「third element」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

A bonding pad 56 comprises a second layer electrode 64 and a third layer electrode 65, and a first layer electrode 70 is receded from a bonding region 68 toward the inside for electrical connection to an element with the wiring of the first layer from the bonding pad.例文帳に追加

ボンディングパッド５６は、第２層電極６４と第３層電極６５で構成し、ボンディングパッドから第１層目の配線で素子と電気的に接続するため、第１層電極７０をボンディングエリア６８から内側に向かって遠ざけた。 - 特許庁

A DC-DC converter includes: a first inductor; a low-side switching element; a first diode; a smoothing capacitor; a second inductor; a second diode; and a third diode, and outputs a boosted output voltage from an output terminal.例文帳に追加

一つの実施形態によれば、ＤＣ−ＤＣコンバータは、第一のインダクタ、ローサイドスイッチング素子、第一のダイオード、平滑コンデンサ、第二のインダクタ、第二のダイオード、及び第三のダイオードが設けられ、出力端子から昇圧された出力電圧を出力する。 - 特許庁

The outside case gap 70b on the radial outside of the rolling element storage space 17 is formed as a crank structure including a first outside gap portion 31, a second outside gap portion 32, a third outside gap portion 33 and an outlet gap portion 43.例文帳に追加

また転動体配置空間１７よりラジアル方向外側の外側ケース間隙間７０ｂは、第１外側隙間部３１、第２外側隙間部３２、第３外側隙間部３３、出口隙間部４３とを含んでクランク構造として形成されている。 - 特許庁

A rectangular voltage is generated by one control circuit 9 and one switching element 3, and supplied to a first transformer 4 and a second transformer 5 in order to generate first through third output voltages and fourth through sixth output voltages.例文帳に追加

１つの制御回路９、１つのスイッチング素子３によって、矩形電圧を生成して、第１トランス４、第２トランス５に供給し、第１出力電圧〜第３出力電圧、第４出力電圧〜第６出力電圧を生成させる。 - 特許庁

A reception signal received by the light receiving element 200 is outputted to give alternately on a time axis the sum of the outputs of the first well 301 and of the second well 302 and the sum of the outputs of the first well 301 and of the third well 303.例文帳に追加

受光素子２００による受信信号は、第１のウェル３０１の出力と第２のウェル３０２の出力との和、及び、第１のウェル３０１の出力と第３のウェル３０３との出力の和を、時間軸上で交互に出力する。 - 特許庁

A filter element comprises: an annular core 110; first and second coils 121, 122 wound around a first winding core part 111 in the same direction; and third and fourth coils 123, 124 wound around a second winding core part 112 in the reverse direction.例文帳に追加

環状コア１１０と、第１の巻芯部１１１に互いに同一方向に巻回された第１及び第２のコイル１２１，１２２と、第２の巻芯部１１２に互いに逆方向に巻回された第３及び第４のコイル１２３，１２４とを備える。 - 特許庁

The light-emitting element has n (n is a natural number of 2 or more) EL layers between the anode and the cathode, and has a first layer, a second layer and a third layer between the m-th layer and the (m+1)th layer (m is a natural number, 1≤m≤n-1) from the anode.例文帳に追加

陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層を有し、陽極からｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層とｍ＋１番目のＥＬ層の間に、第１の層、第２の層及び第３の層を有する。 - 特許庁

A front curtain 2 is biased by a biasing force so as to move from a third position on an optical path of an optical system to a fourth position at which the front curtain does not block a subject image being imaged by the optical system in a direction parallel to an imaging surface of an imaging element IMG.例文帳に追加

先幕２は、光学系の光路上の第３の位置から、光学系によって結像された被写体像を遮らない第４の位置へ付勢力により撮像素子ＩＭＧの撮像面と平行に移動するよう付勢されている。 - 特許庁

A rear curtain 3 is biased by a biasing force so as to move from the third position on the optical path of the optical system to the fourth position at which the rear curtain does not block the subject image being imaged by the optical system in the direction parallel to the imaging surface of the imaging element IMG.例文帳に追加

後幕３は、光学系の光路上の第３の位置から、光学系によって結像された被写体像を遮らない第４の位置へ付勢力により撮像素子ＩＭＧの撮像面と平行に移動するよう付勢されている。 - 特許庁

The protective layer 10 includes MgO particles as a first particle 97 and compound particles comprising at least one element selected from the group consisting of V, Mn, Co, Ni, Cu, Mo and W, Ca and O, as a third particle 99.例文帳に追加

