「third element」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A reduced speed output device performs a speed reduction at a reduction ratio 1 and at a first reduction ratio to output rotating motion of an input shaft selectively from a second element and besides performs a speed reduction at a second reduction ratio close to the first reduction ratio and at a third reduction ratio larger than the second reduction ratio to output the rotating motion of the input shaft selectively from a third element.例文帳に追加

減速出力装置は入力軸の回転を、減速比が１及び第１減速比で減速して第２要素から選択的に出力するとともに、減速比が第１減速比に近い第２減速比及び第２減速比より大きい第３減速比で減速して第３要素から選択的に出力する。 - 特許庁

Since the connection cable 203 is connected to the second circuit board 202 by way of the first hinge conductor 204 and the second hinge conductor 205, it is arranged away from an antenna element 207 and a third hinge conductor 206 which is close to the antenna element 207 by a predetermined distance (distance of 1/20 of used frequency λ) in a third case.例文帳に追加

接続ケーブル２０３は第１のヒンジ導体２０４及び第２のヒンジ導体２０５を介して第２の回路基板２０２に接続されることで、第３の筐体内において、アンテナ素子２０７及びアンテナ素子２０７に近接する第３のヒンジ導体２０６と所定の距離（使用周波数λに対して１/２０の距離）以上離して配置することができる。 - 特許庁

One end of the first cutting element is pivotally connected to one end of the first hand lever at a third joint (3) and one end of the second cutting element is pivotally connected to one end of the second hand lever at a fourth joint (4), a line connecting the third and fourth joint forms a meeting line between the first and second plane of movement.例文帳に追加

第１の切断要素の一端は、第１のハンドレバーの一端に第３の接続部（３）で回動自在に接続され、第２の切断要素の一端は、第２のハンドレバーの一端に第４の接続部（４）で回動自在に接続され、第３および第４の接続部を結ぶ線が、第１および第２の動作平面間の交差線を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer element has the three waveguides 22A to C formed to the first to third ridge stripes 23A to C respectively as an index guide structure and whose oscillation wavelengths are shorter in the order of the first waveguide 22A, the second waveguide 22B, and the third waveguide 22C, and the semiconductor laser element emits laser beams with different wavelengths via each waveguide.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、第１から第３のリッジストライプ２３Ａ〜Ｃに、それぞれ、インデックスガイド構造として形成され、第１導波路２２Ａ、第２導波路２２Ｂ、及び第３導波路２２Ｃの順で、発振波長が短くなる３個の導波路２２Ａ〜Ｃを有し、相互に異なる波長のレーザ光を各導波路を経由して出射する。 - 特許庁

On the other hand, in the third musical sound signal generation group, the third musical sound element signals Sp3, Sf3 whose weight changes in response to the modulation depth Vd are generated, and fixed timbre musical sound ("non vibrato sound" and "vibrancy") which is independent of pitch variations is obtained.例文帳に追加

一方、第３楽音信号生成系列では、モジュレーションデプスＶｄの大きさに応答して重みが変化する第３楽音要素信号Ｓｐ３，Ｓｆ３が生成され、ピッチ変動に依存しない一定音色の楽音（「ノンビブラート音」や「響き」）が得られる。 - 特許庁

The third groove orthogonal to the first groove is provided between the first groove and the second groove, and a plane type optical isolator for attenuating a laser beam reverse-directional to a transmitting laser beam is fixed to the third groove to be conformed to the optical axis of the semiconductor optical element.例文帳に追加

第１の溝と第２の溝の間に第１の溝に直交する第３の溝を設け、伝送するレーザ光と反対方向のレーザ光を減衰させる平面型光アイソレータを半導体光素子と光軸が一致するように第３の溝に固定する。 - 特許庁

