなり、最も物体側に近い接合面が物体側に凸である３枚接合レンズを有し、下記条件（１）、（２）を満足するようにした。 - 特許庁

Connecting a third lead 1c for ground connection of a lead frame 1 to a GND terminal of the substrate makes a second sealing part 8 comprising a conductive resin take a role of the electromagnetic wave shielding for a beam receiving element 3 sealed by a first sealing part 7 comprising a translucent resin and an IC5 for controlling in the semiconductor device.例文帳に追加

この半導体装置は、リードフレーム１のグランド接続用の第３リード１ｃを基板のＧＮＤ端子に接続すれば、導電性樹脂からなる第２封止部８は透光性樹脂からなる第１封止部７で封止された受光素子３および制御用ＩＣ５に対する電磁波シールドの役割を果たす。 - 特許庁

A control switching element Q2 connected between a switching frequency setting circuit 16 and a ground terminal of the control circuit 15 turns on when an output voltage generated at a third coil N3 reduces to a predetermined setting value or less to bypass a part of a current to the switching frequency setting circuit 16.例文帳に追加

スイッチング周波数設定回路１６と制御回路１５のグランド端子との間に接続された制御スイッチング素子Ｑ２は、第３の巻線Ｎ３に発生する出力電圧が所定の設定値以下に低下した時にオンし、スイッチング周波数設定回路１６への電流の一部をバイパスする。 - 特許庁

The reflective element has a second plane which is disposed at a first side so as to be located on the first plane, is constituted of a reflective mirror plane perpendicular to the first plane, mirrors the first area to form a second area and mirrors the third area to form a fourth area.例文帳に追加

前記反射素子は、前記第一平面の上に置かれるように前記第一辺に設置され、且つ前記第一平面に垂直する鏡面式反射面から構成されて、前記第一区域を反射して第二区域を形成し、前記第三区域を反射して第四区域を形成する第二平面を具備する。 - 特許庁

A differential termination resistance circuit 3 includes first and second series elements Q1, Q2, a replica resistance circuit 4 includes third and fourth series elements Q3, Q4, and a control voltage generation circuit 5 includes a control element Q8 in series with a control differential amplifier DA2, and first and second voltage drop circuits R7,8; R9.例文帳に追加

差動終端抵抗回路３は直列の第１と第２の素子Ｑ１、Ｑ２を含み、レプリカ抵抗回路４は直列の第３と第４の素子Ｑ３、Ｑ４を含み、制御電圧生成回路５は制御差動増幅器ＤＡ２と直列の制御素子Ｑ８と第１と第２の電圧降下回路Ｒ７、８；Ｒ９とを含む。 - 特許庁

The sensor unit 1 is configured such that an ECN element 13, a diode 15, and a gate resistor 14 are connected between the gate of a FET 11 and a ground line 12, a first terminal 21 is introduced from the drain of the FET 11, a second terminal 22 is introduced from the source of the FET 11, and a third terminal 23 is introduced from the ground line 12.例文帳に追加

センサユニット１を、ＦＥＴ１１のゲートと接地ライン１２間に、ＥＣＮエレメント１３と、ダイオード１５と、ゲート抵抗１４を接続し、ＦＥＴ１１のドレインから第１の端子２１を導出し、ＦＥＴ１１のソースから第２の端子２２を導出し、接地ライン１２から第３の端子２３を導出するように構成する。 - 特許庁

The filament body guide device, namely, an adaptor 20 has a first plate-like member 21 fixed to a third wrist element 18, a second plate-like member 22 arranged oppositely and nearly in parallel with the first plate-like member 21, and a coupling member 23 for coupling the first/second plate-like members 21, 22 each other.例文帳に追加

線条体案内装置すなわちアダプタ２０は、第３手首要素１８に固定される第１板状部材２１と、第１板状部材２１と略平行に対向配置された第２板状部材２２と、第１板状部材２１及び第２板状部材２２を互いに連結する連結部材２３とを有する。 - 特許庁

Here, in the element substrate manufacturing process (S301), from among the plurality of the organic compound layers, the plurality of the organic compound layers are formed so that a first organic compound layer having the lowest glass transition temperature will be pinched between the second and third organic compound layers of glass transition temperatures higher than that of the first organic compound layer.例文帳に追加

ここで、素子基板製造工程（Ｓ３０１）では、複数の有機化合物層のうち、ガラス転移温度が最も低い第1の有機化合物層が、第1の有機化合物層よりガラス転移温度が高い第２および第３の有機化合物層の間で挟持されるように、複数の有機化合物層を形成する。 - 特許庁

