Ｋａｎｊｉ ｌｉｓｔ 機能に新聞記事頻度を追加しました。例文帳に追加

I added newspaper article frequency data to the 'Kanji list' function. - Tatoeba例文

― Ｋａｎｊｉ ｌｉｓｔ 機能に新聞記事頻度を追加しました。例文帳に追加

- Newspaper article frequency added to 'Kanji list' function.発音を聞く  - Tanaka Corpus

ＪＡＰＡＮＥＳＥＣＯＯＬ（ヒートアイランド対策）例文帳に追加

MEASURE AGAINST HEAT ISLAND PHENOMENON - 特許庁

無線装置５は、送信パワーσ_ｊ＝ＳＩＮＲ^Ｔ×Ｉ_ｊおよび評価値ＳＩＮＲ^Ｔ／ＳＩＮＲ^Ｐを演算する。例文帳に追加

The radio device 5 calculates transmission power σ_j=SINR^T×I_j and an evaluation value SINR^T/SINR^P. - 特許庁

ｎ^＋−ＩｎＰ基板２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層３、ｎ^−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ中間層５、ｎ^＋−ＩｎＰアバランシェ増倍層６、ｎ^−−ＩｎＰ窓層７をエピタキシャル成長法により、順次積層する。例文帳に追加

An n-InP buffer layer 3, an n^--InGaAs light absorbing layer 4, an n-InGaAsP intermediate layer 5, an n^+-InP avalanche multiplication layer 6, and an n^--InP window layer 7 are formed sequentially on an n^+-InP substrate 2 by epitaxial growth. - 特許庁

各オブジェクトは、それぞれリンク情報（ＬＩＮＫ）を備える。例文帳に追加

Each object has link information (LINK). - 特許庁

電源ＶＤＤがＯＦＦのとき、ウェル電位ＮＷは入力ＡＩＮから供給され、入力ＡＩＮとウェルとの間に電位差は生じない。例文帳に追加

When the power source VDD is off, the well potential NW is supplied from the input AIN, and potential difference is not caused between the input AIN and the well. - 特許庁

これによりＳｉ_3Ｎ_4膜をウェハ４上に成膜する。例文帳に追加

Hereby, the Si3N4 film is formed on the wafer 4. - 特許庁

また、当該品目ｉの費用は、Ｎ_ｉ×ｒ（ｉ，ｊ）×ｃ’（ｉ）であり、当該作業ｊの作業量をＯ_ｊとすると作業ｊの作業量単位の単価はΣ_ｉ（Ｎ_ｉ×ｒ（ｉ，ｊ）×ｃ’（ｉ）／Ｏ_ｊで計算される。例文帳に追加

Cost of the item i is obtained by N_i×r(i, j)×c'(i), and unit price of a work amount unit of the work j is calculated by Σ_i(N_i×r(i, j)×c'(i)/O_j) when a work amount of the work j is set as O_j. - 特許庁

目標ヒータ８ｉ，ｊにおける最適サイクル制御内の出力誤差累積Σｉ，ｊ（ｎ）更新に際して、干渉操作量ＭＶＩｉ、ｊ（ｎ）を出力誤差累積Σｉ，ｊ（ｎ）から減算する。例文帳に追加

At the time of renewal of output error accumulations Σi, j(n) in the optimal cycle control in the target heaters 8i, j, the interference operation amounts MVIi, j(n) are subtracted from the output error accumulations Σi, j(n). - 特許庁

ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハの製造方法およびＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER FOR ALGaInP-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND EPITAXIAL WAFER FOR ALGaInP-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE - 特許庁

ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ例文帳に追加

AlGaInP LIGHT EMITTING ELEMENT AND EPITAXIAL WAFER THEREFOR - 特許庁

ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用エピタキシャルウェハ及び発光素子例文帳に追加

EPITAXIAL WAFER FOR AlGaInP LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND LIGHT-EMITTING ELEMENT - 特許庁

ランタイム時には、マネージャがＳＮＭＰを要請すると、エージェントが上記ＳＮＭＰ要請メッセージに含まれているＯＩＤＩｎｆｏをＯＩＤＩｎｆｏ処理部に転送し、上記ＯＩＤＩｎｆｏ処理部は、ＯＩＤＩｎｆｏ記憶部を参照してＧＭＳ情報を上記エージェントに渡す。例文帳に追加