The third polysilicon layer also used for the plate electrode 60 is formed in the regions excluding the DRAM cell region 400 so as to turn the third polysilicon layer into a silicide for the formation of a wiring 67 as well as a resistant element 70.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルのプレート電極６０にも用いられる第３ポリシリコン層をＤＲＡＭセル領域４００以外の領域にも形成し、その第３ポリシリコン層をシリサイド化して配線６７を形成し、また第３ポリシリコン層からなる抵抗素子７０を形成している。 - 特許庁

The third antenna element has an electric length from a feeding portion to a ground portion through the other end of a folding portion, which is set to be generally 1/2 of a wavelength corresponding to a third resonance frequency set to be a higher frequency than the first and second resonance frequencies.例文帳に追加

第３のアンテナ素子は、給電部から折り返し部の他端を経て接地部に至る電気長が上記第１及び第２の共振周波数より高周波数に設定された第３の共振周波数に対応する波長の略１／２に設定される。 - 特許庁

Locating the second and third antenna elements 12, 13 of a short length at positions in linear symmetry in a way of holding the first antenna element 11 of a relatively long length precludes the possibility of the first antenna element giving adverse effect on the high band radiation pattern.例文帳に追加

短寸な第２および第３のアンテナ素子１２，１３を、相対的に長い第１のアンテナ素子１１を挟む線対称な位置に配設することにより、第１のアンテナ素子がハイバンドの放射パターンに悪影響を及ぼす恐れがなくなる。 - 特許庁

Only a switching element S1 is turned on for a first period, both of the switching elements S1 and S2 are turned on for a second period, only the switching element S2 is turned on for a third period, and both of the switching elements S1, S2 are turned on in a fourth period.例文帳に追加

第１の期間にスイッチング素子Ｓ１のみをオンさせ、第２の期間にスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２を両方ともオンさせ、第３の期間にスイッチング素子Ｓ２のみをオンさせ、第４の期間にスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２を両方ともオンさせる。 - 特許庁

First Pb-free Zn solder alloy is ternary solder alloy which contains Zn, Al, and Bi as the main components, and contains Al being the second element in an amount of 1.0 to 9.0 mass% and Bi being a third element in an amount of 0.1 to 8.0 mass%.例文帳に追加

第１のＰｂフリーＺｎ系はんだ合金は、主成分のＺｎにＡｌとＢｉを含む３元系のはんだ合金であって、第２元素であるＡｌを１.０〜９.０質量％、第３元素であるＢｉを０.１〜８.０質量％含有する。 - 特許庁

A third protection element 30c and a fourth protection element 30d are respectively connected between the terminal part of the first scanning line Sga and the second high potential auxiliary wiring VGH2 and between the terminal part of the first scanning line Sga and the second low potential auxiliary wiring VGL2.例文帳に追加

各第１走査線の終端部と第２高電位補助配線との間、および各第１走査線の終端部と第２低電位補助配線との間には、第３保護素子３０ｃ、第４保護素子３０ｄがそれぞれ接続されている。 - 特許庁

An operating pulse application portion (head control portion HC) selectively applies the first operating pulse and the third operating pulse to the first element and selectively applies the second operating pulse and the fourth operating pulse to the second element in accordance with a dot gradation value.例文帳に追加

動作パルス印加部（ヘッド制御部ＨＣ）は、ドット階調値に応じて、第１動作パルス及び第３動作パルスを第１素子へ選択的に印加するとともに、第２動作パルス及び第４動作パルスを選択的に第２素子へ印加する。 - 特許庁

In order to produce deflection, the third holding element 13 is loosened, and with the paper sheet 1 held by the first or second holding element 11, 12, at least one of the first and second holding elements are rotated in a designated direction.例文帳に追加

また、たわみを生じさせる時には、第３の把持要素１３を緩め、かつ第１又は第２の把持要素１１，１２で紙葉類１を把持した状態で、第１又は第２の把持要素１１，１２の少なくとも一方を所定方向に回転させる。 - 特許庁

This substance has an NiAs type hexagonal structure in a ferromagnetic phase and a third element substitutable for the second element, and brings about a magnetic phase transition in a temperature range not lower than 230 K to lower than 318 K.例文帳に追加