The temperature type expansion valve 100 comprises a prismatic valve element 110 having a first bottomed passage 120 for introducing refrigerant, a valve chamber 122 formed in the vicinity of the bottom part of the passage, a second channel 126 of refrigerant flowing toward an evaporator, and a third passage 128 of refrigerant returning from the evaporator.例文帳に追加

温度式膨張弁１００は、角柱形状の弁本体１１０を有し、弁本体１１０には冷媒が導入される有底の第１の通路１２０と、通路の底部近傍に形成される弁室１２２と、蒸発器へ向かう冷媒の第２の通路１２６と、蒸発器から戻る冷媒の第３の通路１２８が形成される。 - 特許庁

The filter element includes a drum typed core 110 which has a winding core 130 and a first and second flanges 141, 142 located on both edges, a first and second terminal electrodes 151, 152 which are formed on the first flange 141, and a third and fourth terminal electrodes 153, 154 which are formed on the second flange 142.例文帳に追加

巻芯部１３０とその両端に設けられた第１及び第２の鍔部１４１，１４２とを有するドラム型コア１１０と、第１の鍔部１４１に形成された第１及び第２の端子電極１５１，１５２と、第２の鍔部１４２に形成された第３及び第４の端子電極１５３，１５４とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device for evaluating a leakage current includes the first PMOSFET 101, the first wiring 102, a potential monitoring circuit 103, the first NMOSFET 104, the third PMOSFET 105, a signal wire 106, the second wiring 107, the resistance element, and the second PMOSFET 109.例文帳に追加

リーク電流を評価する半導体装置は、第１のＰＭＯＳＦＥＴ１０１と、第１の配線１０２と、電位モニタ回路１０３と、第１のＮＭＯＳＦＥＴ１０４と、第３のＰＭＯＳＦＥＴ１０５と、信号線１０６と、第２の配線１０７と、抵抗素子１０８と、第２のＰＭＯＳＦＥＴ１０９とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor element 1 has a first multilayered film structure 2, in which at least a first layer 4 and a second layer 5 are alternately laminated on the side of the Si substrate 1, and a second multilayer film structure 3, in which at least a third layer 6 and a fourth layer 7 are alternately laminated on the first multilayer film structure 2.例文帳に追加

この半導体素子１は、Ｓｉ基板１の側に、少なくとも第１の層４と第２の層５とを交互に積層した第１多層膜構造２と、第１多層膜構造２の上に、少なくとも第３の層６と第４の層７とを交互に積層した第２多層膜構造３と、を有している。 - 特許庁

The light receiving module 2a is provided with an optical fiber 18, a loading member 20 which has the first, the second, the third, and the fourth areas which are installed on a main face in accordance with a predetermined axial direction, a semiconductor light receiving element 22 which converts a light received from the optical fiber into an electric signal, and a semiconductor device 28.例文帳に追加

光受信モジュール２ａは、光ファイバ１８と、所定の軸方向に沿って主面上に設けられた第１、第２、第３及び第４の領域を有する搭載部材２０と、光ファイバから受けた光を電気信号に変換する半導体受光素子２２と、半導体素子２８とを備える。 - 特許庁

The piezoelectric element 100 is provided with a first lead electrode 55 connected to a first detection electrode 6b; a second lead electrode 65 connected to a second detection electrode 6c; a third lead electrode 75 connected to a drive electrode 6a; and a reference lead electrode 85 connected to a reference electrode 104a (Fig.3).例文帳に追加

圧電素子１００は、第１の検出電極６ｂに接続された第１のリード電極５５と、第２の検出電極６ｃに接続された第２のリード電極６５と、駆動電極６ａに接続された第３のリード電極７５と、基準電極１０４ａ（図３参照）に接続された基準リード電極８５とを備える。 - 特許庁

In the control antenna, a second optical fiber 4 is constituted by a high-dispersion optical fiber, and the lengths of third optical fibers 4 are set so that arrival times of RF signals are equal from an RF signal generator to the output terminals of element antennas 8 at the desired wavelength of a variable wavelength E/O converter 2.例文帳に追加

制御アンテナにおいて、第２の光ファイバ４を高分散光ファイバで構成し、前記第３の光ファイバ４のそれぞれ長さを前記波長可変Ｅ／Ｏ変換器２の所望の波長においてＲＦ信号発生器から各素子アンテナ８の出力端までのＲＦ信号の到達時間が同じになる長さとした。 - 特許庁

The wiring board 130 is provided with first void part 131, a second void part 132, a third void part 133 and a forth void part 134 penetrated in the thickness direction for preventing the conduction of the heat generated from the electric heater element 143 to the thermistor 150 through the wiring board 130.例文帳に追加

