「third element」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

A Rayleigh scattered light state calculating part 103 calculates the light absorbing state due to Rayleigh scattered light in the porous member constituting the detection element 101 from the first correcting absorbance of the detection element 101 measured from a second wavelength by an absorbance measuring part 102 and the second correcting absorbance of the detection element 101 measured from a third wavelength by the absorbance measuring part 102.例文帳に追加

レイリー散乱光状態算出部１０３は、吸光度測定部１０２が第２波長で測定した検知素子１０１の第１補正用吸光度、および吸光度測定部１０２が第３波長で測定した検知素子１０１の第２補正用吸光度より、検知素子１０１を構成する多孔体におけるレイリー散乱光による光吸収の状態を算出する。 - 特許庁

This air vent in particular for the vehicle has an air flow-out passage, several operation elements adjusting the direction of flowing-out and volume flow rate of air stream and designed as sliding elements, the first sliding element 14 moving horizontal vanes 16, the second sliding element 18 moving vertical vanes 20, and the third sliding element 22 moving a shutoff flap 24.例文帳に追加

本発明は、空気流出通路と、空気流の流出方向及び体積流量を調節し且つ、摺動要素として設計された幾つかの作動要素と、水平方向ベーン１６を動かす第一の摺動要素１４と、垂直方向ベーン２０を動かす第二の摺動要素１８と、遮断フラップ２４を動かす第三の摺動要素２２とを有する、特に、車用の通気口に関する。 - 特許庁

The first element region 24 has a first gate insulating film 27, the second element region 25 has a second gate insulating film 28, the third element region 26 has a memory insulating film 29, and the second gate insulating film 28 has a first insulating film 281 and a second insulating film 282.例文帳に追加

半導体基板１１に第１の素子領域２４と第２の素子領域２５と第３の素子領域２６とを設け、第１の素子領域２４に第１のゲート絶縁膜２７を備え、第２の素子領域２５に第２のゲート絶縁膜２８を備え、第３の素子領域２６にメモリ絶縁膜２９を備え、第２のゲート絶縁膜２８は、第１絶縁膜２８１と第２絶縁膜２８２とを有している。 - 特許庁

The driving pulse 300 has a first pulse part Pwc which generates a negative pressure to the pressure chamber 13 by shifting the piezoelectric element 17 from an initial base state to a contraction state, a second pulse part Pwh which holds the piezoelectric element 17 still in the contraction state for a predetermined time, and a third pulse part Pwd which shifts the piezoelectric element 17 to the base state.例文帳に追加

駆動パルス３００は、圧電素子１７を、初期の基底状態から収縮状態へと推移させて圧力室１３に負圧を発生させる第１のパルス部分Ｐｗｃと、圧電素子１７を収縮状態のまま所定の時間保持させる第２のパルス部分Ｐｗｈと、圧電素子１７を基底状態へと推移させる第３のパルス部分Ｐｗｄとを有している。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device has the steps of: introducing a second p type impurity into an n well containing a gate electrode and the resistance element to form a p channel type MOSFET and adjust the resistance value of the resistance element; and introducing a third n type impurity into an upper layer electrode of a capacity element containing a first p type impurity to convert into an n type.例文帳に追加

ゲート電極を含むｎウエルと抵抗素子とに第二ｐ型不純物を導入してｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴの形成と抵抗素子の抵抗値の調整とをそれぞれ行う工程と、第一ｐ型不純物を含有する容量素子の上層電極に第三ｎ型不純物を導入してｎ型に変換する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element that has a current constriction structure, which is excellent in crystallinity of a regrowth layer (third layer) formed on a current constriction layer (second layer) and has excellent current stopping characteristics, and then has element characteristics and reliability improved, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

電流狭窄層（第２の層）上に形成される再成長層（第３の層）の結晶性が良好であるとともに、良好な電流阻止特性を有する電流狭窄構造を有し、これにより素子特性および信頼性が改善された窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In an imaging unit 400 wherein an optical low pass filter 410, a piezoelectric element 430, an imaging element 33 or the like are provided as a unit, the optical low pass filter 410 is separated into a plurality of members in a photographing optical axis direction; comprising a first group optical member 411, a second group optical member 412, and a third group optical member 413.例文帳に追加

