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w Aの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 20163



例文

A hydrophobic treatment apparatus 90 includes a placing table 120 on which a wafer W is mounted.例文帳に追加

疎水化処理90は、ウェハWを載置する載置台120を有している。 - 特許庁

A substrate W is retained by a spinning chuck 11 in a substantially horizontal posture.例文帳に追加

基板Wはスピンチャック11に略水平姿勢にて保持される。 - 特許庁

A fixed resistance Rb(17) is connected to a point V and a point W.例文帳に追加

(ニ)V点とW点に固定抵抗Rb(17)を接続する。 - 特許庁

A system kitchen is arranged along a wall part W forming a window 1.例文帳に追加

窓(1)が形成された壁部(W)に沿って配置されるシステムキッチン(S)。 - 特許庁

例文

The optical apparatus measures a position of a mark 202 on a lithographic substrate W.例文帳に追加

装置は、リソグラフィ基板W上のマーク202の位置を測定する。 - 特許庁


例文

Then, a receiving body 7 having a magnet 14 on a frame W is installed.例文帳に追加

枠体Wに磁石14が設けられた当受体7を固定する。 - 特許庁

A wafer W including a minute structure having a movable part is inspected.例文帳に追加

可動部を有する微小構造体を備えたウェハWの検査を行う。 - 特許庁

A wire W is drawn out from a rear face of a housing 21.例文帳に追加

ハウジング21の後面からは電線Wが引き出される。 - 特許庁

A controller acquires a load W detected by a load sensor (S10).例文帳に追加

コントローラは、荷重センサにより検出された荷重Wを取得する(S10)。 - 特許庁

例文

A wafer W as a moving object is held on a stage 28.例文帳に追加

移動対象物としてのウエハWはステージ28上に保持される。 - 特許庁

例文

A gas injection head 200 is provided above a substantial center of a substrate W.例文帳に追加

基板Wの略中央上方にガス噴射ヘッド200を設ける。 - 特許庁

An arithmetic section 15 obtains a product of a code word X and a correlation matrix W.例文帳に追加

演算部15は、符号語Xと相関行列Wの積求める。 - 特許庁

In the blind, a small through hole 6 is formed in each blade 1 at a midpoint in a widthwise direction W.例文帳に追加

ブレード1の幅方向Wの中間に小貫孔6を有する。 - 特許庁

The latch 7 is formed by mounting a fitting 2 to a frame W of a sliding door T.例文帳に追加

閂(7)は、引戸(T)の枠(W)に取付金具(2)により取り付ける。 - 特許庁

The processing region T2 includes: a lower chuck 100 for placing the lower wafer W_L on an upper surface for holding; an upper chuck 101 for holding the upper wafer W_U on a lower surface; and a pressing member 120 for allowing one edge of the lower wafer W_L to abut on one edge of the upper wafer W_U for pressing when the wafers W_U, W_L are joined.例文帳に追加

処理領域T2には、上面に下ウェハW_Lを載置して保持する下部チャック100と、下面に上ウェハW_Uを保持する上部チャック101と、ウェハW_U、W_Lの接合時に下ウェハW_Lの一端部と上ウェハW_Uの一端部とを当接させて押圧する押動部材120とが設けられている。 - 特許庁

With a substrate W kept horizontally and rotated by a spin chuck, a chemical is supplied to the substrate W from a chemical valve 3.例文帳に追加

スピンチャックによって基板Wを水平に保持して回転させながら、薬液バルブ3から薬液を供給する。 - 特許庁

A heater 23 is embedded in a placing table 24, on which a semiconductor wafer W is placed so as to heat up the semiconductor wafer W to a prescribed temperature.例文帳に追加

半導体ウエハWを載置する載置台24にヒータ23を埋設して、半導体ウエハWを所定温度に加熱可能に形成する。 - 特許庁

The hydrophilic composition contains a hydrophilic polymer (A) having a cross-linking group and a W/O/W-type emulsified material (B).例文帳に追加

架橋基を含有する親水ポリマー(A)とW/O/W型乳化物(B)とを含有することを特徴とする親水性組成物。 - 特許庁

A gas from a gas supply duct 62 is supplied to a substrate W pulled up from a processing tank 4, and the drying process of the substrate W is performed.例文帳に追加

処理槽4から引き上げられる基板Wに気体供給ダクト62から気体が供給され、基板Wの乾燥処理が行われる。 - 特許庁

A retaining table 1 retains the wafer W under a condition that a linear expansion in a direction parallel to the surface of the substrate W is permitted.例文帳に追加