保護層１０は、第１粒子９７としてＭｇＯ粒子と、第３粒子９９としてＶ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とＣａとＯとの化合物粒子とを有する。 - 特許庁

The third electromagnetic coil 24 applies force opposite to force of the second electromagnetic coil 11 through the movable plate 25 and the connector 26 just before a valve element 21A of the valve 21 is seated on a valve seat 3A by the second electromagnetic coil 11.例文帳に追加

そして、第３の電磁コイル２４は、バルブ２１の弁体２１Ａが第２の電磁コイル１１によって弁座３Ａに着座する寸前に可動板２５、コネクタ２６を通じて第２の電磁コイル１１とは逆向き力を弁体２１Ａに加える。 - 特許庁

The capacitor element 2 has a first surface 21 arranged parallel to the first side surface 11, a second surface 22 arranged parallel to the second side surface 12, and a third surface 23 sandwiched by the first surface 21 and the second surface 22 in an Lx direction view.例文帳に追加

コンデンサ素子２は、第１の側面１１と平行な第１の面２１と、第２の側面１２と平行な第２の面２２と、Ｌｘ方向視において第１の面２１と第２の面２２とに挟まれた第３の面２３とを有している。 - 特許庁

When a proper voltage is outputted from a voltage output terminal 16, the third circuit 13 is made conductive to turn on a first switching element 1, and a proper voltage signal is inputted in a power fail terminal 15a of a controlling computer 15.例文帳に追加

電圧出力端子１６より適正な電圧が出力されると、第三の回路１３が導通することにより第一のスイッチング素子１がオンされ、適正な電圧信号が制御用コンピュータ１５のパワーフェイル端子１５ａに入力される。 - 特許庁

A capacitive element where a first electrode layer, a dielectric layer, a second electrode layer, and a third electrode layer of metal or metal silicide are laminated in this sequence is formed in a certain region of the surface of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板の表面上の一部の領域に、第１の電極層、誘電体層、第２の電極層、及び金属もしくは金属シリサイドからなる第３の電極層がこの順番に積層された容量素子が形成されている。 - 特許庁

First through third main electrodes are provided on one major surface 10 of an annular varistor element 1, having a high resistance layer 1b comprising an oxide on the surface of a semiconductor layer 1a, and an annular auxiliary electrode 5 is provided on the other major surface 11.例文帳に追加

半導体層１ａの表面上に酸化物から成る高抵抗層１ｂを有するリング状バリスタ素体１の一方の主面１０の上に第１〜第３の主電極を設け、他方の主面１１にリング状の補助電極５を設ける。 - 特許庁

The light emitting element comprises a sapphire substrate 1, an oxygen-containing layer 4 made of an oxygen-containing nitride located on the sapphire substrate 1 and a third buffer layer 5 made of a nitride semiconductor located on the oxygen-containing layer 4.例文帳に追加

サファイア基板１と、前記サファイア基板１上に位置するとともに酸素が含有された窒化物からなる酸素含有層４と、前記酸素含有層４上に位置する窒化物系半導体からなる第３バッファ層５とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The switch control section 10B turns on a switch, among the first to third switches 11 to 13, other than the switch connected to the light receiving element for receiving the optical signal of the wavelength area corresponding to the wavelength area represented by the wavelength area signal.例文帳に追加

また、スイッチ制御部１０Ｂは第１〜第３のスイッチ１１〜１３のうち上記波長領域信号が表す波長領域に対応する波長領域の光信号を受光する受光素子に接続されたスイッチ以外のスイッチをオンにする。 - 特許庁

This optical element is provided with return waveguides 28 and respective second input/output ports P2 are equally distributed and disposed by one piece each in second regions R2 and third regions R3 across first regions R1 including first input/output ports P1.例文帳に追加

折り返し導波路２８を設け、かつ、各第２の入出力ポートＰ２を、第１の入出力ポートＰ１を包含する第１領域Ｒ１を間に挟む第２領域Ｒ２及び第３領域Ｒ３に、１個ずつ等分配して設ける。 - 特許庁

Each memory cell includes a two-element latch circuit consisting of a first transistor (N type MOSFET), and of a second transistor (P type MOSFET) being two elements latch circuit, and a third transistor (N type MOSFET) connected to an input-cum-output terminal of the latch circuit.例文帳に追加