光学ローパスフィルタ４１０、圧電素子４３０、撮像素子３３等がユニット化された撮像ユニット４００において、光学ローパスフィルタ４１０は、撮影光軸方向に複数に分離されており、第１群の光学部材４１１、第２群の光学部材４１２、及び第３群の光学部材４１３によって構成される。 - 特許庁

In the second state, a current comparator 24 compares a current I_S2(t) flowing to the third switching element 25 with a reference current I_REF; and when the current I_S2(t) is smaller than the reference current I_REF, it changes the output voltage from "low" to "high", and it sets the switching element control circuit 6 again.例文帳に追加

電流比較器２４は、第２の状態において、第３のスイッチ素子２５に向かって流れる電流Ｉ_Ｓ２（ｔ）と、基準電流Ｉ_ＲＥＦとを比較し、電流Ｉ_Ｓ２（ｔ）が基準電流Ｉ_ＲＥＦより小さい時に、出力電圧を「ロー」から「ハイ」とし、スイッチ素子制御回路６を再度セット状態とする。 - 特許庁

A first regulation means 106 for regulating the control signal applied to the third terminal of the three-terminal element and a second regulation means 105 for regulating a voltage applied to the second terminal establish impedance matching between the characteristic impedance of the line and impedance between the first and the second terminals of the three-terminal element.例文帳に追加

三端子素子の第３端子に印加される制御信号を調整する第１調整手段１０６と、第２端子に印加される電圧を調整する第２調整手段１０５とにより、線路の特性インピーダンスと三端子素子の第１端子と第２端子間のインピーダンスをインピーダンス整合させる。 - 特許庁

A camera arrangement includes a three-dimensional image capture portion arranged to capture a first stereoscopic image composed of a first and a second image and a further camera element spaced apart from the three-dimensional capture portion, the further camera element being arranged to capture a third image which forms a second stereoscopic image when viewed with either the first or second image.例文帳に追加

第１の画像および第２の画像から成る第１の立体画像を撮像する３次元画像撮像部と、３次元画像撮像部から離間しており、第１の画像または第２の画像と合わせて見ると第２の立体画像となる第３の画像を撮像する追加カメラ部とを具備するカメラ装置が提供される。 - 特許庁

A plurality of substrates (a first substrate 9, a second substrate 10, a third substrate 11) mounting an optical unit 5 comprising a semiconductor laser element (LD) 14, a collimator lens 5a, anamorphic prisms 5b and 5c, a beam splitter 7, and a photodiode 8, and electronic components for controlling the operation of the semiconductor light emitting element are fixed to a case 30.例文帳に追加

ケース３０に、半導体レーザ素子（ＬＤ）１４と、コリメータレンズ５ａ、アナモルフィックプリズム５ｂ、５ｃ、ビームスプリッタ７、フォトダイオード８からなる光学ユニット５と、前記半導体発光素子の動作を制御する電子部品をそれぞれ実装した複数の基板（第１の基板９、第２の基板１０、第３の基板１１）とを装着する。 - 特許庁

A first electric motor 4 for giving operating reaction to a steering member 2 is connected to a sun gear 15 as a first element for a differential transmission mechanism 5 and a second electric motor 20 for varying a steering ratio (or assisting steering) is connected to a ring gear 18 as a third element for the differential transmission mechanism 5.例文帳に追加

操舵部材２に操作反力を与えるための第１の電動モータ４を差動伝達機構５の第１要素としての太陽ギヤ１５に連結する一方、転舵比可変用（又は操舵補助用）の第２の電動モータ２０を差動伝達機構５の第３要素としてのリングギヤ１８に連結する。 - 特許庁

