「third element」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

In such a constitution, the wiring 67 and the resistant element 70 are formed of the third polysilicon layer forming the plate electrode 60 so that the steps peculiar to DRAM may be effectively used, thereby making feasible of simplifying the steps as well as attaining to the design efficiency.例文帳に追加

配線６７と抵抗素子７０は、プレート電極６０を形成する第３ポリシリコン層を用いて形成するため、ＤＲＡＭ特有の工程を有効に活用し、工程の簡略化を図ることができるとともに、設計の効率化を図ることができる。 - 特許庁

In mode 3, the first clock CK is sustained at VDD, the second clock XCK' is changed from GND to a second high level (2VDD), the third switching element SW3 is turned on, and the first and second switching elements SW1 and SW2 are turned off.例文帳に追加

モード３において、第１のクロックＣＫをＶＤＤに維持し、第２のクロックＸＣＫ’をＧＮＤから第２の高レベル（２ＶＤＤ）に変化させると共に、第３のスイッチング素子ＳＷ３をオンし、第１及び第２のスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２をオフする。 - 特許庁

The first, second and third sealing films 30a, 30b, 30c formed by spraying have a thick film and good adhesion with the base, thereby, water and gas do not enter in the organic light-emitting element 5, hence, the life of the light-emitting device 1 is extended.例文帳に追加

吹き付けで形成された第１、第２、第３の封止膜３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、膜厚が厚く、しかも下地との密着性が高いため、水分やガスが有機発光素子５の内部に侵入しにくくなり、発光装置１の寿命が長くなる。 - 特許庁

A second feeding port 37-2 is connected to the antenna element 35a in the even numbered group (the second group G2) of the array antenna 31a which is one of the array antennas, and the antenna elements 35b in the odd numbered groups (the first group G1 and the third group G3) of the array antenna 31b which is the other.例文帳に追加

第２給電ポート３７−２は、一方のアレイアンテナ３１ａの偶数グループ（第２グループＧ２）のアンテナ素子３５ａ及び他方のアレイアンテナ３１ｂの奇数グループ（第１グループＧ１及び第３グループＧ３）のアンテナ素子３５ｂに接続されている。 - 特許庁

A first feeding port 37-1 is connected to the antenna elements 35a in odd numbered groups (the first group G1 and the third group G3) of the array antenna 31a which is one of the array antennas, and the antenna element 35b in an even numbered group (the second group G2) of the array antenna 31b which is the other of the array antennas.例文帳に追加

第１給電ポート３７−１は、一方のアレイアンテナ３１ａの奇数グループ（第１グループＧ１及び第３グループＧ３）のアンテナ素子３５ａ及び他方のアレイアンテナ３１ｂの偶数グループ（第２グループＧ２）のアンテナ素子３５ｂに接続されている。 - 特許庁

Moreover, the electronic component 10A includes a first heat radiating body 28 provided to the housing 14 for contact with the first to third electrode plates 24a to 24c of the capacitor element assembly 16, and a second heat radiating body 30 provided in contact with the first heat radiating body 28.例文帳に追加

また、電子部品１０Ａは、コンデンサ素子組立体１６の第１〜第３の電極板２４ａ〜２４ｃが接するように筐体１４に設置された第１の放熱体２８と、該第１の放熱体２８に接して設けられた第２の放熱体３０とを有する。 - 特許庁

If the rotational center of the second rotor 4 is still axially misaligned (a) from the rotating shaft 7a of the rotational contact element 7, the axial misalignment is dissolved by an absorbing rotor 5 sliding between the second rotor 4 and a third rotor 6.例文帳に追加

このとき、第２の回転体４の回転中心と回転型接点素子７の回転軸７ａとが、まだａだけ軸ずれしていても、この軸ずれを第２の回転体４と第３の回転体６とに対してスライドする吸収回転体５が解消することとなる。 - 特許庁

The conversion element projects light beams in two of the first to third wavelength ranges as polarized light having one of the first and second polarization directions and light in the remaining wavelength range as polarized direction having the other polarization direction.例文帳に追加

該換素子は、第１〜第３の波長域のうち２つの波長域の光を第１および第２の偏光方向のうち一方の偏光方向を有する偏光光として射出し、他の波長域の光を他方の偏光方向を有する偏光光として射出する。 - 特許庁

