「third element」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The signal terminal electrode 1 is formed on a first side L1a of the capacitor element assembly L1, the signal terminal electrode 2 on a second side L1b, the grounding terminal electrode 3 and the connection conductors 7 and 8 on a third side L1c, and the grounding terminal electrode 4 and the connection conductors 9 and 10 on a fourth side L1.例文帳に追加

信号用端子電極１はコンデンサ素体Ｌ１の第１の側面Ｌ１ａに、信号用端子電極２は第２の側面Ｌ１ｂに、接地用端子電極３及び接続導体７、８は第３の側面Ｌ１ｃに、接地用端子電極４及び接続導体９、１０は第４の側面Ｌ１上に形成される。 - 特許庁

Thereby, the antenna element can be brought into a mounting state where, for instance, a third tilt part 26C becoming a side part of the arrangement part and the triangle is arranged at a position distant from the ground 11 of the wiring board 10 by a predetermined distance, and can provide various kinds of excellent antenna characteristics by reducing the capacitive coupling to the ground 11.例文帳に追加

このため、上記配置箇所および上記三角形の辺部分となる例えば第３傾斜部２６Ｃが、配線基板１０のグランド１１から所定距離遠ざかった位置に配置される搭載状態にでき、グランド１１との容量結合が低減して良好な各種アンテナ特性が得られるものにできる。 - 特許庁

A medical color image compression method for compression encoding of a digital color image taken for medical use comprises a first step of separating each pixel data into RGB, a second step of calculating difference data between adjacent pixels with respect to each of RGB, and a third step of selecting an optional element from among RGB, and comparing and encoding the difference component of the element and the difference components of the other two elements.例文帳に追加

医用に撮影されたデジタルカラー画像を圧縮符号化する医用カラー画像の圧縮方法において、各画素データをＲＧＢに分離する第１のステップと、ＲＧＢの各々について隣接する画素の差分データを計算する第２のステップと、ＲＧＢの中から任意の１要素を選び、その差分成分と残りの２個の要素の差分成分とを比較して符号化する第３のステップとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A first secondary ion intensity of ion having a mass number roughly equal to that of the measuring object element and a second secondary ion intensity of molecular ion which is an isotope of the interfering ion relative to the measuring object element are measured, and thereafter correlation between the second secondary ion intensity and an isotope abundance of the molecular ion is obtained, and then a third secondary ion intensity of the interfering ion is calculated by using the correlation.例文帳に追加

測定対象元素を含む試料を用いて、測定対象元素と略等しい質量数を有するイオンの第１の二次イオン強度と、測定対象元素に対する妨害イオンの同位体となる分子イオンの第２の二次イオン強度とを測定した後、第２の二次イオン強度と分子イオンの同位体存在比との相関関係を求め、その後、該相関関係を用いて、妨害イオンの第３の二次イオン強度を算出する。 - 特許庁

The catalyst configured by supporting a first catalyst containing at least one kind of metallic element or more selected from copper, vanadium or molybdenum, a second catalyst containing an alkali metals, and a third catalyst containing an alkaline earth metal element on an inorganic oxide having heat resistance, wherein not only PM may be efficiently oxidized (combusted) but also a catalyst where catalyst metal scattering in an atom or molecule level may be reduced is obtained.例文帳に追加

銅、バナジウム、または、モリブデンから選ばれる少なくとも一種以上の金属元素を含む第１触媒と、アルカリ金属元素を含む第２触媒と、アルカリ土類金属元素を含む第３触媒とを、耐熱性を有する無機酸化物に担持することにより、ＰＭを効率良く酸化燃焼することができるようになるだけでなく、原子または分子レベルでの触媒金属飛散を低減させた触媒を得ることができる。 - 特許庁

1. A patent shall also confer the right to prohibit any third party, save consent by the owner of the patent, from supplying or offering to supply, on Luxembourg territory, a person other than a person entitled to exploit the patented invention, the means of implementing, on that territory, the invention with respect to an essential element thereof where the third party knows, or it is obvious from the circumstances, that such means are suited and intended for putting the invention into effect.例文帳に追加

