The other areas are set as merging recommendation areas F_n (n: an integer).例文帳に追加

それ以外のエリアは合流推奨エリアＦ_ｎ（ｎ：整数）と設定される。 - 特許庁

Specifying a value of N is equivalent to specifying the two-element list [N, N] in XSetDashes.例文帳に追加

値 N を指定することは、XSetDashesに2つの要素を持つリスト[N, N] を指定することと同じである。 この値は 0 以外の値でなくてはならない。 - XFree86

A 2nd element is represented by (TiuNv), in which N means an element other than Ti.例文帳に追加

（Ｔｉ_u Ｎ_v ）が第２の元素であり、ＮはＴｉ以外の元素である。 - 特許庁

MULTIPORT AMPLIFIER PROVIDED WITH AMPLIFIER ELEMENTS OF NUMBERS EXCEPT N-th POWER OF 2例文帳に追加

２Ｎ以外の数の増幅器要素を備えた多重ポート増幅器 - 特許庁

Some theory insists that phonemes except for/s, z/ (/k, g/,/t, d/,/n/,/h, b/,/p/,/m/ and/r/) were palatalized.発音を聞く 例文帳に追加

音素/s,z/以外の/k,g/、/t,d/、/n/、/h,b/、/p/、/m/ならびに/r/においては口蓋化があったとする説もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In this hard film 3, N and one or more kinds of elements other than N are entered into solid solution.例文帳に追加

この硬質皮膜３は、ＮやＮ以外の元素を１種又は２種以上固溶している。 - 特許庁

The integer number M is preferably set to be a value except a value of (N×n+1) ('n' is an integer number not less than 1).例文帳に追加

この整数Ｍは、（Ｎ×ｎ＋１）以外の値（ｎは１以上の任意の整数）に設定されていることが好ましい。 - 特許庁

A leading 0x or 0X denotes hexadecimal.発音を聞く 例文帳に追加

先頭が 0x または 0X ならば 16 進数として解釈されます。 それ以外の場合には、数値は[base#]n の形式で表します。 - JM

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

Regarding elements other than C, N and H, an RBS analysis is performed (S5), and their average composition is calculated (S6).例文帳に追加

Ｃ，Ｎ，Ｈ以外の元素については、ＲＢＳ分析を行って（Ｓ５）、平均組成を算出する（Ｓ６）。 - 特許庁

When it is not less than N, grouping is implemented by attribute Z_2 (attribute information except the position information) (S03).例文帳に追加

Ｎ個以上のときには属性Ｚ_2（位置情報以外の属性情報）でグループ化を実施する（Ｓ０３）。 - 特許庁

A weight ratio of the elements other than C, H and N is found, and a composition of the insulating film as a whole is calculated (S7).例文帳に追加

Ｃ，Ｈ，Ｎ以外の元素の重量比を求め、絶縁膜全体の組成を計算する（Ｓ７）。 - 特許庁

A region other than the n+ type regions 6 in the p-type layer 4 is a body region 7.例文帳に追加

一方、ｐ型層４においてｎ^+型領域６以外の領域は、ボディ領域７である。 - 特許庁

The return status is greater than zero if n is greater than $# or less than zero; otherwise 0.発音を聞く 例文帳に追加

nが$#より大きい場合や 0 より小さい場合には、返却ステータスは 0 より大きい数になります。 それ以外の場合には 0 になります。 - JM

Otherwise, from 1 to n bytes may be written (i. e.発音を聞く 例文帳に追加

それ以外の場合、1 バイト以上nバイト以下のデータが書き込まれる(つまり「一部分だけ書き込まれる」場合もあり得る)。 - JM

The dbm module provides an interface to the Unix(n)dbm library.発音を聞く 例文帳に追加

dbmモジュールはUnix(n)dbmインタフェースのライブラリを提供します。 dbmオブジェクトは、キーと値が必ず文字列である以外は辞書オブジェクトのようなふるまいをします。 - Python

When R_1 and R_2 are selected, the metal wiring of R_3-R_n except for R_1 and R_2 may be cut off by a laser beam, etc.例文帳に追加

Ｒ_1 及びＲ_2 を選択する際には、Ｒ_1 及びＲ_2 以外のＲ_3 〜Ｒ_n の金属配線２０をレーザ光等によって切断すれば良い。 - 特許庁

The N-character index modification part 123 may select N-character indexes other than a 1-character index not to be generated.例文帳に追加