The output sine wave from each element is added to every group to constitute a plurality of Fourier series signals, which are then group-modulated in a group modulator 762, and a carrier wave corresponding to a third layer is modulated with this group modulation signal in a modulator 764.例文帳に追加

各素子からの出力正弦波はグループごとに加算され、複数のフーリエ級数信号を構成してから群変調器７６２で群変調し、この群変調信号で変調器７６４において第３層に対応する搬送波を変調する。 - 特許庁

The second optical semiconductor element 20 includes: a first cladding layer 23; an optical active layer 21 and a second optical waveguide layer 22 that are optically connected to each other; a second cladding layer 24 on the optical active layer 21; and a thin third cladding layer 27 on the second optical waveguide layer 22.例文帳に追加

第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。 - 特許庁

The image display apparatus comprises first to third reflection type polarizing plates 120, 121, 122 corresponding to respective reflection type space optical modulators 131, 132, 133 as an element for polarizing and separating incident light to the reflection type space optical modulators 131, 132, 133.例文帳に追加

反射型空間光変調素子１３１，１３２，１３３への入射光を偏光分離する素子として各反射型空間光変調素子１３１，１３２，１３３に対応された第１乃至第３の反射型偏光板１２０，１２１，１２２を備えている。 - 特許庁

The secondary control circuit is so connected as to switch the switching element in response to a difference between a desired output value and an actual output value so that an electric current indicating a difference between a desired output value and an actual output value is forcibly flowed through the third winding.例文帳に追加

二次制御回路は、所望の出力値と実際の出力値との差に応答して切換素子を切換えて、所望の出力値と実際の出力値との差を表わす電流が第３の巻線に強制的に流入するように結合される。 - 特許庁

The beam shaping device may include: a beam shaping unit for converting the first laser light into the cylindrical second laser light internally having a dark columnar space; and an optical element for making the optical axis of the third laser light virtually coincide with the optical axis of the second laser light.例文帳に追加

ビーム整形装置は、第１レーザ光を内部に暗い柱状の空間が存在する筒状の第２レーザ光に変換するビーム整形部と、第３レーザ光の光軸を前記第２レーザ光の光軸と実質的に一致させる光学素子と、を備えてもよい。 - 特許庁

The yoke 13 consists of a first portion 13a formed between the super-magnetostrictive element 11 and the coil 12, a second portion 13b located on the outside in the radial direction of the coil 12, and a third portion 13c connecting the first portion 13a and the second portion 13b.例文帳に追加

ヨーク１３は、超磁歪素子１１とコイル１２との間に設けられた第１の部分１３ａと、コイル１２の径方向外側に配置された第２の部分１３ｂと、第１の部分１３ａと第２の部分１３ｂとをつなぐ第３の部分１３ｃとを有している。 - 特許庁

The valve element 10 has a partition wall approaching portion 10s including a first edge 10a and a second edge 10b for reducing a gap to a partition wall 36, and a third edge 10c for contacting a housing 8 through its face or reducing a gap to it.例文帳に追加

弁体１０は、隔壁３６との間の隙間を微小とする第１縁部１０ａおよび第２縁部１０ｂを含む隔壁近接部１０ｓと、ハウジング８と面をもって接触するか、またはこれとの間の隙間を微小とする第３縁部１０ｃとを備える。 - 特許庁

Further, the light emitting element 55 has a light-transmissive region 64, formed of the substrate 60, between the first light emission region 61a and second light emission region 61b, and between a third light emission region 61c and a fourth light emission region 61d.例文帳に追加

また、発光素子５５には、第１の発光領域６１ａと第２の発光領域６１ｂとの間、および、第３の発光領域６１ｃと第４の発光領域６１ｄとの間に、基板６０により構成される光透過性領域６４が形成される。 - 特許庁

In an element substrate 10 of an electro-optic device 100, a stress relaxation film 46 formed from a doped silicon oxide film is formed between a third interlayer insulation film 44 formed from non-doped silicon oxide film and a pixel electrode 9a formed from an aluminum film or the like.例文帳に追加

電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。 - 特許庁

The iodine removing filter is provided with a polymer element having a graft polymer chain having at least a third level amino group and a fourth level ammonium group on the main chain of organic polymer base.例文帳に追加