各メモリセルは、第１のトランジスタ（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ）と、第２のトランジスタ（Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ）なる２素子ラッチ回路と、前記ラッチ回路の入力端子兼出力端子に接続されている第３のトランジスタ（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ）を含む。 - 特許庁

In a mode B, the second clock CKb is kept at the GND, the first clock CKa is changed to a high level (VDD), the second switching element SW2 is turned on, and the first and third switching elements SW1 and SW3 are turned off.例文帳に追加

モードＢにおいて、第２のクロックＣＫｂをＧＮＤに維持し、第１のクロックＣＫａを高レベル（ＶＤＤ）に変化させると共に、第２のスイッチング素子ＳＷ２をオンし、第１及び第３のスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ３をオフする。 - 特許庁

On one face of an intermediate member 15, a first circuit board 11 mounted with first and third bare chip semiconductor elements 13, 20 on the front and rear faces are laminated via a jointing member 16a so that the first bare chip semiconductor element 13 is opposed to a sealed pattern 17a.例文帳に追加

中間部材１５の一面には、表裏面に第１,第３ベアチップ半導体素子１３,２０が実装された第１回路基板１１を、第１ベアチップ半導体素子１３をシールドパターン１７aに対向させて接合部材１６aを介して積層する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can suppress the occurrence of the malfunction of a semiconductor element caused by the free movement of a third metallic body at the time of performing the final joining and can be suppressed in the fall of its service life, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

最終的な接合時に第３の金属体が自由に動くことに起因する半導体素子の動作不良の発生と、半導体装置の寿命の低下を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In mode 2, the second clocks XCK is sustained at GND, the first clock CK is changed to a first high level (VDD), the second switching element SW2 is turned on, and the first and third switching elements SW1 and SW3 are turned off.例文帳に追加

モード２において、第２のクロックＸＣＫをＧＮＤに維持し、第１のクロックＣＫを第１の高レベル（ＶＤＤ）に変化させると共に、第２のスイッチング素子ＳＷ２をオンし、第１及び第３のスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ３をオフする。 - 特許庁

Once the electron emitting element 16a is driven, an electron jumps over a gap G while moving toward the second electrode 22 from the first electrode 21, and when it is accelerated toward the front substrate by an anode voltage, it is shifted by the potential of the third electrode 23.例文帳に追加

この電子放出素子１６ａを駆動すると、第１電極２１から第２電極２２に向けてギャップＧを電子が飛び越え、アノード電圧によって前面基板に向けて加速されるとき、第３電極２３の電位によってシフトされる。 - 特許庁

A forth glass layer 34 is formed between a second talc 22 filled in a holder 20 and an inner circumferential face 19 of the holder 20, and a third glass layer 33 is also formed between the second talc 22 and an outer circumferential face 18 of a detection element 10.例文帳に追加

ホルダ２０内に充填される第２滑石２２と、ホルダ２０の内周面１９との間に第４ガラス層３４が形成され、第２滑石２２と検出素子１０の外周面１８との間にも第３ガラス層３３が形成される。 - 特許庁

On the basis of a signal outputted when an article sensor 50 detects the existence of a cup or the entry of an article in the cup holding element 12, a third controlling portion 307 is actuated to control a function of a second controlling portion 304 to be invalid.例文帳に追加

物体センサー５０がカップ保持体１２内にカップの存在または物体の侵入を検出した時に出力される信号に基づいて第３制御部３０７を動作させて第２制御部３０４の機能を無効状態に制御する。 - 特許庁

This manufacturing method, additionally, includes a step of forming the remaining color filter elements on the aperture formed, by removing the hard mask in which respective peripheral areas of the second and third color filter elements form the color filter surrounded by a first color filter element.例文帳に追加

次いで、ハードマスクを除去して形成された開口部に残りの色フィルタ成分を形成する工程を有し、第２色目フィルタ成分と第３色目フィルタ成分のそれぞれの周囲が、第１色目フィルタ成分で囲まれたカラーフィルタを形成する。 - 特許庁

When a still image switch 72 is turned on, a rotary shutter 37 is rotated, a white light source 30 emits the light, write to the first and second image memories 58a and 58b is inhibited, and the output of the image pickup element is stored in third and fourth image memories 58c and 58d.例文帳に追加

