「write at」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a read/write device for a semiconductor memory card for preventing static electricity from being discharged to a semiconductor memory card at a mounting position of the semiconductor memory card.例文帳に追加

半導体メモリーカードの実装位置において、半導体メモリーカードへの静電気の放電を阻止する半導体メモリーカード読み書き装置を提供する。 - 特許庁

When data do not exist in the log any more, data are written to the log contained in the write cache at a recording position recorded in the index structure.例文帳に追加

もしデータが既にログ内に存在しなければ、インデックス構造に記録された記録位置で書き込みキャッシュに含まれるログに対してデータが書き込まれる。 - 特許庁

An address initialization detection unit 7 monitors the approach of the write address and the read address at all the time and outputs an address initializing signal 106 when the approach is within a predetermined distance.例文帳に追加

アドレス初期化検出部７は書込アドレスと読出アドレスの接近を常時監視し、所定の距離になるとアドレス初期化信号106を出力する。 - 特許庁

To perform write and read at high speed when non-volatile memory cells are used and to increase sufficiently operation speed even when a card is large scale.例文帳に追加

不揮発性メモリセルを用いた場合のデータ書込み及びデータ読出しを高速に行い、且つ大規模化した場合にも十分な高速化をはかる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device in which test data written are into all memory cells at high speed with write conditions being uniform for all of the memory cells to perform a test.例文帳に追加

全メモリセルに均等な書き込み条件でテストデータを高速に書き込んで試験を行うことを可能とした強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a write-in method, by which multi-level data can be written at high speed, in a nonvolatile semiconductor memory device, in which a memory cell can store data of ternary level or higher.例文帳に追加

メモリセルが３値以上のデータを記憶可能な不揮発性半導体記憶装置において、多値データを高速に書き込める書き込み方法を提供する。 - 特許庁

Do the Managers conduct monitoring on an ongoing basis with regard to the status of execution of operations at the Self-Assessment Management Division and Write-Off/Loan Loss Provision Management Division? 例文帳に追加

管理者は、継続的に自己査定管理部門及び償却・引当管理部門の職務の執行状況に関するモニタリングを実施しているか。 - 金融庁

To easily control data writing into a DSP even when DSPs which are different in the number of bits to write the data at a time are used simultaneously.例文帳に追加

データを１度に書き込むビット数が異なるＤＳＰを同時に使用する場合でも、ＤＳＰに対するデータの書き込みを容易に制御できるようにする。 - 特許庁

To optimally prevent adjacent track interference at the ABS while minimizing write magnetic field loss to the shield in regions away from the ABS.例文帳に追加

ＡＢＳから離れた領域でのシールドからの書き込み磁界の損失を最小限に抑えながら、ＡＢＳでの隣接トラック干渉を最適に防止する。 - 特許庁

The journal data are transmitted to a DR (Disaster Recovery) storage system 20S asynchronously with the timing at which the write data are received from a computer 10P in a main site 1P.例文帳に追加

ジャーナルデータは、メインサイト１Ｐ内のコンピュータ１０Ｐからライトデータを受信するタイミングとは非同期で、ＤＲストレージシステム２０Ｓに送信される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that operates at high speed and prevents performance deterioration due to a conflict between the preparation of write data, output processing of read data, and refresh.例文帳に追加

ライトデータの準備やリードデータの出力処理とリフレッシュとの競合による性能低下を避け、高速に動作する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An image processing part 13 uses device specific information as a tracing pattern with respect to input image data, writes it at the write position, and performs image processing.例文帳に追加

画像処理部１３は、入力された画像データに対して装置固有の情報を追跡パターンにしてその書込位置に書き込んで画像処理する。 - 特許庁

A magnetic read/write head is configured so as to include an under layer and monolayer surface coating that at least partially covers the under layer.例文帳に追加

下地層と、その下地層を少なくとも部分的に被覆した単層表面コーティングとを含んでなるように、読み取り／書き込み用の磁気ヘッドを構成する。 - 特許庁

When the target pixel exists at a pixel position where write in the error buffer 309 is necessary, the error buffer control unit 308 stores the quantization error of the target pixel in the error buffer 309.例文帳に追加

誤差バッファ制御部308は、誤差バッファ309の書き込みが必要な画素位置に注目画素があれば注目画素の量子化誤差を誤差バッファ309に格納する。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device 1000, a column decoder 200 selects more memory cell columns at the operation time of block write-in operation than that in normal operation.例文帳に追加

半導体集積回路装置１０００においては、列デコーダ２００は、ブロックライト動作時には、通常動作時よりも多くのメモリセル列を同時に選択する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and its test method which can detect a cell in which operation defect occur at the time of long-write in a short time.例文帳に追加

