「w A」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

As a result the hash operation only requires (w^2+w)/2 operations rather than the w^2 operations required by the inefficient hash functions used in the prior art.例文帳に追加

その結果、ハッシュ演算は、従来技術で使用される非効率的なハッシュ関数によって要求されるw^2回の演算ではなく、(w^2+w)/2回の演算しか必要としない。 - 特許庁

Bar graphs 360J, K have a constant breadth ((1/128)W) regardless of diffusion code length, whereas display regions 360E, F have widths ((1/32)W, (1/4)W) corresponding to diffusion code lengths.例文帳に追加

表示領域３６０Ｅ、Ｆが拡散符号長に対応する幅（（1／32）W、（1／4）W）を有する一方で、棒グラフ３６０Ｊ、Ｋは拡散符号長にかかわらず一定の幅（（1／128）W）を有する。 - 特許庁

In that case, in step S220, balance coefficients w_bc, w_bm, w_by, w_bk, w_blc, and w_blm are given on an ink-by-ink basis, and the weight of a small residual quantity of ink is increased.例文帳に追加

その際に、ステップＳ２２０にてインク別にバランス係数ｗ_bc，ｗ_bm，ｗ_by，ｗ_bk，ｗ_blc，ｗ_blmを与え、残量の少ないインクについては重みを大きくする。 - 特許庁

The maximum standard deviation σ_max[W/m^2] among the obtained standard deviations σ_k to k+n-1[W/m^2] and a prescribed value σ_0 [W/m^2] are compared, thus longitudinal cracking is detected.例文帳に追加

複数求めた上記標準偏差σ_k〜k+n-1[W/m^2]のうち最大の標準偏差σ_max[W/m^2]と、所定の値σ_o[W/m^2]と、を比較することによって縦割を検知する。 - 特許庁

In this chemical mechanical polishing method, in relation to the magnitude relation between the rotation frequency f_W of the semiconductor wafer 10 and the rotation frequency f_P of the polishing pad 30, 3f_P<f_W is used as a lower-limit condition, and 4f_P<f_W<8f_P is used as an optimum condition.例文帳に追加

本発明の化学的機械研磨方法は、半導体ウエハ１０の回転数ｆ_Wと研磨パッド３０の回転数ｆ_Pとの大小関係に関して、３ｆ_P＜ｆ_Wを下限条件とし、４ｆ_P＜ｆ_W＜８ｆ_Pを最適条件とする。 - 特許庁

While a magnetic member W is rotated in a state where the member W is held by a spindle device, 1 the member W is magnetized by passing magnetic fluxes through the member W from magnetizing yokes 9 facing the front and rear surfaces of the member W.例文帳に追加

磁性部材Ｗをスピンドル装置１で保持して回転させながら、磁性部材Ｗの表裏に対面する着磁ヨーク９により、磁性部材Ｗに磁束を通して着磁を行う。 - 特許庁

A long product W is discontinuously fed, and, when the feed of the long product W is stopped, a movable die 13 is acted on the long product W, and, when the long product W is fed, the movable die 13 is not acted on the long product W.例文帳に追加

長尺材Ｗを断続的に送り、長尺材Ｗの送りを止めるときに可動ダイス１３を長尺材Ｗに作用させ、長尺材Ｗを送るときに可動ダイス１３を長尺材Ｗに作用させないようにする。 - 特許庁

A part from a point W to a free edge F is rotatable to a rear side with the point W as a fulcrum.例文帳に追加

Ｗ点を支点として、Ｗ点から自由端Ｆまでの部分は後方へ回動可能である。 - 特許庁

When the wafer W is reciprocated, a stripping solution is supplied with a low pressure from a nozzle 11 to the wafer W, and a film formed on the surface of the wafer W swells up.例文帳に追加

基板Ｗの往復移動中に、まずノズル１１から低圧で剥離液が基板Ｗに供給されて、その表面の被膜が膨潤される。 - 特許庁

A substrate processing apparatus 10 is an apparatus which processes a substrate W, while rotating the substrate W so that a plate surface of the substrate W may move along a horizontal direction.例文帳に追加

基板処理装置１０は、基板Ｗの板面が水平方向に沿うようにして当該基板を回転させながら処理する装置である。 - 特許庁

The W-Ti target comprises a structure only consisting of a W phase and a Ti phase, and has no W/Ti alloy phase in the structure.例文帳に追加

Ｗ相及びＴｉ相の組織のみからなり、組織中にＷ／Ｔｉ合金相が無いＷ−Ｔｉターゲット。 - 特許庁

With a carrier 2 holding a wafer W rotated, the wafer W is forced into contact with a rotating platen 1 to polish the surface of the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷを保持したキャリア２を回転させながらウエハＷを回転する定盤１に接触させて、ウエハＷの表面を研磨する。 - 特許庁

