「third element」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

In a capacitor element 10, the area of a second surface 10S_2 is larger than that of a first surface 10S_1 and a third surface 10S_3 is formed to be inclined with respect to a counter surface 30S_T of a resin mold part 30.例文帳に追加

コンデンサ素子１０において、第２表面１０Ｓ_２の面積は第１表面１０Ｓ_１の面積よりも大きく、第３表面１０Ｓ_３は、樹脂モールド部３０の対向面３０Ｓ_Ｔに対して傾斜するように形成される。 - 特許庁

A transistor Q10 supplies the second voltage signal Vr to the gate of the transistor Q4 according to the signal of a third input terminal IN3, and the gate is connected with a fourth input terminal IN4 through a capacitor element C3.例文帳に追加

トランジスタＱ１０は第３入力端子ＩＮ３の信号に応じて第２電圧信号ＶｒをトランジスタＱ４のゲートに供給し、当該ゲートは容量素子Ｃ３を介して第４入力端子ＩＮ４と結合される。 - 特許庁

The inside case gap 70a on the radial inside of a rolling element storage space 17 is formed as a crank structure including a first inside gap portion 21, a second inside gap portion 22 and a third inside gap portion 23.例文帳に追加

転動体配置空間１７よりラジアル方向内側の内側ケース間隙間７０ａは、第１内側隙間部２１、第２内側隙間部２２、及び第３内側隙間部２３とを含んでクランク構造として形成されている。 - 特許庁

The cell monitoring circuit includes: a first capacitor C1 one end of which is connected to the other end of the first switch element SW1; an operational amplifier 103; an AD converter 102; and a control circuit 101 for controlling the fist, third switch elements, the operational amplifier, and the AD converter.例文帳に追加

第１のスイッチ素子ＳＷ１の他端に一端が接続された第１のキャパシタＣ１と、オペアンプ１０３と、ＡＤコンバータ１０２と、第１、３のスイッチ素子、オペアンプと、ＡＤコンバータを制御する制御回路１０１とを備える。 - 特許庁

Additionally, on the side of the substrate, there are a first side for preventing the peel-off between the element and a lead frame, a second side for injecting one portion of the light from the light generation layer to the outside, and a third side for facilitating mounting.例文帳に追加

また、上記基板の側面に、素子とリードフレームとの剥離を防止する第１の側面と、前記発光層からの光の一部を外部に射出する第２の側面と、マウントを容易にする第３の側面と、を設ける。 - 特許庁

Firstly, at least a first epitaxial layer being a p^+ collector layer 1, a second epitaxial layer being a n^+ buffer layer 2, and a third epitaxial layer being an n^- drift layer 3 are laminated as a reverse-side element structure on a surface of a silicon substrate 30.例文帳に追加

まず、シリコン基板３０の表面に、裏面素子構造として、少なくともｐ^+コレクタ層１となる第１エピタキシャル層、ｎ^+バッファ層２となる第２エピタキシャル層、およびｎ^-ドリフト層３となる第３エピタキシャル層を積層する。 - 特許庁

The FD region has a contact for being electrically connected to a gate electrode of the first transistor within the region and is surrounded by gate electrodes G_1 and G_2 of second and third transistors, respectively, and an element isolation region.例文帳に追加

ＦＤ領域は、第１トランジスタのゲート電極と電気的に接続するためのコンタクトを領域内に有し、第２および第３のトランジスタそれぞれのゲート電極Ｇ_１，Ｇ_２ならびに素子分離領域により囲まれていている。 - 特許庁

The OLED element 50A includes a first electrode 310, a second electrode 320, a third electrode 330, a hole injection layer 321, a hole transport layer 322, a luminescent layer 323, an electron transport layer 324 and an electron injection layer 325.例文帳に追加