When a manager makes an SNMP request at a run time, an agent sends the OIDInfo included in the SNMP request message to an OIDInfo processor, the OIDInfo processor refers to an OIDInfo memory and delivers GMS information to the agent. - 特許庁

論理積演算部ＡＮＤは進行許可信号Ｐ（Ｌｉｊ）と進行指令信号Ｉ（Ｌｉｊ）との論理積信号Ｓｉｊを生成し、出力する。例文帳に追加

An AND computing unit AND generates the AND signal Sij of the progress allowing signal P(Lij) and the progress command signal I(Lij), and outputs it. - 特許庁

本発明は、遺伝子組換えノシバ（Ｚｏｙｓｉａ ｊａｐｏｎｉｃａ Ｓｔｅｕｄ．）に関する。例文帳に追加

To provide gene-recombinant Zoysia japonica Steud. - 特許庁

アバランシェ電界効果トランジスタのキャリア注入層１４をＩｎＡｌＡｓ層、ＩｎＡｌＮＡｓ層、あるいはＧａＩｎＮＡｓ層で形成することで、高速・高効率・低雑音の増幅動作が可能となる。例文帳に追加

A carrier injection layer 14 of the avalanche field effect transistor is formed by an InAlAs, an InAINAs, or a GaInNAs layer, thus enabling quick, efficient, and low-noise amplification operation. - 特許庁

Ｃ−ＭＯＳ構造のインバータＩＮＶ１，ＩＮＶ２の各々のソースにトンネル磁気抵抗素子ＭＴＪ０，ＭＴＪ１を接続し、ＩＮＶ１とＩＮＶ２とその出力および入力を相互に交差接続する。例文帳に追加

Tunnel magneto resistive elements MTJ0 and MTJ1 are connected to the respective sources of inverters INV1 and INV2 having a C-MOS structure and output and input of the inverters INV1 and INV2 are mutually cross connected. - 特許庁

ＥＣＵは、ベース噴射時期ＩＮＪＢを算出するステップ（Ｓ１００）と、ノッキングが発生したか否かを変別するステップ（Ｓ１０２）と、ノッキングが発生した場合（Ｓ１０２にてＹＥＳ）、噴射時期の補正値ＩＮＪＫ（Ｉ）を増大するステップ（Ｓ１０４）と、ベース噴射時期ＩＮＪＢに補正値ＩＮＪＫ（Ｉ）を加算して、噴射時期ＩＮＪを算出するステップ（Ｓ１１６）とを含む、プログラムを実行する。例文帳に追加

ECU executes a program including a step S100 calculating base injection timing INJB, a step 102 determining whether knocking occurs or not, a step S104 increasing correction value INJK(I) of injection timing when knocking occurs (YES in S102), and a step S116 calculating injection timing INJ by adding the correction value INJK(I) to the base injection timing INJB. - 特許庁

Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｙ１Ｇａ_１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層１３とＩｎ_Ｘ２Ａｌ_Ｙ２Ｇａ_１−Ｘ２−Ｙ２Ｎバリア層１５との間のエネルギーギャップ差Ｅｇ１は、２．４×１０^−２０Ｊ以上４．８×１０^−２０Ｊ以下である。例文帳に追加

The energy gap difference Eg1 between the In_X1Al_Y1Ga_1-X1-Y1N well layer 13 and the In_X2Al_Y2Ga_1-X2-Y2N barrier layer 15 is ≥2.4×10^-20J and ≤4.8×10^-20J. - 特許庁

エンジン１１は、１気筒当たりに複数の燃料噴射弁ＩＮＪ（１），ＩＮＪ（２）が設けられ、かつ運転状態に応じて切替る噴射弁作動領域に対応する燃料噴射弁燃料噴射弁ＩＮＪ（１），ＩＮＪ（２）を、噴射に関わる燃料噴射弁とする。例文帳に追加

In the engine 11, the plurality of fuel injection valves INJ(1), INJ(2) are provided per cylinder, and the fuel injection valves INJ(1), INJ(2) corresponding to an injection valve operating range which is switched in accordance with the operating condition serve as fuel injection valves related to injection. - 特許庁