On the basis of the region division of the entire ν hierarchies, a first, ..., a ν-th generation course spaces W^(1), ..., W^(ν) and a conjugate space V^(ν) of W^(ν) are formed.例文帳に追加

全ν階層の領域分割をもとに第１，…，ν世代コース空間Ｗ^(1)，…，Ｗ^(ν)と，Ｗ^(ν)の共役空間Ｖ^(ν)を作る。 - 特許庁

At least one of the holding members 52 holding wafers W is formed in a manner that a load given to a wafer W may be different from those given to the other wafers W.例文帳に追加

ウェハＷを保持する保持部材５２の少なくとも一つを、ウェハＷに付与される荷重が異なるように形成する。 - 特許庁

To provide a reset circuit also having a function of H/W reset by S/W while utilizing an advantage of the S/W reset.例文帳に追加

Ｓ／Ｗリセットのメリットを活かしつつ、Ｓ／ＷによりＨ／Ｗリセットの機能も兼ね備えたリセット回路を提供する。 - 特許庁

On an outer peripheral part of the lower chuck 231, a stopper member 262 for the wafers W_U and W_L and a piled wafer W_T is provided.例文帳に追加

下部チャック２３１の外周部には、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌ、重合ウェハＷ_Ｔに対するストッパ部材２６２が設けられている。 - 特許庁

A workpiece W is arranged to face to the opening part 12E and the workpiece W is held by imparting floating force to the workpiece W by negative pressure at a center of the turning flow.例文帳に追加

開口部１２Ｅに対面してワークＷを配置し、旋回流中央の負圧によりワークＷに浮揚力を与え保持する。 - 特許庁

A substrate transfer device is stopped if a substrate W is moved on an arm support base and the substrate W is detected by detecting sensors 90a and 90b.例文帳に追加

基板搬送装置は、基板Wがアーム支持台上を移動し、検出センサ９０ａ、９０ｂで基板Ｗを検知したら停止する。 - 特許庁

When a work W is conveyed, pins 5a are raised to receive the work W and then lowered, and the work W is thus placed on a work stage 4.例文帳に追加

ワークＷが搬送されると、ピン５ａが上昇し、ワークＷを受け取りピン５ａが下降する。 - 特許庁

A length (d) of the opening in the thickness direction of the chip is determined to 0.5 W≤d≤0.9 W to a thickness W of the chip.例文帳に追加

チップの厚み方向の穴の長さｄは、チップの厚みＷに対して、０．５Ｗ≦ｄ≦０．９Ｗになるように構成される。 - 特許庁

To provide an electric bending tool with which a reinforcing bar W is bent correctly at a desired angle even when the outside diameter of the reinforcing bar W is changed.例文帳に追加

鉄筋Wの外径が変わっても所望角度に正確に曲げることが可能な電動式曲げ工具を提供する。 - 特許庁

A first imaging point 15 to a workpiece W is installed between a camera 11 and the workpiece W.例文帳に追加

カメラ１１とワークＷの間にワークＷに対する第１結像点１５を設けた。 - 特許庁

The zoom lens satisfies a conditional expression (1): 4.0<F_n×LL/Bf<6.0, a conditional expression (2): -8.8<F_3/f_W<4.7 and a conditional expression (3): 1.8<F_4/f_W<2.7.例文帳に追加

また、(1)4.0＜Ｆ_ｎ×ＬＬ／Ｂｆ＜6.0、(2)−8.8＜Ｆ_３／ｆ_ｗ＜4.7、(3)1.8＜Ｆ_４／ｆ_ｗ＜2.7を満足する。 - 特許庁

To obtain a polymer having a high multiolefin content and a high molecular weight M_W.例文帳に追加

高マルチオレフィン含有量および高分子量Ｍ_wを有するポリマー。 - 特許庁

The one side grinding device make the roughly conical shaped or roughly semi-spherical shaped work W pass through a gap between the grinding surface 10a of a grinding wheel 10 and a fixed work holding member 20 opposing the grinding surface 10a with a carrier 30 housing the work W in a pocket 31 and rotating, and grinds the bottom surface of the work W.例文帳に追加

片面研削装置は、略円錐状または略半球状をなすワークWを、ワークWをポケット31に収容して回転するキャリア30により、研削砥石10の研削面10aと、研削面10aに対向する固定状のワーク押え部材20との間に通して、ワークWの底面を研削するものである。 - 特許庁

Since abnormal W film formation results from the fact that a growth rate of a W film based on W nuclei initially formed is faster than a W nucleus formation rate on a TiN film, the W nucleus formation rate is set to be faster than the growth rate of the W film.例文帳に追加

Ｗの異常成膜は、初期に形成されたＷ核でのＷ膜の成長速度が、ＴｉＮ膜上でのＷ核形成速度よりも速いことに起因して発生していることから、Ｗ核形成速度を、Ｗ核でのＷ膜の成長速度よりも速くする。 - 特許庁