When the relational database structure has a fixed restriction, the mapping section 34 identifies a condition when the corresponding relationship holds between a fourth element among the plurality of second elements to a third element selected from among the plurality of first elements, and generates mapping including the conditional correspondence relationship.例文帳に追加

マッピング部３４は、リレーショナルデータベースの構造が決定済みの制約である場合、複数の第１要素から選択された第３要素に対して、複数の第２要素のうちの第４要素との間に対応関係が成り立つ場合の条件を識別し、条件付きの対応関係を含むマッピングを生成する。 - 特許庁

The inner end of the thin film coil element 19 is connected to one of connection pads 6 for thin film coil element provided on a semiconductor substrate 4 through a columnar electrode 21, third connecting wiring 29 provided on the top surface of an upper insulating film 25, another columnar electrode 22, and second connecting wiring 16.例文帳に追加

そして、薄膜コイル素子１９の内端部は、柱状電極２１、上層絶縁膜２５の上面に設けられた第３の接続配線２９、柱状電極２２および第２の接続配線１６を介して半導体基板４上の一方の薄膜コイル素子用接続パッド６に接続されている。 - 特許庁

When the light receiving element 55 is obtained by, for instance, a semiconductor light receiving element, the optical beams of the first to third wavelength can be surely received, respectively, in the light receiving regions by forming the light receiving regions so that dimensions such as the junction depth of pn junction become dimensions corresponding to respective wavelengths.例文帳に追加

受光素子５５が、たとえば半導体受光素子によって実現される場合、ｐｎ接合の接合深さなどの寸法が各波長に応じた寸法になるように、受光領域を形成することによって、第１〜第３波長の光ビームを、各受光領域でそれぞれ確実に受光することができる。 - 特許庁

Further, the method comprises the steps of: after the disposition of the spare wires, disposing an element on the first wiring layer; after the disposition of the element, disposing a signal wire on at least one of the first to the third wiring layers; and by use of the spare wires, performing a wiring design change.例文帳に追加

さらに、この方法は、前記スペア配線の配置後に、前記第１配線層に素子を配置する工程と、前記素子の配置後に、前記第１乃至第３配線層の少なくともいずれか１つに信号配線を配置する工程と、前記スペア配線を用いて、配線の設計変更を行う工程と、を備える。 - 特許庁

Then, a second insulating film 17A made of silicon nitride is etched by a heated phosphor aqueous solution with the third exposed insulating film 18A as the mask, thus removing a portion for covering the logic element formation region 32 containing the buried element separation film 15B in the second insulating film 17A.例文帳に追加

次に、露出した第３の絶縁膜１８Ａをマスクとして、窒化シリコンからなる第２の絶縁膜１７Ａに対して、熱リン酸水溶液によるエッチングを行なうことにより、第２の絶縁膜１７Ａにおける埋め込み素子分離膜１５Ｂを含むロジック素子形成領域３２を覆う部分を除去する。 - 特許庁

The variable attenuator includes a first input/output terminal 1a, a second input/output terminal 1b, a first FET 2a as a first switching element, a second FET 2b as a second switching element, a first resistor 3a, a second resistor 3b, a third resistor 3c, a first inductor 4a and a second inductor 4b.例文帳に追加

可変減衰器は、第１の入出力端子１ａと、第２の入出力端子１ｂと、第１のスイッチング素子としての第１のＦＥＴ２ａと、第２のスイッチング素子としての第２のＦＥＴ２ｂと、第１の抵抗３ａと、第２の抵抗３ｂと、第３の抵抗３ｃと、第１のインダクタ４ａと、第２のインダクタ４ｂとを有している。 - 特許庁

A first antenna element 15 has a branch structure of first, second branch elements 15A, 15B, a second antenna element 16 has a branch structure of third, fourth branch elements 16A, 16B, and a low coupling circuit 17 which increases in susceptance as the frequency increase is provided between the first and second antenna elements 15, 16.例文帳に追加