強磁性相においてＮｉＡｓ型六方晶構造を有し、第１元素としてのＭｎと、第２元素としてのＡｓと、第２元素と置換可能な第３元素とを含み、２３０Ｋ以上３１８Ｋ未満の温度範囲で磁気相転移を起こす。 - 特許庁

Also, a third conductive pattern 4 is electrically connected to the back surface electrode of the light emitting element 10 through a gold ball 12, and a fourth conductive pattern 5 is electrically connected to the back surface electrode of the bisected light receiving element 11 through the gold ball 13.例文帳に追加

また、発光素子１０の裏面電極に金ボール１２を介して第３の導電パターン４を電気接続すると共に、二分割受光素子１１の裏面電極に金ボール１３を介して第４の導電パターン５を電気接続する。 - 特許庁

The driving device is configured so that while slackening is prevented by the third holding element 13, one end of the paper sheet 1 is held by at least one of the first and second holding elements 11, 12, and the holding element is rotated to generate a lag in the paper sheet 1.例文帳に追加

駆動装置は、第３の把持要素１３でたるみを防止しながら、第１又は第２の把持要素１１，１２の少なくとも一方で紙葉類１の一端を把持し、この把持要素を回転させて紙葉類１にずれを生じさせる。 - 特許庁

The coupling amount adjustment plate 20 is disposed between the radiation conductor element 17 and the non-feeding conductor element 19 and the both end sides are connected to a second plane electrode pad 24 and a third plane electrode pad 25 of the LGA 22 through vias 21.例文帳に追加

一方、結合量調整導体板２０は、放射導体素子１７と無給電導体素子１９との間に配置されると共に、その両端側がビア２１を通じてＬＧＡ２２の第２，第３の平面電極パッド２４，２５に接続される。 - 特許庁

The fixing structure for magnetic flux detecting element has a Hall element 1410, arranged at a position separated from the end faces 1210e by a third of the whole length of an edge surface 1210, and a rotor 1210 is arranged separated from the tip of teeth part by a prescribed distance on the outer periphery.例文帳に追加

磁束検出素子の固定構造は、ホール素子１４１０をロータ１２１０の軸方向の端面１２１０ｅから全長の３割離した位置に設置し、かつ、ティース部の先端から所定の距離だけ外周側に設置する。 - 特許庁

The head substrate further comprises a first switching element for writing operable by the third voltage corresponding to each of the plurality of fuse ROMs and a second switching element for reading operable by the second voltage corresponding to each of the plurality of fuse ROMs.例文帳に追加

さらに、複数のヒューズＲＯＭ各々に対応し第３の電圧で動作する書込動作用の第１スイッチ素子と複数のヒューズＲＯＭ各々に対応し第２の電圧で動作する読出動作用の第２スイッチ素子とを備える。 - 特許庁

Then, the third secondary ion intensity is subtracted from the first secondary ion intensity, to thereby calculate a fourth secondary ion intensity of the measuring object element, and the concentration of the measuring object element in the sample is obtained by using the fourth secondary ion intensity.例文帳に追加

次に、第１の二次イオン強度から第３の二次イオン強度を差し引くことにより、測定対象元素の第４の二次イオン強度を算出した後、該第４の二次イオン強度を用いて、試料中における測定対象元素の濃度を求める。 - 特許庁

The LED element 212 emits light having about 460 nm (first wavelength) of the main wavelength, the phosphor emits fluorescence having about 560 nm (second wavelength), and the LED element 222 emits the light having about 635 nm (third wavelength) of the main wavelength.例文帳に追加

ＬＥＤ素子２１２は、約４６０ｎｍ（第一の波長）を主波長とする光を発し、蛍光体は、約５６０ｎｍ（第二の波長）を主波長とする蛍光を発し、ＬＥＤ素子２２２は、約６３５ｎｍ（第三の波長）を主波長とする光を発する。 - 特許庁