ＯＬＥＤ素子５０Ａは、第１電極３１０、第２電極３２０、第３電極３３０、正孔注入層３２１、正孔輸送層３２２、発光層３２３、電子輸送層３２４及び電子注入層３２５を備える。 - 特許庁

Only by setting only two kinds of a first voltage VIO and a third voltage VPP as the voltage level, the programming operation can be performed without controlling the voltage level of the counter electrode of the anti-fuse element AF.例文帳に追加

また、本発明では、電圧レベルとして、第１電圧ＶＩＯと第３電圧ＶＰＰの２種類だけを設定すればよいため、アンチヒューズ素子ＡＦの対極の電圧レベルを制御することなく、プログラム動作を実行することができる。 - 特許庁

In a third mode during which an image signal generated by the solid-state imaging element 3 is recorded, light from the subject is not made incident to the optical finder and on the finder, the image formed by the electronic display device 5 is displayed.例文帳に追加

固体撮像素子３が生成した画像信号を記録している第３のモードにおいて、被写体からの光は光学ファインダに入射せず、ファインダには、電子表示装置５によって形成された像が表示される。 - 特許庁

First, second, and third patterns 70, 72, and 74 are formed wherein the positions of the first marks 60A are different from each other by a distance corresponding to one mark element 62 in an X direction and in a Y direction, and the first marks 60A are colored R, G, and B.例文帳に追加

互いに第１マーク６０Ａの位置がマークエレメント６２の１つ分Ｘ方向およびＹ方向において異なり、かつ、第１マーク６０Ａの色をＲ，Ｇ，Ｂとした第１、第２、第３のパターン７０、７２、７４を形成する。 - 特許庁

Reflected light L by a light source 12 from an original is received by a light receiving element 22 through a first reflection mirror 14, a second reflection mirror 16, a third reflection mirror 18 and a lens 20 in this order, so as to read images of the original.例文帳に追加

原稿からの光源１２による反射光Ｌは、第１反射ミラー１４、第２反射ミラー１６、第３反射ミラー１８およびレンズ２０の順に介して、受光素子２２で受光され、原稿画像の読み込みが行われる。 - 特許庁

When air pressure is supplied to the cylinder chamber from an air pressure source 50, the piston is brought close to the partition, and the valve element is separated from the second valve seat and seated on the first valve seat by the repulsion of the magnets, so that the third port communicates with a second port 14b.例文帳に追加

エア圧源５０からシリンダ室にエア圧が供給されると、ピストンが隔壁に寄せられ、弁体が磁石の反発力によって第２弁座から離れて第１弁座に着座して第３ポートと第２ポート１４ｂが連通する。 - 特許庁

The spin accumulation element is composed of a non-magnetic conductor 1, a first magnetic conductor 3, a second magnetic conductor 8 and a third magnetic conductor 6, each of which are in contact with the non-magnetic conductor by a tunnel junction.例文帳に追加

スピン蓄積素子は、非磁性導電体１、第一の磁性導電体３、第二の磁性導電体８、及び第三の磁性導電体６で構成されており、それぞれが、トンネル接合によって、非磁性導電体に接している。 - 特許庁

A first multiplate wet clutch C1 connects the first connection body Ca-Rc-Rd and a fourth element Sb, and a second multiplate wet clutch C2 connects any two of first-third elements Sa, Ca, Ra respectively freely releasably.例文帳に追加

第１湿式多板クラッチＣ１は第１連結体Ｃａ−Ｒｃ−Ｒｄと第４要素Ｓｂとを、第２湿式多板クラッチＣ２は第１〜第３要素Ｓａ，Ｃａ，Ｒａのうちの何れか２つを、夫々解除自在に連結する。 - 特許庁

In addition, the magnetic element is also provided with a third core member 40 which contains the powder of the soft magnetic metal as a material, is higher in the packing rate of the powder of the soft magnetic metal than the second core member 50, and is surrounded by the first core member 20.例文帳に追加