与えられた点Ｐから頂点ｊ_ｖへのべクトルｖ［ｊ_ｖ］を計算し、ステップＳ１０６ではｖ［ｊ_ｖ］とｉ_Ｓ番目の面の法線ｎ［ｉ_Ｓ］との内積（ｖ［ｊ_ｖ］，ｎ［ｉ_Ｓ］）を計算し、正負判定を行う。例文帳に追加

Positive - negative judgment is conducted by calculating a vector v[jV] from a given point P to a vertex jV, and calculating inner product (v[jV],n[iS]) of the v[jV] and a normal n[iS] of a an iS-th face in step S106. - 特許庁

Ｂｒａｓｓｉｃａ ｊｕｎｃｅａ種の植物の中でも、和がらし（ブラウンマスタード。Ｂｒａｓｓｉｃａ ｊｕｎｃｅａ）が好ましい。例文帳に追加

Among Brassica juncea plants, Japanese mustard (brown mustard, Brassica juncea) is preferable. - 特許庁

Ｈｏｎｄａ−Ｆｕｊｉｓｈｉｍａ−Ｈａｌｌ．光触媒光合成燃料電池．例文帳に追加

HONDA-FUJISHIMA-HALL PHOTOCATALYST LIGHT SYNTHESIS FUEL CELL - 特許庁

アカメガシワ（Ｍａｌｌｏｔｕｓ ｊａｐｏｎｉｃｕｓ）、クワ（Ｍｏｒｕｓ ａｌｂａ）、アイスランドゴケ（Ｃｅｔｒａｒｉａ ｉｓｌａｎｄｉｃａ）、グァバ（Ｐｓｉｄｉｕｍ ｇｕａｊａｖａ）、ホアハウンド（Ｍａｒｒｕｂｉｕｍ ｖｕｌｇａｒｅ）、ガラナ（Ｐａｕｌｌｉｎｉａ ｃｕｐａｎａ）、オオバコ（Ｐｌａｎｔａｇｏ ａｓｉａｔｉｃａ）、アルカネット（Ａｎｃｈｕｓａ ｏｆｆｉｃｉｎａｌｉｓ）、アケビ（Ａｋｅｂｉａ ｑｕｉｎａｔａ）、クコ（Ｌｙｃｉｕｍ ｃｈｉｎｅｎｓｅ）、カゴソウ（Ｐｒｕｎｅｌｌａ ｖｕｌｇａｒｉｓ）、オレガノ（Ｏｒｉｇａｎｕｍ ｖｕｌｇａｒｅ）、フェンネル（Ｆｏｅｎｉｃｕｌｕｍ ｖｕｌｇａｒｅ）、ハス（Ｎｅｌｕｍｂｏ ｎｕｃｉｆｅｒａ）、キンカン（Ｆｏｒｔｕｎｅｌｌａ ｊａｐｏｎｉｃａ）、緑茶（Ｃａｍｅｌｌｉａ ｓｉｎｅｎｓｉｓ）及びシソ（Ｐｅｒｉｌｌａ ｆｒｕｔｅｓｃｅｎｓ）からなる群より選択される１種の植物抽出物を有効成分とする。例文帳に追加

The inhibitor contains one effective ingredient of vegetable extract selected from the group consisting of Mallotus japonicus, Morus alba, Cetraria islandica, Psidium guajava, Marrubium vulgare, Paullinia cupana, Plantago asiatica, Anchusa officinalis, Akebia quinata, Lycium chinense, Prunella vulgaris, Origanum vulgare, Foeniculum vulgare, Nelumbo nucifera, Fortunella japonica, Camellia sinensis and Perilla frutescens. - 特許庁

インターフェロンα受容体（ＩＦＮＡＲ−１）に対するヒト化抗体例文帳に追加

HUMANIZED ANTIBODY TO INTERFERON ALPHA RECEPTOR (IFNAR-1) - 特許庁

変異ＭＪＤ遺伝子の発現を特異的に抑制するｓｉＲＮＡ例文帳に追加

siRNA SPECIFICALLY REPRESSING EXPRESSION OF MUTATED MJD GENE - 特許庁

繰り返しシフトの結果、ＪＡＮ８認識部１２での認識ができない場合、ＪＡＮ１３認識部１３と領域シフト部１４によって、ＪＡＮ１３形式のバーコードとしての認識処理が行われる。例文帳に追加

