「third element」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A third voltage is applied to a second selected interconnection of a plurality of second interconnections, so that a voltage between the first selected interconnections and the second selected interconnection is a voltage required for forming the variable resistance element.例文帳に追加

複数の第２の配線のうち選択された第２の選択配線に第１の選択配線との間が可変抵抗素子のフォーミングに必要な電圧となる第３の電圧を印加する。 - 特許庁

The drive element 42 causes the second heating resistor 92 and the third heating resistor 93 to generate heat when performing printing of an image and causes all of the heating resistors 91, 92, 93, 94 to generate heat when applying an overcoat.例文帳に追加

駆動素子４２は、印画時には第２発熱抵抗体９２および第３発熱抵抗体９３を発熱させ、オーバーコート時には発熱抵抗体９１，９２，９３，９４の全てを発熱させる。 - 特許庁

The condition of communicating the second flow-out/-in port 14 and the third flow-out/-in port 16 with the first flow-out/-in port 12 is changed via the second flow path 35 corresponding to the turning angle of each ball valve element 33.例文帳に追加

各ボール弁体33の回動角度に応じて、第２の流出入口14および第３の流出入口16と第１の流出入口12の連通状態を第２の流路35で変化させる。 - 特許庁

The conductive element comprises a substrate having a first, a second and a third wave surfaces, a first layer formed on the first wave surface, and a second layer formed on the second wave surface.例文帳に追加

導電性素子は、第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する基体と、第１の波面上に設けられた第１の層と、第２の波面上に形成された第２の層とを備える。 - 特許庁

The organic luminescent display apparatus includes a first pixel, a second pixel and a third pixel which are divided by gate lines and data lines, and each of which has a light emitting element and a driving transistor coupled thereto.例文帳に追加

本発明による有機発光表示装置の有する、第１画素、第２画素、及び第３画素はゲート線とデータ線とで区切られ、発光素子とそれに連結されている駆動トランジスタとを各々含む。 - 特許庁

A light-emitting layer 214 of the light-emitting element 212 is divided into a first region (R) for emitting red light, a second region (G) for emitting green light, and a third region (B) for emitting blue light.例文帳に追加

発光素子２１２の発光層２１４は、赤色光を発光する第１領域（Ｒ）と、緑色光を発光する第２領域（Ｇ）と、青色光を発光する第３領域（Ｂ）とに分かれている。 - 特許庁

Finally, a third valve which selectively allows the fluid to flow between the inlet channel and the suspension element 22 to maintain a prescribed height from the ground surface.例文帳に追加

最終的に、前記入口通路と前記サスペンション要素２２との間の流体の流れを選択的に許可して地表面より上の所定の高さを維持する動作ができる第三バルブが提供される。 - 特許庁

Accordingly, even the ceramic piezoelectric element of a small electrode-forming area can make high frequencies of ≥15 MHz and the composition having excellent piezoelectric characteristics of third higher harmonic in the vertical thickness vibration can be obtained.例文帳に追加

従って、電極形成面積の小さいセラミック圧電素子でも１５MHz以上の高周波化が可能で且つ厚さ縦振動３次高調波の優れた圧電特性を有する組成物が得られるようになる。 - 特許庁

To provide a nonreciprocal circuit element capable of obtaining an excellent insertion loss characteristic and effectively suppressing harmonics (second harmonic and third harmonic) without the need for using a trap inductance and to provide a communication apparatus.例文帳に追加

良好な挿入損失特性を得ることができ、かつ、トラップ用のインダクタンスを用いることなく高調波（２倍波、３倍波）を効果的に抑圧できる非可逆回路素子及び通信装置を得る。 - 特許庁

To improve the press blanking properties in titanium copper whose strength is increased by adding a third element, and further, to provide titanium copper having excellent press workability by realizing more excellent bending workability.例文帳に追加

