w-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11344件
The characteristic value of the thin film formed in this step includes a process error w.例文帳に追加
このとき形成された薄膜の特性値には、プロセス誤差wが含まれている。 - 特許庁
In the double-sided adhesive sheet 10, a circuit surface side of the semiconductor wafer W is adhered to the hard member P in order to grind an opposite surface of the circuit surface of the semiconductor wafer W.例文帳に追加
両面接着シート10は、半導体ウエハWの回路面の反対面を研削するため、半導体ウエハWの回路面側を硬質部材Pに接着する。 - 特許庁
In this case, the substrate W is completely covered with the dry medium.例文帳に追加
このとき基板Wは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。 - 特許庁
To provide a W/O/W type emulsion composition whose inner water phase swells in a short time, or several seconds to 30 min, and which is stable for a long period even in a swelled state.例文帳に追加
内水相が短時間(数秒〜30分以内)に膨潤し、膨潤した状態であっても長期間安定なW/O/W型エマルション組成物を提供する。 - 特許庁
In the Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer, the composition ratio x+v at the interface with the dissimilar substrate 11 is closer to that of the dissimilar substrate 11 material than the x+v in the main surface.例文帳に追加
Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v層において、異種基板11との界面の組成比x+vは、主表面の組成比x+vよりも異種基板11の材料に近い。 - 特許庁
The V-shaped border 12A is inclined in the direction of leading the wire W, from a side wall 14 toward the contact border 12B when viewed in the axial direction of the wire W.例文帳に追加
V字縁12Aは、電線Wの軸線方向に視て側壁14から接触縁12Bへ向かって電線Wを誘い込む方向に傾斜している。 - 特許庁
The two-fluid nozzle 50 swings in the plane in the radial direction of the substrate W to discharge a washing liquid from the outer periphery on the substrate W to an area at the center.例文帳に追加
二流体ノズル50が基板W半径方向を通る垂直な面内で揺動し、基板W上の外周部から中心部の領域に洗浄液を吐出する。 - 特許庁
Thereafter, the substrate W is made to pass through the flow area AI2 of IPA vapor and the flow area AN2 of nitrogen gas in this sequence so as to be dried out as the substrate W is pulled up in one direction.例文帳に追加
その後基板Wを、IPA蒸気の気流域AI2、窒素ガスの気流域AN2の順で通過させつつ、一方向に引き揚げ、乾燥させる。 - 特許庁
Consequently, the temperature becomes uniform in the polishing surface of the wafer W at the time of polishing, the polishing rate is made uniform in the polishing surface and the flatness of the polished surface of the wafer W is enhanced.例文帳に追加
結果、研磨時のウェーハWの研磨面内の温度が均一化し、研磨面内の研磨レートが均一となり、ウェーハWの研磨面の平坦度が高まる。 - 特許庁
SYNCHRONOUS HOLER AND SYNCHRONOUS HOLDING METHOD IN W-CDMA COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加
W−CDMA通信方式における同期保持装置および同期保持方法 - 特許庁
The victory brought Japan one step closer to next year's World Cup finals in Germany. 例文帳に追加
この勝利により,日本は来年のドイツでのW杯決勝にまた一歩近づいた。 - 浜島書店 Catch a Wave
Osim coached Yugoslavia to the quarterfinals of the 1990 World Cup in Italy. 例文帳に追加
オシム監督はユーゴスラビアを指揮し,1990年イタリアW杯の準々決勝に進出した。 - 浜島書店 Catch a Wave
Two World Cup freestyle skiing events were recently held in Are, Sweden. 例文帳に追加
フリースタイルスキーの2つのワールドカップ(W杯)競技が先日,スウェーデンのオーレで開催された。 - 浜島書店 Catch a Wave
The 18 clubs in Division 1 will have a two-month break from mid-May due to the World Cup. 例文帳に追加
J1の18チームは,W杯のため,5月中旬から2か月間休みを取る予定だ。 - 浜島書店 Catch a Wave
The final of the 19th soccer World Cup was held on July 11 in Johannesburg, South Africa. 例文帳に追加
第19回サッカーW杯の決勝が7月11日に南アフリカのヨハネスブルクで行われた。 - 浜島書店 Catch a Wave
Still, Japan has made a good start on its way to the 2014 World Cup in Brazil. 例文帳に追加