本発明に係るヨウ素除去フィルタは、有機高分子基材の主鎖上に、少なくとも１つの３級アミノ基と少なくとも１つの４級アンモニウム基とを有するグラフト重合体側鎖を有する高分子素材を具備することを特徴とするものである。 - 特許庁

The gate adjusting electron emitting element array panel includes a first electrode and a pair of second and third electrodes which are insulated from the first electrode and arranged to be separated from each other, and in which an electron emission range overlapped with the first electrode is demarcated.例文帳に追加

ゲート調節電子放出素子アレイパネルは、第１の電極および第１の電極と絶縁されて互いに離隔されて配置され、第１の電極とオーバーラップされる電子放出領域を画定する一対の第２及び第３の電極を含む。 - 特許庁

Each circuit board from 20A to 20C is provided corresponding to each keyboard operating element 1 with operation signal output parts from 29A to 29C which output a signal indicating an operating state of the keyboard operating elements 1, and further with scan parts from the first to the third from 21A to 21C.例文帳に追加

各回路基板２０Ａ〜２０Ｃには、鍵盤操作子１の操作状態を示す信号を出力する操作信号出力部２９Ａ〜２９Ｃが、各鍵盤操作子１に対応して設けられ、さらに、第１〜第３スキャン部２１Ａ〜２１Ｃが設けられる。 - 特許庁

In the optical pickup device, first laser light beams L_1 and second laser light beams L_2 are made incident on an objective lens 2 as parallel light beams, third laser light beams L_3 are made incident on the objective lens 2 as diverging light beams and a polarized phase correcting element 70 is provided.例文帳に追加

本発明の光ピックアップ装置は、第１レーザー光Ｌ_１および第２レーザー光Ｌ_２を平行光として対物レンズ２に入射させ、第３レーザー光Ｌ_３を発散光として対物レンズ２に入射させるとともに、偏光性位相補正素子７０を有する。 - 特許庁

This invention creation support method includes: a first configuration determination step of determining first configuration consisting of the plurality of essential elements of the product; a second configuration determination step of determining second configuration having one element among the plurality of essential elements; and a third configuration determination step of determining third configuration in which the second components are combined with new elements which are not included in the plurality of essential elements.例文帳に追加

この発明創出支援方法は、製品の複数の必須要素から成る第１の構成を定める第１構成決定ステップと、この複数必須要素の一要素を有する第２の構成を定める第２構成決定ステップと、第２の構成要素と前記複数の必須要素に含まれていない新要素を組み合わせた第３の構成を定める第３構成決定ステップとで構成される。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor element formed on a semiconductor substrate 10, first wiring 41A formed above the substrate 10 electrically connected to the semiconductor element, and second wiring 42A formed above the first wiring 41A through a third layer insulation film 23 made of an insulator having a dielectric constant lower than a silicon oxide.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０に形成された半導体素子と、半導体基板１０の上方に形成され、半導体素子と電気的に接続された第１の配線４１Ａと、該第１の配線４１Ａの上方に誘電率が酸化シリコンよりも低い絶縁体からなる第３の層間絶縁膜２３を介在させて形成された第２の配線４２Ａとを有している。 - 特許庁

Hydrogen peroxide is added to an aqueous solution of a compound oxide precursor comprising a first compound containing at least one kind of element selected from alkali metals, alkaline earth metals and rare earth elements, a second compound containing at least one kind of element selected from group 3 elements, group 4 elements and transition metals, and a third compound having a multidentate ligand.例文帳に追加

アルカリ金属，アルカリ土類金属及び希土類元素から選ばれる少なくとも一種の元素を含む第１化合物と、第３族元素，第４族元素及び遷移金属から選ばれる少なくとも一種の元素を含む第２化合物と、多座配位子を有する第３化合物と、からなる複合酸化物前駆体水溶液に、さらに過酸化水素を添加した。 - 特許庁

The piezoelectric ceramic contains a third compound containing Bi, at least one kind of divalent metal element selected from the group comprising Mg, Fe, Co, Ni, Cu and Zn, at least one kind of tetravalent metal element selected from the group consisting of Zr and Sn, and oxygen in addition to a first compound having a rhombohedral perovskite-structure and a second compound having a tetragonal perovskite-structure.例文帳に追加

菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第１の化合物および正方晶系ペロブスカイト構造を有する第２の化合物に加えて、Ｂｉと、Ｍｇ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，ＣｕおよびＺｎからなる群のうちの少なくとも１種の二価金属元素と、ＺｒおよびＳｎからなる群のうちの少なくとも１種の四価金属元素と、Ｏとを含む第３の化合物を含有する。 - 特許庁

The second and third testing circuits may have respectively a plurality of testing elements provided electrically in parallel, a selection part for controlling each testing element in the on-state successively at the test time of the electronic device, and a discrimination information output part for outputting each terminal voltage of the testing element controlled in the on-state successively by the selection part as discrimination information of the electronic device.例文帳に追加

第２および第３のテスト用回路は、電気的に並列に設けられた複数のテスト用素子と、電子デバイスの試験時において、それぞれのテスト用素子を順次オン状態に制御する選択部と、選択部が順次オン状態に制御したテスト用素子のそれぞれの端子電圧を、電子デバイスの識別情報として出力する識別情報出力部とを有してよい。 - 特許庁

A first picture having a specifying input part for specifying a first classification of the mechanical element, a second picture having a damaged condition value input part for inputting the damaged condition value of the mechanical element formed on the lower stream side than the first screen, and a third screen for displaying the remaining life estimated by the calculation unit 12 based on the damaged condition value are provided.例文帳に追加

機械的要素の第１分類を特定する特定入力部分を有する第１画面と、第１画面より下流側にあり機械的要素の損傷状態値を入力する損傷状態値入力部分を有する第２画面と、損傷状態値に基づいて計算ユニット１２により推定された余寿命を表示する第３画面とを備えている。 - 特許庁

In the manufacturing method, the semiconductor device is manufactured in a first process for forming a semiconductor element on the semiconductor substrate 1, a second process for forming a silicon nitride film on a semiconductor element by a CVD device by using ammonia gas or silane gas comprising the deuterium D5 as a composition as a part of material gas, and a third process for heating a semiconductor board to 300°C or higher.例文帳に追加

半導体基板(1)上に半導体素子を形成する第１の工程と、重水素Ｄ(5)を組成に含むアンモニアガスまたはシラン系ガスを材料ガスの一部としてＣＶＤ装置により半導体素子上に窒化シリコン膜を形成する第２の工程と、半導体基板を３００℃以上に加熱する第３の工程により半導体装置(6)を製造する。 - 特許庁

A semiconductor device includes: a first semiconductor element laminate 7 having first and second semiconductor elements 1, 2 laminated and fixed onto a heat-radiative support plate 5 sequentially; a second semiconductor element laminate 8 having third and fourth semiconductor elements 3, 4 laminated and fixed onto the support plate 5 sequentially; and a plurality of external leads 20 connected to the support plate 5.例文帳に追加

放熱性を有する支持板(5)上に順次積層されて固着された第１の半導体素子(1)及び第２の半導体素子(2)を有する第１の半導体素子積層体(7)と、支持板(5)上に順次積層されて固着された第３の半導体素子(3)及び第４の半導体素子(4)を有する第２の半導体素子積層体(8)と、支持板(5)に接続された複数の外部リード(20)とを備える。 - 特許庁

The oxide composite precursor aqueous solution contains a first compound containing at least one kind of a first metal element selected from a group comprising alkali metals and alkaline earth metals, a second compound containing at least one kind of a second metal element selected from a group comprising rare earth metals, a third compound having a multidentate ligand, and ammonia.例文帳に追加

アルカリ金属及びアルカリ土類金属からなる群から選択される少なくとも１種の第一金属元素を含有する第１の化合物と、希土類金属からなる群から選択される少なくとも１種の第二金属元素を含有する第２の化合物と、多座配位子を有する第３の化合物と、アンモニアとを含むことを特徴とする酸化物複合体前駆体水溶液。 - 特許庁

When a second substrate is fixed on the semiconductor element using a first adhesive and the first substrate is separated, and a third substrate such as a film substrate is fixed under the semiconductor element using a second adhesive and the second substrate is separated, lowering adhesiveness or peeling of the first adhesive and hardening of the second adhesive are simultaneously performed by irradiation of ultraviolet light.例文帳に追加

第１の接着剤を用いて、半導体素子上に第２の基板を固定し、かつ第１の基板を分離し、第２の接着剤を用いて、半導体素子下にフィルム基板等の第３の基板を固定し、かつ第２の基板を分離するときに、紫外線を照射することによって、第１の接着剤の粘着性の低下又は剥離と、第２の接着剤の硬化とを同時に行う。 - 特許庁