さらに、軟磁性の金属粉末を材質として有すると共に、第２のコア部材５０よりも軟磁性の金属粉末の充填率が高く、かつ第１のコア部材２０により囲まれる第３のコア部材４０を具備している。 - 特許庁

To provide a method for developing a third order nonlinear optical function having large optical nonlinearity, high speed responsiveness and excellent durability and to provide a nonlinear optical element and a nonlinear optical device.例文帳に追加

光学非線形性が大きく、高速応答性を有し、更には耐久性に優れた、３次非線形光学機能を発現させる方法及び非線形光学素子並びに非線形光学装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The electron emitting element 16a has a first electrode 21 connected to the scanning wiring 18a, a second electrode 22 connected to the signal wiring 18d, and a third electrode 23 connected to the adjacent scanning wiring 18b.例文帳に追加

電子放出素子１６ａは、走査配線１８ａに接続された第１電極２１、信号配線１８ｄに接続された第２電極２２、および隣接する走査配線１８ｂに接続された第３電極２３を有する。 - 特許庁

A first and second internal electrodes 10 and 20 being connected to the terminal electrodes, and a first to third intermediate electrodes 31 to 33 being connected to neither of the terminal electrodes are provided in the capacitor element body 4 of the multilayer capacitor 1.例文帳に追加

積層コンデンサ１のコンデンサ素体４内は、端子電極に接続される第１及び第２の内部電極１０、２０と、何れの端子電極とも接続されない第１〜第３の中間電極３１〜３３とを備える。 - 特許庁

The imaging lens for imaging a subject image on a photo-electric conversion part of a solid imaging element includes, in order from the object side, a positive first lens, a positive second lens, a negative third lens, a positive fourth lens, and a negative fifth lens.例文帳に追加

固体撮像素子の光電変換部に被写体像を結像させるための撮像レンズであって、物体側より順に、正の第１レンズと、正の第２レンズと、負の第３レンズ、正の第４レンズ、負の第５レンズからなること。 - 特許庁

The optical element has a wavelength conversion element that carries out wavelength conversion on incident light so that the frequency becomes a double frequency by pseudo-phase matching, using first order matching or third order matching and emits the light, and an inorganic optical filter that is arranged on the light path of the light emitted from the wavelength conversion element.例文帳に追加

上記課題を解決する光学素子は、１次整合又は３次整合を用いた擬似位相整合により、入射した光を２倍の周波数となるように波長変換して出射する波長変換素子と、該波長変換素子から出射される光の光路に配置された無機光学フィルターと、を備え、波長変換素子が、Ｂａ_１−ｙ（Ｍｇ_１−ｘＺｎ_ｘ）_１＋ｙＦ_４（但し、０≦ｘ≦１であり且つ−０．２≦ｙ≦０．２である。 - 特許庁

An antenna apparatus 100 is configured by disposing concentrically within the same plane at least loop-shaped antenna elements, namely, a first loop antenna element 101, a second loop antenna element 102 and a third loop antenna element 103 being communicable in communication frequency bands of 13.56 MHz band, 800 MHz to 1000 MHz bands and 2400 MHz to 2500 MHz bands, and performs communication according to an electromagnetic induction scheme.例文帳に追加

アンテナ装置１００は、少なくとも、１３．５６ＭＨｚ帯、８００ＭＨｚ乃至１０００ＭＨｚ帯、および２４００ＭＨｚ乃至２５００ＭＨｚ帯の通信周波数帯で通信可能なループ状のアンテナ素子、すなわち第一のループアンテナ素子１０１、第二のループアンテナ素子１０２、および第三のループアンテナ素子１０３を、同一平面内で同心円状に配置した構成とし、電磁誘導方式で通信を行う。 - 特許庁