(1) 特許はまた，特許権者の同意がある場合を除き，ルクセンブルク領土において特許対象の発明を実施する資格のあるもの以外の者に対して，その不可欠な構成部分に関する発明を当該領土において実施する手段を供給し又は供給のために提供することについて，かかる手段が当該発明を実施するのに適し，かつ，実施を意図していることに関して第三者が知っており又は状況から明白な場合は，第三者がすることを禁止する権利も付与する。 - 特許庁

The patent shall likewise confer on its owner the right to prevent any third party, without his consent, from supplying or offering to supply means of making an essential element of the patented invention to persons who are not entitled to exploit it, where the third party knows or the circumstances make it obvious that such means are suitable for the making of the invention and are intended for that purpose.例文帳に追加

同様に，特許は，その所有者の同意を得ていない第三者が特許発明を実施する権利を有していない者に対して当該特許発明の本質的要素を製造する手段を提供すること又はそのような提供の申出を行うことを禁止する。ただし，当該手段が発明の本質的要素を製造するのに適したものであり，かつ，そのような製造を目的としたものであることを当該第三者が知っているか又は状況から明白なことを条件とする。 - 特許庁

The organic light emission element has a first electrode containing a metal oxide formed on the substrate, a second electrode containing a silver alloyed by adding at least a metal selected from a group consisting of elements of lanthanide and actinide series formed on the first electrode, and the pixel electrode provided with a third electrode containing a metal oxide formed on the second electrode.例文帳に追加

有機発光素子は基板上に金属酸化物を含む第１電極と、第１電極上にランタン系列とアクチニウム系列の元素からなるグループから選ばれた一つ以上の金属を添加して合金化した銀を含む第２電極と、第２電極上に金属酸化物を含む第３電極を備える画素電極を含む。 - 特許庁

This nitride semiconductor device is constituted by laminating a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer on a substrate, and an element separation region is packed with a third nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer with a microcrystal structure grown in a low temperature.例文帳に追加

基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とが積層した窒化物半導体装置であって、素子分離領域を、低温で成長させた微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第３の窒化物半導体層で充填する構造とする。 - 特許庁

A replica circuit is provided with a seventh and an eighth transistors respectively corresponding to a first and a second transistors of an output driver, a ninth and a tenth transistors respectively corresponding to a third and a fifth, or fourth and sixth transistors of the output driver, and a resistance element corresponding to a terminal resistance to be connected between differential signals output from the driver circuit.例文帳に追加

レプリカ回路は、出力ドライバの第１、第２のトランジスタにそれぞれ相当する第７、第８のトランジスタと、出力ドライバの第３もしくは第５、第４もしくは第６のトランジスタにそれぞれ相当する第９、第１０のトランジスタと、ドライバ回路から出力される差動信号間に接続される終端抵抗に相当する抵抗素子とを備える。 - 特許庁

A power controller 20 includes: a second relay 42 disposed between a first relay 41 and a first capacitor 31, and a reactor L; a third relay 43 disposed between the reactor L of the step-up converter 23 and a diode D1; and a resistance element 33 connected in serial to the reactor L and in parallel to a transistor Tr2.例文帳に追加

電力制御装置２０は、第１リレー４１および第１コンデンサ３１とリアクトルＬとの間に配置された第２リレー４２と、昇圧コンバータ２３のリアクトルＬとダイオードＤ１との間に配置された第３リレー４３と、リアクトルＬに直列に接続されると共にトランジスタＴｒ２に並列に接続された抵抗素子３３とを備える。 - 特許庁

The functional element is constituted by combining a first structure formed by exchanging lateral information between structures in a structure formation in an autonomonous distribution system by a local interaction and a second structure formed by a predesignated and broad-viewed rule via a third structure having an anisotropic structure.例文帳に追加

局所的な相互作用により自律分散的に、構造形成において構造間の横方向の情報を交換して形成される第１の構造と予め設定された大局的な規則により形成された第２の構造とを、非等方的な構造を有する第３の構造を介して結合することにより機能素子を構成する。 - 特許庁

The light irradiation device is further provided with a second optical system 10 which leads the light scanned in the scanning part 8 to the beam splitting element 19, an object lens 42 which condenses the light split to a plurality of optical paths to a surface 45 to be irradiated, and a third optical system 40 which leads the light split to a plurality of optical paths to the object lens 42.例文帳に追加

そしてさらに、走査部８により走査された光を光束分割素子１９に導く第２の光学系１０と、複数に分割された光をそれぞれ被照射面４５に集光する対物レンズ４２と、複数に分割された光を対物レンズ４２に導く第３の光学系４０と、を含む光照射装置とする。 - 特許庁