第３元素を添加して高強度化したチタン銅において、プレス打抜き性を改良することであり、さらに優れた曲げ加工性を実現することで、プレス加工性に優れたチタン銅を提供する。 - 特許庁

The semiconductor material contains Cu_2O crystals, and has a band gap of ≥2.1 eV by incorporating the third element other than copper (Cu) and oxygen (O) therein.例文帳に追加

Ｃｕ_2Ｏ結晶を含み、銅（Ｃｕ）及び酸素（Ｏ）以外の第３の元素を含有させることによってバンドギャップを２．１ｅＶ以上とした半導体材料により上記課題を解決することができる。 - 特許庁

A retreat guiding element of a raising lug is formed of a thick first retreat guiding part, a second retreat guiding part gradually thinning in a declivous posture and a thin third retreat guiding part extending downward.例文帳に追加

引起しラグの退避案内部材を、肉厚の第１退避案内部と、下り傾斜姿勢で徐々に肉薄になる第２退避案内部と、下方に延びる肉薄の第３退避案内部により構成する。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises: a semiconductor element 3 mounted on a lead frame 2; a first heat transfer layer 4 provided in the semiconductor element 3; a second heat transfer layer 5 connecting with the first heat transfer layer 4; a third heat transfer layer 6 connecting with the second heat transfer layer 5; and a resin layer 7.例文帳に追加

半導体装置１は、リードフレーム２に実装された半導体素子３、半導体素子３内に設けられた第１伝熱層４、第１伝熱層４に接続された第２伝熱層５、第２伝熱層５に接続された第３伝熱層６、及び樹脂層７を含む。 - 特許庁

A resonance optical path controlling groove 9 and a piezoelectric element 11 are provided between the second and third flanges 6 and 7, and the expansion/contraction of the piezoelectric element 11 plastically deforms the resonance optical path length controlling groove 9 for resonance optical path length adjustment of the reflective internal mirror 3.例文帳に追加

また、第２フランジ６と第３フランジ７との間に共振光路制御用溝９及び圧電素子１１を設け、圧電素子１１の伸縮により共振光路長制御用溝９を弾性変形させ、反射内部ミラー３の共振光路長調整を行う。 - 特許庁

The first member 104 includes a circuit element group 105 formed on the first surface before the first member 104 and the second member 108 are bonded, and the second member 108 includes a circuit element group 106 formed on the third surface before the first member 104 and the second member 108 are bonded.例文帳に追加

第１部材１０４は、第１部材１０４と第２部材１０８との接合前において、該第１面に形成された回路素子群１０５を含み、第２部材１０８は、第１部材１０４と第２部材１０８との接合前において、該第３面に形成された回路素子群１０６を含む。 - 特許庁

A first signal processing circuit part for producing an output signal matching the inclination detected by the inclination detecting element 11 and a second signal processing circuit part for producing an output signal matching the angular velocity detected by the angular velocity detecting element are provided on a third printed board 30.例文帳に追加

傾斜検出素子１１で検出される傾斜に応じた出力信号を生成する第１の信号処理回路部と、角速度検出素子で検出される角速度に応じた出力信号を生成する第２の信号処理回路部とを第３のプリント基板３０上に設ける。 - 特許庁

A step-down converter 1 repeats an operation for turning on only a switching element 5 in a first period, turning off both switching elements 5 and 6 in a second period, turning on only the switching element 6 in a third period and turning off again both the switching elements 5 and 6 in a fourth period.例文帳に追加

降圧コンバータ１は、第１の期間にスイッチング素子５のみをオンさせ、第２の期間にスイッチング素子５，６を両方ともオフさせ、第３の期間にスイッチング素子６のみをオンさせ、第４の期間にスイッチング素子５，６を再び両方ともオフさせる動作を繰り返す。 - 特許庁

A first Pb-free solder alloy is a ternary system solder alloy composed principally of Zn and also containing Ge and Bi, and contains, by mass, 0.05-16.0% of Ge as a second element and 0.1-8.0% of Bi as a third element.例文帳に追加