(3) For a registration of categorization as a common element or registration of categorization as a common element of a housing complex, if there is a registration of a right other than a registration of ownership, etc. for the building which is a common element or common element of a housing complex, no application may be filed without the consent of the registered holder of the right pertaining to said registration of the right (in cases where said registration of the right is a registration of a mortgage and mortgage securities have been issued, including the holder or endorser of the mortgage securities) (in cases where there is a registration concerning a third party's right established over said right, the consent of the third party must also be obtained). 例文帳に追加

３　共用部分である旨の登記又は団地共用部分である旨の登記は、当該共用部分又は団地共用部分である建物に所有権等の登記以外の権利に関する登記があるときは、当該権利に関する登記に係る権利の登記名義人（当該権利に関する登記が抵当権の登記である場合において、抵当証券が発行されているときは、当該抵当証券の所持人又は裏書人を含む。）の承諾があるとき（当該権利を目的とする第三者の権利に関する登記がある場合にあっては、当該第三者の承諾を得たときに限る。）でなければ、申請することができない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

This capacitive element is provided with a lower electrode 30 constituted by successively forming first conductive films 18 and 20 including first metal, a second conductive film 22 formed on the first conductive films 18 and 20, and made of metallic oxide including second metal different from the first metal, and a third conductive film 24 formed on the second conductive film 22, and made of third metal different from the first metal.例文帳に追加

第１金属を含む第１導電膜１８，２０と、第１導電膜１８，２０上に形成されて第１金属と異なる第２金属の金属酸化物よりなる第２導電膜２２と、第２導電膜２２の上に形成されて第１金属と異なる第３金属よりなる第３導電膜２４とを順に形成してなる下部電極３０を含む。 - 特許庁

This adhesive film is applicable to mounting a semiconductor element or a semiconductor device and is characterized by comprising a first resin having one or more phenolic hydroxy, a second resin working as an antioxidant and curable, a third resin and a forth resin having lower weight-average molecular weight than that of the third resin.例文帳に追加

本発明の接着フィルムは、半導体素子または半導体装置を実装する際に用いる接着フィルムであって、少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する第１の樹脂と、酸化防止剤として作用し、且つ、硬化反応可能な第２の樹脂と、第３の樹脂と、前記第３の樹脂よりも重量平均分子量の低い第４の樹脂とを含むことを特徴とするものである。 - 特許庁

The antifuse element has: a plurality of MOS transistors; a first electrode to which source electrodes of the plurality of MOS transistors are connected in common; a second electrode to which gate electrodes of the plurality of MOS transistors are connected in common; a third electrode to which at least one of drain electrodes of the plurality of MOS transistors can be connected; and an insulation film formed between the drain electrodes and the third electrode.例文帳に追加

複数のＭＯＳトランジスタと、複数のＭＯＳトランジスタのソース電極が共通に接続された第１の電極と、複数のＭＯＳトランジスタのゲート電極が共通に接続された第２の電極と、複数のＭＯＳトランジスタのドレイン電極の少なくとも１つと接続される第３の電極と、ドレイン電極および第３の電極の間に設けられた絶縁膜と、を有する。 - 特許庁

This display element includes an organic light emitting layer which is successively arranged with metallic electrodes, first transparent electrodes, second transparent electrodes and third transparent electrodes, is arranged between the metallic electrodes and the first transparent electrodes and performs driving by each of pixels, and a guest-host liquid crystal layer which is arranged between the second transparent electrodes and the third transparent electrodes and performs driving by each of the pixels.例文帳に追加

金属電極と第１の透明電極、第２の透明電極、第３の透明電極が順に配置され、金属電極と第１の透明電極との間に配置され画素毎に駆動を行う有機発光層と、第２の透明電極と第３の透明電極との間に配置され画素毎に駆動を行うゲスト・ホスト液晶層とを具備する事を特徴とする表示素子。 - 特許庁

The external resonator type laser apparatus is so constituted that the first and the second light beams are transmitted in the optical waveguide 117 in one direction to generate the third light beam, the second and the third light beams are transmitted in the direction reverse to the one direction to generate a fourth light beam having the first wavelength and the fourth light beam is returned to the light emitting element 101.例文帳に追加