また、Ｎ文字索引変更部１２３は１文字索引以外のＮ文字索引から生成非対象を選択する。 - 特許庁

A reading section 143 during reading operation reads out the data and sub clip other than the first N data or the first N' data while reproducing the VO data and sub clip, and buffers it into the buffer.例文帳に追加

再生中読出部１４３は、ＶＯデータとサブクリップの再生中に、最初Nデータまたは最初N´データ以外のデータとサブクリップを読み出し、バッファにバッファリングする。 - 特許庁

The controller 1 discriminates a test output signal Dn (n=10) converted from the test input signal An (n=10) from other output signals Dn (n=1 to 9).例文帳に追加

制御器１は試験入力信号Ａｎ（ｎ＝１０）から変換された試験出力信号Ｄｎ（ｎ＝１０）をそれ以外の出力信号Ｄｎ（ｎ＝１〜９）と判別する。 - 特許庁

In the region other than the light receiving portion S among the n-type semiconductor layer 12 (the outer edge region of the n-type semiconductor layer 12), a plurality of p-type semiconductor region 16 is formed regularly in the in-plane direction of the n-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

ｎ型半導体層１２のうち受光領域Ｓ以外の領域（ｎ型半導体層１２の外縁領域）には、複数のｐ型半導体領域１６がｎ型半導体層１２の面内方向に規則的に形成されている。 - 特許庁

Moreover, an n-type impurity concentration at the lower side of the electrode in the light receiving surface side includes a high concentration n-type layer which is higher than the n-type impurity concentration of the lower side of the light receiving surface other than the electrode in the light receiving surface side.例文帳に追加

さらに、受光面側電極下部のｎ型不純物濃度が受光面側電極以外の受光面下部のｎ型不純物濃度より高い高濃度ｎ型層を有する太陽電池。 - 特許庁

Patterns are classified into the patterns (the patterns P) where sweep data x(n+1) becomes larger compared with sweep data x(n), the patterns (the patterns N) where the sweep data x(n+1) becomes smaller compared with the sweep data x(n), and the other patterns (the patterns Z).例文帳に追加

スイープデータｘ（ｎ）に対して、スイープデータｘ（ｎ＋１）が大きくなるパターン（パターンＰ）、スイープデータｘ（ｎ）に対して、スイープデータｘ（ｎ＋１）が小さくなるパターン（パターンＮ）、それ以外のパターン（パターンＺ）に分類する。 - 特許庁

The patterns are classified to: a pattern (pattern P) of which the sweep data x(n+1) become larger with respect to sweep data x(n); a pattern (pattern N) of which the sweep data x(n+1) become smaller with respect to the sweep data x(n); and patterns (patterns Z) other than said patterns.例文帳に追加

スイープデータｘ（ｎ）に対して、スイープデータｘ（ｎ＋１）が大きくなるパターン（パターンＰ）、スイープデータｘ（ｎ）に対して、スイープデータｘ（ｎ＋１）が小さくなるパターン（パターンＮ）、それ以外のパターン（パターンＺ）に分類する。 - 特許庁

maximal-length LFSR発音を聞く 例文帳に追加

最大長 LFSR 《n ビットであれば 2ｎ−1 ステップの周期をもつ LFSR; 0 以外のすべてのビットパターンが 1 回ずつ現われ, 乱数に使われる》 - 研究社 英和コンピューター用語辞典

Otherwise, the last-pointer-grab time is set to the specified time (CurrentTime is replaced by the current X server time).例文帳に追加

これ以外の場合には、最終ポインタグラブ時刻には指定した時間がセットされるn ( CurrentTimeは X サーバの現在時刻に置き換えられる)。 - XFree86

A group Vb element or a group VI element other than nitrogen is also used as an n-type dopant for forming impurity regions.例文帳に追加

不純物領域形成のためのｎ型ドーパントとしても、窒素以外のＶｂ族、またはＶＩ族元素を用いる。 - 特許庁

Furthermore, remaining fingers are assigned with paths exceeding finger thresholds except the upper N assigned paths preferentially from those having larger correlation values.例文帳に追加