The control section 7 takes the time at which a predetermined period expires, after a phase voltage of a second phase winding differing from a first phase winding exceeds a third threshold value, as the off-timing of the switching element, and sets the predetermined period based on either the diode-energizing period, corresponding to the phase winding of two or more phases or the diode energizing start time.例文帳に追加

制御部７は、スイッチング素子のオフタイミングを、第１の相巻線とは異なる第２の相巻線の相電圧が第３しきい値を超えた時点から所定時間経過した時点とするとともに、この所定時間を２相以上の相巻線に対応するダイオード通電期間およびダイオード通電開始時点のいずれかに基づいて設定する。 - 特許庁

A pair of lens surfaces L1 and L2 of a third optical element have aspherical surface shapes in a main scanning direction, vary in curvature in a sub-scanning direction continuously and symmetrically from on an optical axis outward in the main scanning direction, and shapes of the lens surfaces L1 and L2 are symmetrical in the main scanning direction with respect to a sub-scanning plane including the optical axis.例文帳に追加

第３の光学素子の一対のレンズ面Ｌ１，Ｌ２は、主走査方向に非球面形状で、副走査方向の曲率が、光軸の軸上から主走査方向の外側に向って連続的かつ対称に変化し、レンズ面Ｌ１，Ｌ２の形状が、主走査方向について光軸を含む副走査面に関し対称である。 - 特許庁

The liquid lens element 140 has: a first substrate 141; a second substrate 142; a third substrate 143 arranged between the first and second substrates and forming a liquid chamber 148; and a plurality of lens surfaces 151 which are formed on a boundary surface between two liquids stored inside the liquid chamber 148 and having a different refractive index, and which are electrically deformable.例文帳に追加

液体レンズ素子１４０は、第１の基板１４１と、第２の基板１４２と、第１、第２の基板の間に配置され液室１４８を形成する第３の基板１４３と、液室１４８の内部に収容された屈折率の異なる２液の界面で形成され電気的に変形可能な複数のレンズ面１５１とを有する。 - 特許庁

The electrophoretic display element uses an electrophoretic fluid containing three kinds of dispersible particles with different optical properties and charging properties in a solvent, the first dispersible particles being uncharged, the second dispersible particles being positively-charged electrophoretic particles and the third dispersible particles being negatively-charged electrophoretic particles.例文帳に追加

溶媒中に光学特性及び帯電特性が異なる３種類の分散性粒子が分散した電気泳動液であって、第１の分散性粒子は電荷がなく、第２の分散性粒子は電荷が正の電気泳動粒子であり、第３の分散性粒子は電荷が負の電気泳動粒子であることを特徴とする電気泳動液を用いた電気泳動表示素子。 - 特許庁

This manufacturing method is composed of a first process for executing blast treatment, alkali cleaning, or ethanol cleaning on a valve element base material surface corresponding to the sliding surface or on the valve seat base material surface, a second process for executing surfacing, a third process for executing Cr ion bombardment treatment, and a fourth process for forming a CrN film by an ion plating method.例文帳に追加

さらに、本発明の製法は、摺動面に相当する弁体基材表面または弁座基材表面をブラスト処理、アルカリ洗浄またはエタノール洗浄する第１工程、面仕上げをする第２工程、Ｃｒイオンボンバード処理する第３工程、およびイオンプレーティング法によりＣｒＮ被膜を形成する第４工程からなる。 - 特許庁

A first capacitive coupling part 120a is formed by closely arranging the driven element 110 and a first part 122 of a first radiation conductor 120, and a second capacitive coupling part 130a is formed by closely arranging a second part 123 of the first radiation conductor 120 and a third part 133 of a second radiation conductor 130.例文帳に追加

励振素子１１０と第１の放射導体１２０の第１の部分１２２とを近接配置することで第１の容量結合部１２０ａを形成しており、また第１の放射導体１２０の第２の部分１２３と第２の放射導体１３０の第３の部分１３３とを近接配置することで第２の容量結合部１３０ａを形成している。 - 特許庁

Also, the power feeding element 34 consists of a first conductor 34a arranged inside a slot opening and extending in a slot longitudinal direction in substantially parallel, a second conductor 34b connected to the first conductor 34a at substantially right angles, and a third conductor 34c extending in substantially parallel to the slot longitudinal direction and substantially perpendicularly to the second conductor 34b.例文帳に追加