第１のＰｂフリーはんだ合金は、Ｚｎを主成分とし、ＧｅとＢｉを含む３元系のはんだ合金であって、第２元素であるＧｅを０.０５質量％以上１６.０質量％以下、第３元素であるＢｉを０.１質量％以上８.０質量％以下含有する。 - 特許庁

The temperature of a Peltier element 9 attached to a nonlinear medium 7 and/or a Peltier element 10 attached to a nonlinear medium 8 is adjusted so as to obtain prescribed output power of the second harmonic laser light 15 and of the third harmonic laser light 16 based on the measurement results.例文帳に追加

そして、これらの測定結果に基づき、第２高調波レーザ光１５及び第３高調波レーザ光１６の出力が所定の値になるように、非線形媒質７に取り付けられたペルチェ素子９及び／又は非線形媒質８に取り付けられたペルチェ素子１０の温度を調節する。 - 特許庁

The fluctuation of the power supply voltage is compensated by a serial converter including the second and third switching element serial circuits, and the fluctuation of the voltage of the capacitor 30 due to the compensating operation is compensated by charging/discharging operation in a parallel converter including the first and second switching element serial circuits.例文帳に追加

電源電圧の変動分を、第２，第３のスイッチング素子直列回路を含む直列コンバータが補償し、この補償動作によるコンデンサ３０の電圧変動分を、第１，第２のスイッチング素子直列回路を含む並列コンバータによる充放電動作により補償する。 - 特許庁

The differential output circuit includes: a first MOS transistor of a first conduction type; a second MOS transistor of a second conduction type; a second resistive element; a third MOS transistor of the first conduction type; a fourth MOS transistor of the second conduction type; a fourth resistive element; and capacitive elements.例文帳に追加

差動出力回路は、第１導電型の第１ＭＯＳトランジスタと、第２導電型の第２ＭＯＳトランジスタと、第２抵抗素子と、第１導電型の第３ＭＯＳトランジスタと、第２導電型の第４ＭＯＳトランジスタと、第４抵抗素子と、容量素子とを具備する。 - 特許庁

Connecting status of plural capacitors C1-C4 possessing more capacity than the piezoelectric element 3 is changed by semiconductor switches S1-S7, and different voltages, the first voltage, the second voltage, the third voltage are generated, and these voltages are supplied to the piezoelectric element 3.例文帳に追加

その際、圧電素子３より十分な容量の複数のコンデンサＣ１〜Ｃ４の接続状態を半導体スイッチＳ１〜Ｓ７により切り替えて、値の異なる第１の電圧、第２の電圧、第３の電圧を生成し、この生成された電圧を圧電素子３に供給するようにする。 - 特許庁

Four elements of the double planetary gear 5 for speed change are defined as second, third and fourth elements in the order in a velocity diagram, three elements of the planetary gear 4 for deceleration are defined as fifth, sixth and seventh elements in the order in the velocity diagram, and the first element Sm1 is connected to the sixth element Cf.例文帳に追加

変速用複式プラネタリギヤ５の４個の要素を速度線図における並び順に第１、第２、第３、第４要素とし、減速用プラネタリギヤ４の３個の要素を速度線図における並び順に第５、第６、第７要素として、第１要素Ｓｍｌと第６要素Ｃｆとを連結する。 - 特許庁

In order to turn on the third switch (M3) at an ending point (t3) of a resonance current flowing when the voltage-drive element is turned on, a capacitor C1 for detecting dV/dt and a constant-current circuit 27 are connected between the control electrode of the voltage-drive element and the ground.例文帳に追加

電圧駆動型素子のターンオン時に流れる共振電流の終了時点（ｔ３）で第３の駆動スイッチ（Ｍ３）をオンにするために、電圧駆動型素子の制御電極とグランドとの間にｄＶ／ｄｔ検出用のコンデンサＣ１と定電流回路２７とを接続する。 - 特許庁