A gas shock-absorbing element 80 is provided so as to sandwich the elastic seal element 70 together with the blocking end 41, and has a third through hole 86 formed with a form and size conforming to the shape and size of the cross section of the connecting member 60.例文帳に追加

ガス緩衝部材８０は、閉塞端部４１との間で弾性シール部材７０を挟込む位置に設けられ、連結部材６０の断面の形状及び大きさに応じた形状及び大きさの第３通過孔部８６が形成されている。 - 特許庁

A speed increase/reduction output device has a second element for selectively outputting speed reducing rotation reducing the rotating speed of an input shaft and speed increasing rotation increasing the rotating speed and a third element for outputting rotation at the same rotating speed as that of the input shaft.例文帳に追加

増減速出力装置は、入力軸の回転を減速した減速回転と増速した増速回転を選択的に出力する第２要素と、該入力軸と同一回転数の回転を出力する第３要素を有する。 - 特許庁

This zoom lens system adequate to be especially used with the electronic image sensor 26 includes a first positive lens element group 10, arranged on a fixed position in zooming operation, a second movable negative lens element group 12, and a third movable positive lens element group 14 providing a greater part of magnification changes in the case of zooming operation.例文帳に追加

特に電子式イメージセンサ(26)との使用に適応したズームレンズ系には、ズーミング動作中に固定位置に配置される第1の正のレンズ要素群(10)、移動可能な第2の負のレンズ要素群(12)、及びズーミング動作中に倍率変化の大部分を提供する移動可能な第3の正のレンズ要素群(14)が含まれている。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises a semiconductor element 11, a resin 12 for sealing the semiconductor element 11, first, second and third leads 13, 14, 15 respectively connected to any of gate, source and drain electrodes of the semiconductor element 11 to be exposed from the back surface side of the resin 12.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体素子１１と、この半導体素子１１を封止する樹脂１２と、半導体素子１１のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極のいずれかにそれぞれ接続され、前記樹脂１２の裏面側から露出する第一のリード１３、第二のリード１４、第三のリード１５とを備える。 - 特許庁

Moreover, second Pb-free Zn solder alloy is quaternary solder alloy which contains Al, Bi and P in Zn as the main component, and contains Al being the second element in an amount of 1.0 to 9.0 mass%, Bi being the third element in an amount of 0.1 to 8.0 mass% and P being the quaternary element in an amount of 0.500 mass% or less.例文帳に追加

また、第２のＰｂフリーＺｎ系はんだ合金は、主成分のＺｎにＡｌとＢｉとＰを含む４元系のはんだ合金であって、第２元素であるＡｌを１.０〜９.０質量％、第３元素であるＢｉを０.１〜８.０質量％、及び第４元素であるＰを０.５００質量％以下含有する。 - 特許庁

Moreover, second Pb-free Zn solder alloy is quaternary solder alloy in which Bi, Sn and P are added to Zn being the main component, and contains Bi being the second element in an amount of 0.1 to 8.0 mass%, Sn being the third element in an amount of 0.3 to 10.0 mass, and P being the fourth element in an amount of 0.500 mass% or less.例文帳に追加

また、第２のＰｂフリーＺｎ系はんだ合金は、主成分のＺｎにＢｉとＳｎとＰを添加した４元系のはんだ合金であって、第２元素であるＢｉを０.１〜８.０質量％、第３元素であるＳｎを０.３〜１０.０質量、及び第４元素であるＰを０.５００質量％以下含有する。 - 特許庁

A temperature detection means 16 includes a first temperature sensor 8 detecting a temperature in the vicinity of the first light emitting element 2, a second temperature sensor 9 detecting a temperature in the vicinity of the second light emitting element 3, and a third temperature sensor 10 detecting a temperature in the vicinity of the liquid crystal display element 6, and outputs temperature data.例文帳に追加

温度検出手段１６は、第一の発光素子２の近傍の温度を検出する第一の温度センサ８と、第二の発光素子３の近傍の温度を検出する第二の温度センサ９と、液晶表示素子６の近傍の温度を検出する第三の温度センサ１０と、を有し、温度データを出力する。 - 特許庁