The conveyance region T1 includes: a wafer conveying body 82 for conveying wafers W_U, W_L, and a superposed wafer W_T; a position adjustment mechanism 90 for adjusting the orientation of a horizontal direction of the wafers W_U, W_L; and an inverting mechanism 130 for inverting the front and rear of the upper wafer W_U.例文帳に追加

搬送領域Ｔ１には、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌ、重合ウェハＷ_Ｔを搬送するウェハ搬送体８２と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの水平方向の向きを調節する位置調節機構９０と、上ウェハＷ_Ｕの表裏面を反転させる反転機構１３０とが設けられている。 - 特許庁

Standard N. meningitidis serotype A and W SBAs can be significantly improved in this regard.例文帳に追加

標準的な髄膜炎菌血清型AおよびWのSBAを、この点において大幅に改善することができる。 - 特許庁

A light radiated from a light source is illuminated from above the substrate W to heat the substrate W.例文帳に追加

光源から出射された光は基板Ｗの上方より照射され、基板Ｗを加熱する。 - 特許庁

This pin 50 does not come into contact with a wafer W when heating the wafer W as a process substrate.例文帳に追加

このピン５０は，処理基板としてのウエハＷを加熱する際にはウエハＷに接触しない。 - 特許庁

The present month, the day of the week, and the present time are read out from a clock and stored in a register R (Mo), R (W) (S1-S4).例文帳に追加

時計から現在の月、曜日、時刻を読み取り、レジスタＲ(Mo)、Ｒ(W)に格納する（S1〜S4）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a W/O/W multiphase emulsion excellent in stability.例文帳に追加

安定性に優れたＷ／Ｏ／Ｗ型多相エマルジョンの製造方法を提供する。 - 特許庁

A solvent S1 is fed to the center part of a wafer W to pre-wet the surface of the wafer W.例文帳に追加

先ずウェハＷの中心部に溶剤Ｓ１を供給し、ウェハＷの表面をプリウェットする。 - 特許庁

A sticking device 1 holds a wafer W by sticking in vacuum the wafer W.例文帳に追加

吸着装置１は、ウエハＷを真空吸着することによりウエハＷを保持する。 - 特許庁

The rear surface of a wafer W is sucked and held by a plate 2 and the wafer W is rotated.例文帳に追加

プレート２によって、ウエハＷの裏面を吸着保持して、そのウエハＷを回転させる。 - 特許庁

Path opening/closing means 7 operable from outside of a wall w is incorporated in a joint 5.例文帳に追加

壁W外から操作可能な通路開閉手段7が継手5に内蔵されている。 - 特許庁

A write node accessible to the memory is expressed as mem_w, whereas a read node is expressed as mem_r.例文帳に追加

メモリへのアクセスが可能な書込ノードはmem_wとして表現され、読出ノードはmem_rとして表現される。 - 特許庁

A temperature sensor 13 for detecting a temperature of the workpiece W is provided at the tip part of an arm 11b of the gauge 11.例文帳に追加

ゲージ11のアーム11b先端部に、ワークWの温度を検出する温度センサ13が設けられている。 - 特許庁

A W/H (warehouse) model storing part 24 stores a W/H model of physical distribution business to be optimized.例文帳に追加

Ｗ／Ｈ（Ｗａｒｅｈｏｕｓｅ）モデル記憶部２４は、最適化する物流業務のＷ／Ｈモデルを記憶する。 - 特許庁

This work support 3 is shaped like a disk rotatably supporting a plurality of works W.例文帳に追加

ワーク支持台3は、複数のワークWを支持して回転可能な円盤状とされている。 - 特許庁

A soaking ring 40 is brought into contact with a peripheral edge of the substrate W to uniformize the temperature of the substrate W.例文帳に追加

均熱リング４０は、基板Ｗの周縁部に接し、基板Ｗの温度を均一化する。 - 特許庁

This device chamfers the wafer W by bringing a peripheral edge of the rotating wafer W into contact with a rotating grinding wheel.例文帳に追加

回転する砥石に回転するウェーハＷの周縁を接触させて面取り加工する装置。 - 特許庁

Then, a specified range is surrounded by a frame W and the frame W is moved in the pattern of (1)→(2)→(3).例文帳に追加

そして、特定の範囲を枠Ｗで囲み、その枠Ｗを → → というパターンで移動させる。 - 特許庁

The grinding device is provided with an in-process gauge 11 for measuring a dimension of a workpiece W under machining.例文帳に追加

加工中のワークWの寸法を測定するインプロセスゲージ11を備えている。 - 特許庁

To provide a W/O/W emulsified composition superior in a storage stability.例文帳に追加

保存安定性に優れたＷ／Ｏ／Ｗ型乳化組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