BLRとは 意味・読み方・使い方

First and second strip-like metal sheets Blr are re-connected to each other by a connection portion free from any remarkable stepped or projecting portions.例文帳に追加

これにより、顕著な段差部または突出部の無い接続部によって、第１および第２の帯状金属薄板Ｂ１ｒが再接続される。 - 特許庁

And at the time of read-out of data, potential difference caused between the bit lines BL and the reference bit line BLr is read out using the sense amplifier 53.例文帳に追加

そして、データの読み出し時に、ビット線ＢＬと参照ビット線ＢＬｒとの間に生じた電位差をセンスアンプ５３を用いて読み出す。 - 特許庁

A register BLR where a black level correction data of each color is stored is common among the input channels.例文帳に追加

各色の黒レベル補正データを格納するレジスタＢＬＲは、各入力チャンネルに共通である。 - 特許庁

When one reference bit line BLr is driven to a selection state in accordance with a reference string selection signal SELref which is the result of decoding a column address CA at data access, the potential of the selection reference bit line BLr is transferred to a reference data bus line BDref.例文帳に追加

データアクセス時において、コラムアドレスＣＡのデコード結果である参照列選択信号ＳＥＬｒｅｆに応じて１本の参照ビット線ＢＬｒが選択状態に駆動されると、選択参照ビット線ＢＬｒの電位が参照データバス線ＢＤｒｅｆへと伝達される。 - 特許庁

In the period of the data access, the reference bit line BLr of nonselection state is precharged to a ground potential in accordance with a reset signal RST of H level.例文帳に追加

上記のアクセス期間において、非選択状態の参照ビット線ＢＬｒは、Ｈレベルのリセット信号ＲＳＴに応じて接地電位にプリチャージされる。 - 特許庁

When a nonselection reference bit line BLr is selected at the next access to the data, the data can continuously be read out without waiting for the precharging of the bit line.例文帳に追加

次のデータアクセス時に非選択参照ビット線ＢＬｒが選択されると、ビット線のプリチャージ時間を待つことなく連続的にデータ読出ができる。 - 特許庁

When at least one of the result signals outputted from a plurality of the voltage detection circuit ICs 51-55 is at a level showing a failure, an OR gate 74 outputs the result signal at a level showing a failure to a main line BLr so as to superimpose the result signals.例文帳に追加

ＯＲゲート７４が、複数の電圧検出回路ＩＣ５１〜５５から出力される結果信号の少なくとも１つが異常を示すレベルであれば、本ラインＢＬｒに異常を示すレベルの結果信号を出力して、結果信号を重ね合わせる。 - 特許庁

When the interpolymer complex layer is formed on an upper resist pattern of a BLR using a coating composition containing a silicon contained substance such as a silicon alcoxide monomer, a silicon alcoxide oligomer, or partial hydrolysates of these, a micropattern is formed with an increased resistance property to dry etching by an increased silicon content.例文帳に追加

シリコンアルコキシドモノマー、シリコンアルコキシドオリゴマー、またはこれらの部分加水分解物などのシリコン含有物質を含むコーティング組成物を使ってＢＬＲの上部レジストパターンにインターポリマーコンプレックス層を形成すれば、増加したシリコン含量によって乾式エッチングに対して増加した耐性を有し、微細パターンを形成しうる。 - 特許庁