保持台1が、基板Wを、その表面に平行な方向の熱膨張を許容した状態で保持する。 - 特許庁

A developing solution supply nozzle 21 supplies a developing solution to a main surface of a substrate W while traveling from one end to the other end of the substrate W.例文帳に追加

現像液供給ノズル21が基板Wの主面一端側から他端側にかけて移動しつつ、該基板Wに現像液を供給する。 - 特許庁

A drain 10 is provided around an outer edge of a substrate W arranged such that a gap 15 exists between the substrate W and a substrate table WT.例文帳に追加

排液管10が、基板Wと基板テーブルWTの間に隙間15が存在する基板Wの外側縁部の周りに設けられている。 - 特許庁

A salient electrode T is formed on a front surface 1 of a water W, and then a protective resin layer 3 is formed over the entire region of the front surface 1 of the wafer W.例文帳に追加

ウエハWの表面1に突起電極Tが形成され、その後に、ウエハWの表面1の全域に保護樹脂層3が形成される。 - 特許庁

To provide a selective W-CVD method forming an available W cap film by preventing the rupture of a selectivity and a manufacturing method for a Cu multilayer wiring.例文帳に追加

選択性の破れを防いで、有用なWキャップ膜を形成する選択W−CVD法及びCu多層配線の製作法の提供。 - 特許庁

A wafer W is rotated around a vertical rotation axis in a state where the wafer W is held by a spin chuck.例文帳に追加

ウエハWは、スピンチャックに保持されて鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転される。 - 特許庁

When a roller 321 moves along a cam curve part 320a, a die head 30 approaches a web W to apply ink IM to the web W.例文帳に追加

カム曲線部320aに沿ってころ321が移動すると、ダイヘッド30は、ウェブWに接近してウェブWにインキI_M を塗布する。 - 特許庁

A wire support surface 3 of the first bush 1, against which a wire w abuts, has a groove 2 to be engaged with the wire and a spiral surface continuous to the groove 2.例文帳に追加

第1のブッシュ(1)の線材(w)と当接する線材支持面(3)は、線材を係止する溝部(2)と、溝部(2)に繋がる螺旋状面部を有している。 - 特許庁

A sheet-peeling apparatus 10 peels a bonding sheet S pasted on one surface of a wafer W from the wafer W via a peeling tape PT.例文帳に追加

シート剥離装置10は、ウエハWの一方の面に貼付された接着シートSを剥離用テープPTを介してウエハWから剥離する。 - 特許庁

To sufficiently prevent damages of a substrate W such as a crack and a scratch by avoiding an interference between the substrate W and a floating unit 17 or the like.例文帳に追加

基板Wと浮上ユニット17等との干渉を回避して、基板Wの割れ又は傷等の損傷を十分に防止すること。 - 特許庁

A discharge nozzle 66 has a slender shape of a length slightly larger than the radius of a wafer W, and can be moved on the radius of the wafer W by an arm.例文帳に追加

吐出ノズル66は,ウェハWの半径よりやや長い細長形状であり,アームによってウェハWの半径上に移動できる。 - 特許庁

A plurality of the heaters 13 to 16 for heating a work W along a conveyer 12 for conveying the work W inside a furnace body 11 are arranged.例文帳に追加

炉体11内でワークWを搬送するコンベア12に沿ってワークWを加熱する複数のヒータ13〜16を配置する。 - 特許庁

In this case, a direction of each beam is to be moved by changing a core W of a space DFT in a beam forming unit 101 as shown in Fig.1.例文帳に追加

本発明では図1に示すように、ビーム形成部101における空間DFTの核Wを変更することにより、各ビームの方向を移動させる。 - 特許庁

The processing system 1 comprises a means 63 for supplying a removal liquid, a means 64 for supplying pure water, and an enclosed chamber 86 for containing a wafer W.例文帳に追加

基板処理装置1は、除去液供給手段63と純水供給手段64とを有し、基板Wを収容する密閉チャンバ86を有する。 - 特許庁

A robot system 20B comprises a receiving portion for receiving a workpiece W and a delivering portion for delivering the workpiece W.例文帳に追加

ロボットシステム20Bは、ワークWを受け取る受取り部と、ワークWを引き渡す引渡し部とを備える。 - 特許庁

The inner wall of a lower side container 2 is provided, as a wick structure, with a graphite substrate 4 in which a rough structure having an interval W of 10 μm or less is formed.例文帳に追加

下側コンテナ2の内壁には、間隔Wが10μm以下の凹凸構造を形成したグラファイト基板4をウィック構造として設けてある。 - 特許庁

A work supply rail 20 is inclined downward along a supplying direction of a work W, and a plural number of round bar type works W are supplied.例文帳に追加