When recognition by the JAN 8 recognizing part 12 cannot be performed as a result of repeated shift, a recognition processing as a bar code in a JAN 13 form is performed by a JAN 13 recognizing part 13 and the area shifting part 14. - 特許庁

本発明のバーコードプリンタにおいて、ＪＡＮ１３又はＪＡＮ８のバーコードデータが入力された場合、１３桁目又は１２桁目に入力データが存在すればバーコードデータはＪＡＮ１３であると判断する。例文帳に追加

The bar code data is judged to be JAN13 when the inputted data exists at the 13th digit or the 12th digit in the bar code printer in case the bar code data of either JAN13 or JAN8 is inputted. - 特許庁

アイヌワカメ（Ａｌａｒｉａ ｐｒａｅｌｏｎｇａ Ｋｊｅｌｌｍａｎ）又はガッカラコンブ（Ｌａｍｉｎａｒｉａ ｃｏｒｉａｃｅａ Ｍｉｙａｂｅ）に由来するラミナランを有効成分とする細胞付着剤。例文帳に追加

The cell-attaching agent comprises laminaran derived from Alaria praelonga Kjellman or Laminaria coriacea Miyabe as an active ingredient. - 特許庁

前記反応性シラン化合物は、（Ｒｉ）_ｎＳｉ（Ｘｊ）_４−ｎ，ｉ＝１〜ｎ，ｎ＝１〜３，ｊ＝１〜４−ｎ，で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物。例文帳に追加

The reactant silane compound is at least one kind selected from a group of compounds represented by (Ri)_nSi(Xj)_4-n, i=1 to n, n=1 to 3, j=1 to 4-n. - 特許庁

ＩＴ技術革新のプロジェクト‐ベースの拡散（ｐｒｏｊｅｃｔ−ｂａｓｅｄ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｏｆ ＩＴ ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎｓ）を達成すること。例文帳に追加

To achieve project-based diffusion of IT technology innovations (project-based diffusion of IT innovations). - 特許庁

優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。例文帳に追加

To materialize an Al_xGa_yIn_zN semiconductor wafer having excellent surface quality on the Ga side, and a manufacturing method of such a wafer. - 特許庁

優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。例文帳に追加

To provide an Al_xGa_yIn_zN semiconductor wafer having superior surface quality at its Ga-side and a method of fabricating such wafer. - 特許庁

保護回路ＰＴＪは、ＶＮ１からＶＮＣへの方向を順方向とするダイオードＤＩ１と、ＶＮＣからＶＮ１への方向を順方向とするダイオードＤＩ２と、ＶＮ２からＶＮＣへの方向を順方向とし、トリプルウェル構造により形成される寄生ダイオードＤＰ１を含む。例文帳に追加

The protection circuit PTJ comprises: a diode DI1 having a forward direction from the VN1 to the VNC; a diode DI2 having a forward direction from the VNC to the VN1; and a parasitic diode DP1 having a forward direction from the VN2 to the VNC and formed of a triple well structure. - 特許庁

｜Ｗ_ｊ（ｎ_１，ｎ_２，・・・ｎ_Ｍ；Ｈ）｜^２_ＡＶＲの値に基づいて送信電力を制御することにより、ＭＩＭＯ伝送において（ＳＮＲ_ｊ）_ＡＶＲを一定とするＭＩＭＯ無線信号伝送装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a MIMO radio signal transmitter which sets (SNR_j)_AVR constant in MIMO transmission by controlling transmission power on the basis of a value of |W_j(n_1, n_2, ... n_M;H)|^2_AVR. - 特許庁

ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層は、ＩｎＧａＡｓＰバリア層４０及びＩｎＧａＡｓＰウェル層４２が交互に積層された多重量子井戸構造と、多重量子井戸構造を挟むＩｎＧａＡｓＰガイド層４４，４６とを有する。例文帳に追加