また、給電素子３４を、スロット開口部内に配設されたスロット長手方向に略平行に延びる第１の導体３４ａと、その第１の導体３４ａに略直角に接続する第２の導体３４ｂと、スロット長手方向に略平行にかつ第２の導体３４ｂに略直角に延びる第３の導体３４ｃと、から構成する。 - 特許庁

The structure is provided with a substantially cylindrical calibration casing 50 having a central axis and an outer surface, with a brightness calibration section 54 of the outer surface encompassing a portion of the outer circumferential surface, a document width detection segment 56 encompassing a second portion of the outer circumferential surface, and a document holding element 60 encompassing a third segment of the outer circumferential surface of the casing.例文帳に追加

上記構造は、中央軸および外面を有する実質的に円筒形の較正ケーシング５０を備え、外周面の一部を囲む外面の明るさ較正セクション５４と、外周面の第２の部分を囲む文書幅検出セグメント５６と、ケーシングの外周面の第３のセグメントを囲む文書支持素子６０とを備える。 - 特許庁

The first internal electrode 31 has a first main electrode 32; a first coupling conductor 33a extending to a first side face 4 of the element body 1, while being connected to an edge part 32a of the first main electrode 32; and a first lead conductor 33b extending to a third side face 6, while being connected to the first coupling conductor 33a.例文帳に追加

第１の内部電極３１は、第１の主電極３２と、第１の主電極３２の縁部３２ａに接続され素体１の第１の側面４に向かって伸びる第１の連結導体３３ａと、第１の連結導体３３ａに接続され第３の側面６に向かって伸びる第１の引出導体３３ｂとを有する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element having a light generation layer for radiating light and a translucent substrate to the light at the side of the substrate, there are a first side that is formed by cleavage and prevents a crystal defect, a second side for injecting one portion of the light from the light generation layer to the outside, and a third side for facilitating mounting.例文帳に追加

光を放射する発光層と、この光に対して透光性を有する基板と、を備える半導体発光素子において、上記基板の側面に、へき開によって得られ結晶欠陥を防止する第１の側面と、上記発光層からの光の一部を外部に射出する第２の側面と、マウントを容易にする第３の側面と、を設ける。 - 特許庁

When finely adjusting the resistance value of a first resistor R3 concerned in generation of reference voltage in order to suppress "apex temperature variation" and "output voltage variation" of reference voltage V_ref due to element variation, the resistance value of a third resistor R4 which generates temperature sensor output V_PTAT is finely adjusted simultaneously in the same proportion.例文帳に追加

素子ばらつきによる基準電圧Ｖ_ｒｅｆの「頂点温度ばらつき」と「出力電圧ばらつき」を抑えるために、基準電圧の生成に関与する第１の抵抗Ｒ３の抵抗値を微調整する場合、温度センサ出力Ｖ_ＰＴＡＴを生成する第３の抵抗Ｒ４の抵抗値も同時に、同比率で微調整する。 - 特許庁

This dry analytical element comprises a support material having one or more reagent layers comprising a cholesterol-ester hydrolase as a first enzyme for hydrolyzing a cholesterol-ester, a cholesterol-oxidase as a second enzyme for releasing hydrogen peroxide from cholesterol, and a horseradish-peroxydase as a third enzyme for oxidizing a leuco dye (to be measured at 670 nm).例文帳に追加

乾式分析要素は、コレステロール・エステルを加水分解するための第１の酵素、コレステロール・エステル加水分解酵素、コレステロールから過酸化水素を放出するための第２の酵素、コレステロール・オキシダーゼ、及び（６７０ｎｍで読まれる）ロイコ色素を酸化するための第３の酵素、西洋ワサビ・ペルオキシダーゼを含む、１以上の試薬層を有する支持体を含む。 - 特許庁

There are formed a first high withstand voltage transistor 100P in the first semiconductor layer, a second high withstand voltage transistor 100N in the second semiconductor layer, and a first low withstand voltage transistor 200P in the third semiconductor layer and further a second low withstand voltage transistor 200N adjoining the first low withstand voltage transistor via the second element separation region.例文帳に追加