ワーク供給レール20は、ワークWの供給方向に沿って下方へ傾斜しており、複数の丸棒状のワークWが供給される。 - 特許庁

The plate 76 has a size for coating the substrate W in a passage for passing the substrate W between a partition wall 72 and a rotary support plate 21.例文帳に追加

また、シャッタ板76は、隔壁72と回転支持板21との間で基板Wが通過する通路において基板Wを覆う大きさである。 - 特許庁

The movable robot 5 receives a work W at a facility 1, carries it to a facility 2 and delivers the work W processed at the facility 2 to a facility 3.例文帳に追加

移動ロボット5は、設備1でワークWを受取り設備2に搬送し、設備2で加工されたワークWを設備3に渡す作業を行なう。 - 特許庁

At a time of washing, a washing liquid is directly sprayed on the surfaces of the works W and, at a time of drying, the works W are directly exposed to a drying atmosphere.例文帳に追加

洗浄時には洗浄液がワークWの表面に直接吹き付けられ、乾燥時にはワークWは乾燥雰囲気に直接さらされる。 - 特許庁

In a coater part 2, while a wafer W having a plurality of grooves M on the surface is rotated, the surface of the wafer W is applied with a organometallic compound.例文帳に追加

コータ部2において表面に複数の溝部Mを有するウエハWを回転させつつウエハWの表面に金属有機物を塗布する。 - 特許庁

This inspection system using an integrated circuit tag is used for a distribution system for carrying a regulated product w such as a bearing and other mechanical parts put in a package container W.例文帳に追加

軸受やその他の機械部品等の規格化された製品wを梱包容器Wに複数入れて運搬する物流系統に適用される。 - 特許庁

To reduce operating noise of a pump in consideration of a load of a motor and smoothly perform the setting of W/C pressure to a target W/C pressure.例文帳に追加

モータの負荷を考慮してポンプの作動音を低減すると共に、W/C圧を目標W/C圧にすることが円滑に行えるようにする。 - 特許庁

The nozzle 70 crosses a part above a wafer W without supplying developer and stops at a position P' which proceeds a little from an end portion P of the wafer W.例文帳に追加

そして,現像液を供給せずにウェハW上を横切り,ウェハWの端部Pよりも少し進んだ位置P’で停止する。 - 特許庁

A machining system 1 includes a gripping unit for gripping a workpiece W and a bending machine 3 for bending the workpiece W.例文帳に追加

ワークWを把持する把持手段とワークWに曲げ加工を行う曲げ加工機3とを備えた曲げ加工システム1である。 - 特許庁

Pure water being a polar liquid is supplied to a surface (upper surface) of a wafer W from a treatment liquid nozzle 3 to cover the surface of the wafer W with the pure water.例文帳に追加

ウエハWの表面(上面)に極性液体である純水を処理液ノズル3から供給し、ウエハWの表面を純水で覆う。 - 特許庁

It features a W-CDMA (wideband code division multiple access) cellular network with multiple radio base stations, a network controller, and a switching center. 例文帳に追加

これ(デモセンタ)は, 複数の無線局, 一つの網制御装置および一つのスイッチング・センタで, W-CDMAセルラ・ネットワークを構成している. - コンピューター用語辞典

A method for treating cardiac infarction wherein A-cells and cell growth factor W are combined to be administrated to the site of cardiac infarction of humans. 例文帳に追加

A細胞と細胞成長因子Wとを組み合わせてヒトの心筋梗塞部位に投与することを特徴とする、心筋梗塞の治療方法。 - 特許庁

Since nitrogen gas containing isopropyl alcohol flows from a lower face of a movable plate 23 to a substrate W, drying of the substrate W is promoted.例文帳に追加

可動板23の下面からイソプロピルアルコールを含んだ窒素ガスが基板Wに流下するので、基板Wの乾燥が促進される。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a W type ferrite compound with which a spinel compound does not coexist when an anisotropic W type hexagonal system ferrite is manufactured.例文帳に追加

異方性のW型6方晶フェライトを製造するさいに,スピネル化合物が共存しないW型フェライト化合物を製造する。 - 特許庁

例文

A mixed fluid (jetted flow of liquid drops) of an SPM and a nitrogen gas is supplied onto the front surface of a wafer W while heating the wafer W.例文帳に追加

ウエハWを加熱しつつ、そのウエハWの表面に、SPMと窒素ガスとの混合流体(液滴の噴流)を供給する。 - 特許庁

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