A control means 13 controls a high-frequency current supplying to two heating coils (a first heating coil 9 and a second heating coil 11) or a heating coil, by controlling switching on/off of an inverter part (a first switching element 5, a second switching element 6 and a third switching element 7).例文帳に追加

制御手段１３は、１個のインバータ部（第１のスイッチング素子５および第２のスイッチング素子６、第３のスイッチング素子７）のオン／オフを制御することにより、２個の加熱コイル（第１の加熱コイル９および第２の加熱コイル１１）もしくは１個の加熱コイルに供給する高周波電流を制御することが可能となる。 - 特許庁

Besides, a first layer including control wiring of the switch element, a second layer including a main electrode of the switch element and a third layer including bias wiring of the photoelectric transducing element have multilayer structures in said order, and the third layer includes a signal line for transferring at least a signal from the photoelectric transducing element.例文帳に追加

光電変換素子とスイッチ素子とから構成される画素を有する光電変換装置であって、前記光電変換素子を構成する半導体層と、前記スイッチ素子を構成する半導体層が異なる層から形成され、前記スイッチ素子の制御配線を含む第１の層と、前記スイッチ素子の主電極を含む第２の層と、前記光電変換素子のバイアス配線を含む第３の層がこの順で多層構造を有しており、前記第３の層が少なくとも前記光電変換素子からの信号を転送する信号線を含んでいる。 - 特許庁

This DC-DC converting circuit compares the inter-terminal voltage of the third capacitor C3 being the output voltage of itself and the reference voltage, and switches on or switches off a switch element P6 connected between a DC-DC converter 1 and the third capacitor C3, based on this comparison result.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣ変換回路の出力電圧である第３キャパシタＣ３の端子間電圧と基準電圧とを比較し、この比較結果に基づいて、ＤＣ−ＤＣ変換部１と第３キャパシタＣ３との間に接続されたスイッチ素子Ｐ６のオンオフを制御する。 - 特許庁

The pattern forming device is provided with a stage conveying a mother element substrate 100 provided with a large number of disposition regions Z on an ejection surface 100a in a direction of an arrow Y and a direction reverse to the arrow Y and a first to a third ejection heads H1 to H3 ejecting first to third liquid crystal materials, respectively.例文帳に追加

吐出面１００ａに多数の配置領域Ｚを備えるマザー素子基板１００をＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に搬送するステージと、第１〜第３液晶材料をそれぞれ吐出する第１〜第３吐出ヘッドＨ１〜Ｈ３を備えた。 - 特許庁

A liquid discharge valve 6 has the third shaft 31 supported on the float arm 22; a liquid discharge valve arm 32 mounted to the third shaft 31; and a liquid discharge valve element 33 mounted on the liquid discharge valve arm 32 to shut off communication between the inside of the sealed container 2 and the liquid discharge port 17.例文帳に追加

排液弁６は、フロートアーム２２に支持された第３の軸３１と、第３の軸３１に取り付けられた排液弁アーム３２と、排液弁アーム３２に取り付けられ密閉容器２内と液体排出口１７の間を連通遮断する排液弁体３３を有する。 - 特許庁

The optical element extracting circularly polarized light 10 consists of first to third liquid crystal layers 12, 14, 16 and constructed in such a way that directions of directors of liquid crystal molecules 18 of the respective liquid crystal layers at the boundaries 13, 15 between the first and the second, and between the second and the third liquid crystal layers coincide.例文帳に追加

円偏光抽出光学素子１０は、第１〜第３の液晶層１２、１４、１６からなり、第１及び第２と第２及び第３の液晶層の界面１３、１５における各液晶層の液晶分子１８のダイレクターの方向が一致して構成されている。 - 特許庁

A first liquid crystal material is ejected by using a first ejection head H1 and a left-twisting chiral agent is ejected by using a third ejection head H3 into each region Z where each cell 101 of cell groups S1 to S3 of first to third columns formed on a mother element substrate 100 is formed.例文帳に追加