第１半導体層内に第１高耐圧トランジスタ１００Ｐを、第２半導体層内に第２高耐圧トランジスタ１００Ｎを、第３半導体層内には第１低耐圧トランジスタ２００Ｐと、第３半導体層内において、第１低耐圧トランジスタと前記第２素子分離領域を介して隣り合う第２低耐圧トランジスタ２００Ｎを形成する。 - 特許庁

Then, the regions, where the dummy pattern can be formed and the pattern of the dummy pattern, are translated in parallel relatively to each other, thus calculating the third dummy pattern region β that is a region, where a basic element 19a of the pattern of the dummy pattern which is newly included in the region α, where the dummy pattern can be formed excluding a second dummy pattern region.例文帳に追加

その後、ダミーパターン形成可能領域とダミーパターンの雛型とを互いに平行に相対的に並進移動させて、第２のダミーパターン領域を除いたダミーパターン形成可能領域αに新たに内包される、ダミーパターンの雛型の基本要素１９ａが配置された領域である、第３のダミーパターン領域βを算出する。 - 特許庁

The region of the hologram element includes a diffraction grating, transmittance of respective regions making diffraction light is set so that a first region having high transmittance, a second region having low transmittance, and a third region having intermediate transmittance are arranged in order from the outside, and stray light which causes cross talk and which is light from a layer different from the information recording layer is reduced by the photodetector.例文帳に追加

ホログラム素子の領域は回折格子を含み、回折光とする各領域の透過率を設定し、外側から透過率の高い第１の領域、透過率の低い第２の領域、その中間の透過率の第３の領域をとなるようにし、クロストークの原因となる情報記録層と異なる層からの迷光を光検出器で低減させる。 - 特許庁

The switching power supply comprises a first capacitor 8 connected across a switching element 4, and a snubber circuit consisting of a series circuit of a first diode 11 and a second capacitor 12 connected across the primary winding 3 of a transformer 2, and a series circuit of a first resistor 13 and a third capacitor 14 connected in parallel with the first diode 11.例文帳に追加

スイッチング素子４の両端に接続された第１のコンデンサ８と、トランス２の一次巻線３の両端に接続された、第１のダイオード１１と第２のコンデンサ１２の直列回路と、第１のダイオード１１に並列に接続された第１の抵抗１３と第３のコンデンサ１４の直列回路とからなるスナバ回路を設けた。 - 特許庁

The method of manufacturing the element 15 having a transition metal or a thin film 11 made of the alloy thereof formed on a resin substrate 12, has a step (corresponding to a third step in Fig.2) wherein a precursor of the resin substrate 12 is heated and pressurized by a molding mold including a first molding mold 10 having the thin film 11 formed on a molded surface.例文帳に追加

樹脂基材１２上に遷移金属又はその合金からなる薄膜１１が形成された素子１５の製造方法において、樹脂基材１２の前駆体を、成型面に薄膜１１が形成された第１成型型１０を含む成型型で加熱及び加圧する工程（図２では第３工程に相当）を有するものとする。 - 特許庁

This method safely assembles and executes a component assembly in a first processing environment, and specifies a position from identification information on the first component assembly by accepting first record from a second processing environment, and safely assembles single or a plurality of elements by retrieving a second element in a third processing environment of including positional specification in the first record.例文帳に追加

第１の処理環境において、コンポーネントアセンブリを安全に組み立て実行する方法であり、第２の処理環境から第１の記録を受理し、第１のコンポーネントアセンブリの識別情報より位置を特定し、第１の記録に位置特定が内含される第３の処理環境において第２の要素を検索し、単数または複数の要素を安全に組立てる。 - 特許庁

The light emitting module is manufactured by laminating at least a solar cell part 1, a first adhesive layer 16, a second translucent insulating substrate (transparent PET) 17, a second metal layer (circuit pattern) 18, a light emitting part 2 consisting of a light emitting element (chip LED) 19, a second adhesive layer 20, and a third translucent insulating substrate 21 sequentially.例文帳に追加

発光モジュールは少なくとも、太陽電池部１と、第１の接着層１６と、第２の透光性絶縁基板（透明ＰＥＴ）１７と、第２の金属層（回路パターン）１８と、発光素子（チップＬＥＤ）１９からなる発光部２と、第２の接着層２０と、第３の透光性絶縁基板２１とが、順次積層されてなる。 - 特許庁