外部共振器型レーザ装置は、光導波路１１７中を一方向に第１の光と第２の光が伝搬して第３の光を発生するとともにそれとは逆の方向に第２の光と第３の光が伝搬して第１の波長を有する第４の光を発生し、かつ、第４の光が発光素子１０１に帰還するように構成されている。 - 特許庁

The second shifting part 8 is provided with a second liquid crystal cell 10 for switching the polarizing direction of the light between two orthogonal directions in response to high/low of a second impressed voltage, a third liquid crystal cell 11 for switching the polarizing direction of the light between two orthogonal directions in response to high/low of a third impressed voltage, and a second birefringent element 13.例文帳に追加

第２のシフト部８は、第２の印加電圧Ｈｉｇｈ／Ｌｏｗに応答して、光の偏光方向を直交する２つの方向の間で切り替える第２の液晶セル１０と、第３の印加電圧のＨｉｇｈ／Ｌｏｗに応答して、光の偏光方向を直交する２つの方向の間で切り替える第３の液晶セル１１と、第２の複屈折素子１３とを備える。 - 特許庁

This objective optical system of an optical information recording and reproducing device has an optical element in a diffraction structure and an objective lens, and a diffraction structure provided with a first area focusing the light flux of at least a third wavelength on the recording surface of a third optical disk and designed to satisfy the predetermined conditions defined by at least two kinds of optical path difference functions.例文帳に追加

回折構造を有する光学素子と対物レンズ、および少なくとも第三の波長の光束を第三の光ディスクの記録面上に収束させる第一の領域を有した、少なくとも二種類の光路差関数で規定される、所定の条件を満たすように設計された回折構造を有する光情報記録再生装置用対物光学系を提供する。 - 特許庁

This flow measuring instrument is provided with the first, second, third, fourth, fifth and sixth temperature detecting resistors having a function of a heat-generating element of radiating heat and a temperature detecting element for detecting a temperature, ranging over from an upstream and a downstream of a fluid, and a circuit for controlling the supply of electric power for heating the temperature detecting resistors.例文帳に追加

流量測定装置において、流体の上流側から下流側にかけて、各々が、熱を発する発熱体および温度を検出する温度検出体の機能を有する第１、第２、第３、第４、第５、第６の感温抵抗体と、感温抵抗体を発熱させる電力の供給を制御する回路を備える。 - 特許庁

The image sensor processing 20 continuously executes, by pipeline processing, a process of setting an exposure time of the imaging element 11 at a first frame immediately after the start-up of the imaging device, making the imaging element 11 accumulate light in the exposure time set at the former frame at a second frame, and outputting the image data by applying a gain set by the second frame at a third frame.例文帳に追加

イメージセンサ処理部２０は、撮像装置の起動直後の１フレーム目で撮像素子１１の露光時間を設定し、２フレーム目で前フレームにて設定された露光時間で撮像素子１１に蓄光させ、２フレーム目までに設定されたゲインを適用して３フレーム目で画像データを出力する処理をパイプライン処理により連続実行する。 - 特許庁

An antenna structure includes: a first antenna element 2 which resonates in a predetermined frequency band; a second antenna element 3 which resonates in a predetermined second frequency band different from the first frequency band; and a short-circuiting part 4 for guiding a current I of a predetermined third frequency band different from the first and second frequency bands to a ground G.例文帳に追加

所定の第１周波数帯域で共振する第１アンテナエレメント２と、第１周波数帯域とは異なる所定の第２周波数帯域で共振する第２アンテナエレメント３と、第１及び第２の周波数帯域とは異なる所定の第３周波数帯域の電流ＩをグラウンドＧに導く短絡部４とを備える。 - 特許庁