The InGaAsP strained quantum well active layer has: a multiple quantum well structure having an InGaAsP barrier layer 40 and an InGaAsP well layer 42 alternately laminated; and InGaAsP guide layers 44 and 46 between which the multiple quantum well structure is sandwiched. - 特許庁

ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ系又はＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系のＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、そのコレクタ層１８を、ＧａＡｓより臨界電界強度の大きいＡｌＧａＩｎＰ等の半導体層とＧａＡｓ層から成る超格子構造とするか、又はＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＡｓＰのいずれかから成る半導体層を、単層もしくは複数層挿入した構成とする。例文帳に追加

In an epitaxial wafer for HBT of InGaP/GaAs or AlGaAs/GaAs, the collector layer 18 is made to have a super-lattice structure composed of a semiconductor layer of AlGaInP or the like whose critical electrical field strength is higher than that of GaAs and a GaAs layer, or a configuration where one or more semiconductor layers of AlGaInP, InGaP, or InGaAsP are inserted. - 特許庁

ｉ番目（１≦ｉ≦Ｎ）のデータ列Ｘｉは、その［ｉ＋（ｊ−１）×Ｎ］番目（ｊは自然数）の要素が［ｉ＋（ｊ−１）×Ｎ］番目の複素シンボルであり、その残りの要素がゼロである。例文帳に追加

In the i-th data string Xi (1≤i≤N), the [i+(j-1)×N]-th element (Here, j is a natural number.) is the [i+(j-1)×N]-th complex symbol, and remaining elements are zero. - 特許庁

そして、ＤＤＮＥｋと異常判定値［ＫＤＧＮＯＩＮＪ］とを比較して、ＤＤＮＥｋ＜［ＫＤＧＮＯＩＮＪ］の場合にその気筒が燃焼異常（失火）状態であると判定する。例文帳に追加

DDNEk is compared with an abnormality determination value [KDGNOINJ] in order to judge the cylinder as being, a condition of combustion abnormality (misfire) in the case of the relation, DDNEk<[KDGNOINJ]. - 特許庁

無線装置５は、干渉パワーＩ_ｊ（１）〜Ｉ_ｊ（Ｋｍａｘ）を無線装置３から受信し、干渉パワーＩ_ｊ（１）〜Ｉ_ｊ（Ｋｍａｘ）および目標の信号対雑音干渉比ＳＩＮＲ^Ｔ_ｊに基づいて評価項目｜Ｗ_ｊ（１，ｔ）｜〜｜Ｗ_ｊ（Ｋｍａｘ，ｔ）｜を演算する。例文帳に追加

The wireless apparatus 5 receives the interference powers I_j(1)-I_j(Kmax) from the wireless apparatus 3, and calculates evaluation items |W_j(1, t)|-|W_j(Kmax, t)| based on the interference powers I_j(1)-I_j(Kmax) and a target signal-to-noise interference ratio SINR^T_j. - 特許庁

ＮＡＳ装置において、ファームウェアに異常が発生した場合であっても、ＮＡＳ装置のファームウェアを簡単にアップデートできるようにする。例文帳に追加

To enable to easily update firmware of a NAS device even when abnormality has occurred in the firmware in the NAS device. - 特許庁

次に、情報処理装置１００は、１より大きい定数ＫについてＫ×ｎ[ｊ,ｉ]≦ｎ[ｉ,ｊ]が成立すれば、ノードｉを始点としノードｊを終点とするエッジｖ[ｉ,ｊ]を有向グラフに追加する。例文帳に追加

When K×n[j, i]≤n[i, j] is established for a constant K greater than 1, the information processing apparatus 100 next adds to the oriented graph an edge v[i, j] with the node (i) as a starting point and the node (j) as an ending point. - 特許庁

ＳＮＦエンティティ２０４は、ＰＳＴＮドメインプロトコルを用いてＰＩＮゲートウェイ２０６と通信し、ＰＳＴＮイベントに関連する情報をＰＩＮゲートウェイ２０６に渡す。例文帳に追加

The SNF entity 204 communicates with a PIN gateway 206 by using a PSTN domain protocol, and transfers information related with the PSTN event to the PIN gateway 206. - 特許庁