This expansion valve 1 is provided with a valve main body 10 having a first passage 20, a bottomed valve chamber 22, a second passage 24, a third passage 26, and an opening part 12, an orifice member 40 having a restriction passage, the valve element 30, the operation rod 60, a power element 70, and a guide member 100.例文帳に追加

膨張弁１は、第１の通路２０，有底の弁室２２，第２の通路２４，第３の通路２６及び開口部１２を有する弁本体１０と、絞り通路を有するオリフィス部材４０と、弁体３０と、作動棒６０と、パワーエレメント７０と、ガイド部材１００とを備える。 - 特許庁

The select transistor includes a third insulating film 102a on the semiconductor substrate, a fourth insulating film 106b made of an aluminum oxide and containing at least one of a tetravalent cationic element, a pentavalent cationic element, and N (nitrogen), a second control gate electrode 108b, and a second source/drain region.例文帳に追加

選択トランジスタは、半導体基板上の第３の絶縁膜１０２ｂと、アルミニウム酸化物であり、４価カチオン元素、５価カチオン元素、Ｎ（窒素）のうち少なくとも１種の元素を含有する第４の絶縁膜１０６ｂと、第２の制御電極１０８ｂと、第２のソース／ドレイン領域を有する。 - 特許庁

The electromagnetic wave shielding film 1 is formed from an Ag alloy material in which Ag is a main component, with Au contained, and at least one kind of element selected out of Cu, Al, Ti, Pd, Ni, V, Ta, W, Mo, Cr, Ru and Mg is added as a third element.例文帳に追加

上記電磁波遮蔽膜１は、Ａｇを主成分とし、Ａｕを含有し、更に第三元素としてＣｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｇからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を添加してなるＡｇ合金材料から形成されている。 - 特許庁

Then a second semiconductor region of the first conductivity type in a higher impurity concentration and of a second width narrower than the first width at a position deeper in a semiconductor substrate rather than a depth of the first semiconductor region is provided between the first photoelectric conversion element and the third photoelectric conversion element.例文帳に追加

そして、第１の光電変換素子と第３の光電変換素子との間に、第１の幅より狭い第２の幅の、第１の半導体領域よりも半導体基板に深い、あるいは不純物濃度が高い第１導電型の第２の半導体領域を有する。 - 特許庁

The electromagnetic wave shielding film 1 is formed from an Ag alloy material is which Ag is a main component, with Au contained, and at least one kind of element selected out of Cu, Al, Ti, Pd, Ni, V, Ta, W, Mo, Cr, Ru and Mg is added as a third element.例文帳に追加

この電磁波遮蔽膜１は、Ａｇを主成分とし、Ａｕを含有し、更に第三元素としてＣｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｇからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を添加してなるＡｇ合金材料からなるものである。 - 特許庁

The image display element 6 and the transreflective optical element 7 are so arranged that the angle α formed by a first virtual line L1 and a second virtual line L2 attains 45°<α<90° and the angle β formed by the first virtual line L1 and a third virtual line L3 attains 0°<β<45°.例文帳に追加

画像表示部６と半透過型光学素子７とを、第１の仮想線Ｌ１と第２の仮想線Ｌ２とのなす角度αが４５°＜α＜９０°となり、第１の仮想線Ｌ１と第３の仮想線Ｌ３とのなす角度βが０°＜β＜４５°となるように配置する。 - 特許庁

First to third sensors 91 to 93 each composed of a pair of a light emitting element on the side of a base frame 1 and a light receiving element on a cover side are arranged in a card conveyance direction and when card-presence detection signals are received from all the sensors 91 to 94, a control part 94 decides that the cover is open.例文帳に追加

ベースフレーム１側の発光素子とカバー側の受光素子とで一対とされる第１〜第３のセンサ９１〜９３をカード搬送方向に配設し、全てのセンサ９１〜９３からカード有りの検知信号を受けた時に、制御部９４がカバーオープンと判定する。 - 特許庁