さらに、割り当てた上位Ｎ個のパス以外でフィンガ閾値を越えたパスを、相関値の大きいものから優先的に残りのフィンガに割り当てる。 - 特許庁

This antibody reacts with an extracellular loop other than the N-terminal domain of the C5aR and reduces or inhibits the binding of C5a to the C5aR.例文帳に追加

Ｃ５ａＲのＮ末端ドメイン以外の細胞外ループと反応する、かつ、Ｃ５ａのＣ５ａＲへの結合を低減又は阻害する抗体。 - 特許庁

A general unit power consumption database 101-2 stores the total power consumption of general units G-N other than the specific units.例文帳に追加

一般ユニット消費電力データベース101-2は、特定ユニット以外の一般ユニットＧ〜Ｎによる合計の消費電力を記憶する。 - 特許庁

This composition does not desirably include an anionic surface active agent except for the higher fatty acid N-methyl taurine salt.例文帳に追加

この組成物は、上記高級脂肪酸Ｎ−メチルタウリン塩以外のアニオン性界面活性剤を含まないことが好ましい。 - 特許庁

Since the divided clock has the unequal intervals, the number N in a dividing ratio 1/N can be set as the number other than an integer.例文帳に追加

分周クロックを不等間隔にすることにより、分周比１／ＮのＮの値を整数以外の値に設定することができる。 - 特許庁

Furthermore, respectively different random signals are emitted from the speakers, an S/N is reduced at a spot other than the target spot.例文帳に追加

また、さらに各スピーカからそれぞれ異なるランダム信号放音することにより、目標点以外でのＳ／Ｎ比を低下させる。 - 特許庁

Boron is doped to all parts except a pixel part for the purpose of differentiating threshold voltages between N channel transistors of the pixel part and a peripheral circuit part.例文帳に追加

画素部のＮチャネルトランジスタと周辺回路部のＮチャネルトランジスタとの閾値電圧を変えるために、画素部以外にボロンをドープする。 - 特許庁

For example, a surface azimuth other than (100) is exposed at the surface part of an N-type well region 13a of a silicon substrate 11 whose face orientation is (100).例文帳に追加

たとえば、面方位が（１００）であるシリコン基板１１の、Ｎ−型ウエル領域１３ａの表面部に（１００）以外の面方位を露出させる。 - 特許庁

The objects N judged to be improper are housed in another housing container 3.例文帳に追加

そして、適正でないとされた被選別物Ｎについて、その収納容器３以外の収納容器３に収納させる。 - 特許庁

By compositely doping the nitrogen together with the group III elements, diffusion of the group III elements to other than the n-type semiconductor layer is suppressed.例文帳に追加

ＩＩＩ属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、ｎ型半導体層以外の他の層に対するＩＩＩ属元素の拡散が抑制される。 - 特許庁

To enhance the S/N ratio of an endoscope image in an other than a display area and the image quality of the overall image.例文帳に追加

内視鏡画像の表示エリア以外の領域のＳ／Ｎを向上させ、画像全体の画質の品位を改善する。 - 特許庁

An orientation flat OF is formed in a notch forming section for a notch n by grinding the outer periphery of a wafer 10 for active layer except the notch forming section.例文帳に追加

ノッチｎの形成部以外の活性層用ウェーハ１０の外周部を外周研削し、ノッチ形成部にオリフラＯＦを形成する。 - 特許庁

The joint part S is not protruded to the outer side of an outer peripheral face No of a non-joint part N which is a portion of the inner liner 10 other than the joint part S.例文帳に追加

接合部Ｓは、接合部Ｓ以外のインナライナ10の部分である非接合部Ｎの外周面Ｎｏよりも外側に突出していない。 - 特許庁

An optical energy of the light radiation devices other than the light radiation device located at the most downstream side is set to be not larger than m/n.例文帳に追加

そして最下流の光照射装置以外の光照射装置の光エネルギーはｍ／ｎ以下に設定されている。 - 特許庁

An address generating device 102 is configured to generate an address value with the N/2-bit width in addition to an address value with an N-bit width.例文帳に追加

アドレス生成装置１０２は、Ｎビット幅のアドレス値以外にＮ／２ビット幅のアドレス値も生成可能に構成される。 - 特許庁

To improve the working ratio n a plasma CVD system by suppressing the deposition of a film on the parts other than the surface of a substrate.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置において、基板表面以外への膜付着を抑制することにより、稼働率を向上させる。 - 特許庁