Then, an excitation current generated in the transformer T1 is rectified by a rectifying element S3 during the second, third, and fourth periods, an excitation current generated in the transformer T2 is rectified by a rectifying element S4 during the first, second, and fourth periods, and an output voltage Vo obtained by inverting the polarity of an input voltage Vi is supplied to a load 20.例文帳に追加

そして、第２，第３および第４の期間に、トランスＴ１に生成した励磁電流を整流素子Ｓ３により整流し、第１，第２および第４の期間に、トランスＴ２に生成した励磁電流を整流素子Ｓ４により整流し、入力電圧Ｖｉを極性反転した出力電圧Ｖｏを負荷２０に供給する。 - 特許庁

While a voltage is applied between one end and the second electrode so that potential is higher at one end in the case that the voltage between one end and the other end exceeds a threshold voltage of the light emitting element according to a change in potential applied to the third electrode, an electric current flows between one end and the other end to cause the light emitting element to emit light.例文帳に追加

そして、一端部と第２電極との間に一端部の方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、第３電極に付与される電位の変化に応じて、一端部と他端部との間の電圧が発光素子の閾値電圧を超える場合は、一端部と他端部との間に電流が流れて発光素子が発光する。 - 特許庁

The semiconductor substrate which has the initial thickness (first thickness) has only the element formation portion made thin to a second thickness and after a metal layer is formed on its backside, the initial peripheral part which still has the initial thickness (first thickness) of the semiconductor device is ground from the backside to a third thickness to form a peripheral portion which has a small step with the element formation portion.例文帳に追加

初期の厚み（第１の厚み）を有する半導体基板の、素子形成部のみを第２の厚みまで薄化し、その裏面に金属層を形成した後、初期の半導体基板の厚み（第１の厚み）を残した初期周辺部を裏面側から第３の厚みになるまで研削し、素子形成部との段差が少ない周辺部を形成する。 - 特許庁

The display device has a configuration that a cathode potential line 17a connected to a cathode side of the organic EL element 3a is commonly used with the pixel circuit 16b of the previous stage; whereas the first control line 18a and second line 19a for controlling the driving state of the third switching element 8a are commonly used with the pixel circuit 1c of the post stage.例文帳に追加

有機ＥＬ素子３ａの陰極側と接続する陰極電位線１７ａは前段の画素回路１ｂと共用する一方、第２スイッチング素子７ａ、第３スイッチング素子８ａの駆動状態を制御する第１制御線１８ａおよび第２制御線１９ａは後段の画素回路１ｃと共用する構成を有する。 - 特許庁

A cavity plate 12 being bonded to a piezoelectric element 17 is made of a piezoelectric ceramic material and a wall 14 for sectioning respective ink pressure chambers 13 has a piezoelectric element structure where first, second and third piezoelectric ceramic layers 14A, 14B and 14C, a first section wall electrode 28 and a second section wall electrode 29 are laminated.例文帳に追加

圧電素子１７と接合するキャビティプレート１２を、圧電セラミック材料から形成し、各インク圧力室１３を区画する区画壁１４は、第１圧電セラミック層１４Ａ、第２圧電セラミック層１４Ｂ、及び第３圧電セラミック層１４Ｃと、第１区画壁電極２８及び第２区画壁電極２９とを積層して圧電素子構造とする。 - 特許庁

The heat sink 10 comprise a mounting layer 11 on which a semiconductor element 10a is mounted, a thermal stress softening layer 15 of a three-layer structure including a first thermal stress softening layer 12, a second thermal stress softening layer 13 and a third thermal stress softening layer 14, and a heat radiating layer 16 for radiating outside heat generated by the semiconductor element 10a.例文帳に追加

本発明の多層ヒートシンク１０は、半導体素子１０ａを搭載する搭載層１１と、第１熱応力緩和層１２と第２熱応力緩和層１３と第３熱応力緩和層１４からなる３層構造の熱応力緩和層１５と、半導体素子１０ａが発生した熱を外部に放出する放熱層１６を備えている。 - 特許庁