第１のアンテナ素子１５を第１，第２の分岐素子１５Ａ，１５Ｂの分岐構造とし、第２のアンテナ素子１６を第３，第４の分岐素子１６Ａ，１６Ｂの分岐構造とし、第１，２のアンテナ素子１５，１６の間に周波数の増加に対してサセプタンスが増加する低結合回路１７を設ける。 - 特許庁

The non-contact power supply device has a function that determines the oscillation timing of a pulse signal input to a gate terminal of the switching element that excites the secondary-side winding by using first to third flip-flops 103, 116 and 102, first and second counter circuits 104, 105, and a both-end voltage variable circuit 117 composed of a logic element group 118.例文帳に追加

２次側巻線を励磁するスイッチング素子のゲート端子に入力するパルス信号の発振タイミングを、第１〜３のフリップフロップ１０３，１１６，１０２と、第１，２のカウンタ回路１０４，１０５および論理素子群１１８からなる両端電圧可変回路１１７によって決定する機能を備えて構成した。 - 特許庁

The temperature compensation crystal oscillator comprises a crystal vibrator, an amplifier, and a temperature control circuit and adopts a three-layer structure by overlapping a first package housing the crystal vibration element, a second package housing the amplifier and the temperature control circuit, and a third package housing an ECL (Emitter-Coupled Logic) element and electronic components.例文帳に追加

水晶振動子、増幅器、温度制御回路からなる温度補償水晶発振器であって、水晶振動素子を収容した第１のパッケージと、増幅器、温度制御回路を収容した第２のパッケージと、ＥＣＬ素子、電子部品を収容した第３のパッケージとを重ねて三層構造とする。 - 特許庁

Further, the antenna device has a third conductive part for connecting a ground on the other end side of the first antenna element with a ground on the second end part side of the second conductive part, and a fourth conductive part for connecting the ground pattern on the other end side of the second antenna element with the ground pattern on the second end part side of the second conductive part.例文帳に追加

さらに、上記アンテナ装置は、第１のアンテナ素子の他端側のグランドと第２の導電部の第２の端部側のグランドとをつなぐための第３の導電部と、第２のアンテナ素子の他端側のグランドパターンと第２の導電部の第２の端子側のグランドパターンとをつなぐための第４の導電部とを有する。 - 特許庁

The elements are connected in series between input terminals of a reception side IC, and a third resistor element and a first capacitor element are connected in series between the midpoint of the first and a second resistor elements and the GND of a printed wiring board.例文帳に追加

差動信号伝送線路における２つの線路の差動インピーダンスの約１／２である抵抗値を有する第１、第２の抵抗素子を、受信側ＩＣの入力端に直列にして接続し、第１、第２の抵抗素子の中点とプリント配線板のＧＮＤとの間に、第３の抵抗素子と第１のコンデンサ素子を直列に接続する。 - 特許庁

Third light 33 outgoing from a light source 13 and reflected by a reflector 15 illuminates a large part near the reflector 15 of the display element 11, and fourth light 34 reflected by the reflector 15 is reflected by a reflecting plate 16 and illuminates a large part near the reflecting plate 16 of the display element 11.例文帳に追加

光源１３から出射しリフレクタ１５で反射した第３の光３３は、リフレクタ１５に近い表示素子１１の大部分を照明し、リフレクタ１５で反射した第４の光３４は、反射板１６で反射し、この反射光は、反射板１６に近い表示素子１１の大部分を照明する。 - 特許庁

This gas sensor 1 is equipped with the cylindrical main metal fitting 2; the detection element 25 inserted into the main metal fitting 2 and fixed thereto; and the first sealing layer 51A, the second sealing layer 51B and the third sealing layer 51C filled between the main metal fitting 2 and the detection element 25, for sealing the interval.例文帳に追加

ガスセンサ１は、筒状の主体金具２と、主体金具２に挿入され固定された検出素子２５と、主体金具２と検出素子２５との隙間に充填され、これらの間を封止する第１充填封止層５１Ａ，第２充填封止層５１Ｂ，第３充填封止層５１Ｃとを備える。 - 特許庁