Out of three semiconductor packages 11, 12, and 13 which are stacked, the third semiconductor package 13 in the most upper layer in the laminate is mounted with a photoelectric conversion element 23 which receives and transmits optical signals by a receiving and transmitting plane 23a faced upwards in the laminate and converts optical signals to electrical signals, as a semiconductor element.例文帳に追加

３つの半導体パッケージ１１，１２，１３の積層における最上層の第３半導体パッケージ１３は、半導体素子として、その積層における上方を向いた受発信面２３ａで光信号の受信および発信を行い、電気信号とその光信号との間での変換を担う光電変換素子２３が実装された光信号伝送パッケージである。 - 特許庁

The piezoelectric ceramic contains a third compound containing Bi, at least one kind of divalent metal element selected from the group consisting of Mg, Fe, Co, Cu and Zn, at least one kind of tetravalent metal element selected from the group consisting of Ti, Zr and Sn, and oxygen in addition to a first compound having a rhombohedral perovskite-structure and a second compound having a tetragonal perovskite-structure.例文帳に追加

菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第１の化合物および正方晶系ペロブスカイト構造を有する第２の化合物に加えて、Ｂｉと、Ｍｇ，Ｆｅ，Ｃｏ，ＣｕおよびＺｎからなる群のうちの少なくとも１種の二価金属元素と、Ｔｉ，ＺｒおよびＳｎからなる群のうちの少なくとも１種の四価金属元素と、Ｏとを含む第３の化合物を含有する。 - 特許庁

This method comprises a first step of preparing a thermosetting resin or metal gear element body 1, a second step of forming a semi-set coating of a thermosetting resin on the toothed face of the gear element body, and a third step of progressively setting the semi-set coating of the thermosetting resin after conditioned by heating while being rotated.例文帳に追加

熱硬化性樹脂製又は金属製の歯車素形体１を準備する第１工程、前記歯車素形体の歯面に熱硬化性樹脂の半硬化被膜を形成する第２工程、さらに、第２工程を経た歯車素形体１に歯面形成用歯車２を噛み合せ、回転しながら前記熱硬化性樹脂の半硬化被膜を加熱により整えて硬化を進める第３工程を経る。 - 特許庁

A light emitting element includes: an anode 71 as one example of a first electrode, a cathode 73 as one example of a second electrode paired with the anode 71, a third electrode 79 not contributing to the light emission of a light emitting layer 72, and the light emitting layer 72 disposed between the anode 71 and the cathode 73.例文帳に追加

第１電極の一例としての陽極７１と、陽極７１と対をなす第２電極の一例としての陰極７３と、発光層７２の発光には寄与しない第３電極７９と、陽極７１と陰極７３との間に配置された発光層７２と、を備える。 - 特許庁

In the second optical semiconductor element 20, the second cladding layer 24 is disposed in the recess 16 and is thermally connected to the semiconductor substrate 11, the third cladding layer 27 is disposed on the first optical waveguide layer 15, and second optical waveguide layer 22 is optically connected to the first optical waveguide layer 15.例文帳に追加

第２光半導体素子２０は、第２クラッド層２４が凹部１６に配置されて、半導体基板１１と熱的に接続され、且つ、第３クラッド層２７が第１光導波路層１５上に配置されて、第２光導波路層２２が第１光導波路層１５と光学的に接続される。 - 特許庁

An exhaust gas containing particulates is streamed in a second room 8 after introducing to a first room 7 of an exhaust gas purification device 1 and streamed in a third room 9 after passing the element 33 of an exhaust emission control filter 3 from the outside to the inside and further through the through hole of a base pipe 31.例文帳に追加

微粒子を含んだ排気は排気浄化装置１の第１室７に導入されたあと第２室８に流入し、排気浄化フィルタ３のエレメント３３を外から内へと通過し、さらにベースパイプ３１の通孔３１ａを経て第３室９へと流入する。 - 特許庁

By supplying the t1 signal to be turned ON only during the applying period of the reverse polarity superimposing voltage to a third reverse polarity switching element 153, the charging to a first capacitor 152 for reverse polarity can be started immediately after terminating the applying period of the reverse polarity superimposing voltage.例文帳に追加