When the case 10 is inclined and the rolling element 32 rolls to a second end part 18c, a third magnetic circuit 43 where lines of magnetic force flow only between the rolling element 32 and the other-side permanent magnet 31 is closed, and the magnetic force detection region 25 detects the lines of magnetic force of the one-side permanent magnet 30.例文帳に追加

また、前記ケース１０が傾斜して転動体３２が第２終端部１８ｃに転動したときに、前記転動体３２と他方の永久磁石３１との間だけに磁力線が流れる第３磁気回路４３を閉成するとともに、前記磁力検出領域２５が一方の永久磁石３１の磁力線を検出する。 - 特許庁

In a double feeding detection sensor of ultrasonic wave type, a vibration stop member is arranged in close proximity to a vibration element or a member vibrating in the interlocking relationship with it and is controlled by abutting on and leaving the vibration element or the vibration member at desired timing to damp unnecessary radiation components including secondary wave and third wave following after primary wave quickly.例文帳に追加

超音波方式の重送検知センサにおいて、振動素子、あるいはそれと連動して振動する部材に振動停止部材を近接配置し、振動素子あるいは振動部材に対し、所望のタイミングで、当接及び離間制御することで、１次波以降の２次波、３次波と続く不要輻射成分が急速に減衰するようにした。 - 特許庁

The modulated light modulated by the modulation element 40 transmits the optical element 30, is made incident on the illumination prism 20 from the second optical surface 22 of the illumination prism 20, is totally reflected at the first optical surface 21, is emitted from a third optical surface 23 and is made incident on an image forming optical system 60.例文帳に追加

反射型空間光変調素子４０により変調された変調光は、透過型体積ホログラム光学素子３０を透過し、照明プリズム２０の第２の光学面２２より照明プリズム２０に入射し、第１の光学面２１において全反射され、第３の光学面２３から出射し、結像光学系６０に入射する。 - 特許庁

The first matching part 110 is operated as an element having a reactance value corresponding to each frequency band by exclusive on/off switching of switches 118 and 119, and the third matching part 130 is operated as an element having a reactance value corresponding to each frequency band by on/off switching of a switch 133, whereby matching is performed in each frequency band.例文帳に追加

第１整合部１１０はスイッチ１１８、１１９のＯＮ、ＯＦＦの排他的切替で各周波数帯域に応じたリアクタンス値を持つ素子として動作し、第３整合部１３０はスイッチ１３３のＯＮ、ＯＦＦの切替で各周波数帯域に応じたリアクタンス値を持つ素子として動作することで、各周波数帯域で整合を取る。 - 特許庁

A feedback circuit 9 is provided with a band pass filter circuit 10 that makes only the signal with the frequency f2 pass through so as to positively feed back only signals with the frequency f2 being a second harmonic due to secondary distortion of the semiconductor element 3 so that a third harmonic is generated via the semiconductor element 3 by the fundamental wave with the frequency f1 and the second harmonic.例文帳に追加

上記帰還回路９に周波数ｆ２の信号のみを通過させるバンドパスフィルタ回路１０を設けて、半導体素子３の２次歪みによって出力側に生じた２倍波である周波数ｆ２の信号のみを選択的に正帰還させて、周波数ｆ１の基本波と帰還された２倍波で半導体素子３により３倍波を生成する。 - 特許庁

On one face of an intermediate member 15, a first circuit board 11 mounted with first and third bare chip semiconductor elements 13, 20 on the front and rear faces are laminated via a jointing member 16a so that the first bare chip semiconductor element 13 is opposed to a sealed pattern 17a.例文帳に追加

中間部材１５の一面には、表裏面に第１,第３ベアチップ半導体素子１３,２０が実装された第１回路基板１１を、第１ベアチップ半導体素子１３をシールドパターン１７aに対向させて接合部材１６aを介して積層する。 - 特許庁