In the separator for an electrochemical element made of a three-layered porous sheet, the content of a fibrillated thermal resistance fiber of a second layer is larger than that of each of first and third layers, cellulose is contained in any one of the first and second layers, and the content of cellulose is 5-65 mass% in the entire porous sheet.例文帳に追加

３層である多孔質シートからなる電気化学素子用セパレータであって、第２層のフィブリル化耐熱性繊維の含有量が、第１層と第３層よりも多く、且つ、少なくとも第１層と第２層の何れか一方の層にセルロースを含有し、セルロースの含有率が多孔質シート全体に対して５〜６５質量％である電気化学素子用セパレータ。 - 特許庁

According to this power composite distributor, the first high frequency signal line T101 and the second high frequency signal line T102 of the constituting element of an Wilkinson power composite distributor are electromagnetic field coupled, and a third high frequency line T103 and a fourth high frequency line T104 are electromagnetic field coupled in a reverse direction to one another.例文帳に追加

この電力合成分配器によれば、ウィルキンソン型電力合成分配器の構成要素のうち、第１の高周波線路Ｔ１０１と第２の高周波線路Ｔ１０２を互いに逆方向に電磁界結合させると共に、第３の高周波線路Ｔ１０３と第４の高周波線路Ｔ１０４を互いに逆方向に電磁界結合させた。 - 特許庁

Based on the initialization position, the valve element is moved by the stepping motor into a normal closed position spaced from the initialization position onto the open position side by a second distance smaller than the distance equivalent to the maximum crushed amount, or into a normal open position spaced from the initialization position onto the open position side by a third distance larger than the first distance to open a communicating port.例文帳に追加

初期化位置を基準として、ステッピングモータにより、最大つぶれ量に相当する距離よりも小さい第２距離だけ初期化位置から開位置側に離間した通常閉位置、あるいは、第１距離よりも大きな第３距離だけ初期化位置から開位置側に離間し連通口を開放する通常開位置、へ弁体を移動させる。 - 特許庁

The magneto-resistive element, formed on a substrate and having a spin-valve magneto-resistive structure including a free layer and a pinned layer separated by a non-magnetic spacer layer, includes layers of a third ferromagnetic layer-a second antiparallel coupling layer-a second ferromagnetic layer-a first antiparallel coupling layer-a first ferromagnetic layer-an antiferromagnetic layer formed on the top of said spacer layer.例文帳に追加

基板上に形成され、非磁性スぺーサ層により分離されているフリー層と固定層を含むスピンバルブ磁気抵抗構造において、前記スぺーサ層の上部に、第３強磁性層−第２反平行結合層−第２強磁性層−第１反平行結合層−第１強磁性層−反強磁性層を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The operation method of phase change memory element, provided with a phase change layer and a means for applying a voltage to the phase change layer, includes a step of applying a reset voltage Vrecet to the phase change layer, wherein the reset voltage Vrecet may contain at least two pulse voltages continuously applied, for example, first to third pulse voltages V1-V3.例文帳に追加

相変化層と相変化層に電圧を印加する手段とを備える相変化メモリ素子の動作方法は、相変化層にリセット電圧Ｖｒｅｃｅｔを印加する段階を含み、リセット電圧Ｖｒｅｃｅｔは、連続印加される少なくとも２つのパルス電圧、例えば第１ないし第３パルス電圧Ｖ１〜Ｖ３を含むことができる。 - 特許庁

An array waveguide diffraction grating element 61C comprises three chips of; a first AWG chip 121_1; a second AWG chip 121_2 made to adhere to the fist AWG chip 121_1 through a cut line 63; and a third AWG chip 121_3 made to adhere to the second AWG chip 121_2 through another cut line 102.例文帳に追加

アレイ導波路回折格子素子６１Ｃは、第１のＡＷＧチップ１２１_1と、この第１のＡＷＧチップ１２１_1と切断線６３を介して接着された第２のＡＷＧチップ１２１_2と、第２のＡＷＧチップ１２１_2と他の切断線１０２を介して接着された第３のＡＷＧチップ１２１_3との３つのチップから構成されている。 - 特許庁

The Fe-Pt based magnet is characterized by employing an alloy which includes, by atomic ratio, 35-55% platinum, 0.001-10% the third element of at least one selected from elements in the groups of IVa, Va, IIIb, and IVb, and the balance iron with unavoidable impurities, and which has an average crystal grain size of 0.3 μm.例文帳に追加