ロングライト時に動作不良が発生するセルを短時間に検出することができる半導体記憶装置及びその試験方法を提供する。 - 特許庁

A switch 13B is switched at the time of executing a write-long-command from the host so that data specified by the command bypasses an ECC generator 13A.例文帳に追加

スイッチ１３Ｂは、ホストからのライトロングコマンドの実行時、当該コマンドで指定されるデータがＥＣＣ生成器１３Ａをバイパスするように切り替えられる。 - 特許庁

In a write period Pwrt, the voltage at the gate G0 is set corresponding to a data voltage Vdata by supplying a data signal S[j] to the electrode E2.例文帳に追加

書込期間Ｐwrtにおいては電極Ｅ2に対するデータ信号Ｓ[j]の供給によってゲートＧ0の電圧がデータ電圧Ｖdataに応じて設定される。 - 特許庁

When data WDATA are written at the address of a memory 6 indicated by a write pointer 1, the pointer 1 adds one unless the memory 6 is in a full state.例文帳に追加

ライト・ポインタ１が示すメモリ６のアドレスにデータＷＤＡＴＡ が書き込まれた時、ライト・ポインタ１は、メモリ６がフル状態でない限り、１加算する。 - 特許庁

A write element 302 is provided with; a magnetic pedestal 324 formed on an air bearing surface (ABS); and a back gap 316 formed at a terminal of opposite side with the ABS.例文帳に追加

書き込み素子302は、空気ベアリング表面 (ABS) に形成された磁気ペデスタル324と、ABSとは反対側の末端に形成されたバックギャップ316とを備えている。 - 特許庁

Then, at the time of restoration after power source hit, the writing of data is not operated from a disk driver 3 but operated with the write data and parity data on the memory 1a.例文帳に追加

そして、電源瞬断の後の回復時、ディスクドライブ３からデータの読み込みを行わず、メモリ１ａ上の書き込みデータとパリティデータで書き込みを行う。 - 特許庁

At a normal operation time, read/write of data to a desired cell can be made by activation of two lines simultaneously from word lines WL1 to WL6.例文帳に追加

通常動作時においては、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ６を同時に２本活性化することにより所望のセルへのデータの読み書きを可能にする。 - 特許庁

At this time, the resistance having a resistance value as great as that of the TFT is arranged (inserted) near the output end of a buffer 1,041 of a write scanner 104.例文帳に追加

このとき、ライトスキャナ１０４のバッファ１０４１の出力端に近い位置のＴＦＴほど抵抗値の大きい抵抗を配置（挿入）している。 - 特許庁

To smoothly convey and to prevent a damage by suppressing a frictional resistance of an IC card with a receiving member for receiving the card at a read/write position.例文帳に追加

搬送されるＩＣカードとリード／ライト位置でＩＣカードを受ける受け部材との摩擦抵抗を抑え、円滑な搬送ならびに傷の発生の防止を図る。 - 特許庁

This image forming device is provided with a write-in means for writing the information of the device in the non-volatile storage medium at the time of detecting the power source switch being turned off.例文帳に追加

電源スイッチが切断されたことを検知したときに不揮発性記憶媒体に装置の情報を書きこむ書き込み手段を有するものである。 - 特許庁

To provide a microcomputer with built-in flash memory, with which the load of software at the time of write/erasure to a flash memory can be reduced and the development load of software is reduced as well.例文帳に追加

フラッシュメモリへの書き込み／消去時におけるソフトウェアの負荷を軽減でき、ソフトウェアの開発負荷も小さいフラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータを得る。 - 特許庁

And at the time of write-in, voltage of -0.5 V to -2 V is applied to the well 12 of the non-selection block B2 or the gate electrode 15, or both of then.例文帳に追加

そして、書き込みの際には、非選択ブロックＢ２のウェル１２もしくはゲート電極１５、あるいはその両方に−0.５〜−２Ｖの電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a write once type optical recording medium not deteriorating its characteristics by incorporating a phase change type recording film and even by preserving the medium at a high temperature and a high humidity.例文帳に追加

相変化型記録膜を有していて、かつ高温高湿下で保存しても特性が劣化しない追記型光記録媒体を提供する。 - 特許庁

(2) In the write-once type optical recording medium described already in (1), the upper protective layer includes at least one of a mixture of ZnO and Al_2O_3, Si_3N_4, SiC and Nb_2O_5.例文帳に追加

（２）上部保護層は、ＺｎＯとＡｌ_２Ｏ_３の混合物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、Ｎｂ_２Ｏ_５の少なくとも１つからなる（１）記載の追記型光記録媒体。 - 特許庁

Then, the power supplying operation is executed at first to an address decoder/write current driver 31 of low-speed power supply set-up and to a data I/O system circuit 33.例文帳に追加