A third piezoelectric element (C) arranged on one side of the protrusive part 3 and a fourth piezoelectric element (D) arranged on the other side are arranged on a straight line, passing through the protrusive part 3 and is orthogonal to the arraying direction of the first/second piezoelectric elements on the lower face 2b side of the metal plate 2.例文帳に追加

さらに、金属板２の下面２ｂ側には、突起部３の一方側に配置された第３圧電素子Ｃと他方側に配置された第４圧電素子Ｄとが、突起部３を通過する直線上であって、前記第１及び第２圧電素子の配列方向とは直交する直線上に配置されている。 - 特許庁

The thickness (a) of a second insulation film 7 formed on a control electrode 8 in an element 100 is 1/3 or less the thickness (b) of a third insulation film 10 formed on the principal plane side of a semiconductor layer 2, in a terminal 200 which is adjacent to the element 100 wherein the control electrode 8 is formed.例文帳に追加

素子部１００における制御電極８の上に設けられた第２の絶縁膜７の厚さａが、制御電極８が設けられる素子部１００に対して隣接した終端部２００において半導体層２の主面側に設けられた第３の絶縁膜１０の厚さｂの１／３以下である。 - 特許庁

There are provided a first conductive first semiconductor region disposed on a semiconductor substrate, a second conductive second semiconductor region constructing a photoelectric conversion element together with part of the first semiconductor region, and a gate electrode for transferring electric charges generated in the photoelectric conversion element to a second conductive third semiconductor region.例文帳に追加

半導体基板に配される第１導電型の第１の半導体領域と、その一部と光電変換素子を構成する第２導電型の第２の半導体領域と、光電変換素子で生成した電荷を第２導電型の第３の半導体領域へ転送するゲート電極とを有している。 - 特許庁

To provide a structure of a non-reciprocative circuit element in which a substrate having three center conductors laminated thereon, first-third matching capacitors and a terminating resistor are provided on the substrate so as to be stuck, and the three center conductors can be connected to the first-third matching capacitors and the terminating resistor by a simple assembly work.例文帳に追加

３つの中心導体を積層した基板を具えると共に、第１乃至第３整合用コンデンサ及び終端抵抗を前記基板に重ねて配備し、然も、３つの中心導体を第１乃至第３整合用コンデンサ及び終端抵抗に簡易な組立作業により接続可能な非可逆回路素子の構造を提供する。 - 特許庁

In the front vertical wind direction plate 1 disposed in the indoor unit of the air conditioner, a third range 1c excluding a second range 1b of a prescribed width from an edge section of a first range 1a entered into the infrared-receivable range of the receiving section (infrared-receiving element) is formed thinner than a forth range 1d that excludes the third range 1c.例文帳に追加

空気調和機の室内機に設置された前面上下風向板１は、受信部（赤外線受光素子）の赤外線受光可能範囲内に侵入する第１範囲１ａが、縁部から所定の幅の第２範囲１ｂを除く第３範囲１ｃが、第３範囲１ｃを除く第４範囲１ｄよりも薄く形成されている。 - 特許庁

The second Josephson transfer line circuit (105) is connected between the first and third Josephson transfer line circuits (104), (106), includes a Josephson junction element and a superconducting inductor, and outputs input single fluxoid quantum pulses at a uniform pulse interval by slowing or delaying the transfer of inputted single fluxoid quantum pulses as compared with the first and third Josephson transfer line circuits (104), (106).例文帳に追加

第２のジョセフソン転送ライン回路は、第１及び第３のジョセフソン転送ライン回路の間に接続され、ジョセフソン接合素子及び超電導インダクタを含み、第１及び第３のジョセフソン転送ライン回路に比べて入力単一磁束量子パルスを鈍化又は遅延して転送することによりそのパルス間隔を均一化して出力する。 - 特許庁

The processor 10 controls the frequency generator 11 based on the relation between the frequency of the first electric signal 201 and the voltage of the second electric signal 201 (or the third electric signal 202 or a feed back frequency) and generates the first electric signal 201 (or the third electric signal 202) having a suitable frequency to give to the piezoelectric energy element 13.例文帳に追加