このうち、配線基板１３０は、その厚さ方向に貫通して形成され、電気ヒータ素子１４３で発生した熱が、配線基板１３０を通じてサーミスタ１５０に伝わるのを妨げる第１空隙部１３１、第２空隙部１３２、第３空隙部１３３、第４空隙部１３４を有している。 - 特許庁

The capacitor element assembly 16 comprises an input terminal 18, an output terminal 22, a plurality of capacitor elements connected between these input terminal 18 and output terminal 22 and are stored in the housing 14, and first to third electrode plates 24a to 24c connecting in series a plurality of these capacitor elements.例文帳に追加

コンデンサ素子組立体１６は、入力端子１８と、出力端子２２と、これら入力端子１８と出力端子２２間に接続され、かつ、筐体１４内に収容された複数のコンデンサ素子と、これら複数のコンデンサ素子をシリーズに接続する第１〜第３の電極板２４ａ〜２４ｃとを有する。 - 特許庁

A first valve element 23 capable of turning to a first switching position for communicating a first outside connecting port 33 with a second outside connecting port and a second switching position for communicating the first outside connecting port with a third outside connecting port 40 while intercepting the communication of the above outside connecting ports is mounted in the first passage.例文帳に追加

第１の流路に第１の外部接続口33と第２の外部接続口36とを連通させる第１の切り換え位置と、上記外部接続口の連通を遮断しつつ第１の外部接続口と第３の外部接続口40とを連通させる第２の切り換え位置とに回動可能な第１の弁体23が設置されている。 - 特許庁

The light emitting module is laminated in an order of at least a solar cell 1, a first adhesive layer 16, a second translucent insulating substrate (transparent PET) 17, a second metal layer (circuit pattern) 18, a light emitting portion 2 made of a light emitting element (chip LED) 19, a second adhesive layer 20, and a third substrate 21.例文帳に追加

発光モジュールは少なくとも、太陽電池部１と、第１の接着層１６と、第２の透光性絶縁基板（透明ＰＥＴ）１７と、第２の金属層（回路パターン）１８と、発光素子（チップＬＥＤ）１９からなる発光部２と、第２の接着層２０と、第３の基板２１とが、順次積層されてなる。 - 特許庁

A cover layer 20D of the diffraction element 20 is constituted of a cover lower layer 20Du made of a second UV cured resin 100B and joined to a diffraction pattern PTc for a CD and a cover upper layer 20Do made of a third UV cured resin 100C and joined to the cover lower layer 20Du.例文帳に追加

本発明の回折素子２０におけるカバー層２０Ｄは、第２のＵＶ硬化樹脂１００Ｂでなり、ＣＤ用回折パターンＰＴｃに接合されたカバー下層２０Ｄｕと、第３のＵＶ硬化樹脂１００Ｃでなり、当該カバー下層２０Ｄｕに接合されたカバー上層２０Ｄｏとによって構成されるようにする。 - 特許庁

A pad electrode 15b of the optical element chip 15 is connected to a wiring line 19 by a first metal wiring line 22a, a pad electrode 30a of the semiconductor chip 30 is connected to the wiring line 19 by a second metal wiring line 22b, and the pad electrodes 15b and 30a are connected by a third metal wiring line 22c.例文帳に追加

光学素子チップ１５のパッド電極１５ｂと配線１９とが第１の金属細線２２ａにより、半導体チップ３０のパッド電極３０ａと配線１９とが第２の金属配線２２ｂにより、パッド電極１５ｂ，３０ａ間の第３の金属配線２２ｃにより接続されている。 - 特許庁

By such a constitution, the noise generated in the outdoor blower 6 is insulated by the first insulating plate 9, the second insulating plate 10, the third insulating plate 23, and the fourth insulating plate 24, thereby the heating element housing box cooling device which prevents the noise from emitting to the outside can be obtained.例文帳に追加

このようは構成にすることにより、室外送風機６で発生した騒音が第１遮蔽板９、第２遮蔽板１０および第３遮蔽板２３、第４遮蔽板２４に遮られることにより外部への騒音放出を防止する発熱体収納箱冷却装置を得ることができる。 - 特許庁

In the capacitor element body L1 where a plurality of dielectric layers 10-17 are laminated, first internal electrodes 21, 22, second internal electrodes 31, 32, and third and fourth internal electrodes 41, 42, 51, 52 are arranged at a first region L11, at a second region L12, and over the first and second regions L11, L12, respectively.例文帳に追加

複数の誘電体層１０〜１７が積層されたコンデンサ素体Ｌ１では、第１の領域Ｌ１１に第１の内部電極２１、２２が、第２の領域Ｌ１２に第２の内部電極３１、３２が、第１及び第２の領域Ｌ１１、Ｌ１２に跨るように第３及び第４の内部電極４１、４２、５１、５２が配置される。 - 特許庁