そして、電源セットアップの遅いアドレスデコーダ・書込電流ドライバ３１およびデータＩ／Ｏ系回路３３に対して最初に電源供給を実行する。 - 特許庁

To prevent data from being lost at the interruption of a power source, related to a storage device which writes write data of a buffer memory by accessing a plurality of nonvolatile memories in parallel.例文帳に追加

バッファメモリのライトデータを、複数の不揮発性メモリデバイスを並列にアクセスして書き込む記憶装置に関し、電源遮断時のデータ消失を防止する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory and a drive method thereof, whereby write/read is made at a low voltage and low current consumption with less reliability deterioration.例文帳に追加

書き込み・消去が低電圧化・低消費電流化され、信頼性の劣化の少ない不揮発性半導体メモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

When the conveyance vehicle moves in, the unit controller at the movement destination writes information on it to a common storage area where all the unit controllers can read and write in common.例文帳に追加

移動先のユニットコントローラは、移送車が進入してくるとその情報を全ユニットコントローラが共通に読み書き可能な共有記憶領域に書き込む。 - 特許庁

To reduce electric power which is to be consumed at a write data-side driving part and also to prevent the increase of a driving time in a plasma display device.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置において、書き込みデータ側駆動部で消費される電力を削減するとともに、駆動時間が増大するのを防ぐことを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which can realize low power consumption by reducing the number of times of charge and discharge of bit lines at the time of write-in.例文帳に追加

書き込み時ビット線のチャージ、ディスチャージ回数を低減させることによって、低消費電力化を実現できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The second pole piece 102 has a pole tip 138 which is located at the head surface ABS and a recessed ferromagnetic write shield layer 304.例文帳に追加

第２磁極片１０２は、ヘッド表面ＡＢＳに位置する磁極端１３８と、ヘッド表面よりも後退している強磁性の書込みシールド層３０４を持つ。 - 特許庁

In the direct verifying operation of one of the write-in and the erase, potential operation of one of the bit line and the plate line PL is performed at a predetermined timing.例文帳に追加

書き込みと消去の一方のダイレクトヴェリファイ動作において、所定のタイミングで、ビット線ＢＬとプレート線ＰＬの一方の電位操作を行う。 - 特許庁

At least one end of the first write line passes through the upper end or the lower end of the memory cell array, while the other end passes through the left or right end of the memory cell array.例文帳に追加

少なくとも１つの第１書き込み線の一端はメモリセルアレイの上端または下端を通り、他端はメモリセルアレイの左端または右端を通る。 - 特許庁

The flash memory 100 is designed to have a write disturb time never causing holding omission of data at the time of writing by the clock signal from the fixed oscillating circuit 130.例文帳に追加

フラッシュメモリ１００は当該固定発振回路１３０からのクロック信号での書き込み時にデータ保持抜けが生じないライトディスターブ時間に設計される。 - 特許庁

A hard disk 7 and a recording control part 8 controlling write-in and read-out of data for the hard disk 7 are provided at a recording apparatus 3 side.例文帳に追加

記録装置３側にはハードディスク７と、ハードディスク７に対するデータの書き込み、読み出しを制御する記録制御部８とが設けられている。 - 特許庁

To provide a cache memory control circuit for properly detecting a write error to a cache memory and reducing penalty period at data recovery.例文帳に追加

キャッシュメモリへの書込不良を正確に検出すると共に、データリカバリに伴うペナルティ期間を短縮することが可能なキャッシュメモリ制御回路を提供する。 - 特許庁

At the time of write-in process for the prescribed memory cell, voltage drop (V1-V2) is caused in the selected word line(WL) connected to this memory cell.例文帳に追加

所定のメモリセルへの書き込み過程の際に、このメモリセルに接続された選ばれたワードライン（ＷＬ）において電圧降下（Ｖ１−Ｖ２）が生じる。 - 特許庁

To provide an antenna assembly in which failures of communication can be prevented by preventing formation of a sub-communicable region at the antenna coil section of a read/write unit.例文帳に追加

読み出し書き込み装置のアンテナコイル部に形成される副通信可能領域を抑止することで通信不良を防止できるアンテナ装置を提供する。 - 特許庁

At this time, the pre-discharge is generated between the one of the pair of the sustain discharge electrodes and the write electrode, and between sustain discharge electrode pairs.例文帳に追加

この時、前記前置放電は前記維持放電電極対の一方と前記書き込み電極間で放電し且つ前記維持放電電極対間で放電する。 - 特許庁

The read/write operation is performed at timing determined by an external clock signal only in an active state where the external clock signal is inputted.例文帳に追加

リード／ライト動作は、外部クロック信号が入力されるアクティブ状態時にのみ、該外部クロック信号により規定されるタイミングで行うように構成されている。 - 特許庁