マザー素子基板１００に形成された１〜３列目のセル群Ｓ１〜Ｓ３の各セル１０１の配置領域Ｚに、第１吐出ヘッドＨ１にて第１液晶材料を吐出させるとともに、第３吐出ヘッドＨ３にて左ねじれ用カイラル剤を吐出させる。 - 特許庁

To prevent the generation of a catching void in a solder part between a second metallic body and a third metallic body in a semiconductor device configured by laminating a first metallic body, a semiconductor element, the second metallic body, and the third metallic body and connecting gaps between their laminated components through solder.例文帳に追加

第１の金属体、半導体素子、第２の金属体、第３の金属体を積層し、これら積層された部品の間がはんだを介して接続されてなる半導体装置において、第２の金属体と第３の金属体とのはんだ付け部にて巻き込みボイドの発生を極力防止する。 - 特許庁

An imaging element has at least a first color pixel to a third color pixel, having spectral sensitivity features that mutually differ and a fourth color pixel, having a linear combination of the spectral sensitivity features at least from the first color pixel to the third color pixel as a spectral sensitivity feature.例文帳に追加

本発明の撮像素子は、互いに異なる分光感度特性を有する少なくとも第１の色画素から第３の色画素と、少なくとも第１の色画素から第３の色画素の分光感度特性の線形結合を分光感度特性として有する第４の色画素とを有する。 - 特許庁

The thin air cell comprises an electricity generating element, having an air diffusing paper and a water repellent film, sealed with an outer package composed of a first and a third sheet layers covering the air pole side and the negative pole side and a second sheet layer which is located between the peripheral parts of the first and the third sheet layers, and jointed to both the sheet layers.例文帳に追加

空気拡散紙および撥水膜を有する発電要素を、その空気極側および負極側を覆う第一および第三のシート層、両シート層の周縁部間に位置し、両シート層に接合された第二シート層からなる外装体で密閉した薄型空気電池。 - 特許庁

A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

In the prism element 1 used for uniformizing the light intensity distribution, a second surface 2_2 being a polarized light branching surface is arranged between a first surface 2_1 and a third surface 2_3 being reflection surfaces.例文帳に追加

光強度分布の均一化に用いられるプリズム素子１において、反射面である第１面２＿１と第３面２＿３との間に、偏光分岐面である第２面２＿２を配置する。 - 特許庁

In the semiconductor memory device, an upper face of a third underlayer electrode layer 33c of the capacitor element CP is formed into a concavo-convex structure, and a capacitor insulating film 34c is formed into a three-dimensional structure.例文帳に追加

半導体記憶装置において、キャパシタ素子ＣＰの第３下層電極層３３ｃの上面を凹凸構造してキャパシタ絶縁膜３４ｃを立体的構造にする。 - 特許庁

Further, one or two or more third light sources may be provided for detecting illumination of the second light source, and then based on its detection signal, for controlling illumination of the own light emitting element.例文帳に追加

更に、第２光源の発光を検出し、その検出信号に基づいて自己の発光素子の発光を制御する１又は２以上の第３光源を備えることができる。 - 特許庁

The other end of the first resistance heating element 121 and one end of the second and third resistance heating elements 122, 123 are electrically connected to a connection conductor 14 formed on the substrate 11.例文帳に追加

第１の抵抗発熱体１２１の他端と第２および第３の抵抗発熱体１２２，１２３の一端を、基板１１上に形成した接続導体１４と電気的に接続する。 - 特許庁

The spacer layer 24 has a first region 41; a second region 42; and a third region 43 shaped like a layer, and arranged in a direction crossing the face of each layer of the MR element.例文帳に追加

スペーサ層２４は、それぞれ層状をなしＭＲ素子の各層の面と交差する方向に並ぶ第１の領域４１、第２の領域４２および第３の領域４３を有している。 - 特許庁