静止画スイッチ７２がオンするとロータリーシャッター３７が回転して白色光源３０が発光し、第１，第２画像メモリ５８ａ，５８ｂへの書き込みが禁止され、撮像素子の出力は第３，第４画像メモリ５８ｃ，５８ｄに記憶される。 - 特許庁

This optical head apparatus is constituted so that temperature compensation is performed by forming the diffraction element at only the outer circumferential part of the objective lens, an optical disk for CD is used with smaller magnification than that the third order spherical aberration is made 0 and residual aberration is compensated by phase level difference.例文帳に追加

回折素子を対物レンズ外周部のみに形成することにより温度補償を行い、ＣＤ用光ディスクは３次球面収差を０にするよりも小さい倍率で使用し、残存収差を位相段差で補正するように構成する。 - 特許庁

This cleaning member 4 contacts-slides the surface of an adjacent lens element L10 during retreating motion from the optical axis and entry motion into the optical axis of the third lens group 31G, and wipes the contamination such as dusts and dirt on the surface.例文帳に追加

この清掃部材４は、第３レンズ群３１Ｇの光軸上からの退避動作および光軸上への進入動作の際に、隣接するレンズ要素Ｌ１０の表面に当設・摺動し、当該表面の塵や埃などの異物を払拭する。 - 特許庁

Thereby, the MR element 5 and the pair of bias layers 6 can be sufficiently surely insulated from the second magnetic shield layer 12 even if the first insulating layer 4 and the third insulating layer 10 are thinly formed.例文帳に追加

これにより、第１の絶縁層４及び第３の絶縁層１０の厚さを薄く形成した場合でも、ＭＲ素子５及び一対のバイアス層６と、第２の磁気シールド層１２との絶縁性を十分に且つ確実に確保することができる。 - 特許庁

In a mode C, the first clock is kept at the VDD, the second clock CKb is changed from the GND to a high level (VDD), the third switching element SW3 is turned on, and the first and second switching elements SW1 and SW2 are turned off.例文帳に追加

モードＣにおいて、第１のクロックＣＫａをＶＤＤに維持し、第２のクロックＣＫｂをＧＮＤから高レベル（ＶＤＤ）に変化させると共に、第３のスイッチング素子ＳＷ３をオンし、第１及び第２のスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２をオフする。 - 特許庁

The power supply receptacle comprises a resistance element 2 for detecting a circuit current through an electric circuit; first to third comparing circuits for judging a detected current level in three stage thresholds; an LED 18 for emitting light of two colors of green and red; and driving circuits 10, 20 for the LED.例文帳に追加

電路４に介在させた電路電流を検出する抵抗素子２と、検出した電流レベルを３段階の閾値で判断する第１〜第３の比較回路と、緑と赤の２色発光するＬＥＤ１８と、その駆動回路１０，２０を設けた。 - 特許庁

Furthermore, it is also possible, for example, to increase the number of channels of an output side and make the element have an output terminal for monitoring by bonding by selecting properly the third arrayed waveguide grating chip 121_3 comprising an output side slab wave guide 71.例文帳に追加

更に出力側スラブ導波路７１を構成する第３のＡＷＧチップ１２１_3を適宜選択して接合することで、たとえば出力側のチャネル数を増やしたり、モニタ用の出力端子を具備したものにすることも可能である。 - 特許庁

Then, a third insulation film for an interlayer insulation film is formed after forming a second insulating film which is an amorphous compound consisting of fluorine and carbon working as an etching stopper during etching of an interlayer insulation film, on the semiconductor element.例文帳に追加

次に、前記半導体素子上に層間絶縁膜のエッチング時にエッチングストッパーとして働く、フッ素と炭素から成るアモルファス状の化合物である第２の絶縁膜を形成した後、前記層間絶縁膜として第３の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In the array waveguide diffraction grating element 61C, first to third parts 141-143 are joined in joining surfaces 144 and 145 in both or either one of an input side slab waveguide 69 and an output side slab waveguide 71.例文帳に追加

アレイ導波路回折格子素子６１Ｃは、その入力側スラブ導波路６９と出力側スラブ導波路７１の双方あるいはいずれか一方における接合面１４４、１４５で第１〜第３の部品１４１〜１４３が接合されている。 - 特許庁

Moreover, the ejection period includes a third stage in which the liquid droplet that has flowed in the first flow path 10 in the second stage is ejected from the ejection port 9 and the voltage that expands the volume of the second flow path 11 is applied to the piezoelectric element 13.例文帳に追加