プロセッサ１０は第１の電気信号２０１の周波数と第２の電気信号２０１（または第３の電気信号２０２）の電圧値（またはフィードバック周波数値）との関係に基づいて周波数生成器１１を制御して好適な周波数の第１の電気信号２０１（または第３の電気信号２０２）を生成して圧電エネルギ素子１３に与える。 - 特許庁

In a light emitting element having a single layer light emitting layer, the light emitting layer is sandwiched by a first quantum wave interference layer comprising first layers and second layers having a wider band width than the first layer laid in layers at a multiplex period, and a second quantum wave interference layer comprising third layers and fourth layers having a wider band width than the third layer laid in layers at a multiplex period.例文帳に追加

単層の発光層を有する発光素子において、発光層を第１層と第１層よりもバンド幅の広い第２層とを多重周期で積層した第１の量子波干渉層と第３層と第３層よりもバンド幅の広い第４層とを多重周期で積層した第２の量子波干渉層とで挟んだ構成とする。 - 特許庁

The sectorial radiation element 14 is divided into first to third areas A1, A2, A3 by a first line segment L1 connecting the center point 140 and the signal feeding point 141, a second line segment L2 connecting the center point 140 and a right side contact 142, and a third line segment L3 connecting the center point 140 and left side contact 143.例文帳に追加

扇形放射素子１４は、中心点１４０と信号給電点１４１とを結ぶ第１の線分Ｌ１と、中心点１４０と右側接点１４２とを結ぶ第２の線分Ｌ２と、中心点１４０と左側接点１４３とを結ぶ第３の線分Ｌ３と、によって第１乃至第３の領域Ａ１，Ａ２，Ａ３に分割される。 - 特許庁

The lead electrode includes: a first part connected to the piezoelectric element in the sealed space; a second part arranged between the joint substrate and the vibration plate and connected to the first part; a third part arranged between the joint substrate and the vibration plate and connected to the second part; and a fourth part arranged outside the sealed space and connected to the third part.例文帳に追加

リード電極は、封止空間内において圧電素子に接続される第１部分と、接合基板と振動板との間に配置され、第１部分と結ばれる第２部分と、接合基板と振動板との間に配置され、第２部分と結ばれる第３部分と、封止空間外に配置され、第３部分と結ばれる第４部分と、を有する。 - 特許庁

Then the optical semiconductor device has a third semiconductor region provided on a region of a semiconductor layer isolated from the first semiconductor region and second semiconductor region by an element isolation region, and having the first conductivity type, and a fourth semiconductor region provided between a semiconductor substrate and the third semiconductor region and having the first conductivity type.例文帳に追加

そして、素子分離領域により前記第１半導体領域および前記第２半導体領域と分離された半導体層の領域に設けられ、第１導電型を有する第３半導体領域と、前記半導体基板と前記第３半導体領域の間に設けられ、第１導電型を有する第４半導体領域とを備える。 - 特許庁

The polarizing element is equipped with: a polarizer; a first optical element satisfying inequalities (1) and (2); a second optical element satisfying inequalities (3) and (4); a third optical element satisfying inequalities (5) and (6) sequentially in this order.例文帳に追加

本発明の偏光素子は、偏光子と、下記式（１）および（２）を満足する第１光学素子と、下記式（３）および（４）を満足する第２光学素子と、下記式（５）および（６）を満足する第３光学素子とをこの順に備える： ２００ｎｍ≦Ｒｅ［５９０］≦３５０ｎｍ …（１） Ｒｅ［５９０］＞Ｒｔｈ［５９０］ …（２） ７０ｎｍ≦Ｒｅ［５９０］≦２１０ｎｍ …（３） Ｒｅ［５９０］＞Ｒｔｈ［５９０］ …（４） Ｒｅ［５９０］＞０ｎｍ …（５） Ｒｅ［５９０］＜Ｒｔｈ［５９０］ …（６）［ただし、Ｒｅ［５９０］、Ｒｔｈ［５９０］は、それぞれ２３℃における波長５９０ｎｍの光で測定したフィルム面内の位相差値、厚み方向の位相差値とする。 - 特許庁