本発明の磁石は、原子数比で白金を３５〜５５％と、IVa族の元素、Va族の元素、IIIb族の元素およびIVb族の元素のうちから選択される１種以上の第３元素を０．００１〜１０％と、残部が鉄および不可避不純物とからなる合金で、その平均結晶粒径が０．３μｍ以下であるようなＦｅ−Ｐｔ系磁石合金である。 - 特許庁

However, the prior detailed stipulation and public disclosure of the information on which the president's decision is based facilitate evaluation and criticism by Congress and third parties in cases where the president's decision diverges from the given criteria. In this way, an element of transparency is built into the process.例文帳に追加

しかしながら、大統領の意思決定に係る判断事項が予め詳細に規定・公開されているということは、仮に大統領が基準から逸脱した決定を下した場合に、議会やその他第三者がその決定について容易に評価・批判し得るという意味において、一定の透明性が確保される仕組みが取り入れられていると言える。 - 経済産業省

The diffraction grating element for the arrayed waveguide 61C comprises three chips which are a first arrayed waveguide grating chip 121_1, a second arrayed waveguide grating chip 121_2 adhered through the first arrayed waveguide grating chip 121_1 and a cutting line 63, and a third arrayed waveguide grating chip 121_3 adhered through the second arrayed waveguide grating chip 121_2 and other cutting line 102.例文帳に追加

アレイ導波路回折格子素子６１Ｃは、第１のＡＷＧチップ１２１_1と、この第１のＡＷＧチップ１２１_1と切断線６３を介して接着された第２のＡＷＧチップ１２１_2と、第２のＡＷＧチップ１２１_2と他の切断線１０２を介して接着された第３のＡＷＧチップ１２１_3との３つのチップから構成されている。 - 特許庁

The main antenna element is constructed of a first linear conductor 18 having one end connected with the feeding point and extending laterally, a second linear conductor 20 extending downward vertically from another end of the linear conductor 18, and a third linear conductor 22 laterally extending in substantially parallel with the first linear conductor from another end of the linear conductor 20.例文帳に追加

主アンテナ素子は、一端が給電点に接続され、横方向に延びる第１の線状導体１８と、線状導体１８の他端から下方に縦方向に延びる第２の線状導体２０と、線状導体２０の他端から第１の線状導体に対して略平行に横方向に延びる第３の線状導体２２とにより構成される。 - 特許庁

The file 40 includes cast information 440 including first information which specifies data called from a collection 30 of an analysis data file and second information which specifies a display mode of the data to be displayed produced from the called data, and stage information 420 including third information which specifies the cast information regarding a display element.例文帳に追加

ファイル４０には、解析データファイルの集合３０から呼び出すデータを指定する第１の情報と呼び出されたデータから生成した表示用データを表示する表示態様を指定する第２の情報とを含むキャスト情報４４０と、表示要素についてのキャスト情報を指定する第３の情報を含むステージ情報４２０とが含まれる。 - 特許庁

The forming method of an alpha aluminum oxide layer, along with a manufacturing method of a memory element which utilizes the same, includes a first step for forming an amorphous aluminum oxide layer on a lower part film, a second step for forming a crystalline auxiliary layer on the amorphous aluminum oxide layer, and a third step for crystallizing the amorphous aluminum oxide layer.例文帳に追加

下部膜上に非晶質アルミニウム酸化物層を形成する第１ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層上に結晶質補助層を形成する第２ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層を結晶化する第３ステップと、を含むことを特徴とするアルファアルミニウム酸化物層の形成方法及びそれを利用したメモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

Holding power of the holding means 6 is set in the size for allowing the rotational separation with the second shaft 5 of the third hinge element 3 as the center, when closing directional force of the predetermined size or more acts on the door D, when the fingers Z are nipped between the door D and the door frame F in a process of closing the door D.例文帳に追加

保持手段６の保持力が、扉Ｄを閉める過程で扉Ｄと扉枠Ｆとの間に手指Ｚなどが挟まった場合において所定の大きさ以上の閉じ方向の力が扉Ｄに作用されているときに、第三ヒンジ要素３の第二軸５を中心とした回動離れ出しを許容する大きさにしてある。 - 特許庁