逆極性重畳電圧印加期間のみＯＮするｔ１信号を第３の逆極性用スイッチング素子１５３へ供給することにより、逆極性重畳電圧印加期間終了後、ただちに第１の逆極性用コンデンサ１５２への充電を開始させることができる。 - 特許庁

On the surface of a chip thermistor element 2, a first terminal electrode 3, a second terminal electrode 4, and a third terminal electrode 5 formed in high resistance state as compared with the first terminal electrode 3 and the second terminal electrode 4 and capable of being bonded to solder material are provided directly.例文帳に追加

チップ状のサーミスタ素体２の表面に、第１の端子電極３と、第２の端子電極４と、第１の端子電極３及び第２の端子電極４よりも高抵抗状態で形成されかつハンダ材と接合可能な第３の端子電極５と、が直接設けられている。 - 特許庁

When the permanent magnets 21 and 31 repel each other and the piston is kept away from the partition by a spring 32, the valve element is separated from a first valve seat 13a by a spring 24 and seated on a second valve seat 14a, so that a first port 13b communicates with a third port 13c.例文帳に追加

永久磁石２１，３１どうしは、互いに反発し合い、ピストンがスプリング３２によって隔壁から遠ざけられている時は、弁体が、スプリング２４によって第１弁座１３ａから離れ、第２弁座１４ａに着座して第１ポート１３ｂと第３ポート１３ｃが連通する。 - 特許庁

The photoconductive element includes: the photoconductive layer (1) for generating a carrier by the radiation of exciting light (5); a first electrode arranged on the photoconductive layer (1); a second electrode arranged on the photoconductive layer (1) while having a gap relative to the first electrode; and a third electrode (3).例文帳に追加

光伝導素子は、励起光（５）の照射によりキャリアを発生させるための光伝導層（１）と、光伝導層（１）に配置される第１の電極と、第１の電極に対して間隙を有し且つ光伝導層（１）に配置される第２の電極と、第３の電極（３）とを有する。 - 特許庁

Even when a recorder capable of performing writing only on a first disk type recording medium is used, this recorder is able to discriminate easily a second disk type recording medium based on third information to which any new element is not added as to the loaded second disk type recording medium.例文帳に追加

装填された第２のディスク状記録媒体について、第１のディスク状記録媒体のみ書込み可能な記録装置を用いた場合でも、新しい要素が何ら付加されていない第３の情報に基づいて、当該第２のディスク状記録媒体を容易に判別することができるようにした。 - 特許庁

In the mutual inductance element 1A, second opposite sides 22Aa and 22Ab and fourth opposite sides 24Aa and 24Ab of a second conductor line 4A are laminated on the first opposite sides 21Aa and 21Ab or the third opposite sides 23Aa and 23Ab without overlapping in the direction of lamination.例文帳に追加

本発明の相互インダクタンス素子１Ａは、第２の導体線路４Ａに係る第２の対辺２２Ａａ、２２Ａｂおよび第４の対辺２４Ａａ、２４Ａｂが、第１の対辺２１Ａａ、２１Ａｂまたは第３の対辺２３Ａａ、２３Ａｂに対して積層方向に重ならずに積層される。 - 特許庁

The n-type layer 11 of a light-emitting element 1 has a structure in which a first n-type layer 111, a second n-type layer 112, and a third n-type layer 113 are sequentially laminated on a sapphire substrate 10, and the n-electrode 16 composed of V/Al is formed on the second n-type layer 112.例文帳に追加

発光素子１のｎ型層１１は、サファイア基板１０上に第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２、第３ｎ型層１１３の順に積層された構造であり、Ｖ／Ａｌからなるｎ電極１６は第２ｎ型層１１２上に形成されている。 - 特許庁

The switching element SW1 is constituted so that the first terminal T1 and the second terminal T2 are electrically shut down and the second terminal T2 and the third terminal T3 are electrically connected when a cover 18 is opened, whereby charge accumulated in the capacitor C1 is discharged to the ground instantaneously.例文帳に追加

スイッチング素子ＳＷ１は、カバー１８が開放されると、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２とが電気的に遮断されるとともに、第２端子Ｔ２と第３端子Ｔ３とが電気的に接続され、コンデンサＣ１に蓄積された電荷がグランドに瞬時に放電されるようにした。 - 特許庁