In accordance with the array direction of leads 11-15, bonding pads (first bonding pads) 23S, 23G1-23G3 of the power semiconductor element 20 and bonding pads (second and third bonding pads) 41P and 42P of the control semiconductor element 40 are allocated in the same direction.例文帳に追加

さらに、リード１１〜１５の配列方向に一致させて、同一方向に電力用半導体素子２０のボンディングパッド（第１ボンディングパッド）２３Ｓ、２３Ｇ１〜２３Ｇ３、制御用半導体素子４０のボンディングパッド（第２及び第３ボンディングパッド）４１Ｐ，４２Ｐのそれぞれを配設する。 - 特許庁

A plurality of photoelectric conversion elements including a first to a third photoelectric conversion elements are arranged in a photoelectric conversion apparatus, and a first semiconductor region of a first conductivity type and of a first width in which a signal charge is a minor carrier is provided between the first photoelectric conversion element and the second photoelectric conversion element.例文帳に追加

本発明の光電変換装置は、第１〜第３の光電変換素子を含む複数の光電変換素子を有し、第１の光電変換素子と第２の光電変換素子との間に、第１の幅の、電荷が少数キャリアとなる第１導電型の第１の半導体領域を有する。 - 特許庁

Between a memory controller circuit 11 mounted on a first circuit board layer 12 and a memory element 31 mounted on a third circuit board layer 32 for example, an input changeover circuit 21 mounted on a second circuit board layer 22 is arranged as an interface for the memory element 31.例文帳に追加

たとえば、１層目の回路基板層１２上に搭載されたメモリコントローラ回路１１と、３層目の回路基板層３２上に搭載されたメモリ素子３１との間に、上記メモリ素子３１のインターフェイスとして、２層目の回路基板層２２上に搭載された入力切り替え回路２１を配置する。 - 特許庁

This substrate according to the present invention comprises a first terminal for connection to a pixel electrode, a second terminal connected to a data line, and a switching element receiving an enable signal which enables a switching element alternatively and having a third terminal connecting the first terminal to the second terminal.例文帳に追加

本発明による基板は、画素電極への接続用の第１の端子と、データラインに接続された第２の端子と、スイッチング素子を選択的にイネーブルするイネーブル信号を受信し、第１の端子を第２の端子に接続する第３の端子とを有するスイッチング素子を含む。 - 特許庁

The film or the bulk body of the functional ceramic material, in which a third element is doped in such a large amount that cannot be doped by a conventional technology because of the deposition of a second phase, can be formed at a sufficiently high rate by a method comprising forcedly dissolving the third element to form a solid solution by rapid cooling and solidification using a thermal spray method.例文帳に追加

溶射法を用いた急冷凝固により第３元素を強制固溶させる方法により、従来技術では第２相の析出により不可能とされていた多量の第３元素をドープした機能性セラミックス材料の膜およびバルク体を、十分に速い速度で形成することができ、得られる機能性セラミックスは、第３元素の大量ドープによる導電率の向上や熱伝導率の低減が容易に達成できる。 - 特許庁

This image display device includes: a light emitting element emitting light by an electric current from one end to the other end; a driving transistor having first, second and third electrodes in which the first electrode is electrically connected to the other end to adjust an electric current flowing between the first and the second electrodes by potential applied to the third electrode; and a resistance member electrically connected in parallel with the light emitting element.例文帳に追加

画像表示装置であって、一端部から他端部への電流によって発光する発光素子と、第１、第２、第３電極を有し、該第１電極が他端部に対して電気的に接続され、第１電極と第２電極との間に流れる電流を、第３電極に付与される電位によって調整する駆動トランジスタと、発光素子に対して電気的に並列に接続される抵抗部材とを備える。 - 特許庁

The semiconductor optical element 10 includes a first conductive GaAs board 12, a group third-fifth compound semiconductor layer 14 formed on the GaAs board 12, an active layer 16 formed on the group third-fifth compound semiconductor layer 14, and a second conductive upper clad layer 18 formed on the active layer 16.例文帳に追加