それでも,日本は2014年のW杯ブラジル大会に向けて好調なスタートを切った。 - 浜島書店 Catch a Wave
As a member of the national team, he participated in two World Cup finals. 例文帳に追加
日本代表チームの選手として,彼はW杯の本大会2大会に出場した。 - 浜島書店 Catch a Wave
The structure of the fire opening W of the gas pipe 5 is made variable in the diameter.例文帳に追加
ガスパイプ5の火口Wは、火口径が可変である径可変構造とされている。 - 特許庁
Wastewater to be treated is allowed to flow in the froth part 10 of the surface 20 of the water W from above.例文帳に追加
その水面20の泡沫部10へ上方から被処理用の廃水を流し込む。 - 特許庁
The plate material W is discharged to the end material discharge part 36 by storing the table member 31 in the frame 30 in a state that the plate material W is retained by the end material retaining means.例文帳に追加
端材保持手段で板材Wを保持した状態でテーブル部材31をフレーム30内に格納することで、板材Wを端材排出部36に排出する。 - 特許庁
Heat insulating property between both thereof can be secured by a resin in the interval W.例文帳に追加
間隔Wの樹脂により両者間の断熱性を確保することができる。 - 特許庁
The driving roll 140 operates at a supply speed v2 slower than the carrying speed v1 of a web W, and increases-decreases the supply speed v2 in response to an increase-decrease in the carrying speed v1.例文帳に追加
駆動ロール140は、ウエブWの搬送速度v1よりも遅い供給速度v2で動作し、搬送速度v1の増減に応じて供給速度v2を増減する。 - 特許庁
The shut-off plate 2 is rotated at roughly the same speed in the same direction as the substrate W.例文帳に追加
遮断板2は、基板Wと同じ方向にほぼ同じ速さで回転される。 - 特許庁
In a portable information terminal, execution mode change means provides, to a control unit, an execution instruction for reading a tag in an active or passive execution mode of a R/W device unit.例文帳に追加
携帯情報端末の実行モード切替手段は制御部に対して、R/Wデバイス部をアクティブ型、もしくはパッシブ型の実行モードでタグを読取るように実行指示を行う。 - 特許庁
The protective tapes T1 and T3 attached to the wafer W in layers are detached by a tape detaching device 15 sheet by sheet in turn after the wafer W is subjected to a thinning process.例文帳に追加
この多重の保護テープT1,T3は、ウエハWの薄型加工処理後に、テープ剥離装置15によって、上側から1枚ずつ順番に剥離されてゆく。 - 特許庁
The UE communicates with a first cell in a radio access network (RAN) for a packet-switched (PS) call, e.g., for Voice-over-Internet Protocol (VoIP) via High-Speed Packet Access in W-CDMA.例文帳に追加
UEは、パケット切替(PS)コールのために、例えば、W-CDMAにけるハイ・スピード・パケット・アクセスによるボイス・オーバー・インターネット・プロトコル(VoIP)のために、無線アクセス・ネットワーク(RAN)における第1のセルと通信する。 - 特許庁
The treatment container 2 defines the internal space in which a semiconductor wafer W is arranged.例文帳に追加
処理容器2は、半導体ウェハWが配置される内部空間を画成する。 - 特許庁
The width W in a tire axial direction on the surface 10S is made 0.5-1.5 mm.例文帳に追加
前記帯状面10Sのタイヤ軸方向の巾Wを0.5〜1.5mmとした。 - 特許庁
The work W on the porous body table 4a is stored in the work storage groove.例文帳に追加
多孔体テーブル4a上のワークWはワーク収納溝内へ収納される。 - 特許庁
The induction absorptive material is formed of at least one oxide of metals selected from the group consisting of Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir, and Bi and a transparent substrate.例文帳に追加
Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb,Ta, W, Re, Os, Ir,およびBiからなる群から選ばれた少なくとも1種の金属の酸化物と透明基板とから形成される誘導吸収材料。 - 特許庁
The tower structure 20 is supported in the upper parts of the C/W guide rails 1a, 1b.例文帳に追加
やぐら構造20は、C/Wガイドレール1a、1bの上方に支持されている。 - 特許庁
To solve the problem, wherein the amount of processings necessary for estimating the optimal conditions of full R/W becomes very large, in a large-scaled RFID system in which a plurality of R/W (reader/writers) are installed.例文帳に追加