また、吐出期間は、第二の段階において第一の流路１０内に流入した液滴が吐出口９から吐出され、かつ、第二の流路１１の容積を膨張させる電圧を圧電素子１３に印加する第三の段階を含む。 - 特許庁

A photoelectric conversion element (an MIS type PD section) and a switch TFT section are laminated in the order of a first electrode layer of the same member, an insulating layer 305, a semiconductor layer 306, an ohmic contact layer 307, a second electrode layer, and a third electrode layer.例文帳に追加

光電変換素子（ＭＩＳ型ＰＤ部）及びスイッチＴＦＴ部を、夫々同一部材の第１の電極層、絶縁層３０５、半導体層３０６、オーミックコンタクト層３０７、第２の電極層、第３の電極層の順で積層する。 - 特許庁

Vibration arm parts 7 and 8 are formed symmetrically with respect to the center axis of this double-tuning-fork piezoelectric vibration element via a space 9, and composed of first vibration parts 7a and 8a, second vibration parts 7b and 8b, and third vibration parts 7c and 8c, respectively.例文帳に追加

振動腕部７、８は、空隙９挟んで双音叉型圧電振動素子の中心軸に対し対称に形成され、夫々第１の振動部７ａ、８ａ、第２の振動部７ｂ、８ｂ、第３の振動部７ｃ、８ｃから構成される。 - 特許庁

The third side face 2e and fourth side face 2f of the chip element assembly 2 are composed of the same ceramic material as the first and second side faces 2c and 2d, and have different colors by the difference of the sintering degrees of the first and second side faces 2c and 2d.例文帳に追加

チップ素体２の第３の側面２ｅ及び第４の側面２ｆとは、第１及び第２の側面２ｃ，２ｄと同じセラミック材料で構成され、第１及び第２の側面２ｃ，２ｄと焼結度合いが異なることにより色が異なる。 - 特許庁

The first antenna element 11 for the low band and second and third antenna elements 12, 13 for the high band and a microstrip line 14 acting like a feeding line connected to base ends of the antenna elements 11 to 13 are provided to one side of a dielectric board 10.例文帳に追加

誘電体基板１０の片面に、ローバンド用の第１のアンテナ素子１１およびハイバンド用の第２および第３のアンテナ素子１２，１３と、各アンテナ素子１１〜１３の基端側と接続された給電ラインであるマイクロストリップ線路１４とを設ける。 - 特許庁

The beam shaping device may include: a beam shaping unit for converting the first laser light into the cylindrical second laser light internally having a dark columnar space; and an optical element for making the optical axis of the third laser light virtually coincide with the optical axis of the second laser light.例文帳に追加

ビーム整形装置は、第１レーザ光を内部に暗い柱状の空間が存在する筒状の第２レーザ光に変換するビーム整形部と、第３レーザ光の光軸を前記第２レーザ光の光軸と実質的に一致させる光学素子と、を備えてもよい。 - 特許庁

If the rotational center of the second rotor 4 is still axially misaligned (a) from the rotating shaft 7a of the rotational contact element 7, the axial misalignment is dissolved by an absorbing rotor 5 sliding between the second rotor 4 and a third rotor 6.例文帳に追加

このとき、第２の回転体４の回転中心と回転型接点素子７の回転軸７ａとが、まだａだけ軸ずれしていても、この軸ずれを第２の回転体４と第３の回転体６とに対してスライドする吸収回転体５が解消することとなる。 - 特許庁

This semiconductor device is interposed between a second conductor member 5 and a third conductor member 6, and a capacitor 14, connected in parallel with the element of an FWD chip 2, is integrally molded with the FWD chip 2 with resin 9.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、第２の導体部材５と第３の導体部材６との間に介在されるとともに、ＦＷＤチップ２の素子に対して並列に接続されたコンデンサ１４を、樹脂９によってＦＷＤチップ２などと一体的にモールドしている。 - 特許庁

In such a constitution, the wiring 67 and the resistant element 70 are formed of the third polysilicon layer forming the plate electrode 60 so that the steps peculiar to DRAM may be effectively used, thereby making feasible of simplifying the steps as well as attaining to the design efficiency.例文帳に追加

配線６７と抵抗素子７０は、プレート電極６０を形成する第３ポリシリコン層を用いて形成するため、ＤＲＡＭ特有の工程を有効に活用し、工程の簡略化を図ることができるとともに、設計の効率化を図ることができる。 - 特許庁