半導体光素子１０は、第１導電型のＧａＡｓ基板１２と、ＧａＡｓ基板１２上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層１４と、III−Ｖ族化合物半導体層１４上に設けられた活性層１６と、活性層１６上に設けられた第２導電型の上部クラッド層１８とを備える。 - 特許庁

Hence, the manufacturing process is allowed to have respective connections of the first and third regions 6, 8 to the first and third electrodes 1, 3 exchanged; and even if the connections become opposite, neither the mark nor the shape for identifying the direction of the filament-shaped light-emitting element 5 becomes necessary, and the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost is suppressed.例文帳に追加

したがって、製造工程で第１,第３の電極１,３に対する第１,第３の領域６,８の接続が反対になってもよく、棒状発光素子５の方向性を識別するためのマークや形状も不必要となり、製造工程を簡略化でき製造コストを抑えることができる。 - 特許庁

Since the third control circuit 9 operates the protective element 6 thereby opening the charge current path when the voltage V1-V4 across any secondary battery 4A-4D exceeds the third specified value Vth3, it can prevent the secondary battery 4A-4D from being overcharged even if the charge control by the charger 2 is disabled.例文帳に追加

何れかの二次電池４Ａ〜４Ｄの両端電圧Ｖ１〜Ｖ４が第３の所定値Ｖth３を上回ると第３の制御回路９が保護素子６を動作させて充電電流経路を開成するので、充電器２による充電制御が不能となっても二次電池４Ａ〜４Ｄが過充電されるのを防ぐことができる。 - 特許庁

Further the optical element includes a second periodic structure portion 6 formed on a surface of a side opposite to the base portion in the first medium and having periodic structure in which a third medium 9 and a fourth medium 10 with a smaller refractive index than that of the third medium are alternately arranged at a period shorter than the wavelength of the incident light.例文帳に追加

さらに、光学素子は、第１の媒質における基板部とは反対側の面上に設けられた第３の媒質９と該第３の媒質よりも屈折率が小さい第４の媒質１０とが入射光の波長より小さい周期で交互に配置された周期構造を有する第２の周期構造部６を有する。 - 特許庁

To supply an oscillating gear device capable of avoiding interference before/after engagement which occurs in recessed grooves of a second gear wheel and a third gear wheel and a rolling element, without providing a crowning of a shape which can avoid the interference before/after engagement on wall surfaces of the recessed grooves of the second gear wheel and the third gear wheel.例文帳に追加

噛合時前後の干渉を避けることができる形状のクラウニングを第２歯車および第３歯車の凹溝の壁面に設けることなく、第２歯車および第３歯車の凹溝と転動体とに生ずる噛合時前後の干渉を避けることができる揺動型歯車装置を供給する。 - 特許庁

To provide a ternary shape memory alloy for the living body in which Sn free from the indication of toxicity is added as a third element to a Ti alloy composed of elements excellent in suitability to the living body.例文帳に追加

生体適合性に優れた元素で構成されているＴｉ合金に着目し、第３元素として毒性の指摘のないＳｎを加えた３元系合金を生体用の形状記憶合金として提案する。 - 特許庁

A first polarized light hologram element 2 is divided into a first area 2a for passing a first optical beam, and second and third areas 2b and 2c for passing a second optical beam not including the optical axis of an optical beam.例文帳に追加

第１の偏光ホログラム素子２は、第１光ビームを通す第１の領域２ａと、光ビームの光軸を含まない第２光ビームを通す第２の領域２ｂ・第３の領域２ｃとに分割されている。 - 特許庁

In the plane view from the side of the object F, the light shielding layer BM overlaps with the separation region between the second and third electrodes 24, and the light receiving surface of the light receiving element D is positioned inside the opening of the light shielding layer BM.例文帳に追加

対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭは第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 - 特許庁