R/Wが多数設置されている大規模RFIDシステムにおいては、全R/Wの最適条件の推定に必要な処理量が膨大になる。 - 特許庁
In the burnishing unit 5, a burnishing roller 41 applies force of feeding the workpiece W in the conveyance direction while pressing and burnishing the outer peripheral surface of the workpiece W.例文帳に追加
バニシングユニット5では、バニシングローラ41が、被加工物Wの外周面を押圧してバニシング加工を行いながら被加工物Wを搬送方向へ送る力を加える。 - 特許庁
The chuck 3 moves the printed circuit board W in the applying direction of the film F.例文帳に追加
チャック3は、フィルムFが仮付けされる方向にプリント基板Wを移動する。 - 特許庁
The visible-light response photocatalyst, in which the W compound is tungsten oxide, is provided.例文帳に追加
タングステン化合物が酸化タングステンである上記可視光応答性光触媒。 - 特許庁
In the middle of the Heian period/h/ became unified with/w/ when not used at the beginning of words, so in the medieval period it was voiced when followed by/a/ and/o/ but not voiced before the other vowels. 例文帳に追加
語頭以外の/h/は平安時代中期に/w/と統合したため、中世には/a/・/o/が後に続くときには音になるが、その他の母音の前では発音されない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The bias voltage V accelerates ions in the plasma toward the inner surface of the work W.例文帳に追加
バイアス電圧Vは、プラズマ中のイオンをワークWの内面に向けて加速する。 - 特許庁
The reflection member 2a is scanned in the A direction over the whole surface of the work W and, thereafter, the reflection member 2b is scanned in the B direction over the whole surface of the work W.例文帳に追加
光反射部材2aをワークWの全面に渡ってA方向に走査したのち、光反射部材2bを、ワークWの全面に渡って、B方向に走査する。 - 特許庁
The web W printed in a printing unit is wound around the winding shaft S1.例文帳に追加
図2(a)において、印刷部で印刷されたウエブWは、巻取軸S1に巻取る。 - 特許庁
In the emergency delivery mode, the goods W are transported in the reverse direction by the transfer racks 20 for storage one article W after another and delivery from the storage rack 10.例文帳に追加
非常出庫モードでは、各入庫用移載棚20で物品Wを1つずつ逆方向に向けて搬送して、格納棚10から物品Wを出庫する。 - 特許庁
This movable unit material 231 is placed in a way that it is in a diametric direction of the substrate W, and is further outside than an opposite area FR where the spin base 21 is opposed to the substrate W.例文帳に追加
この可動本体部材231は、スピンベース21が基板Wと対向する対向領域FRよりも基板Wの径方向外側に配置される。 - 特許庁
A loader unit 12 is disposed in the right side of the widthwise direction W of a bonding unit 11.例文帳に追加
ボンディングユニット11の横幅方向W右側にローダユニット12を配置する。 - 特許庁
A rod member 3 displaced in ±Z-directions, along the surface shape of a work W.例文帳に追加
ロッド部材3は、ワークWの表面形状に沿って±Z方向に変位する。 - 特許庁
In the drying section 95, the substrate W is subjected to cleaning and drying.例文帳に追加
乾燥処理部95において基板Wの洗浄および乾燥が行われる。 - 特許庁
In the tapering process, a tapered recessed part is formed to the work W by operating a tapering punch in the direction approximately perpendicular to the inclined face W1 of the work W.例文帳に追加
テーパ成形工程では、ワークWの傾斜面W1に対しほぼ直交する方向にテーパ成形用パンチを作動させて、ワークWにテーパ状凹部を形成する。 - 特許庁
A substrate W is transported in a direction shown by an arrow AR1 by a transport roller 2.例文帳に追加
基板Wは搬送ローラ2によって矢印AR1の向きに搬送される。 - 特許庁
Pure water W is removed, and the surface of the substrate S is exposed in an approximately circular shape.例文帳に追加
純水Wが除去されて基板Sの表面が略円形に露出する。 - 特許庁
The velocity of air flow generated in a treating chamber S when evacuating is increased in the peripheral part of the wafer W because the gap between the wafer W and the projected parts 72a is made narrower.例文帳に追加
ウェハWと突部72aとの隙間が狭くなるため,減圧された際に処理室Sに発生した気流の速度がウェハWの周縁部において増大する。 - 特許庁
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