The piezoelectric energy element 13 generates a series of a correspondent second electric signal 203 (or a forth electric signal 205 after conversion) based on the first electric signal 201 or the third electric signal 202 to give to the processor 10.例文帳に追加

圧電エネルギ素子１３は第１の電気信号２０１または第３の電気信号２０２に基づいて一連の対応する第２の電気信号２０３（または転換後の第４の電気信号２０５）を生成してプロセッサ１０に与える。 - 特許庁

The information display device includes a display element 60, a plurality of LEDs 70 of a first irradiation section, a plurality of the LEDs 70 of a second irradiation section, a third irradiation section, a case 66, an ambient light monitor section 54, and a controller 62.例文帳に追加

情報表示装置は、表示部６０と、第１照射部の複数のＬＥＤ７０と、第２照射部の複数のＬＥＤ７０と、第３照射部と、筐体６６と、周囲光監視部５４と、制御部６２とを含む。 - 特許庁

With end parts of the first conductor 35 and the second conductor 36 as input/output ports P1 and P2, with an end part of the third conductor 37 as a ground port P3, a resistance element R is connected across the input/output ports P1 and P2, being parallel to the first conductor 35 and the second conductor 36.例文帳に追加

第1導体35及び第2導体36の端部を入出力ポートP1,P2とし、第3導体37の端部をグランドポートP3とし、入出力ポートP1,P2間に抵抗素子Rが第1導体35及び第2導体36に対して並列に接続されている。 - 特許庁

In the plane view from the side of an object F, the light shielding layer BM and the insulation layer 28 overlap with the separation region between the second and third electrodes 24, and the light receiving surface of the light receiving element D is positioned inside the opening of the light shielding layer BM.例文帳に追加

対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭと絶縁層２８は第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 - 特許庁

The second switch network 20 is connected between a Hall element HAL and an input terminal of an error amplifier AMP1, and the third switch network 30 is connected between a voltage source Vr and the input terminal of the error amplifier AMP1.例文帳に追加

ホール素子ＨＡＬと誤差増幅器ＡＭＰ１の入力端子の間に第２のスイッチ回路網２０を接続し、電圧源Ｖｒと誤差増幅器ＡＭＰ１の入力端子の間に第３のスイッチ回路網３０を接続する。 - 特許庁

By subjecting the sputtering target to sputtering in an oxygen-containing gas, an optical thin film comprising Si and O as the main components, and also comprising a third element other than the main components in the range of 10 to 2,000 ppm in the total content is deposited.例文帳に追加

このようなスパッタリングターゲットを、酸素を含むガス中でスパッタリングすることによって、主成分としてＳｉとＯとを含有し、かつ主成分以外の第三元素を合計量で10〜2000ppmの範囲で含む光学薄膜を成膜する。 - 特許庁

As shown in Fig.1(a), first to third lamination members 12 to 14 and an elastic plate 15 as an antenna configuration element are laminated on a base 11, and are caulked by caulking members 18 provided to the base 11 to form a planar antenna 10.例文帳に追加

図１（ａ）に示すように、ベース１１の上にアンテナ構成部材としての第１〜第３の積層部材１〜１３及び弾性板材１５を積層し、ベース１１に設けられた加締め部材１８にて加締めて平面アンテナ１０とする。 - 特許庁

An imaging element includes a pixel array with pixels arranged in a two-dimensional matrix-form shape; a first signal line extending in the row direction of the pixel array; a second signal line; a third signal line; a first connection part; and a second connection section.例文帳に追加

撮像素子は、画素が２次元行列状に配置された画素アレイと、画素アレイの行方向に延在する第１信号線と、第２信号線と、第３信号線と、第１接続部と、第２接続部とを有している。 - 特許庁